专利名称：具有钡涂层的石英坩埚的制作方法
技术领域：
具有钡涂层的石英坩埚
技术领域：
本实用新型涉及一种石英坩埚，尤其是涉及一种具有钡涂层的石英坩埚。背景技术：
公知的，石英坩埚作为拉制大直径单晶硅是一种必不可少的设备之一，目前的石英坩埚在1450度以下使用，大致分为透明和不透明两种。用电弧法制的半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。当今，世界半导体工业发达国家已用此坩埚取代了小的透明石英坩埚。他具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点。国内常用拉制单晶硅用石英坩埚18英寸和20英寸也有厂家使用22及以上的坩埚。目前国内坩埚生产厂家生产的18和20英寸坩埚技术都比较成熟。其生产使用原料石英砂主要由美国进口。国内产的石英砂纯度都达不到其要求。其原料里杂质在生产时高温熔制过程中产生黑点气泡等对拉制单晶硅时其稳定性都有一定影响。目前坩埚生产涂层技术已被大多数厂家使用就是在普通石英砂溶制的坩埚表面涂上一层高纯度石英砂使其形成致密层，其致密层能阻止单晶硅高温拉制过程中硅与石英坩埚反应提高成晶率。但是发明人经过实验发现，钡对于单晶硅高温拉制具有一定的辅助隔离作用，石英砂在高温下容易出现石英砂成份与单晶硅的混合，由于单晶硅内出现了不应有的成份， 所以导致了单晶硅的质量降低。
发明内容本实用新型公开了一种具有钡涂层的石英坩埚，所述的具有钡涂层的石英坩埚通过在锅体的内部面均勻的设置钡涂层，；通过本实用新型对于石英坩埚的改良，有效地延长了石英坩埚的使用时间，不仅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩埚的强度得到增强，克服了石英坩埚热熔引起单晶硅的质量降低。为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案一种具有钡涂层的石英坩埚，包括石英坩埚本体，所述石英坩埚呈圆形结构，在锅底与锅体之间设有圆弧形过度，在锅体的内侧面设有全覆盖的锅体钡涂层，锅底上设有全覆盖的底部钡涂层，所述锅体内侧面与锅底之间设有圆弧形过度钡涂层形成石英坩埚内的钡涂层全覆盖结构。所述的具有钡涂层的石英坩埚，所述锅体钡涂层、圆弧形过度钡涂层和底部钡涂层厚度为ι 2mm。所述的具有钡涂层的石英坩埚，在锅体的上檐面上设有全覆盖的上檐钡涂层且与锅体的锅体钡涂层联通。所述的具有钡涂层的石英坩埚，所述上檐钡涂层厚度为1 2mm。由于采用如上所述的技术方案，本实用新型具有如下有益效果[0013]本实用新型所述的具有钡涂层的石英坩埚，由锅底、圆弧形过度、锅体形成石英坩埚，所述锅底、圆弧形过度、锅体的内部面均勻的设置钡涂层，所述锅体钡涂层、圆弧形过度钡涂层、锅体钡涂层和上檐钡涂层通过全自动恒温喷涂机进行喷涂，厚度在1 2mm或之间均可，但是保证石英坩埚内表面涂层薄厚均勻，涂层粘贴牢靠；通过本实用新型对于石英坩埚的改良，有效地延长了石英坩埚的使用时间，经过测试延长时间达到10小时以上，不仅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩埚的强度得到增强，克服了石英坩埚热熔引起单晶硅的质量降低。
图1是本实用新型的立体结构示意图；图2是本实用新型的结构示意图；图中1、上檐钡涂层；2、锅体；3、锅体钡涂层；4、圆弧形过度钡涂层；5、底部钡涂层；6、圆弧形过度；7、锅底。
具体实施方式通过下面的实施例可以更详细的解释本实用新型，公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切变化和改进，本实用新型并不局限于下面的实施例；结合附图1或2所述的具有钡涂层的石英坩埚，包括石英坩埚本体，所述石英坩埚呈圆形结构，在锅底7与锅体2之间设有圆弧形过度6，在锅体2的内侧面设有全覆盖的 1 2mm厚度锅体钡涂层3，锅底7上设有全覆盖的1 2mm厚度底部钡涂层5，所述锅体2 内侧面与锅底7之间设有1 2mm厚度圆弧形过度钡涂层4，在锅体2的上檐面上设有全覆盖的1 2mm厚度上檐钡涂层1且与锅体2的锅体钡涂层3联通形成石英坩埚内的钡涂层全覆盖结构。实施本实用新型所述的具有钡涂层的石英坩埚，由锅底7、圆弧形过度6、锅体2形成石英坩埚，所述锅底7、圆弧形过度6、锅体2的内部面均勻的设置钡涂层，所述锅体钡涂层3、圆弧形过度钡涂层4、锅体钡涂层3和上檐钡涂层1通过全自动恒温喷涂机进行喷涂， 厚度在1 2mm或之间均可，但是保证石英坩埚内表面涂层薄厚均勻，涂层粘贴牢靠；通过本实用新型对于石英坩埚的改良，有效地延长了石英坩埚的使用时间，经过测试延长时间达到10小时以上，不仅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩埚的强度得到增强，克服了石英坩埚热熔引起单晶硅的质量降低。以上内容中未细述部份为现有技术，故未做细述。
权利要求1.一种具有钡涂层的石英坩埚，包括石英坩埚本体，所述石英坩埚呈圆形结构，在锅底 (7)与锅体(2)之间设有圆弧形过度(6)，其特征是在锅体(2)的内侧面设有全覆盖的锅体钡涂层(3)，锅底(7)上设有全覆盖的底部钡涂层(5)，所述锅体(2)内侧面与锅底(7) 之间设有圆弧形过度钡涂层(4)形成石英坩埚内的钡涂层全覆盖结构。
2.根据权利要求1所述的具有钡涂层的石英坩埚，其特征是所述锅体钡涂层(3)、圆弧形过度钡涂层(4)和底部钡涂层(5)厚度为1 2mm。
3.根据权利要求1所述的具有钡涂层的石英坩埚，其特征是在锅体(2)的上檐面上设有全覆盖的上檐钡涂层(1)且与锅体(2)的锅体钡涂层(3)联通。
4.根据权利要求3所述的具有钡涂层的石英坩埚，其特征是所述上檐钡涂层(1)厚度为1 2mmο
专利摘要本实用新型涉及一种石英坩埚，尤其是涉及一种具有钡涂层的石英坩埚，包括石英坩埚本体，所述石英坩埚呈圆形结构，在锅底(7)与锅体(2)之间设有圆弧形过度(6)，其特征是在锅体(2)的内侧面设有全覆盖的锅体钡涂层(3)，锅底(7)上设有全覆盖的底部钡涂层(5)，所述锅体(2)内侧面与锅底(7)之间设有圆弧形过度钡涂层(4)；本实用新型通过在锅体的内部面均匀的设置钡涂层，通过本实用新型对于石英坩埚的改良，有效地延长了石英坩埚的使用时间，不仅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩埚的强度得到增强，克服了石英坩埚热熔引起单晶硅的质量降低。
文档编号C30B15/10GK202124672SQ20112012779
公开日2012年1月25日 申请日期2011年4月27日 优先权日2011年4月27日
发明者沈福茂 申请人:沈福茂