一种便携式超音频感应加热装置制造方法

文档序号:8107453阅读:343来源:国知局
一种便携式超音频感应加热装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,开关控制电路包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控硅Q9;驱动电路包括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管Q2、晶体管Q1、二极管D5、二极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器T1;本装置电路简单,电子元器件少,开通和关断迅速,稳定可靠,散热器件轻,变压器T1磁芯利用率高,推挽工作时,两只对称的晶体管Q1、Q2每次只有一个导通,导通损耗小。工作时,电感L2内产生极性瞬间变化的强磁束,强磁束的电磁感应作用于被加热金属零件,产生涡电流,由于被加热金属零件内部存在着电阻,所以会产生焦耳热,使电能转换成为热能。
【专利说明】一种便携式超音频感应加热装置

【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及加热装置,尤其涉及一种便携式超音频感应加热装置。

【背景技术】
[0002] 目前,超音频感应加热技术以高效,清洁,环保等众多优点而迅速在能源行业得到 大力推广。它符合环保和可持续发展方针,是绿色环保型加热工艺之一。传统超音频感应 加热装置主要应用与工业生产过程中,具有制造成本高,设备维护难等缺陷。
[0003] 目前,国内生产的超音频感应加热装置,由于装置体积较大,大多都安装在固定的 位置上,只能进行有限位置和角度的加热,而在不能应用于汽车维修,铁路养护,建筑施工 和航空航天之中,而且电路复杂、效率低等缺陷,限制了装备的实用价值。


【发明内容】

[0004] 本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种操作方便、结 构简单、效率高的便携式超音频感应加热装置。
[0005] 本实用新型通过下述技术方案实现:
[0006] -种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,所述开关 控制电路,包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控娃Q9 ;
[0007] 所述晶体管Q11的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5 的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶 体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Q11的基极通过电阻R24与A点连 接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13 接地;
[0008] 所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容C10 ;
[0009] 所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管 D12连接晶体管Q11的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Q11的基极,可控 硅Q9的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容C11 ;
[0010] 所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。
[0011] 所述驱动电路,包括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管 Q2、晶体管Q1、二极管D5、二极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器T1 ;
[0012] 所述晶体管Q7的基极通过电容C9连接晶体管Q4的集电极,晶体管Q7的基极通 过电阻R8接地,晶体管Q7的发射极接地,晶体管Q4的集电极通过电阻R12接地,晶体管Q4 的基极与发射极之间并联电阻R10,晶体管Q4的发射极接VCC端;晶体管Q4的基极通过电 阻R14、电阻R16连接变压器T1初级线圈的第1脚;二极管D8和二极管D7串联后负极接 变压器T1初级线圈的第1脚,正极接电阻R14与电阻R16之间的连接点;
[0013] 所述晶体管Q2的栅极与漏极之间并联电阻R30,漏极接地,源极接变压器T1初级 线圈的第1脚,源极与漏极之间并联电容C30,栅极通过二极管D4的负极接芯片U1的第5 脚,二极管D4并联电阻R2;
[0014] 所述芯片U1的第4脚与第5脚并联电阻R4,第4脚接晶体管Q7的集电极,第7脚 通过电容C5和电阻R5接晶体管Q7的集电极;芯片U1的第3脚、第1脚、第8脚接地;
[0015] 所述所述晶体管Q6的基极通过电容C8连接晶体管Q3的集电极,晶体管Q6的基 极通过电阻R7接地,晶体管Q6的发射极接地,晶体管Q3的集电极通过电阻R11接地,晶体 管Q3的基极与发射极之间并联电阻R9,晶体管Q3的发射极接VCC端;晶体管Q3的基极通 过电阻R13、电阻R15连接变压器T1初级线圈的第3脚;二极管D5和二极管D6串联后负 极接变压器T1初级线圈的第3脚,正极接电阻R13与电阻R15之间的连接点;
[0016] 所述晶体管Q1的栅极与漏极之间并联电阻R31,漏极接地,源极接变压器T1初级 线圈的第3脚,源极与漏极之间并联电容C31,栅极通过二极管D3的负极接芯片U1的第7 脚,二极管D3并联电阻R1 ;
[0017] 所述芯片U1的第2脚与第7脚并联电阻R3,第2脚接晶体管Q6的集电极,第5脚 通过电容C6和电阻R6接晶体管Q6的集电极;
[0018] 所述变压器T1初级线圈的第2脚为中心抽头,接电源的正极;
[0019] 所述变压器T1次级线圈接电感L2。
[0020] 所述变压器T1初级线圈的第1脚与第2脚之间并联电容C3。
[0021] 所述晶体管Q11的集电极依次通过电阻R11、开关S1连接可控硅Q9的的阳极。
[0022] 芯片U1采用通用芯片MC33151。
[0023] 所述电感L2采用紫铜管绕制。
[0024] 上述便携式超音频感应加热装置的控制方法,包括下述步骤:
[0025] 按下开关S1,可控硅Q9的控制极电压高于阴极电压,阳极电压高于阴极电压,可 控硅Q9开通;晶体管Q5的发射级电压高于基级电压,晶体管Q5开通,晶体管Q5的集电极 为高电平;晶体管Q8的基级电压高于发射级电压,Q8开通,经过电阻R17、R18、R24、D9和 D10分压后的电压通过Q8给驱动电路供电,本装置开启工作;
[0026] 松开S1,可控硅Q9的控制级电压低于阴极电压,这时可控硅阳极和阴极之间的电 压差是正弦半波,阳极和阴极之间的电压差有零点,可控硅Q9关闭;晶体管Q5的发射级电 压低于基级电压,晶体管Q5关闭,晶体管Q5的集电极为低电平;晶体管Q8的基级电压为低 电平,晶体管Q8关闭,经过电阻R17、R18、R24分压后的电压不能通过晶体管Q8给驱动电路 供电,本装置停止工作;
[0027] 当开关S1按下时,芯片U1的第6脚为高电平,U1开始工作,5脚为高电平,7脚为 低电平,晶体管Q2开通,晶体管Q4的基级为低电平,晶体管Q4开通,晶体管Q4集电极对电 容C9充电,电阻R8两端的电压由高电平降为低电平,电容C5上的电荷通过Q7放出;与此 同时,芯片U1的第5脚高电平通过电阻R4、R5向电容C5充电,芯片U1的第4脚的电压由 低升高,同时第5脚高电平通过R6、R3向电容C6充电,第2脚的电压由高降低,第4脚的电 压开始高于高态输入阀值电压,第2脚电压开始低于低态输入阀值电压,工作状态切换;
[0028] 切换之后,芯片U1第5脚输出为低电平,第7脚输出为高电平;晶体管Q1开通,晶 体管Q3的基级为低电平,晶体管Q3开通,晶体管Q3集电极对电容C8充电,电阻R7两端的 电压由高电平降为低电平,电容C6上的电荷通过晶体管Q6放出;与此同时,第7脚高电平 通过电阻R3、R6向电容C6充电,第2脚的电压由低升高,同时第7脚高电平通过R5、R4向 电容C5充电,第4脚的电压由高降低,第2脚的电压开始高于高态输入阀值电压,第4脚电 压开始低于低态输入阀值电压,工作状态再次切换。
[0029] 本实用新型相对于现有技术,具有如下的优点及效果:
[0030] 本实用新型在超音频感应加热行业内率先采用了 MC33151的驱动电路。通过电路 优化设计以及在线仿真与调试,本装置将所有超音频感应加热所需的驱动波形,由MC33151 驱动电路来实现,通过本电路对超音频感应加热装置的控制,可以确保在超音频感应加热 装置输出功率最大。本装置体积小,重量轻,操作人员可以手持本装置在复杂环境和特殊角 度下,对螺母、螺栓、轴承、齿轮、销、拉杆套和轨道杆端等金属零件进行无接触无火焰加热, 安全快速地去除连接件之间冻结和锈蚀的化合物。可应用于汽车制造,铁路养护,建筑施工 和航空航天等领域。
[0031] 本实用新型的开关控制电路、驱动电路,电路简单,电子元器件少,开通和关断迅 速,稳定可靠,散热器件轻,变压器T1磁芯利用率高,推挽工作时,两只对称的晶体管Q1、Q2 每次只有一个导通,导通损耗小。
[0032] 本实用新型加热装置工作时,超音频交变电流通过电感L2,在电感L2内产生极性 瞬间变化的强磁束,强磁束的电磁感应作用于被加热金属零件,产生涡电流,由于被加热金 属零件内部存在着电阻,所以会产生焦耳热,使电能转换成为热能。

【专利附图】

【附图说明】
[0033] 图1为本实用新型开关控制电路结构示意图。
[0034] 图2为本实用新型驱动电路结构示意图。

【具体实施方式】
[0035] 下面结合具体实施例对本实用新型作进一步具体详细描述。
[0036] 实施例
[0037] 如图1、2所示。本实用新型公开了一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开 关控制电路、驱动电路;
[0038] 所述开关控制电路,包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控娃Q9 ;
[0039] 所述晶体管Q11的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5 的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶 体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Q11的基极通过电阻R24与A点连 接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13 接地;
[0040] 所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容C10 ;
[0041] 所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管 D12连接晶体管Q11的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Q11的基极,可控 硅Q9的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容C11 ;
[0042] 所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。
[0043] 所述驱动电路,包括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管 Q2 (场效应管)、晶体管Q1 (场效应管)、二极管D5、二极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器 τι ;
[0044] 所述晶体管Q7的基极通过电容C9连接晶体管Q4的集电极,晶体管Q7的基极通 过电阻R8接地,晶体管Q7的发射极接地,晶体管Q4的集电极通过电阻R12接地,晶体管Q4 的基极与发射极之间并联电阻R10,晶体管Q4的发射极接VCC端;晶体管Q4的基极通过电 阻R14、电阻R16连接变压器T1初级线圈的第1脚;二极管D8和二极管D7串联后负极接 变压器T1初级线圈的第1脚,正极接电阻R14与电阻R16之间的连接点;
[0045] 所述晶体管Q2(场效应管)的栅极与漏极之间并联电阻R30,漏极接地,源极接变 压器T1初级线圈的第1脚,源极与漏极之间并联电容C30,栅极通过二极管D4的负极接芯 片U1的第5脚,二极管D4并联电阻R2;
[0046] 所述芯片U1的第4脚与第5脚并联电阻R4,第4脚接晶体管Q7的集电极,第7脚 通过电容C5和电阻R5接晶体管Q7的集电极;芯片U1的第3脚、第1脚、第8脚接地;
[0047] 所述所述晶体管Q6的基极通过电容C8连接晶体管Q3的集电极,晶体管Q6的基 极通过电阻R7接地,晶体管Q6的发射极接地,晶体管Q3的集电极通过电阻R11接地,晶体 管Q3的基极与发射极之间并联电阻R9,晶体管Q3的发射极接VCC端;晶体管Q3的基极通 过电阻R13、电阻R15连接变压器T1初级线圈的第3脚;二极管D5和二极管D6串联后负 极接变压器T1初级线圈的第3脚,正极接电阻R13与电阻R15之间的连接点;
[0048] 所述晶体管Q1 (场效应管)的栅极与漏极之间并联电阻R31,漏极接地,源极接变 压器T1初级线圈的第3脚,源极与漏极之间并联电容C31,栅极通过二极管D3的负极接芯 片U1的第7脚,二极管D3并联电阻R1 ;
[0049] 所述芯片U1的第2脚与第7脚并联电阻R3,第2脚接晶体管Q6的集电极,第5脚 通过电容C6和电阻R6接晶体管Q6的集电极;
[0050] 所述变压器T1初级线圈的第2脚为中心抽头,接电源的正极;
[0051] 所述变压器T1次级线圈接电感L2。
[0052] 所述变压器T1初级线圈的第1脚与第2脚之间并联电容C3。
[0053] 所述晶体管Q11的集电极依次通过电阻R11、开关S1连接可控硅Q9的的阳极。
[0054] 芯片U1采用通用芯片MC33151。
[0055] 所述电感L2采用紫铜管绕制。
[0056] 当本装置接通电源后,直流电经过驱动电路之后,变成超音频正负方波、超音频正 弦波,再经过变压器T1,变成超音频低压正弦波,流过电感L2(电磁线圈),在电感L2内产 生极性瞬间变化的强磁束,强磁束的电磁感应作用于被加热金属零件,产生涡电流,由于被 加热金属零件内存在电阻,所以会产生焦耳热,使电能转换成为热能。
[0057] 按下开关S1 (自动复位按钮开关),可控硅Q9的控制极电压高于阴极电压,阳极电 压高于阴极电压,可控硅Q9开通。
[0058] 晶体管Q5的发射级电压1?于基级电压,晶体管Q5开通,晶体管Q5的集电极为商 电平。晶体管Q8的基级电压高于发射级电压,Q8开通,经过电阻R17、R18、R24、D9和D10 分压后的电压通过Q8给后级驱动电路供电,本装置开启工作。
[0059] 松开S1,可控硅Q9的控制级电压低于阴极电压,这时由于可控硅阳极和阴极之间 的电压差是正弦半波,阳极和阴极之间的电压差有零点,可控硅Q9关闭。晶体管Q5的发射 级电压低于基级电压,晶体管Q5关闭,晶体管Q5的集电极为低电平。晶体管Q8的基级电 压为低电平,晶体管Q8关闭,经过电阻R17、R18、R24分压后的电压不能通过晶体管Q8给后 级驱动电路供电,本装置停止工作。
[0060] 电源的正极与负极之间并联有二极管D11,为瞬态抑制二极管,当二极管D11的两 极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以皮秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗, 吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护主电路中的 精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。温度开关RT,当本装置温度过高时,能自动关断,保 护电路中的精密元器件。
[0061] 芯片U1为高速双通道M0SFET驱动器MC33151,具有完全适用于驱动功率M0SFET 的两个大电流输出通道,且具有低输入电流。
[0062] 当开关S1按下时,芯片U1的第6脚为高电平,U1开始工作,5脚为高电平,7脚为 低电平,晶体管Q2开通,晶体管Q4的基级为低电平,晶体管Q4开通,晶体管Q4集电极对电 容C9充电,电阻R8两端的电压由高电平降为低电平,晶体管Q7的基级的高电平维持以一 个很短时间T1,晶体管Q7开通时间很短,电容C5上的电荷通过Q7放出。与此同时,芯片 U1的第5脚高电平通过电阻R4、R5向电容C5充电,芯片U1的第4脚的电压由低升高,同 时第5脚高电平通过R6、R3向电容C6充电,第2脚的电压由高降低,经过一段T2时间后, 第4脚的电压开始高于高态(逻辑1)输入阀值电压,第2脚电压开始低于低态(逻辑0) 输入阀值电压,工作状态切换。
[0063] 切换之后,芯片U1第5脚输出为低电平,第7脚输出为高电平。晶体管Q1开通,晶 体管Q3的基级为低电平,晶体管Q3开通,晶体管Q3集电极对电容C8充电,电阻R7两端的 电压由高电平降为低电平,晶体管Q6的基级的高电平维持以一个很短时间T1,晶体管Q6开 通时间很短,电容C6上的电荷通过晶体管Q6放出。与此同时,第7脚高电平通过电阻R3、 R6向电容C6充电,第2脚的电压由低升高,同时第7脚高电平通过R5、R4向电容C5充电, 第4脚的电压由高降低,经过一段T3时间后,第2脚的电压开始高于高态(逻辑1)输入阀 值电压,第4脚电压开始低于低态(逻辑0)输入阀值电压,工作状态再次切换。T3即为半 个工作周期。
[0064] 如上所述,便可较好地实现本实用新型。
[〇〇65] 本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其他任何未背离本实用新型的 精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在 本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,其特征在 于: 所述开关控制电路,包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控娃Q9 ; 所述晶体管Q11的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5的集 电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶体管 Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Q11的基极通过电阻R24与A点连接;所 述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13接地; 所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容CIO ; 所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管D12连 接晶体管Q11的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Q11的基极,可控硅Q9 的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容C11 ; 所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。
2. 根据权利要求1所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述驱动电路,包 括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管Q2、晶体管Q1、_极管D5、_. 极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器T1 ; 所述晶体管Q7的基极通过电容C9连接晶体管Q4的集电极,晶体管Q7的基极通过电 阻R8接地,晶体管Q7的发射极接地,晶体管Q4的集电极通过电阻R12接地,晶体管Q4的 基极与发射极之间并联电阻R10,晶体管Q4的发射极接VCC端;晶体管Q4的基极通过电阻 R14、电阻R16连接变压器T1初级线圈的第1脚;二极管D8和二极管D7串联后负极接变 压器T1初级线圈的第1脚,正极接电阻R14与电阻R16之间的连接点; 所述晶体管Q2的栅极与漏极之间并联电阻R30,漏极接地,源极接变压器T1初级线圈 的第1脚,源极与漏极之间并联电容C30,栅极通过二极管D4的负极接芯片U1的第5脚,二 极管D4并联电阻R2; 所述芯片U1的第4脚与第5脚并联电阻R4,第4脚接晶体管Q7的集电极,第7脚通过 电容C5和电阻R5接晶体管Q7的集电极;芯片U1的第3脚、第1脚、第8脚接地; 所述所述晶体管Q6的基极通过电容C8连接晶体管Q3的集电极,晶体管Q6的基极通 过电阻R7接地,晶体管Q6的发射极接地,晶体管Q3的集电极通过电阻R11接地,晶体管Q3 的基极与发射极之间并联电阻R9,晶体管Q3的发射极接VCC端;晶体管Q3的基极通过电 阻R13、电阻R15连接变压器T1初级线圈的第3脚;二极管D5和二极管D6串联后负极接 变压器T1初级线圈的第3脚,正极接电阻R13与电阻R15之间的连接点; 所述晶体管Q1的栅极与漏极之间并联电阻R31,漏极接地,源极接变压器T1初级线圈 的第3脚,源极与漏极之间并联电容C31,栅极通过二极管D3的负极接芯片U1的第7脚,二 极管D3并联电阻R1 ; 所述芯片U1的第2脚与第7脚并联电阻R3,第2脚接晶体管Q6的集电极,第5脚通过 电容C6和电阻R6接晶体管Q6的集电极; 所述变压器T1初级线圈的第2脚为中心抽头,接电源的正极; 所述变压器T1次级线圈接电感L2。
3. 根据权利要求2所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述变压器T1初 级线圈的第1脚与第2脚之间并联电容C3。
4. 根据权利要求3所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述晶体管Qll 的集电极依次通过电阻R11、开关S1连接可控硅Q9的的阳极。
5. 根据权利要求3所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:芯片U1采用通用 芯片 MC33151。
6. 根据权利要求2所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述电感L2采用 紫铜管绕制。
【文档编号】H05B6/06GK203872378SQ201420279522
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】薛家祥, 王磊磊, 沈栋, 林放, 陈振升, 恒功淳 申请人:华南理工大学
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