专利名称：形成接线和电极的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于形成导电薄膜的组合物以及一种通过应用该组合物在基材上形成接线或电极的方法。更具体地，本发明涉及一种导电薄膜的形成方法，该方法适合在用于电子器件的接线或电极的形成中使用。
背景技术：
铝用作接线材料，该接线材料用于许多电子器件如太阳能电池，半导体器件和电子显示器件。迄今为止，通常的作法是通过如阴极真空喷镀，真空沉积或CVD的真空方法，形成这样的铝薄膜，然后通过使用光刻胶的光蚀刻将得到的铝薄膜加工成铝图案。但是，因为这样的方法需要大型的真空沉积设备，其从能源消耗的角度是不利的。进一步地，因为通过这种方法难以在大面积基材上均一地形成铝接线，产量少，导致成本增加。
其间，近几年，一种含有分散在粘合剂中的铝微粒的糊剂已经得到开发，并且一种通过例如丝网印刷术对该糊剂进行成图案印刷，以及烘焙印刷过的糊剂而形成铝图案的方法已被报道(JP-A 10-335267)(在此使用的术语“JP-A”意为“未审查的公布的日本专利申请”)。这种方法可以低成本实施，因为其通过铝糊剂的印刷直接形成图案。但是，得到的铝易含杂质，难以得到具有低电阻的铝图案，并且从技术观点，通过这种方法难以形成精细的图案。
进一步地，开发了一种方法，该方法包括通过例如旋涂方法，涂覆特定有机铝化合物溶液以便形成涂覆薄膜以及烘焙薄膜以便形成导电薄膜。在这种方法中，所用有机铝的有机成分和所用溶剂发生扩散，因此使得得到的薄膜不可避免地比通过如阴极真空喷镀的真空方法形成的薄膜倾向具有更低密度。因此，如在使用得到的薄膜作为导电薄膜的场合中需要高密度的薄膜时，上述方法得到的低密度薄膜将会存在问题。
发明内容
在以上情况下构思本发明。因而，本发明的目的是提供一种用于形成导电薄膜的组合物，该导电薄膜可以容易和廉价地形成接线或电极，该接线或电极可以合适地用于许多电子器件，以及提供一种使用该组合物的薄膜成形方法。
本发明的另一个目的是提供用本发明的方法形成的接线和电极。
本发明的其它目的和优点从随后的描述是显然的。
根据本发明，第一，本发明的以上目的和优点通过一种用于形成导电薄膜的组合物实现，该组合物含有胺类化合物与氢化铝化合物的配合物以及钛化合物。
根据本发明，第二，本发明的以上目的和优点通过一种用于形成导电薄膜的方法(下文中会作为本发明的第一方法提到)实现，该方法包括用含有(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物以及(B)钛化合物的组合物涂覆基材，以及随后使得到的涂覆薄膜经受热和/或光处理，以形成导电薄膜。
根据本发明，第三，本发明的以上目的和优点通过一种用于形成导电薄膜的方法(下文中会作为本发明的第二方法提到)实现，该方法包括用(A)含有胺类化合物与氢化铝化合物的配合物以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材，以及随后使得到的涂覆薄膜经受热和/或光处理，以形成导电薄膜。
根据本发明，第四，本发明的以上目的和优点通过用以上方法形成的导电薄膜的接线和电极实现。
下文中，本发明将被进一步描述。
具体实施方案首先，用于本发明第一方法的成膜组合物将被描述。
用于本发明的氢化铝(hydrogenated aluminum)(经常简称为“alan”)是一种包含铝和氢原子的化合物，据信，该化合物通常的表达式为AlH3。
用于本发明成膜组合物的胺类化合物与alan的配合物可依照描述于J.K.Ruff等人，J.Amer.Chem.Soc.，vol.82，p.2141，1960；G.W.Frasteretal.，J.Chem.Soc.，p.3742，1963；和J.L.Atwood等人，J.Amer.Chem.Soc.，vol.113，p.8133，1991中的方法合成。
例如，用于本发明成膜组合物的胺类化合物与alan的配合物可以由如下方式合成通过在氢化铝锂的二乙醚溶液中添加胺类化合物的盐酸盐，在例如氮气中，于室温下搅拌，使它们反应。反应结束后，用过滤器或类似装置将氯化锂副产物和未反应的氢化铝锂从反应溶液中移除，将所需的涂料溶液加入最终溶液，并且随后在减压下移除反应中使用的溶剂如二乙醚，以便给出目标产物。反应温度，反应溶剂等根据要得到的胺类化合物和alan的配合物的类型加以选择。
用于本发明的胺类化合物可以是多元胺化合物如一元胺化合物、二元胺化合物、三元胺化合物或四元胺化合物。
一元胺化合物例如以下式(1)表示R1R2R3N...(1)其中，R1，R2和R3各自独立地是氢原子，烷基，烯基，炔基，环烷基或芳基。
式(1)中的R1，R2和R3的适合的具体例子包括氢、具有1-12个碳原子的烷基、如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基和十二烷基、具有不饱和基的烯基、如偏烯丙基(metaallyl)、炔基、如苯乙炔基、脂环烷基、如环丙基、芳基、如苯基和苄基。这些烷基、烯基、炔基可以是线形、环状或支化的。
由式(1)表示的化合物的具体例子包括氨、三甲胺、三乙胺、三正丙胺、三异丙胺、三环丙胺、三正丁胺、三异丁胺、三叔丁胺、三-2-甲基丁胺、三正己胺、三环己胺、三(2-乙基己基)胺、三辛胺、三苯胺、三苄胺、二甲基苯胺、二乙基苯胺、二异丁基苯胺、甲基二苯胺、乙基二苯胺、异丁基二苯胺、二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二异丙胺、二环丙胺、二正丁胺、二异丁胺、二叔丁胺、甲基乙胺、甲基丁胺、二正己胺、二环己胺、二(2-乙基己基)胺、二辛胺、二苯胺、二苄胺、甲基苯胺、乙基苯胺、异丁基苯胺、甲基甲基丙烯基胺、甲基苯乙炔胺、苯基苯乙炔胺、甲胺、乙胺、正丙胺、异丙胺、环丙胺、正丁胺、异丁胺、叔丁胺、2-甲基丁胺、正己胺、环己胺、2-乙基己基胺、辛胺、苯胺和苄胺。
多元胺化合物的说明例包括乙二胺、N，N′-二甲基乙二胺、N，N′-二乙基乙二胺、N，N′-二异丙基乙二胺、N，N′-二叔丁基乙二胺、N，N′-二苯基乙二胺、N，N，N′，N′-四甲基乙二胺、N，N，N′，N′-四乙基乙二胺、二亚乙基三胺、1，7-二甲基-1，4，7-二乙撑三胺、1，7-二乙基-1，4，7-二乙撑三胺、三亚乙基四胺、苯二胺、N，N，N′，N′-四甲基二氨基苯、1-氮杂-二环[2.2.1]庚烷、1-氮杂-二环[2.2.2]辛烷(奎宁环)、1-氮杂环己烷、1-氮杂-环己烷-3-烯、N-甲基-1-氮杂-环己烷-3-烯、吗啉、N-甲基吗啉、N-乙基吗啉、哌嗪、和N，N′、N″-三甲基-1，3，5-三氮杂环己烷。这些胺类化合物可以单独使用或以两种或更多种的混合物使用。
用于本发明的含钛化合物的说明例包括由如下通式(2)表示的化合物Ti(OR4)x(CH3COCHCOOR5)4-x...(2)其中R4和R5是相同或不同的烷基或苯基，并且x是0或1-4的整数，由如下通式(3)标的化合物Ti(OR6)y(x)4-y...(3)其中，R6是烷基或苯基，x是卤素原子，并且y是1-3的整数，由如下通式(4)表示的化合物Ti(OR7)z(NHR8)4-z...(4)其中，R7和R8是相同或不同的烷基或苯基，并且z是0或1-3的整数，和由如下通式(5)表示的化合物Ti(Cp)n(Y)4-n...(5)其中，Cp是环戊二烯基，Y是卤素原子或烷基，并且n是1-4的整数。
含钛化合物的具体例子包括烷氧基钛，例如甲氧基钛、乙氧基钛、正丙氧基钛、正壬氧基钛、十八烷氧基钛、异丙氧基钛、正丁氧基钛、异丁氧基钛、叔丁氧基钛、四(双-2，2-(烯丙氧基甲基))丁氧基钛、三异十八慌酰异丙氧基钛、三甲基硅氧烷基钛、2-乙基己氧基钛、甲基丙烯酸三异丙氧基钛、(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)三异丙氧基钛酸酯、甲氧基丙氧基钛、苯氧基钛、甲基苯氧基钛、聚钛酸二丁酯、聚钛酸辛二醇酯、双(三乙醇胺)二异丙氧基钛、三(十二烷基苯基磺酸)三异丙氧基钛、三甲基丙烯酸酯甲氧基乙氧基乙醇钛、三(二辛基焦磷酸)异丙氧基钛和乳酸钛；含氨基钛化合物，例如四(二甲氨基)钛和四(二乙氨基)钛；钛与β-二酮配合物，例如双(乙酰乙酸乙酯)二异丙氧基钛、三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酸根合)钛、双(戊二酸根合)氧化钛、四甲基庚二酸根合氧化钛、甲基丙烯酰氧基乙酰乙酸三异丙氧基钛、二正丁氧基(双-2，4-戊二酸根合)钛、二异丙氧基(双-2，4-戊二酸根合)钛、二异丙氧基双(四甲基庚二酸根合)钛、二异丙氧基双(乙基乙酰乙酸)钛、四乙基乙酰乙酸钛、四甲基乙酰乙酸钛、二(异丙氧基)双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酸根合)钛和烯丙基乙酰乙酸三异丙氧基钛；含有环戊二烯基的钛化合物，例如二环戊二烯基二氯化钛、二环戊二烯基二溴化钛、环戊二烯基三氯化钛、环戊二烯基三溴化钛、二环戊二烯基二甲基合钛、二环戊二烯基二乙基合钛、二环戊二烯基二叔丁基合钛、二环戊二烯基苯基氯化钛、二环戊二烯基甲基氯化钛、(三甲基)五甲基环戊二烯基钛和二甲基双(叔丁基环戊二烯基)钛；以及具有卤素原子的钛化合物，例如茚基三氯化钛、五甲基环戊二烯基三氯化钛、五甲基环戊二烯基三甲氧基钛、三氯三(四氢呋喃)钛酸酯、四氯双(四氢呋喃)钛、三异丙氧基氯化钛、三异丙氧基碘化钛、二乙氧基二氯化钛、二氯双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酸根合)钛、四氯双(环己硫醇)钛和氯化钛。
本发明中的含有(1)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，(2)含钛化合物，以及在某些情况下，(3)溶剂的成膜组合物，并无特别的生产方法的限制。该组合物通过在搅拌下向胺类化合物与氢化铝化合物的配合物的溶液中添加给定数量的含钛化合物来制备。在其下添加含钛化合物的温度优选为0-150℃，更优选5-100℃。搅拌时间优选为0.1-120分钟，更优选0.2-60分钟。当添加物的温度高于150℃或搅拌时间长于120分钟时，会有不均一的溶液制得或沉淀产生。其间，当添加物的温度低于0℃或搅拌时间短于0.1分钟，得不到具有高的膜密度的烘焙薄膜(如导电薄膜)。
反应中使用的溶剂可以是能够溶解胺类化合物与氢化铝化合物配合物以及含钛化合物的任何溶剂。作为溶剂，可以使用与那些将在随后描述的可用于成膜组合物的溶剂相同的溶剂。
用于本发明的成膜组合物可以含有不同于胺类化合物与alan的配合物的铝化合物。不同于以上可被添加的配合物的铝化合物的说明性例子包括三甲基铝、三乙基铝、三正丙基铝、三环丙基铝、三正丁基铝、三异丁基铝、三叔丁基铝、三-2-甲基丁基铝、三正己基铝、三环己基铝、三(2-乙基己基)铝、三辛基铝、三苯基铝、三苄基铝、二甲基苯基铝、二乙基苯基铝、二异丁基苯基铝、甲基二苯基铝、乙基二苯基铝、异丁基二苯基铝、二乙基氢化铝、二异丁基氢化铝、二苯基氢化铝、二甲基甲基丙烯酰基铝、二甲基(苯基乙炔基)铝、二苯基(苯基乙炔基)铝、二甲基胺·二甲基铝配合物、二乙基胺·二乙基铝配合物、二甲基胺·二乙基铝配合物、二乙基胺·二甲基铝配合物、二苯基胺二甲基铝配合物和二苯基胺·二乙基铝配合物。这些铝化合物可以单独使用或以两种或更多种的混合物使用。
至于胺类化合物与氢化铝化合物的配合物(1)和含钛化合物(2)的比例，含钛化合物(2)的数量优选0.001-30mol％，更优选0.005-20mol％，基于配合物(1)和化合物(2)总量。当含钛化合物(1)的数量低于0.001mol％时，得不到具有高密度的薄膜，而当含钛化合物(1)的数量高于30mol％时，难以保持溶液的稳定性。
本发明中成膜组合物的溶液可与如金、银、铜、铝、镍、铁、铌、钛、硅、铟或锡的金属微粒或/和适当的半导体混合使用，以便具有导电性。进一步地，该溶液还可与依照要求的如氧化铝，氧化锆，氧化钛或氧化硅的金属氧化物微粒混合使用。进一步地，为了提高溶液相对于要被涂覆的目标物的可湿性和涂覆薄膜的水平性以及防止在涂覆薄膜中产生斑点和桔皮，如要求可以添加不会削弱所需效果的少量表面张力调节剂，例如氟基表面活性剂、硅基表面活性剂或非离子表面活性剂。可以添加的非离子表面活性剂的说明性例子包括具有氟化烷基或全氟烷基的氟基表面活性剂和具有氧烷基的聚醚烷基基表面活性剂。以上氟基表面活性剂的说明性例子包括C9F19CONHC12H25、C8F17SO2NH-(C2H4O)6H、C9F17O(PURONIC L-35)C9F17和C9F17O(PLURONIC P-84)C9F17(此处的PLURONIC L-35Asahi Denka公司产品，聚氧化丙烯-聚氧化乙烯嵌段共聚物，平均分子量＝1,900；PLURONIC P-84Asahi Denka公司产品，聚氧化丙烯-聚氧化乙烯嵌段共聚物，平均分子量＝4,200；TETRONIC-704Asahi Denka公司产品，N，N，N′，N′-四(聚氧化丙烯-聚氧化乙烯嵌段共聚物)，平均分子量＝5,000)。这些氟基表面活性剂的具体例子包括EFTOPEF301，EF303和EF352(SHIN AKITA KASEI有限公司产品)，MEGAFACE F171和F173(DAINIPPON INK AND CHENICALS联合公司产品)，ASAHI GUARDAG710(ASAHI GLASS有限公司产品)，FLORAD FC-170C，FC430和FCA31(Sumitomo 3M公司产品)，SURFLON S-382，SC101，SC102，SC103，SC104，SC105和SC106(ASAHI GLASS有限公司产品)，BM-1000和BM1100(B.M-Chemie有限公司产品)和Schsego-Fluor(Schwegmann有限公司产品)。进一步地，聚醚烷基基表面活性剂的说明性例子包括聚氧化乙烯烷基醚、聚氧化乙烯烯丙基醚、聚氧化乙烯烷基苯酚酯、聚氧化乙烯脂肪酸酯、脱水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧化乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯和氧化乙烯氧化丙烯嵌段共聚物。这些聚醚烷基基表面活性剂的具体例子包括EMULGEN 105、430、810和920，REODOLE SP-40S和TW-L120，EMANOLE 3199和4110，EXEL P-40S，BRIDGE 30、52、72和92，ARACEL 20，EMASOLE 320，TWIN 20和60以及MERGE 45(KAO CORPORATION)，和NONIBOL 55(Sanyo ChemicalIndustries有限公司产品)。不同于以上那些列举的非离子表面活性剂的说明性例子包括聚氧化乙烯脂肪酸酯、聚氧化乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯和聚烯化氧嵌段共聚物。其具体例子包括CHEMISTAT 2500(Sanyo Chemical Industries有限公司产品)，SN-EX 9228(SAN NOPCO有限公司产品)和NONAL 530(TOHOCHEMICAL INDUSTRY有限公司产品)。
可用于本发明成膜组合物的溶剂可以是能够溶解胺类化合物与氢化铝化合物的配合物(1)和含钛化合物(2)，并且不与配合物(1)及化合物(2)反应的任何溶剂。这样的溶剂的说明例包括烃类溶剂，如正戊烷、环戊烷、正己烷、环己烷、正庚烷、环庚烷、正辛烷、环辛烷、癸烷、环癸烷、二环戊二烯氢化物、苯、甲苯、二甲苯、均四甲苯、茚、四氢化萘、十氢化萘和异三十烷；醚类溶剂、如二乙基醚、二丙基醚、二丁基醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、四氢呋喃、四氢吡喃、双(2-甲氧基乙基)醚和对二噁烷；以及极性溶剂，如二氯甲烷和氯仿。在这些溶剂中，从溶解性和溶液稳定性的角度，优选使用烃类溶剂或烃类溶剂与醚类溶剂的混合物。这些溶剂可以单独使用或以两种或更多种的混合物使用。
本发明成膜组合物的固体浓度优选为0.1-100wt％，更优选10-80wt％。根据所需导电薄膜的厚度，可以调整到一个合适的浓度。
其次，用于本发明第二方法的成膜组合物将被描述。
作为胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，使用与关于第一方法描述的相同配合物。应当理解为，第一方法中有关配合物的描述直接应用于第二方法中的配合物。
优选用于本发明的金属颗粒的说明例包括Al，Cu，Ag，Au，Ni，Ru，Pd，Pt和Sn。这些金属颗粒可以单独使用或是两种或更多种结合使用。作为这些金属颗粒，市售金属颗粒既可直接使用，也可在表面上的氧化物被酸或碱清除后使用。用于清除表面氧化物的酸或碱依赖于要进行表面处理的金属的类型。虽然对酸或碱没有特别限制，例如可以使用如盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸等，这些酸的水溶液以及碱如氢氧化钠和氢氧化钾的水溶液。
金属颗粒的粒径优选不大于10μm，更优选不大于5μm，特别优选不大于1μm。
本发明中的包含(1)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，(2)金属颗粒，以及依照要求的(3)溶剂的成膜组合物，并无特别的生产方法的限制。该组合物通过在搅拌下向胺类化合物与氢化铝化合物的配合物的溶液中添加给定数量的金属颗粒来制备。在其下添加金属颗粒的温度优选为0-150℃，更优选5-100℃。搅拌时间优选为0.1-120分钟，更优选0.2-60分钟。
用于此反应的溶剂可以是能够溶解胺类化合物与氢化铝化合物的配合物的任何溶剂。作为溶剂，可以使用与将在随后描述的用于成膜组合物的那些相同的溶剂。
本发明成膜组合物可以含有不同于胺类化合物与alan的配合物的铝化合物。不同于以上可添加的配合物的铝化合物例子是与关于第一方法示例的那些相同的铝化合物。
至于胺类化合物与氢化铝化合物的配合物(1)和金属颗粒(2)的比例，金属颗粒(2)的数量优选为0.01-100重量份，更优选0.05-80重量份，基于100重量份配合物计。当金属颗粒的数量低于0.01重量份时，得不到具有高密度的薄膜，而当金属颗粒的数量高于100重量份时，难以保持溶液的稳定性。
本发明中成膜组合物的溶液可与诸如铁、铌、钛、硅、或铟的金属或/和适当的半导体的细颗粒混合使用，以便具有导电性。进一步地，该溶液还可与依照要求的如氧化锆、二氧化钛或二氧化硅的金属氧化物细颗粒混合使用。
进一步地，为了提高溶液相对于所要涂覆的目标物的可湿性和涂覆薄膜的流平性以及防止在涂覆薄膜中产生斑点和桔皮，如要求可以添加不会削弱所需效果的表面张力调节剂，例如氟基表面活性剂、硅基表面活性剂或非离子表面活性剂。表面活性剂的具体例子与那些关于第一方法列举的那些相同。
可以用于成膜组合物的溶剂是溶解胺类化合物与氢化铝化合物的配合物(1)并且不与配合物(1)反应的任何溶剂。例如，可以使用与关于第一方法示例的那些相同的溶剂。
成膜组合物的固体浓度优选为0.1-100wt％，更优选10-80wt％。根据所需导电薄膜的厚度，可以将它调整到一个合适的浓度。
其次，将描述第一方法和第二方法。
将用第一方法或第二方法得到的成膜组合物溶液涂覆于基材之上。要使用的基材的材料和形状没有特别限制。其材料优选能够忍受随后步骤中的热处理。进一步地，涂覆成膜于其上的基材可以具有均匀的表面或不均匀的表面，并且其形状没有特别限制。用于基材的这种材料的具体例子包括玻璃，金属、塑料和陶瓷。作为玻璃，例如可以使用石英玻璃，硼硅玻璃，钠玻璃和铅玻璃。作为金属，例如可以使用金、银、铜、镍、硅、铝、铁和不锈钢。作为塑料，例如可以使用聚酰亚胺和聚醚砜。进一步地，这些材料对于颗粒形状没有限制，可以是松散、片或薄膜形状。进一步地，涂覆溶液的方法没有特别限制，可以是旋涂、浸涂、帘涂、辊涂、喷涂、喷墨印刷或胶版印刷。溶液可被涂覆一次或多次。涂覆薄膜的合适厚度并不相同，其依赖于涂覆方法和固体浓度。薄膜厚度优选为0.001-100μm，更优选0.005-50μm。
进一步地，在本发明中，以上基材可以变成具有涂覆薄膜(基础层)的基材，涂覆薄膜通过使用含有有机金属化合物的溶液涂覆基材形成，该有机金属化合物含有选自Ti，Pd和Al的金属原子。由于这种基础层的存在，基材层与铝膜间的粘合被以稳定的情形保持。
含Ti原子的有机金属化合物的说明性例子包括烷氧基钛、含氨基的钛化合物、含有β-二酮的钛化合物、含环戊二烯基的钛化合物和含卤素的钛化合物。
含Pd原子的有机金属化合物的说明性例子包括含卤素的钯配合物、钯的醋酸盐、钯与β-二酮的配合物、钯与含共轭羰基化合物的配合物、和膦基钯配合物。
进一步地，含Al原子的有机金属化合物的说明性例子包括除alan-胺类配合物外的烷氧基铝、烷基铝、和铝与β-二酮的配合物。
有机金属化合物的说明性例子包括与用于第一方法的导电薄膜成形组合物的含钛化合物相同的含钛化合物，具有卤素原子的钯配合物，如氯化钯、烯丙基氯化钯、二氯双(乙腈)钯和二氯双(苄腈)钯、钯的醋酸盐如醋酸钯；钯与β-二酮的配合物如钯-2，4-戊二酮和六氟戊二酮钯；钯与含共轭羰基化合物的配合物如双(二亚苄基丙酮)钯；膦钯配合物，如双[1，2-双(二苯基膦基)乙烷]钯、双(三苯基膦)氯化钯、双(三苯基膦)醋酸钯、二醋酸双(三苯基膦)钯、二氯[1，2-双(二苯基膦)乙烷]钯、反-二氯双(三环己基膦)钯、反-二氯双(三苯基膦)钯、反-二氯二(三邻甲苯基膦)钯和四(三苯基膦)钯；烷氧基铝、如乙氧基铝、异丙氧基铝、正丁氧基铝、仲丁氧基铝、叔丁氧基铝、乙氧基乙氧基乙氧基铝、苯氧基铝和乳酸铝；烷基铝如醋酸铝、丙烯酸铝、甲基丙烯酸铝和环己丁酸铝；和铝与β-二酮的配合物如-2，4-戊二酸根合铝和六氟戊二酸根合铝、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酸根合铝、铝仲丁氧基二(乙基乙酰乙酸)、二仲丁氧基乙基乙酰乙酸铝和二异丙氧基乙基乙酰乙酸铝。
这些物质当中，异丙氧基钛、异丙氧基铝、双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛、四(乙酰乙酸)钛、2，4-戊二酸根合钯、六氟戊二酸限合钯、2，4-戊二酸根合铝和六氟戊二酸根合铝优选使用。
作为用于含有Ti、Pd或Al原子的有机金属化合物溶液的溶剂，可以使用能够溶解有机金属化合物的任何溶剂，该溶剂可以单独使用或与水形成混合溶剂。这样的溶剂的说明性例子包括水；醚如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚和二乙二醇二乙醚；具有醚基的酯如乙二醇单甲醚醋酸酯、乙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇单甲醚醋酸酯和丙二醇单乙醚醋酸酯；烃如甲苯、二甲苯、己烷、环己烷、辛烷、萘烷、萘满和均四甲苯；醇如甲醇、乙醇和丙醇；和无质子极性溶剂如N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、六甲基磷酰胺和γ-丁内酯。这些溶剂可以单独使用或与水形成混合溶剂。
有机金属化合物溶液可通过与应用于导电薄膜成形化合物溶液的相同的方法应用于基材。溶剂除去后的涂覆膜(基础膜)的厚度优选为0.001-10μm，更优选0.005-1μm。当基础层太厚时，薄膜的平直度难以获得，而当基础层太薄时，其对于接触的基材或薄膜将具有低粘合性。基础层通过应用以上溶液并加热所用溶液以除去溶剂的方法形成。加热温度为30-350℃，优选40-300℃。
用于本发明的基材可以是在同一基材上具有疏水部分和亲水部分的基材。因此，导电薄膜可以仅形成于基材上的特定部分内。
相应于用于本发明的基材上疏水部分的部分，通过在目标部分施用含例如六甲基二硅氮烷或以上氟基表面活性剂的溶液，并于100-500℃烘焙施用部分形成，所述基材在同一基材上具有疏水部分和亲水部分。为只在目标部分施用含六甲基二硅氮烷或以上氟基表面活性剂的溶液，基材的整个表面将在随后的描述中被变成亲水的，将需要的亲水部分遮盖，然后将目标疏水部分变成疏水的。遮盖亲水部分的方法没有特别限制。例如，使用的一种方法包含使用已知的抗蚀剂，通过已知的光刻蚀法进行图案形成覆盖不相应于疏水部分的部分，或使用的一种方法包含使用遮蔽胶带覆盖不相应于疏水部分的部分。然后，在相应于疏水部分的部分内形成导电薄膜后，除去使用的抗蚀剂或遮蔽胶带。进一步地，还可能将整个基材的表面首先变成疏水的，并且将一个特定部分随后以类似的方法变成亲水的。
进一步地，用于本发明的在同一基材上具有疏水部分和亲水部分的基材上相应于亲水部分的部分，可通过在基材上相应于亲水部分的部分使用含Ti、Pd或Al原子的化合物溶液并且干燥所用溶液的方法获得。
作为有机金属化合物，可以优选使用与上面描述的关于基础膜的有机化合物相同的化合物。
在本发明方法中，导电成膜组合物的溶液涂覆薄膜经过热处理和/或光处理，由此转变成是导电薄膜的接线或电极。热处理温度优选为60℃或更高，更优选70-500℃。加热时间范围例如从30秒到大约120分钟。进一步地，因为这样可以得到优质的导电薄膜，热处理的气氛优选含最少量氧气的惰性气体。作为以上惰性气体，例如氮气、氦气和氩气可以使用。进一步地，含氢气的混合气体也可作为惰性气体使用。进一步地，使用导电成膜组合物溶液的涂覆薄膜可用光处理以便形成导电薄膜。作为用于光处理的光源，可以使用低压或高压汞灯，氘灯，如氩，氪或氙的惰性气体发出光，YAG激光器，氩激光器，二氧化碳激光器，和XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的受激准分子激光器。作为这些光源，优选使用那些输出功率为10-5,000W的光源，但那些输出功率为100-1,000W的光源是更优选足够的。这些光源的波长没有特别限制，但优选170nm-600nm。从改性导电薄膜的角度，特别优选使用激光束。光处理时的温度范围优选从室温到200℃。进一步地，为了仅将特定部分暴露于光线，可将涂覆薄膜透过掩模暴露。
导电薄膜的合适厚度并不相同，其依赖于涂覆方法和固体浓度。薄膜的厚度优选为0.01-100μm，更优选0.05-10μm。当薄膜太厚时，薄膜的平直度难以获得，而当薄膜太薄时，其对于接触的基材或薄膜将具有低粘合性。
如上述得到的导电薄膜可以合适地用做用于太阳能电池，半导体器件和如电子显示器件的电极。
进一步地，当以上导电薄膜以图案形式形成时，其可用做用于以上电子器件的接线。
以图案形式形成导电薄膜的方法没有特别限制。这样的方法的说明性例子包括(1)一种方法，该方法包括形成如上所述的导电薄膜，并且随后通过蚀刻除去导电薄膜的不必要的部分，由此形成接线图案，(2)一种方法，该方法包括仅在基材上对应于接线图案的部分使用有机金属化合物溶液，并且随后使被涂覆部分受热和/或光处理，由此形成接线图案，以及(3)一种方法，该方法包括在基材上使用有机金属化合物溶液，并且随后仅将对应于接线图案的部分暴露于光线，由此形成接线图案。
在以上方法(1)中，可以使用一种方法，该方法包括在形成于基材上的导电薄膜上使用光刻胶，透过具有所需图案的光掩模，用光线照射光刻胶，以使其显影，并且随后通过使用碱性水溶液进行蚀刻。
作为以上方法(2)中的涂覆方法，可以使用如喷墨的方法。可将应用于图案形成的有机金属化合物溶液以与以上导电薄膜的形成方式相同的方式受到加热和/或光处理，由此形成接线图案。
在以上方法(3)中，例如光线可透过具有所需接线图案的光掩模照射。可以在与以上导电成膜的那些相同的条件下照射光线。
当将这样得到的导电薄膜在空气中静置时，该薄膜易被氧化，且在其表面上形成氧化铝层。当将导电薄膜用做接线和/或电极时，这将会是一个问题。为了防止氧化，优选在导电薄膜在惰性气体气氛中形成之后，在惰性气体气氛中形成一层溶液保护薄膜。作为保护薄膜，例如，优选(i)选自Ti、Pd和Al的金属薄膜或(ii)有机聚合物薄膜。
以上金属薄膜可通过如下方式形成使用与以上用于形成基础层的有机金属化合物相同的有机金属化合物溶液并且随后使所用的溶液受热和/或曝光，由此将有机金属化合物转变为相应金属。加热和/或曝光可以在与以上描述那些相同的条件实施。
同时，有机聚合物薄膜可通过应用有机聚合物溶液，在如50-200℃下，将预除去的溶剂扩散，并且干燥最终薄膜的方法形成。用于溶液的聚合物没有特别限制。例如，可以使用如聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物，举例来说如聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯和聚丙烯酸乙酯、聚苯乙烯、聚丁烯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯以及聚丁二烯或这些聚合物的共聚物。作为用于这些聚合物溶液的溶剂，可以使用能够溶解这些聚合物的任何溶剂。
除去溶剂后保护薄膜的厚度优选为0.001μm-10μm，更优选0.01μm-1μm。当保护薄膜太厚时，薄膜的平直度难以获得，而当保护薄膜太薄时，其对于接触的基材或薄膜将具有低粘合性。
实施例以下，参考实施例对本发明做进一步描述。但是，本发明不应以任何方式被这些实施例所限制。
实施例1在室温，氮气气氛下，向200ml烧瓶中称量100g由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的35％二甲苯溶液。室温下，向溶液中逐滴添加0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。然后，在80℃下加热最终溶液3分钟，随后冷却至室温，从而制得含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物。然后，将一块10cm见方的玻璃基材浸入10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液中1小时，随后在100℃下干燥30分钟，在300℃下干燥30分钟，以制备亲水基材。用含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物在氮气气氛中，在1，000rpm下旋涂玻璃基材20分钟，然后在80℃下预焙以去除溶剂，从而形成含有(1)三乙胺与alan的配合物，(2)含钛化合物的薄膜。当涂覆薄膜在氮气气氛中，200℃下被进一步加热30分钟以被热分解时，在玻璃基材上形成具有金属光泽的薄膜。当用α-step(Tenchor有限公司产品)测量基材上薄膜的厚度时，发现其厚度为175nm。当测量薄膜的ESCA时，观察到属于Al2p铝的峰值为73.5eV。进一步地，当用卢瑟福反散射光谱学(RBS)测量薄膜的密度时，得到2.4g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电导率时，得到17μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例2将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物以与实施例1相同的方法制备，区别在于用0.24g四(乙酰乙酸)钛替代0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，以此在10cm见方的用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的220nm厚的薄膜。当用RBS测量薄膜的密度时，得到2.3g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到23μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例3将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物以与实施例1相同的方法制备，区别在于用0.13g二环戊二烯二氯化钛替代0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，以此在10cm见方的用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的270nm厚的薄膜。当用RBS测量薄膜的密度时，得到2.4g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到8μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例4将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物以与实施例1相同的方法制备，区别在于用0.066g二环戊二烯二氯化钛替代0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，以此在10cm见方的用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的230nm厚的薄膜。当用RBS测量薄膜的密度时，得到2.4g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到9μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例5将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物以与实施例1相同的方法制备，区别在于用0.12g环戊二烯三氯化钛替代0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，以此在10cm见方的用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的210nm厚的薄膜。当用RBS测量薄膜的密度时，得到2.4g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到11μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例6
将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物以与实施例1相同的方法制备，区别在于用0.058g环戊二烯三氯化钛替代0.23g双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，以此在10cm见方的用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的220nm厚的薄膜。当用RBS测量薄膜的密度时，得到2.3g/cm3的密度。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到10μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
对比实施例1不使用实施例1中使用的双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛。用与实施例1相同的方式旋涂并且随后烘焙2ml由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的35％溶液，由此在10cm用10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的210nm厚的薄膜。当测量薄膜的电阻时，得到65μΩ·cm的电阻率。从而发现，得到导电薄膜，但其电阻率相应的降低。进一步地，当用RBS测量薄膜的密度时，得到1.6g/cm3的密度，表明薄膜密度也相对低。
实施例7在室温，氮气气氛下，向200ml烧瓶中称量100g由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的35％二甲苯溶液。室温下加入3.5g直径为70nm的ULVAC有限公司的Ag颗粒，并搅拌30分钟，由此制得含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Ag颗粒和(3)有机溶剂的组合物。然后，将一块10cm见方的玻璃基材浸入10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液中1小时，随后在100℃下干燥30分钟，在300℃下干燥30分钟，以制备亲水基材。用含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Ag颗粒和(3)有机溶剂的组合物在氮气气氛中，在1,000rpm下旋涂玻璃基材20分钟，然后在80℃下预焙烧以去除溶剂，从而形成含有(1)三乙胺与alan的配合物，(2)Ag颗粒的薄膜。当涂覆薄膜在氮气气氛中，在200℃下被进一步加热30分钟以被热分解时，在玻璃基材上形成具有金属光泽的薄膜。当用α-step(Tenchor有限公司产品)测量基材上薄膜的厚度时，发现其厚度为800nm。当测量薄膜的ESCA时，观察到属于Al2p铝的峰值为73.5eV。进一步地，当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。进一步地，当测量薄膜的电导率时，得到75μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例8将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Cu颗粒和(3)有机溶剂的组合物以与实施例7相同的方法制备，区别在于用3.5g粒径为450nm的Aldrich有限公司的Cu颗粒替代3.5g的Ag颗粒。用与实施例7相同的方式旋涂2ml这样得到的涂覆溶液并且随后烘焙，由此在10cm见方的用正如用于实施例7的10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛的甲苯溶液表面处理过的玻璃基材表面形成具有铝光泽的750nm厚的薄膜。当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到65μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例9将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Ag颗粒和(3)有机溶剂的组合物以与实施例7相同的方法制备，区别在于用35％的甲苯溶液替代35％的由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的二甲苯溶液。在氮气气氛中，1,000rpm下，用2ml这样得到的涂覆溶液在正如用于实施例7的相同的基材上旋涂20秒钟，并且随后在80℃烘焙10分钟以及200℃烘焙30分钟，由此得到具有铝光泽的700nm厚的薄膜。进一步地，当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。当测量薄膜的电阻时，得到80μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例10将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Cu颗粒和(3)有机溶剂的组合物以与实施例7相同的方法制备，除了将35％的由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的二甲苯溶液替代为配合物的35％甲苯溶液。在氮气气氛中，1,000rpm下，用2ml这样得到的涂覆溶液在正如用于实施例7的相同的基材上旋涂20秒钟，并且随后在80℃烘焙10分钟以及200℃烘焙30分钟，由此得到具有铝光泽的800nm厚的薄膜。当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到75μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
实施例11将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Ag颗粒和(3)有机溶剂的组合物以与实施例7相同的方法制备，区别在于用2.5g的Ag替代3.5g的ULVAC有限公司的70nmAg颗粒。在氮气气氛中，1,000rpm下，用2ml这样得到的涂覆溶液在正如用于实施例7的相同的基材上旋涂20秒钟，并且随后在80℃烘焙10分钟以及200℃烘焙30分钟，由此得到具有铝光泽的600nm厚的薄膜。当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到70μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为用于电子器件的电极使用。
实施例12将含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)Cu颗粒和(3)有机溶剂的组合物以与实施例8相同的方法制备，区别在于用2.5g的Cu颗粒替代3.5gAldrich有限公司的粒径为450nmCu颗粒。在氮气气氛中，1,000rpm下，用2ml这样得到的涂覆溶液在正如用于实施例8的相同的基材上旋涂20秒钟，并且随后在80℃烘焙10分钟以及200℃烘焙30分钟，由此得到具有铝光泽的800nm厚的薄膜。进一步地，当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为0％，表明得到密集的铝薄膜。进一步地，当测量薄膜的电阻时，得到80μΩ·cm的电阻率。因此，发现该薄膜适合作为电子器件的电极使用。
对比例2不使用实施例7中使用的Ag颗粒。用与实施例7相同的方式旋涂并且随后烘焙2ml由盐酸三乙胺和氢化铝锂合成的三乙胺与alan的配合物的35％溶液，由此在5cm见方的其上通过阴极真空喷射形成20nm氧化钛薄膜的玻璃基材上形成240nm厚的薄膜。当测量薄膜的电阻时，得到80μΩ·cm的电阻率，表明得到导电薄膜。但是，当测量薄膜的透光率时，得到的透射比在300nm波长上为8％，表明薄膜密度相对低。
实施例13将以与实施例1相同的方法制备的含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物旋涂于通过如下方式得到的亲水基材之上将10cm见方的硼硅玻璃浸入10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛/甲苯溶液中1小时并且随后在100℃下干燥30分钟以及300℃下干燥30分钟。然后，在80℃预焙旋涂过的基材，以去除溶剂，从而形成含有(1)三乙胺与alan的配合物和(2)含钛化合物的薄膜。在氮气气氛中，200℃下进一步加热涂覆薄膜30分钟，形成具有金属光泽的薄膜。基材上薄膜的厚度为220nm。
通过使用旋转器，用光刻胶涂覆这种薄膜以形成G线(TFR9005D10GJSR联合公司产品)并且随后在90℃预焙120秒钟，由此形成抗蚀膜。然后，使用Nikon有限公司的NSR1505G4D型衰减投影曝光装置，通过具有10μm宽和5cm长图案的光掩模将薄膜曝光(在436nm光线下400毫秒)，用2.38wt％的氢氧化四铵的水溶液显影，用超纯水清洗并且随后在120℃预焙2分钟，由此在导电薄膜上形成光致抗蚀膜图案。
然后，将最终的导电薄膜浸入0.1N氢氧化钾溶液中10分钟并且用超纯水清洗，由此被蚀刻，并且使用氧等离子体去除抗蚀剂，由此形成具有金属光泽以及200nm厚度，宽10μm，长5cm线路的接线。
形成的接线两端之间的电阻为10mΩ。
实施例14将以与实施例1相同的方法制备的含有(1)胺类化合物与氢化铝的配合物，(2)含钛化合物和(3)有机溶剂的组合物，用喷涂法以具有50μm宽直线形式图案涂覆于通过如下方式得到的亲水基材之上将10cm见方的硼硅玻璃浸入10％双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛/甲苯溶液中1小时并且随后在100℃下干燥30分钟以及300℃下干燥30分钟。然后，在80℃预焙旋涂过的基材，以去除溶剂，从而形成含有(1)三乙胺与alan的配合物和(2)含钛化合物的薄膜。在氮气气氛中，200℃下进一步加热涂覆薄膜30分钟，结果形成具有金属光泽以及220nm厚度，宽50μm，长5cm线路的接线。接线两端之间的电阻为2mΩ。
如以上详尽描述的那样，根据本发明，提供了一种由如下方式形成具有导电性的薄膜的工业方法容易通过用溶液涂覆方法，如旋涂法或喷涂法并且随后使涂覆薄膜受热和/或光，而不象传统方法那样，通过真空方法例如阴极真空喷镀，真空沉积或CVD形成导电薄膜。这种方法具有可以在低成本下形成是均一和密集薄膜的接线和电极的优点。
权利要求
1.一种形成导电薄膜的组合物，包含胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及钛化合物。
2.权利要求1的组合物，包含基于配合物和钛化合物总量计，数量为0.001-30mol％的钛化合物。
3.一种形成导电薄膜的方法，包括用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(B)钛化合物的组合物涂覆基材，以及随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理，以形成导电薄膜。
4.权利要求3的方法，其中组合物包含基于配合物(A)和钛化合物(B)总量计，数量为0.001-30mol％的钛化合物(B)。
5.权利要求3的方法，其中导电薄膜为接线。
6.权利要求3的方法，其中导电薄膜为电极。
7.一种形成导电薄膜的方法，包括用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材，以及随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理，以形成导电薄膜。
8.权利要求7的方法，其中金属颗粒(C)的粒径不大于10μm。
9.权利要求7的方法，其中组合物包含基于100重量份配合物(A)计，数量为0.01-100重量份的金属颗粒(C)。
10.权利要求7的方法，其中导电薄膜为接线。
11.权利要求7的方法，其中导电薄膜为电极。
12.权利要求5或10的方法，其中基材具有有机金属化合物的涂覆薄膜，该有机金属化合物上具有至少一种选自钛、钯和铝的金属原子。
13.权利要求6或11的方法，其中基材具有有机金属化合物的涂覆薄膜，该有机金属化合物上具有至少一种选自钛、钯和铝的金属原子。
14.按照权利要求3或7的方法形成的接线。
15.按照权利要求3或7的方法形成的电极。
全文摘要
提供了一种通过用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(B)钛化合物的组合物或包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材并且随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理，形成接线或电极的方法。通过这种方法，可以形成使用导电薄膜成形组合物的薄膜，采用该薄膜可以容易和便宜地形成接线和电极，该接线和电极可合适地用于电子器件。
文档编号H01L21/288GK1543293SQ20041003878
公开日2004年11月3日 申请日期2004年3月26日 优先权日2003年3月28日
发明者横山泰明, 米仓勇, 佐藤崇, 若崎环树, 竹内安正, 远藤昌之, 之, 树, 正 申请人:Jsr株式会社, 夏普株式会社, 株式会社国际基盘材料研究所