在超过玻璃化转变温度下在薄膜基底上制造制品的方法

专利名称：：在超过玻璃化转变温度下在薄膜基底上制造制品的方法
技术领域：
：本发明涉及使用薄膜基底作为基座制造(例如)有机发光二极管。更具体地讲，公开了以下制造步骤的完成使薄膜基底超过其玻璃化转变温度，而不会导致最终产品的尺寸不稳定。
背景技术：
：最近，在具有视觉显示器的电子装置领域已经获得了相当大的商业成功。诸如手机、PDA、mp3播放器的小型手持装置和用于电视机、标牌和计算机的大型显示器，在某种程度上取决于其视觉显示方面的吸引力。已进行了大量工作试图优化这些显示器的诸如亮度、颜色强度和能量消耗等特性。一个活跃的研究领域是有效地使用有机发光二极管(OLED)和聚合物发光二极管(PLED)。基于OLED和PLED的显示器具有很多好处，与传统的照明光源相比，其为自身发光(不需要背光源)，并且更薄、更亮。然而，由于这类二极管材料对氧气和水分的敏感性，对于OLED/PLED显示器，目前通常合适的基底材料只有玻璃。使用玻璃是因为其具有极好的水分和氧气阻挡特性，并且还因为其具有光学和机械稳定性。然而，遗憾的是玻璃缺乏柔韧性，并且能够形成的最小厚度仍然很厚。为了取代玻璃，塑料基底不仅要有柔韧性，而且还要能提供玻璃的下述特性，即透明、尺寸稳定性、热稳定性、阻挡性、耐溶剂性、低热膨胀系数(CTE)以及光滑的表面。目前，没有哪种塑料薄膜提供所有这些特性。一些塑料薄膜接近所需的这些特性，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，但是它们的热稳定性不好。一些涉及在基底上沉积有机发光层和导电层的工艺是在超出这些聚合物的玻璃化转变温度下进行的。传统的制造技术会使聚合物基底由于受热而产生机械扭曲。
发明内容本发明提供一种新型方法，其中具有低玻璃化转变温度的柔性薄膜基底可用于制造在高温加工后尺寸不变并且表面光滑度提高的制品。本发明(例如)可使得低温薄膜在一般用于电子加工的、通常超过200°C的条件下尺寸恒定并且非常平滑(粗糙度<5纳米)，所述低温薄膜定义为玻璃化转变温度小于200°C的塑料薄膜，其常见的例子为PET、PEN和它们的共聚物。更具体地讲，该方法能够在OLED/PLED制造中使用(例如)基于PET、PEN或其共聚物的阻挡膜。其它的应用存在于(例如)太阳电池、电致变色显示器、液晶显示器和其它对阻挡性能要求高的电子器件中。在一个方面，本发明可以被看作制备用于高温加工的薄膜的一种方法。在该方法中，提供了玻璃化转变温度在200°C以下的聚合物基底的薄膜。该薄膜还具有至少一层金属氧化物和至少一层涂覆的聚合物。夹持该薄膜使得薄膜在至少一个方向上承受张力，优选为两个正交方向。该夹持的薄膜超过其玻璃化转变温度。在优选的实施例中，在至少两个正交方向上的张力足以防止薄膜在加热期间的松垂。夹持可以采用多种方式进行，其中一种是使用夹具。这种装置可由多种材料制造，但是优选该夹具由具有低热膨胀的材料制成。例如，铝的热膨胀系数为23xlO'V'C;铜的热膨胀系数为17xlO'VC;铁或钢的热膨胀系数为12xlO-6/°C;玻璃的热膨胀系数为3-8x10—6/°C;石英的热膨胀系数为0.59x10—fi/°C。然而，本发明还预期所述方法可以在没有分立的夹具的情况下进行，如使用拉幅(tentering)技术在滚筒式(roll-to-roll)处理时以所需方式保持基底。更具体地讲，一巻不定长的基底可在步进重复操作中通过薄膜制备工位，使得拉幅夹具在横维方向施加与幅材推进设备在纵向施加的相同的张力。此外，用于PLED或OLED的合适的基底薄膜表面优选具有小于约10nm、更优选地小于5nm的平均粗糙度。所建议的基底的表面光洁度可通过以下方式评估在基底薄膜中切割一块测试切片，并用显微干涉仪来评估该测试切片，所述显微干涉仪(例如)可购自美国维易科公司(Veeco)的分部WYKO(亚利桑那州图森市)。当用于玻璃化转变温度在约120°C以下的基底时，该方法具有特别的优点，因为在该范围内的一些聚合物具有其它优良的特性。(注意本文所用的Tg约为120°C，其范围为约115°C至130°C，取决于使用的测量技术)。具体地讲，PEN、PET及其共聚物均属于此类，被认为特别适合用于本发明。在其它聚合物中，聚丙烯也被认为是适合的，并且具有低成本的优点。商业供应商提供的薄膜常常具有内在的双轴取向。在这种情况下，据信有利于进行夹持，使得至少一个方向、优选两个正交方向与薄膜的双轴取向对齐。在使用所述方法制造OLED或PLED装置的情况下，该方法还可包括在夹持薄膜的同时沉积透明导电材料层到该薄膜上，并且继续沉积有机空穴传输层到该薄膜上。许多材料被认为适合用作透明导电材料，包括Sn02、In203、ZnO、CdO、ZnO-Sn02、ZnO-In203、In203-Sn02、CdO-Sn02、CdO-In203、Mgln204、Galn03、(Ga,In)203、CdSb206、ZnO-In203-Sn02、CdO-In203-Sn02和ZnO-CdO-In203-Sn02。铟锡氧化物被认为特别适合用作透明导电材料。关于使用透明导电材料的附加的信息见于《半导体科学与技术》20(2005)S35-S44刊出的米纳米所著"用于透明电极的透明导电氧化物半导体"(Minami，T.,"TransparentConductingOxideSemiconductorsforTransparentElectrodes,"Semicond.Sci.Tech.20(2005)S35-S44)，据此其如同再书一般以引用方式并入本文。如果这样沉积之后，基底和沉积的层保持夹紧直到该结构冷却到基底的玻璃化转变温度以下，便可获得最好的结果。如何施加这些附加层的描述见于美国专利公布2006/0024895Al(转让给三星公司)，据此其如同再书一般以引用方式并入本文。图1示出了一种适用于实现本发明方法的一个实施例的夹具的透视图。图2示出了图1所示夹具的分解图。图3示出了图1所示夹具上部的下侧的透视图。图4示出了适合的聚合物分别在夹持和未夹持状况下的示例性应力和应变性能的两张图。具体实施例方式现在参见图1，其示出了适用于实现本发明方法的一个实施例的夹具10的透视图。该夹具10包括两个主要部件下部12，具有安装在凸缘16上的八个夹钳14;上部18，当夹钳14如附图所示那样夹紧时，上部18可脱开地固定到下部12。当夹具用于实现该方法时，薄膜被夹在上部18和下部12之间。虽然示例性附图中描述的夹具是正方形，但是普通技工将会知道许多不同形状的夹具，包括圆形夹具，可使薄膜在至少两个正交方向上承受张力。现在参见图2，示出了图1所示夹具10的分解图。与图1相比，夹钳14已经全部松开，上部18向上抬起并且脱离其之前与下部12接合的位置。在该图中，应当知道下部12包括槽20。现在参见图3，示出了图1所示夹具上部18的下侧透视图。在该图中，应当知道上部18具有适合与下部12上的槽20相接合的凸脊22。凸脊22和槽20的共同作用增加了夹具10对夹持在上部18和下部12之间的薄膜的夹持力。虽然增加夹持力的装置被认为是优选的，但其不是本方法必需的部件。如果有这种装置，对于普通技工来说，示图中的脊和槽结构仅仅是许多装置中的一种。如上面提及的，可使用许多夹紧机构，只要它们可以在薄膜经受具体温度范围时使得薄膜处于零应变，从而有利地调控薄膜的内应力。不受理论的束缚，据信双轴取向的PEN在约92°C的温度以下热膨胀是最大的。其在约160°C时开始经历收縮，直到其收縮到初始大小以内。如果薄膜被夹持，其通过在高温下进行短时间的热处理来进行调节。产生内应力并且该薄膜绷紧。据信这种调节有两个重要作用。第一，它利用双轴取向薄膜的收縮性来达到非常平滑的表面。如果第二个操作是(例如)沉积OLED/PLED组分到薄膜上，这是有利的。第二，这样沉积后(可能在高温下夹持薄膜多达一个小时)，从夹具上取下薄膜时，该薄膜及其附加层保持平滑并且无变形。调节步骤可以短至几秒钟，也可以长达几分钟。调节温度可为聚合物的Tg和Tm(熔点)之间的某个值。对于PET和PEN，在约120°C至260°C之间的调节温度认为是优选的。结合图4可更容易地理解上面的论述，示出了适合的聚合物分别在夹持和未夹持的情形下的示例性应力和应变性能的两张图。加热薄膜时，薄膜膨胀(红色实线)。但是例如PET或PEN的双轴拉伸的薄膜将在160-180°C以上收縮。在自立式薄膜的情况下，物理形状和内应力将沿着红色虚线变化。但是如果是夹持的薄膜，相同的薄膜在零应变下绷紧并且产生内应力(绿色实线)。自立式薄膜受热时将释放其内部应力至几乎为零，这样会引起尺寸的不稳定性。在已通过加热调节的夹持的薄膜中，内应力使薄膜保持平滑，同时例如OLED/PLED加工可在高温下(即180°C)按多个步骤进行，而绷紧的薄膜在延长时段不会变形。OLED/PLED加工完成后，将整个装置冷却到环境条件，同时基底薄膜在夹具中保持绷紧状态。现在将更详细地论述一些可作为OLED/PLED加工的一部分的操作。这些装置，通常为有机电致发光装置(OEL)，包括有机材料层，其中至少一层有机材料层能够导电。具体的OEL装置(有时称作灯)因其较薄的外型、较低的重量和较低的驱动电压，被期望用于电传导介质。OEL装置的潜在应用为诸如(例如)照明应用、图形背光源、像素化显示器和大型发光图形。OEL装置通常包括有机发光体层和可选的一个或多个电荷传输层，所有的层都夹在两个电极阴极和阳极之间。载流子电子和空穴从阴极和阳极分别注入。电子是带负电的原子粒子；空穴是处于空的电子能量状态，其表现为类似带正电的粒子。载流子迁移到发光层，二者在此组合发光。发光层包括一种或多种发光材料，例如小分子(SM)发光体、掺杂SM的聚合物、发光聚合物(LEP)、掺杂的LEP、共混的LEP、另一种有机发光材料或这些材料的任何组合。适合的LEP材料类的例子包括聚苯乙炔(PPV)、聚对亚苯基(PPP)、聚芴(PF)、其它现已知或后来开发的LEP材料，及其它们的共聚物或共混物。适合的LEP也可以进行掺杂、用发光染料或其它光致发光(PL)材料分散、与活性或非活性材料共混、用活性或非活性材料分散等。适合的LEP材料的例子在(例如)卡夫特等人在"德国应用化学"37,402-428(1998)上发表的文章(Kraft,etal..Angew.Chem.Int.Ed.，37，402-428(1998));美国专利No.5，621,131、5，708，130、5,728,801、5,840,217、5，869，350、5,900,327、5,929,194、6,132,641和6,169,163;以及公开号为99/40655的PCT专利申请中有所描述，这些内容均以引用方式并入本文。SM材料通常为非聚合物的有机或有机金属分子材料，其可在有机电致发光显示器和装置中用作发光材料、电荷传输材料、发光层(例如用以控制发光颜色)或电荷传输层的掺杂物等。通常使用的SM材料包括诸如三(8-羟基喹啉)铝(A1Q)及其衍生物的金属螯合物以及诸如N，N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(TPD)的有机化合物。其它的SM材料在(例如)陈等人在"大分子研讨会"125，1(1997)上发表的文章(C.H.Chen,etal.,Macromol.Svmp.125，1(1997));日本特开平专利申请2000-195673;美国专利No.6,030,715、6,150,043和6,242,115;以及公开号为WO00/18851(二价镧系金属配合物)、WO00/70655(环金属化铱化合物和其它化合物)和WO98/55561的PCT专利申请中有所公开，这些内容均以引用方式并入本文。空穴传输层可可选地存在于OEL装置中，以有利于空穴从阳极注入该装置并且向载流子复合区域迁移。这种空穴传输层还起到阻挡电子向阳极迁移的作用。空穴传输层可包括二胺衍生物，例如N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基联苯胺(也称为TPD)或N，N'-二(3-萘-2-基)-N，N'-二苯基联苯胺(NPD);或是三芳胺衍生物，诸如4，4'，4"-三(N，N-二苯氨基)三苯胺(TDATA)、4,4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4'，4"-三(N-吩噻嗪基)三苯胺(TPTTA)、4，4'，4"-三(N-吩噁嗪基)三苯胺(TPOTA)。其它的例子包括酞菁铜(CuPC);1，3，5-三(4-二苯氨基苯基)苯(TDAPB);聚(乙烯基咔唑)；以及(例如)在"材料化学杂志"10，1(2000)发表的城田优所著文章(Shirota丄Mater.Chem.,10，1(2000))、"合成金属"91，161(1997)发表的福吉科娃等人所著文章(H.Fujikawa,etal.，SyntheticMetals.91.161(1997))以及在纳尔瓦编著的"高级电子和光子材料以及装置手册"中由格雷朱纳维修斯和斯特罗里格尔所著的"电荷传输聚合物和分子玻璃"(J.V.Grazulevicius,P.Strohriegl，"Charge-TransportingPolymersandMolecularGlasses",HandbookofAdvancedElectronicandPhotonicMaterialsandDevices,H.S.Nalwa(ed.),10,233-274(2001))中描述的其它化合物，这些内容均以引用方式并入本文。电子传输层可可选地存在于OEL装置中以有利于电子注入并且向载流子复合区域迁移。如果需要，这种电子传输层还可阻挡空穴向阴极258移动。例如，电子传输层262可由有机金属化合物三(8-羟基喹啉)铝(A1Q)构成。电子传输材料的其它例子包括3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、1，3-二[5-(4-(1,1-二甲基乙基)苯基)-1，3,4-噁二唑-2-基]苯、2-(联苯-4-基)-5-(4-(1,1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-噁二唑(tBuPBD)以及在"材料化学杂志》10，1(2000)发表的城田优所著文章(Shirota丄Mater.Chem.,10，1(2000))、陈等人在《大分子研讨会》125,1(1997)上发表的文章(C.H.Chen，etal.，Mac醒ol.Svmp.125，1(1997))以及在纳尔瓦编著的《高级电子和光子材料以及装置手册"中由格雷朱纳维修斯和斯特罗里格尔所著的"电荷传输聚合物和分子玻璃"(J.V.Grazulevicius，P.Strohriegl，"Charge-TransportingPolymersandMolecularGlasses"，HandbookofAdvancedElectronic-indPhotonicMaterialsandDevices,H.S.Nalwa(ed.)，10,233(2001))中描述的其它化合物，这些内容均以引用方式并入本文。本文所述的本发明方法也可用于制造利用高温的液晶显示器和电致变色显示器，还可用于在薄膜上制造薄膜晶体管。(参见例如美国专利申请2006/0024895AO。另外，该方法可用于制造经过高温加工步骤的柔性太阳电池。也可预期制造照明装置和静态或动态的标牌的应用。实例1对双轴取向的PEN薄膜0.123毫米厚的样品(可以Q65FA购自杜邦特进薄膜公司(弗吉尼亚州霍普维尔))测定光学薄膜制造中所关注的几个特性。具体地讲，其透射率(T，％)测定为89.5。其雾度(H，％)测定为0.99。其透明度(C，％)测定为100。透射率和雾度根据ASTMD-1003进行测量。透明度根据HazeguardPlus(可得自BYK美国加纳公司(马里兰州西尔弗斯普林)(BYK-GarnerUSA，SilverSpring,Md.))手册中的测试方法进行测量。作为对照实验，从该材料上切下大小为30cmx30cm的方形材料，切割时使得薄膜的双轴取向与切割轴对齐。将该部分在240°C的温度下受热5分钟(模拟高温OLED/PLED加工步骤)。该步骤在温度设为24CTC的烘箱中进行，薄膜悬挂在烘箱中，不受约束或张力。热处理结束后，注意到薄膜产生了物理收縮，两个轴方向上的收縮各不相同。具体地讲，其在横维方向上的收縮率为4.59%，在纵向的收缩率为4.07%，通过相隔20cm的参考标记进行测量。此外，光学特性也发生了变化，使得透射率为89.9，雾度为2.32，透明度为99.7。所得薄膜高度巻曲。实例2将实例1中的薄膜的不同部分固定到图1所示正方形铝框架上。夹钳分别产生3-6MPa的垂直压力，由于薄膜夹持表面的几何形状，该力在薄膜中沿着由双轴取向定义的轴产生几乎为零的张力。夹持的薄膜在实例1的同一烘箱中于24CTC下进行了15秒的调节循环。在调节期间，薄膜经过热膨胀接着收縮从而形成紧紧贴合框架几何结构的平滑薄膜。选择调节循环以使得温度高得足以使薄膜开始一些收縮，同时时间短得足以使薄膜内应力没有完全释放出来。接着，在其它条件与实例1相同的环境下，将仍夹持在框架中的调节过的薄膜在240°C下热处理5分钟。然后，根据实例1的方法对热收縮和光学特性进行测量，但是这些测试是在薄膜在夹具中仍然绷紧的时候进行的。具体地讲，热处理后，薄膜在横维方向上的收縮率为0.00%，在纵向的收缩率为-0.09%。光学特性与调节和热处理之前所具有的光学特性相比保持不变。在夹具内，热处理并没有使薄膜显示出任何可见的巻曲或变形。实例3基本上根据实例2进行实验，不同的是薄膜在测量热收縮和光学特性前从夹具中取出。具体地讲，在热处理和从夹具中取出后，薄膜在横向的收縮率为0.56%，在纵向的收縮率为0.01%，这显著低于实例1所示的自立式薄膜。也采用实例1所述方法测定热加工前后的光学特性，结果是加工后这些特性没有变化。所得薄膜没有可见的巻曲或变形。实例1-3表明至少裸露的基底通过使用根据本发明的夹具可在超过其玻璃化转变温度的加工期间避免发生巻曲和变形。实例4-6描述本发明更进一步的情况，其中基底具有预先施加在一个表面上的阻挡层。实例4将类似于实例1的PEN薄膜转变成水分/氧气阻挡层，通过SiA10x和丙烯酸酯聚合物层交替地气相沉积到PEN薄膜形成，从金属氧化物层开始总共七个沉积层。该步骤根据帕迪耶斯(Padiyath)和罗里格(Roehrig)共同未决和共同转让的美国专利申请2004/195967中实例1所述方法实现，据此其如同再书一般以引用方式并入本文。所述薄膜的光学特性根据实例1所述方法测定，测得透射率为92.0，雾度为0.91，透明度为100。将该薄膜在240°C下热处理5分钟(模拟髙温OLED/PLED加工步骤)。该步骤通常在实例1描述的烘箱中进行。热处理结束后，注意到薄膜已经产生物理收縮，在两个轴线方向上的收縮各不相同。具体地讲，其在横维方向上的收縮率为3.50%，在纵向的收縮率为2.75%，通过相隔20cm的参考标记进行测量。薄膜各面上的不平衡热膨胀/收縮会使得处理过的薄膜高度巻曲并且变形，从而导致沉积的阻挡层的破损。实例5根据实例4的方法制备了另一张水分/氧气阻挡层。其光学特性根据实例1的方法测定，测得透射率为91.1，雾度为1.06，透明度为100。釆用类似于实例2所述的方式，将该薄膜固定到图1所示的正方形铝框架上。夹钳分别产生3-6MPa的垂直压力，由于薄膜夹持表面的几何形状，该力在薄膜中沿着由双轴取向定义的轴产生几乎为零的张力。垂直压力高得足以防止薄膜在受热收縮期间的滑动。夹持的薄膜在24CTC下进行了15秒的调节循环，同时薄膜在夹具中保持绷紧。由于实例2中论述的原因，这使得薄膜膨胀和收縮后紧紧地贴合在框架几何结构上。如同实例2—样，将夹持的薄膜在240°C下热处理5分钟。夹持的薄膜冷却到室温后，将该薄膜从夹具上取下并且对其热收縮和光学特性进行测定。具体地讲，热处理之后，薄膜在横维方向上的收縮率为0.07%，在纵向的收縮率为0.00%，这显著低于实例4中示出的自立式薄膜。光学特性保持基本不变。实例6如实例5所述处理另一张实例5中所使用的水分/氧气阻挡层，不同的是调节后进行10分钟的热处理而不是5分钟。夹持的薄膜冷却到室温后，将该薄膜从夹具中取出并且对其热收縮和光学特性进行测定。具体地讲，热处理后，薄膜在横维方向上的收缩率为-0.33%，在纵向的收縮率为0.27%，仍然显著低于实例4中示出的自立式薄膜。通过调节和热处理光学特性基本上保持不变。实例4-6表明不仅是在裸露的基底，还有气相沉积在基底上的阻挡层通过使用根据本发明的夹具，在超过基底的玻璃化转变温度的加工期间可避免发生巻曲和变形。实例7对根据实例4的对照阻挡层样品进行测定以确定其水蒸汽传递速率(WVTR)，不同的是没有对其进行热处理。使用可从膜康仪器公司(明尼苏达州明尼阿波利斯)(MoconInstrumentsofMinneapolisMN)商购获得的Permatran700系列仪器进行WVTR测定。按照该仪器的测试方案，在50°C、100%RH和0%02的测试条件下测定WVTR。这些条件下的WVTR为<0.005g/m2/天。实例5和6的热处理样品也釆用该仪器进行测试，测得的WVTR也为<0.005g/m2/天。该实例表明本发明公开的方法可使用多层阻挡膜，而不会降低阻碍性能。实例8双轴取向的PEN薄膜通过以下方式制备使用3M公司(明尼苏达州圣保罗)制造的颗粒形式的PEN,将其融化并且在双螺杆挤压机中将其挤压形成浇铸料片。接着，使用双轴拉伸器(以商品名KAROIV购自德国布鲁克纳德国技术公司(BrucknerGermanTechnology))拉伸该浇铸料片。最终的拉伸比为约3.5x3.5，形成厚度为120微米的薄膜。使用可从WYKO公司(亚利桑那州图森)商购获得的显微干涉仪测定该双轴取向的PEN薄膜样品的表面粗糙度。这方法体现三个方面的表面粗糙度平均粗糙度，Ra(测量中心线的算术平均偏差)；非对称性粗糙度，Rsk(测量有多大面积超过或低于平均高度)；粗糙度峰值，Rku(测量表面特征的凹度)。然后，将双轴取向的PEN薄膜的五个部分放到实例2所述的夹具中，然后在240°C下调节15秒。该薄膜经过膨胀和收縮紧紧地贴合在框架几何结构中，接着用下表列出的不同的加工条件对薄膜进行热处理。如下所示，加工温度高达240°C(30-60秒)，加工时间长达1小时(在180°C下)。还要测定这些样品的表面粗糙度，将结果列表如下<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>与没有经过另外热处理的对照薄膜相比，在本发明所述的夹具中进行高温加工具有以下优点，所得的薄膜制品具有两个非常平滑的表面(Ra<5nm)、几乎为零的高度(Rsk"0)以及几乎随机特性(Rku"3)，所有这些优点在OLED/PLED和其他电子加工应用中是有用的。结合本发明的各种实施例具体描述本发明时，本领域的技术人员应当理解，可从形式和细节上对本发明进行多种改变而不脱离本发明的精神和范围。权利要求1.一种用于高温加工的薄膜的制备方法，包括提供薄膜，所述薄膜包括玻璃化转变温度在约200℃以下的聚合物基底，还包括至少一层金属氧化物和至少一层涂覆的聚合物；夹持所述薄膜以使所述薄膜在至少两个正交方向上承受张力；将所述夹持的薄膜加热至其玻璃化转变温度以上。2.根据权利要求1所述的方法，还包括将有机空穴传输层沉积到所述薄膜上。3.根据权利要求1所述的方法，还包括将透明导电材料层沉积到所述薄膜上。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述透明导电材料为铟锡氧化物。5.根据权利要求1所述的方法，还包括将夹持的薄膜冷却至玻璃化转变温度以下。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述玻璃化转变温度低于约120°C。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述薄膜选自由PET、PEN及其共聚物组成的组。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少两个正交方向上的所述张力足以防止所述薄膜在加热期间的松垂。9.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的薄膜具有双轴取向，并且其中所述至少两个正交方向与所述双轴取向对齐。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底在加热后具有小于10nm的平均表面粗糙度。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底在加热后具有小于0.005g/m"天的水蒸汽传递速率(WVTR)。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底加热后在至少两个正交方向显示出小于0.01%的收縮率。13.根据权利要求1所述的方法，还包括在夹持所述薄膜的同时在其上沉积透明导电材料层。14.根据权利要求1所述的方法，还包括在夹持所述薄膜的同时在其上沉积有机空穴传输层。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法在高于约1S0。C下进行。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法用于制造选自由下列组成的组的装置OLED显示器、液晶显示器、电致变色显示器、薄膜晶体管装置、柔性太阳电池、光伏、照明装置和标牌。全文摘要一种用于制备具有低玻璃化转变温度的柔性薄膜基底的方法，所述基底可用于制造在高温加工后保持尺寸不变并且表面光滑度提高的制品。本发明(例如)可使得低温薄膜(例如PET和PEN)在一般用于电子加工的、通常超过200℃的条件下尺寸恒定并且非常平滑。更具体地讲，所述方法能够在OLED/PLED制造中使用(例如)基于PET或PEN的阻挡膜。文档编号H05B33/10GK101379883SQ200780005051公开日2009年3月4日申请日期2007年2月7日优先权日2006年2月8日发明者刘宇锋,罗伯特·W·彼得森,马克·A·勒里希申请人:3M创新有限公司