高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法

文档序号:9268734阅读:975来源:国知局
高TG无卤LOW Dk/Df覆铜板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及覆铜板领域,尤其涉及一种适用于高频电路板的高TG无卤LOWDk/Df 覆铜板的制作方法。
【背景技术】
[0002] 继欧盟及中国大陆的有害物质限制指令ROHS陆续实施后,包含铅、镉、汞、六 价铬、多溴联苯与多溴二苯醚等物质已不得用于制造电子产品或其组件;绿色和平组织 (GreenPeace)现阶段大力推动的绿化政策,要求所有的制造商完全排除其电子产品中的 溴系阻燃剂及聚氯乙烯,以符合兼具无铅及无卤素的绿色电子。但目前还是有很多电路板 行业会使用含溴化合物,因为溴化阻燃剂阻燃效果优良,且成本较低;卤化物在着火燃烧 时,会释放出大量毒性大、腐蚀性强的卤化氢气体,此气体不但污染环境,也会对人体健康 造成一定损害,且碳氢化合物在存在溴和氯的情况下,在低温不完全燃烧过程中会产生二 噁英等剧毒物质。
[0003] 随着高密度安装SMT技术的发展,以及PCB无铅焊接的要求,在PCB加工和整机安 装配件中,受热冲击的反复次数比传统的通孔插装多,所以只有提高板材的玻璃化温度才 能使可靠性有所保障和提高,在产品寿命期出现的PCB可靠性失效对客户来说显得越来越 重要;低Tg的无卤覆铜板更容易引起CAF失效,CAF是由铜丝沿着玻璃纤维或树脂接口迀 移形成的,会在相邻的导体间产生内部电气短路,这对高密度电路板的设计来说是一个很 严重问题。
[0004] 现今信息技术飞速发展,各类具有高速信息处理功能的电子消费品已是日常生活 中不可或缺的关键部分,军用领域应用的无线通讯和宽频技术也迅速向民用消费电子领域 转移,今后电子信息通讯的主要核心将是往高频、高速方向发展;在高频技术持续发展的今 天,从传统IGHZ以下的频率发展发展至2GHZ、3GHZ、6GHZ及高频率,覆铜板作为电子产品的 重要组成部分之一,其介电常数(Dk)和介损耗因子(Df)就成为了应用在高频领域所关注 的重中之重两项性能指标。
[0005] 电路板必须耐燃,在一定温度下不能燃烧,只能软化。这时的温度点就叫做玻璃 态转化温度(TG点),这个值关系到PCB板的尺寸安定性。目前在印制电路板行业,其多数 无卤覆铜板的TG值均在150°C左右,介电常数(Dk) > 4. 5、介质损耗(Df) > 0. 12,此类板 材不适用于制作高频线路板。

【发明内容】

[0006] 本发明的目的在于提供一种适用于高频电路板的高TG无卤LOWDk/df覆铜板的 制作方法。
[0007] 为了实现上述目的,本发明提供的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其步 骤为:配置胶液一一上胶一一叠合、热压;
[0008] 胶液成分包括:采用改性多官能基磷系环氧树脂/胺类固化体系,加入邻甲酚型 环氧树脂、双酚A型氰酸脂树脂,再加入固化剂、固化促进剂及无机填料;用丙酮、丙二醇甲 醚醋酸酯、丁酮中任一一种或一种以上的组合物作为溶剂配制;
[0009] 上胶:选取介电常数为4. 0~4. 5的NE-玻纤布作为增强材料,浸以上述制得的胶 液,经立式上胶机烘干制得B阶段半固化片;
[0010] 叠合、热压:将上好胶的半固化片整齐叠合,双面覆以铜箔,经真空热压机热压成 型。
[0011] 在一些实施方式中,胶液中各成分重量份为:
[0012]
[0013] 在一些实施方式中,改性多官能基磷系环氧树脂为环氧当量330~350的多官能 基憐系环氧树脂;改性多官能基憐系环氧树脂中憐含量为2. 6%。
[0014] 在一些实施方式中,邻甲酚型环氧树脂为环氧当量200~220的邻甲酚型环氧树 脂。
[0015] 在一些实施方式中,双酚A型氰酸脂树脂为固形份为75 %的液态双酚A型氰酸脂 树脂。
[0016] 在一些实施方式中,固化剂为胺类Dicy固化剂。
[0017] 在一些实施方式中,固化促进剂为二甲基咪唑固化促进剂。
[0018] 在一些实施方式中,选用微米级超细氢氧化铝和二氧化硅做为填料,其粒径D50 为 1. 6-3. 2um。
[0019] 在一些实施方式中,采用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯作为溶剂。
[0020] 在一些实施方式中,上胶步骤中,立式上胶机的运行速度为14~20m/min,半固化 片的凝胶时间为106~126S,制得半固化片的固体含量为42~53. 5%,流动度18~32%; 叠合、热压步骤中,压制参数控制为:真空度为20 - 60torro,面压力为0. 4~3. 6Mpa,热盘 温度为120~210°C,升温速率为2~3°C/min;压制时间为120~160min。
[0021] 本发明提供的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法与现有技术相比,具有以下 优点:
[0022] 本发明在配方上使用改性后的多官能基磷系环氧树脂为主题树脂,加入Tg值高、 耐热性佳的邻甲酚型环氧树脂和热稳定性好、极低的介电常数的双酚A型氰酸脂树脂,然 后通过采用低介电常数的NE玻纤布作为增强材料。热压成型后的无卤素覆铜板,除了具有 常规无卤素覆铜板的电气性能、绝缘性能等基本性能外,还具有高的玻璃化转换温度,其TG 值> 170°C,且还具备低介电常数、介质损耗特殊性能,Df值< 3. 8,Df值< 0.07,可以完全 满足制作高频、高速线路板的需求,其制作的基本同时还具备极佳的耐热性、热裂分解温度 等优良性能。
【具体实施方式】
[0023] 下面通过具体实施例来对本发明作进一步的详细描述说明。
[0024] 本发明提供的高TG无卤LOW Dk/Df覆铜板的制作方法,其步骤为:配置胶液-- 上胶--叠合、热压。
[0025]Sl:配制胶液
[0026] 所述胶液成分包括(重量份):
[0029] 依上述组份配制胶液,均匀搅拌后凝胶,其凝胶时间为288S;
[0030] 环氧当量345g/eq、磷含量2. 6%的改性多官能基磷系环氧树脂是DOPO系环氧树 脂通过加入多官能基树脂和丙二酚酚醛树脂改性后的环氧树脂。主要特点在于:Working window宽、使用其制作的基板Tg值较高、耐热性及耐燃性佳等特点;
[0031] 环氧当量为210g/eq的邻甲酚型环氧树脂;主要作用是:作为添加型,提高所制基 板的TG值,耐热性及耐化学性等。
[0032] 其化学结构及组成为:
[0034] 固形份为75%的液态双酚A型氰酸脂树脂;此树脂具有良好的热稳定性、耐湿性、 极低的膨胀系数、极低的介电常
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