本发明涉及一种双轴取向聚酯膜，所述双轴取向聚酯膜特别适于作为在将电磁波屏蔽膜转印至柔性印刷电路或模块等时使用的支撑膜使用。更详细而言，涉及一种消光双轴取向聚酯膜，所述消光双轴取向聚酯膜在进行上述转印的同时，还转印支撑膜表面的凹凸形状，适于向电磁波屏蔽膜表面赋予非光泽面。
背景技术：
以往，在包括个人电脑这样的办公设备、移动电话这样的通信设备及医疗设备在内的电子设备、内置有上述设备的各种设备中，为了吸收从近场产生的电磁波，抑制误动作、接点的误接触、噪声等障碍，使用电磁波屏蔽膜进行被覆，这是已知的，近年来，进行了在支撑膜上形成电磁波屏蔽膜（例如，依次层叠保护层、电磁波屏蔽层而成的电磁波屏蔽膜），将其高温压接于各种设备表面，从而转印电磁波屏蔽膜。（例如，专利文献1、2）
另外，对于以往的转印型的电磁波屏蔽膜而言，为了得到清楚（clear）的成品外观，使用了平坦的支撑膜，但近年来，对于具有消光外观的成品的表面外观，也已尝试使用转印法进行赋予。随之而来的是，逐渐要求具有消光层的、消光外观转印性优异的支撑膜。
另一方面，关于具有消光层的膜，专利文献3中公开了成型性、厚度不均、耐热性优异的成型用消光层叠聚酯膜。然而，并未进行作为电磁波屏蔽膜转印用等的支撑膜的研究，因此，即使作为通常的成型加工用是充分的，作为转印用的支撑膜也不充分。
另外，专利文献4中公开了一种具有良好的消光性和透明性的双轴拉伸共挤出消光聚酯膜，公开了在层叠膜的单面上添加1～10重量%粒径为2～5μm的粒子。然而，具体例举的膜光泽度（g60）为50～70左右，而且，并未进行用作转印加工用的支撑膜的研究；
专利文献1：日本特开2004-95566号公报
专利文献2：日本特开2009-38278号公报
专利文献3：日本特开平4-110147号公报
专利文献4：日本特开2002-200723号公报。
技术实现要素：
发明所要解决的课题
近年来，在将电磁波屏蔽膜转印至柔性印刷电路（fpc）或模块时，为了提高生产效率，已逐渐进行了更高温高速下的转印加工处理。然而，在这样的转印条件下，对于上述那样的以往的支撑膜而言，若降低膜光泽度，则容易产生在剥离时支撑膜断裂这样的剥离性的问题。此外，为了提高支撑膜的可见性(視認性)而着色成白色时，基材膜将更容易断裂。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种双轴取向聚酯膜，其特别适于作为电磁波屏蔽膜转印用的支撑膜，对于所述电磁波屏蔽膜转印用的支撑膜而言，在将电磁波屏蔽膜向fpc或模块等构件转印时，可向表面赋予比以往更良好的消光外观，并且即使在转印后将支撑膜剥离，也不易产生断裂等问题。进而，优选提供可见性良好的双轴取向聚酯膜。
用于解决课题的手段
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，在利用转印法向电磁波屏蔽膜赋予消光外观性时，为了赋予与以往相比进一步无光泽的消光外观而增大支撑膜中的粒径、或增加粒子含量时，转印后的支撑膜剥离性产生问题，而且该问题可通过抑制在消光层中使用的粒子在膜消光层表面的露出而改善，进一步反复进行研究，结果完成了本发明。
这样，通过本发明，可提供以下方案：
“1.双轴取向聚酯膜，其是具有基材层，和在至少一个表面的含有粒子的消光层的层叠聚酯膜，其特征在于，该消光层表面的中心线平均粗糙度(center-lineaverageroughness)（ra）为400～1000nm，十点平均粗糙度（rz）为4000～8000nm，该表面的光泽度（g60）为6～20，并且，表面的突起的破孔率(ボイド破れ率)为20%以下；
2.根据上述1所述的双轴取向聚酯膜，其中，基材层的色相l值为60～80；
3.根据上述1或2所述的双轴取向聚酯膜，其中，该消光层表面的表观(見かけ)表面能为60dyn/cm以下；
4.根据上述1～3中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其中，构成消光层的聚酯以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主要成分，且包含选自聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、及聚对苯二甲酸环己二甲酯(polycyclohexylenedimethyleneterephthalate)中的至少1种；
5.根据上述1～4中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其中，消光层中的粒子的平均粒径为2.5～5.5μm，含量为5～18质量%；
6.根据上述1～5中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其中，消光层中的粒子为无定形二氧化硅或合成沸石；
7.根据上述1～6中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其中，构成基材层的聚酯的主要成分为聚对苯二甲酸乙二醇酯；
8.根据上述7所述的双轴取向聚酯膜，其中，构成基材层的聚酯的特性粘度为0.56～0.70dl/g；
9.根据上述1～8中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其中，以基材层质量为基准，基材层的粒子含量为3.0质量%以下；
10.根据上述1～9中任一项所述的双轴取向聚酯膜，其被用作电磁波屏蔽膜转印用的支撑膜。”。
发明的效果
通过本发明，可提供一种双轴取向聚酯膜，其中，在将形成于消光层表面的电磁波屏蔽膜等转印膜转印至fpc或模块等构件时，可向构件表面赋予良好的消光外观，而且在转印后剥离支撑膜时，不易发生断裂等剥离性降低。此外，优选可提供可见性良好的双轴取向聚酯膜。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
＜双轴取向聚酯膜＞
本发明的双轴取向聚酯是具有基材层、和在至少一个表面的含有粒子的消光层的层叠聚酯膜。通过具有消光层和基材层，从而可在稳定的制膜性下得到后述的表面粗糙度及光泽度。不存在基材层，仅利用含有粒子的单层时，将难以同时满足表面粗糙度及光泽度、和稳定的制膜性。
（消光层）
占据层叠聚酯膜的至少一个表面的消光层由含有用于在表面形成凹凸的粒子（凹凸形成性粒子）的聚酯形成，从使后述的表面突起的破孔率为20%以下这方面考虑，优选含有粒子的聚酯的拉伸性良好的共聚聚酯、将多种聚酯熔融混合而成的聚酯组合物，特别优选主要成分与后述的基材层中使用的聚酯相同者。即，例如基材层的聚酯的主要成分为对苯二甲酸乙二醇酯时，消光层的聚酯优选聚对苯二甲酸乙二醇酯系共聚聚酯、或以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主成分的聚酯组合物。其中，作为聚酯组合物的次要成分，优选为选自聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸环己二甲酯中的至少1种。
另外，消光层中的粒子的平均粒径优选为2.5～5.5μm，以消光层的质量为基准，其含量优选为5～18质量%。此外，优选使在消光层中含有的粒子的最大粒径为16μm以下。通过成为这样的状态，不仅可得到充分的消光外观，而且容易使得转印工序中的剥离性优异。
消光层中的粒子含量低于下限值时，存在难以得到上述的光泽度的倾向，另一方面，超过上限值时，不仅存在转印工序中的高温压接后的剥离性改善效果降低的倾向，而且制膜性降低，容易发生破坏等等，存在膜的制造本身变得困难的倾向。从上述观点考虑，粒子的含量优选为7质量%以上，进一步优选为10质量%以上，另外，优选为16质量%以下，进一步优选为14质量%以下。
粒子的平均粒径进一步优选为3.0～5.5μm，更优选为3.0～5.3μm。粒子的平均粒径低于下限时，存在以下倾向：降低光泽度的效果降低，为了降低光泽度而进一步增加粒子的添加量，使得转印工序中的剥离性改善效果降低。另一方面，粒子的平均粒径超过上限值时，不仅存在剥离性改善效果降低的倾向，而且还存在膜的制膜性也差的倾向。
另外，粒子的最大粒径优选为15μm以下，进一步优选为12μm以下。需要说明的是，此处所谓最大粒径是累积粒径分布曲线的98%时的粒径（d98）。
对于消光层中使用的粒子而言，利用tg-dta法的300℃下的重量变化优选为3.0%以下，进一步优选为1.5～3.0%。需要说明的是，此处所谓粒子的重量变化，具体是指，利用tg-dta装置，测定以10℃/分钟的升温速度从30℃升温至500℃时的、300℃下的重量变化而得到的值。该重量变化超过上限值时，在聚酯膜的制造工序、电磁波屏蔽膜转印工序中引起发泡，或者有时使分子量降低而使膜的制膜性或耐热性降低，尤其是，大量地含有粒子时，有时使膜的制膜性或耐热性显著降低。
作为粒子的种类，无机粒子、有机粒子均可，可例举无定形二氧化硅（胶态二氧化硅）、二氧化硅、滑石、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钙、硫酸钡、磷酸锂、磷酸钙、磷酸镁、氧化铝、炭黑、二氧化钛、高岭土、合成沸石、交联聚苯乙烯粒子、交联丙烯酸酯粒子等。这些粒子中，优选无定形二氧化硅或合成沸石，可使用它们中任意1种，也可将它们并用。另外，也可使用相同种类的、粒径不同的粒子的混合物。另外，在无定形二氧化硅的情况下，更优选用硅烷偶联剂进行表面处理，降低了水分吸附性的无定形二氧化硅。
特别优选的粒子是合成沸石，为了降低合成沸石的吸附性、尤其是水分吸附性，优选用ph为5以上的酸进行了不破坏粒子形状的程度的酸处理的合成沸石，优选进一步于300℃以上的温度进行了热处理的合成沸石。
对粒子的形状没有特别规定，但若为无定形，则粒度分布变宽，容易引起因凝集而导致的粗大突起，有时剥离性改善效果降低，或者膜的制膜性降低。因此，粒子的形状优选为球状或多面状。作为优选的粒子，可例举球状或多面状的合成沸石。尤其是多面形状的粒子的情况下，容易得到消光效果。在多面形状的粒子中，特别优选立方体形状的粒子。
这些粒子的添加方法没有特别限制，例如，可举出在聚酯的缩聚中以二醇类分散系的形式添加的方法；在挤出中经由母料添加到消光层中的方法；等等。
对于上述消光层的厚度而言，在2层结构的情况下为3～10μm、优选4～9μm的范围是合适的，在3层结构的情况下为2～5μm的范围是合适的。
（基材层）
构成本发明的基材层的聚酯是由芳香族二元酸或其酯形成性衍生物(ester-formingderivative)与二醇或其酯形成性衍生物合成而得的线型饱和聚酯。作为所述聚酯的具体例，可例举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸环己二甲酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯等，可以是在它们中共聚有少量的次要成分而成的共聚物或其与较少比例的其他树脂的共混物等。这些中，从耐热性的观点考虑，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚-2,6-萘二甲酸乙二醇酯，进而，聚对苯二甲酸乙二醇酯由于耐热性与成型性的均衡性良好，因而特别优选。
对于基材层的粒子含量而言，以基材层的质量为基准，优选为3.0质量%以下，更优选为2.5质量%以下，进一步优选为2.0质量%以下。通过成为这样的状态，容易得到优异的制膜性。
基材层中使用的粒子的种类只要是通常可添加到膜中的粒子即可，没有特别限制，无机粒子、有机粒子均可。具体而言可举出无定形二氧化硅（胶态二氧化硅）、二氧化硅、滑石、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钙、硫酸钡、磷酸锂、磷酸钙、磷酸镁、氧化铝、炭黑、二氧化钛、高岭土、合成沸石、交联聚苯乙烯粒子、交联丙烯酸酯粒子等。可含有这些粒子中的1种、或2种以上不同的粒子，另外，也可使用相同种类的、粒径不同的粒子的混合物。这些粒子中，为了提高可见性，优选含有0.5质量%～2.0质量%二氧化钛。在比上述范围少时，有时可见性变差，在比上述范围多时，有时成为剥离时的断裂、脆化的原因。
根据需要，还可在基材层中含有聚酯以外的其他树脂、着色剂、防静电剂、稳定剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、荧光增白剂等，只要在不损害本发明的目的的范围内即可。
优选的是，基材层的厚度优选为10～140μm，进一步优选为20～100μm，特别优选为40～60μm。
（表面粗糙度）
本发明的消光层表面的中心线平均粗糙度（ra）为400～1000nm、十点平均粗糙度（rz）为4000～8000nm是必要的，通过使ra及rz在上述范围内，从而使得转印后的电磁波屏蔽膜等的表面消光外观性变得良好。ra或rz中的至少一方低于下限值时，消光外观性的提高效果变得不充分。另一方面，ra或rz中的至少一方超过上限值时，虽然消光外观性良好，但表面的凹凸过于严重，因而容易产生下述不良情况：在制膜时，发生粒子的脱落；或者在转印工序中发生重剥离化；等等。从这样的观点考虑，ra的下限值优选为500nm，进一步优选为600nm，ra的上限值优选为800nm，进一步优选为750nm。另外，rz的下限值优选为5000nm，进一步优选为6000nm，rz的上限值优选为7500nm，进一步优选为7000nm。
需要说明的是，ra及rz例如可通过使用具有前述的平均粒径及最大粒径的粒子、调节消光层中的含量而得到。
（光泽度：g60）
对于本发明的双轴取向聚酯膜而言，其消光层表面的光泽度（g60）为6～20、优选为9～15是必要的。需要说明的是，此处所谓光泽度（g60），是指按照jis标准z8741，使入射角、受光角均为60°而测得的值。通过使光泽度为上述范围，从而可合适地向电磁波屏蔽膜等转印膜表面赋予消光表面外观。光泽度小于下限时，增加粒子的添加量，膜制膜性变差、难以使表面突起的破坏率为20%以下，发生重剥离化，因而不理想。另一方面，光泽度超过上限时，将无法向电磁波屏蔽膜等的表面赋予充分的消光外观，因而不理想。
（破孔率）
本发明的消光层表面的突起的破孔率为20%以下是必要的，该值超过20%时，在转印后将支撑膜剥离时，发生了该破孔的突起成为剥离时的断裂的起点，因而不理想。从上述观点考虑，破孔率优选为15%以下，进一步优选为10%以下。下限无需特别限制，越低越好，但从实际制造的观点考虑，为5%左右。
需要说明的是，表面突起的破孔率可通过以下方法容易地实现：如上所述，使消光层中使用的聚酯为共聚聚酯或熔融混合有其他种类聚酯的聚酯组合物，从而提高含有粒子的聚酯的拉伸性的方法；进而，稍微提高该聚酯的特性粘度，从而提高含有粒子的聚酯的拉伸性的方法；等等。
需要说明的是，突起的破孔率如下计算：用fe-sem拍摄消光层表面的照片，计数全部的突起个数、和其中的在突起周边存在空洞的突起个数（突起的破孔），以破坏个数相对于全部个数的比例（%）的形式计算得出。
（表面能）
此外，从剥离性方面考虑，本发明的消光层表面的表观表面张力优选为60dyn/cm以下，进一步优选为58dyn/cm以下。上述表面张力可通过以下方式实现：减小上述的突起的破孔率，并且使用包含更具疏水性的二醇成分作为消光层中使用的聚酯的二醇成分的共聚聚酯或聚酯组合物。
＜膜制造方法＞
对于本发明的聚酯膜而言，在聚酯的主要成分为聚对苯二甲酸乙二醇酯时，例如可利用以下的方法制造。即，利用共挤出法将消光层及基材层层叠挤出，用流延鼓(castingdrum)进行冷却固化，制成非晶未拉伸膜，接下来，沿纵向（是指制膜机械轴向。以下，有时称为机械轴向、连续制膜方向、长度方向或md）和横向（与连续机械轴向和厚度方向垂直的方向。以下，有时称为宽度方向、td）进行拉伸。
对于纵向的拉伸而言，例如，于60～130℃、优选90～125℃的温度，拉伸2.0～3.5倍、优选2.5～3.0倍。对于横向的拉伸而言，例如，于100～130℃、优选90～125℃的温度拉伸2.0～4.0倍、优选3.0～4.0倍。另外，一个方向的拉伸也可利用经2阶段以上的多阶段进行的方法，但优选最终的拉伸倍率在前述的范围内。
接下来，根据需要，进行热固定处理。例如，消光层及基材层由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成时，于220～240℃的温度、优选220～235℃的温度，在2～30秒、优选2～20秒、进一步优选3～10秒的时间范围内进行热固定。此时，为了降低热收缩率，可在20%以内的限度收缩或伸长、或固定长度下进行，另外，也可以以2阶段以上进行。
＜其他的膜特性＞
（特性粘度）
构成本发明的双轴取向聚酯膜的基材层聚酯的特性粘度（iv）优选为0.50～0.70dl/g的范围。上述特性粘度由在25℃的邻氯苯酚溶液中的测定值表示。对于该特性粘度的下限值而言，由于剥离性变得更好，因而进一步优选为0.56dl/g，特别优选为0.60dl/g。另外，对于该特性粘度的上限值而言，优选为0.67dl/g，进一步优选为0.65dl/g。膜的特性粘度低于下限值时，存在机械性能降低，操作性变难的倾向。另一方面，膜的特性粘度超过上限值时，粘度过度升高，膜的制造工序中的负荷增大，生产率降低。
另一方面，为了使消光层表面粗糙度、光泽度（g60）及表面的突起破孔率满足上述要件，在消光层中含有较多量的如上所述平均粒径较大的粒子。因此，从剥离性等操作性方面考虑，优选聚酯的特性粘度高，但变得过高时，与粒子的含量高的情况互起作用，使得制膜性降低，因此，优选根据含有的粒子的种类及含量来调节特性粘度。
（膜厚度）
本发明的双轴取向聚酯膜只要具有可用作电磁波屏蔽膜转印用等的支撑膜的厚度即可，优选为10～150μm，进一步优选为20～100μm，特别优选为45～70μm。
实施例
以下，利用实施例进一步说明本发明。需要说明的是，各特性值利用以下的方法测定。
1.光泽度（g60）
按照jis标准（z8741），使用日本电色工业株式会社制的光泽计“vgs-sensor”进行测定。使入射角、受光角均为60°进行测定（n＝5），使用其平均值。
2.平均粒径
用混合机将粒子在乙二醇中进行搅拌，使得成为3%的浓度，使用岛津制作所制激光散射式粒度分布测定装置sald-7000进行测定。由粒度分布测定结果求出50%体积粒径（d50），将其作为平均粒径。
3.粒子含量
从膜样品的想要测定粒子含量的层削取试样，选择聚酯溶解而粒子不溶解的溶剂进行溶解处理，然后将粒子从溶液中离心分离，采用粒子相对于整体质量的比率（质量%）作为粒子的含量。
4.膜的各层厚度
将样品切出三角形，固定于包埋囊(capsule)，然后用环氧树脂包埋。而后，针对包埋的样品，用切片机（ultracut-s）将与纵向平行的截面切出50nm厚的薄膜切片，然后利用透射型电子显微镜，以100kv的加速电压进行观察拍照，从照片中测定各层的厚度，分别测定10处，针对各层，求出平均厚度。关于消光层，对不存在粒子的部分进行测定。
5.中心线平均粗糙度ra及十点平均粗糙度rz
按照jis-b0601、b0651，使用三维表面粗糙度计（小坂研究所制，商品名：surfcorderse-3ck），在触针顶端r2μm、扫描间距2μm、扫描长度1mm、扫描条数100条、截止值(cut-off)0.25mm、倍率5000倍的条件下，测定中心线平均粗糙度ra及十点平均粗糙度rz。
6.膜特性粘度
使用邻氯苯酚，在25℃的气氛下进行测定。需要说明的是，对于基材层的特性粘度而言，从双轴取向聚酯膜中削取基材层的部分，进行测定。
7.突起的破孔率
用fe-sem拍摄试样膜的消光层表面的照片，计数在0.5mm2面积（200μm×250μm的10个视野）中存在的突起的个数、和其中发生了破孔的个数，以破坏个数相对于全部个数的比例（%）的形式计算得出。
需要说明的是，在表面照片中，将周边存在孔的突起判定为发生了破孔的突起。
8.色相l值
使用日本电色工业制分光色差计se6000，对于试样膜的基材层侧，以黑板反射，进行色相l值的测定。
9.表观表面张力
按照jisk6768，在试样膜的消光层表面涂布润湿指数液来测定表观表面张力。
10.剥离性
在试样膜的表面上，形成厚度为0.1μm的甲基三聚氰胺系脱模层（三羽研究所制、atombondrp-30-30），在其上涂布uv固化型丙烯酸系树脂（大日精化工业制，seikabeamexf-3005（ns））并使其固化，由此形成厚度为5μm的绝缘保护层，并且，通过涂布下述组成的导电性糊，形成厚度为15μm的导电层，制成在支撑膜上具有电磁波屏蔽膜的转印用膜；
大日精化工业制、聚氨酯树脂ud1357：60质量份
鳞片状银粉（平均厚度为100nm，平均粒径为5μm）：20质量份
树枝状镀银铜粉（平均粒径5μm）：20质量份。
接下来，以导电层成为被覆面侧的方式，将上文中得到的转印用膜贴合于柔性印刷基板（从上侧起依次层叠聚酰亚胺层（12.5μm）、粘接剂层（15μm）、铜箔层（12μm）、及聚酰亚胺层（12.5μm）而成的4层结构）表面，在温度200℃、压力1mpa、1小时的条件下进行压接。释放压力，在室温下将样品冷却至25℃，然后用手剥离支撑膜，目视观察转印的绝缘保护层的表面。用以下的指标进行评价，
○：剥离：完全剥离；
△：转印：在电磁波屏蔽膜侧残留白色异物；
×：断裂：在剥离中转印膜断裂。
11.制品的消光性
利用与上述1的光泽度同样的方法，针对上述9中得到的绝缘保护层转印后的样品，测定绝缘保护层表面的光泽度（g60），利用以下那样的指标来评价结果，
◎：15以下…制品的消光性非常好
○：超过15且为20以下…制品的消光性良好
×：超过20…制品的消光性不良。
12.膜样品的可见性评价
在黑色的丙烯酸板上，滴下数滴水滴，以消光层与丙烯酸板接触的方式将样品膜放置于其上，在将样品膜与丙烯酸板之间的空气抽除的状态下，确认样品膜的可见度(見え方)，用以下的指标进行评价，
◎：白色…可见性良好
〇：半透明…可见性不足
×：透明…可见性不良。
［实施例1］
向聚对苯二甲酸乙二醇酯（特性粘度0.63dl/g）中添加表1所示的粒子及树脂，制成用于形成消光层（a层）的a层聚合物，另外，与a层同样地，以表1的含量添加粒子及树脂，制成用于形成基材层（b层）的b层聚合物，分别供给至已加热至280℃的挤出机，使用形成a/b的层叠结构那样的2层供料头装置将a层聚合物、b层聚合物合流，维持该层叠状态，从模中将片材熔融挤出至已维持为20℃的旋转冷却鼓上，制成未拉伸膜，接下来，将该未拉伸膜沿纵向拉伸3.2倍，然后于140℃沿横向拉伸3.4倍，于235℃进行热固定，得到双轴取向聚酯膜（厚度50μm）。将得到的膜的评价结果示于表1。
［实施例2］
使在a层聚合物及b层聚合物中添加的树脂的含量为表1记载的含量，除此之外，与实施例1同样地操作，得到双轴取向聚酯膜。将得到的膜的评价结果示于表1。
［实施例3］
对于在b层聚合物中使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯，使用特性粘度为0.63dl/g和0.68dl/g的2种，使其混合比例为前者7质量份、后者2质量份，除此之外，与实施例2同样地操作，得到双轴取向聚酯膜。将得到的膜的评价结果示于表1。
［实施例4～9、比较例1～2］
如表1记载那样地变更在a层聚合物及b层聚合物中添加的粒子及树脂的种类及量，除此之外，与实施例1同样地操作，得到双轴取向聚酯膜。将得到的膜的评价结果示于表1。
［实施例10］
在聚对苯二甲酸乙二醇酯（特性粘度0.63dl/g）中添加如表2所示的粒子及树脂，制成用于形成消光层（a层）的a层聚合物，另外，与a层同样地，以表2的含量添加粒子及树脂，制成用于形成基材层（b层）的b层聚合物，分别供给至已加热至280℃的挤出机中，使用形成a/b的层叠结构那样的2层供料头装置将a层聚合物、b层聚合物合流，维持该层叠状态，从模中将片材熔融挤出至已维持为20℃的旋转冷却鼓上，制成未拉伸膜，接下来，将该未拉伸膜沿纵向拉伸3.2倍，然后于140℃沿横向拉伸3.4倍，于230℃进行热固定，得到双轴取向聚酯膜（厚度50μm）。将得到的膜的评价结果示于表2。
［实施例11、13～15、比较例3、4］
使在a层聚合物及b层聚合物中添加的粒子、树脂及它们的含量为表2记载的那样，除此之外，与实施例10同样地操作，得到双轴取向聚酯膜。将得到的膜的评价结果示于表2。
［实施例12］
对于在b层聚合物中使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯，使用特性粘度为0.63dl/g和0.68dl/g的2种，使其混合比例为前者7质量份、后者2质量份，使在a层聚合物及b层聚合物中添加的粒子、树脂及它们的含量为表2记载的那样，除此之外，与实施例11同样地操作，得到双轴取向聚酯膜。将得到的膜的评价结果示于表2。
[表1]
[表2]
表1及表2中的pbt是指聚对苯二甲酸丁二醇酯，ptmt是指聚对苯二甲酸丙二醇酯，pcht是指聚对苯二甲酸环己二甲酯。
产业上的可利用性
对于本发明的双轴取向膜而言，在用作电磁波屏蔽膜转印用等的支撑膜时，可向转印后的电磁波屏蔽膜等的表面赋予良好的消光外观，而且转印工序中的转印后的支撑膜剥离性优异，因此，其在产业上的利用价值非常高。