半导体装置用清洁部件及其制备方法

专利名称：：半导体装置用清洁部件及其制备方法
技术领域：
：本发明涉及一种半导体装置(semiconductorapparatus)用的清洁部件，其用于除去粘附在半导体生产装置、半导体检查设备等上的异物，以及涉及一种制备该清洁部件的方法。
背景技术：
：在基片加工装置中，基片在通过真空夹持机构、静电引力等与传送系统保持物理接触的同时进行传送。在该操作中，当基片或传送系统具有粘附于其上的异物时，随后的基片相继被污染。因此存在如下问题需要周期性地中止并清洁该装置，这导致降低的时间效率而且需要大量劳动。已经提出了克服该问题的技术，它们是在基片加工装置中传送具有与之粘结的粘性物质的基片以除去粘附在该装置内部上的异物的方法(参见专利文献1)，和传送板状部件以除去粘附在基片背面上的异物的方法(参见专利文献2)。专利文献1JP-A-10-154686专利文献2JP-A-11-87458
发明内容待由本发明解决的问题提议的那些方法在避免时间效率降低和消除对大量劳动的需要方面是有效的，因为不必为了进行清洁处理而将装置停止。然而，传送具有与之粘结的粘性物质的基片的方法的缺点在于所述粘性物质紧紧粘在装置中的接触部分上因此难以在装置中流畅地传送基片。另一方面，其中传送板状部件的方法有可能在清除异物的能力方面差。因此本申请人为了在半导体装置如半导体生产装置或检查设备中清洁晶圆(wafer)传送机、晶圆固定用夹盘台(chucktable)等，通过在晶圆(裸晶圆barewafer)的至少一面上形成包含聚酰亚胺树脂的树脂涂层作为清洁层来制备一种半导体装置用的清洁部件。本申请人提出在半导体装置中传送该部件以进行清洁的方法。在制备上述半导体装置用清洁部件中为了在晶圆上涂布聚酰亚胺树脂形成用的清漆，有利地采用以旋涂机涂覆的技术以便获得涂膜均匀性。在该涂覆技术中，滴落在晶圆上的清漆通过由晶圆旋转产生的离心力而在整个晶圆表面上展开以由此获得涂膜均匀性。然而，在这种情况下，过量的清漆由离心力而溢出，因此树脂材料的利用率一般低至10-20重量％，导致巨大的材料损失。另一方面，这种半导体装置用清洁部件为了其批量管理(lotmanagement)而通常带有激光标记的号码，该号码在确定清洁部件的批次中起重要作用。换句话说，该标记用图像识别装置如CCD照相机自动读取，分析批号(lotnumber)并转换成数值。经由这些处理来确定清洁部件的来源以及记录其有关清洁处理的历史。然而，当该清洁部件是其中在其一面或两面的整个表面上已经形成有树脂涂层作为清洁层的部件时，它的缺点在于该标记被树脂涂层覆盖而树脂阻挡光线使得标记识别困难。此外，在树脂涂层形成于晶圆一面或两面的整个表面上的情况下，有可能产生这样的现象在晶圆盒(wafercase)中放置/储存状态下的经涂覆的晶圆的树脂涂层与盒的支持部分(holdingpart)(搁架)接触，树脂涂层通过由接触引起的摩擦而磨损。如此由摩擦形成的微细树脂颗粒粘附于放置/储存在晶圆盒中的其他清洁部件的表面上。当使用这些部件时，该颗粒转移到待清洁的半导体装置的传送用处理装置上或固定用夹盘台上，导致颗粒污染。在上述情况下，本发明的目的在于，通过在晶圆的至少一面上形成具有特定形状的特定树脂涂层作为清洁层，提供一种半导体装置用清洁部件，其必定可以容易地清除粘附在半导体装置内部上的异物，可以带有清楚可读的批量管理用标记，以及可以在与晶圆盒的支持部分接触时防止产生颗粒。在上述情况下，本发明的另一目的在于提供一种半导体装置用清洁部件，其可以在晶圆至少一面形成树脂涂层作为清洁层的过程中避免材料损失的同时进行制备，以及其必定可以容易地清除粘附在半导体装置内部上的异物，可以带有清楚可读的批量管理用标记，以及可以在与晶圆盒的支持部分接触时防止产生颗粒。解决问题的手段为了实现上述目的，本发明人进行深入研究。从而，他们已经发现了下列内容。通过在晶圆的至少一面形成特定树脂涂层作为清洁层，必定可以容易地除去粘附在半导体装置内部上的异物。此外，通过使所述树脂涂层具有暴露出晶圆表面的部分，特别是通过使得树脂涂层具有在整个圆形区域中除去从晶圆外边缘(peripheraledge)向其中心延伸的给定宽度的该树脂涂层的部分，以及通过在暴露出晶圆表面的部分中设置批量管理用的标记，可以清楚地读取该标记。另外，通过将该晶圆放在晶圆盒中以使得暴露出晶圆表面的部分与该晶圆盒的支持部分接触，防止该支持部分与所述树脂涂层接触以及可以防止由接触摩擦所引起的树脂颗粒的产生。基于这些发现完成本发明。本发明人进一步发现下列内容。在由通过热固化聚酰胺酸形成的耐热树脂所制成的特定树脂涂层作为清洁层在晶圆的至少一面上形成过程中，从设置在旋转的晶圆之上的涂覆喷嘴喷出树脂材料同时水平地移动该喷嘴以由此将树脂材料螺旋形地涂布在晶圆上，采用这样的方法来代替其中无法避免树脂材料的利用率减小的旋涂，在防止树脂材料的利用率降低以及显著减少材料损失方面是有效的。此外，已经发现以下内容。通过在进行上述的涂覆中调节晶圆表面的涂覆区域以便留下暴露出晶圆表面的未涂覆部分，特别是留下作为具有整个圆形区域内的从晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的未经涂覆部分，由此使包含所得到的树脂涂层的清洁层具有暴露出晶圆表面的部分，以及通过在暴露出晶圆表面的部分中设置批量管理用的标记，可以清楚地读取该标记。另外，通过将该晶圆放在晶圆盒中以使得所述暴露出晶圆表面的部分与晶圆盒的支持部分接触，可防止支持部分与树脂涂层接触以及可以防止由接触摩擦引起的树脂颗粒的产生。基于上述的发现完成本发明。本发明具有以下内容(constitutions)。1.一种半导体装置用清洁部件，其特征在于包含晶圆和在该晶圆至少一面形成的清洁层，所述清洁层由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成，以及其中所述清洁层具有暴露出晶圆表面的部分。2.权利要求1的半导体装置用清洁部件，其中清洁层中暴露出晶圆表面的部分是将给定宽度的清洁层在整个环形区域(circulararea)中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。3.一种制备半导体装置用清洁部件的方法，其特征在于通过下列步骤制备上述1或2的半导体装置用清洁部件第一步制备包含聚酰胺酸溶液的清漆；第二步将所述清漆涂布至晶圆表面；第三步干燥涂布至晶圆上的清漆；第四步通过滴落溶剂，部分除去晶圆上的部分清漆，由此形成暴露出晶圆表面的部分；和第五步在200℃或更高的温度进行固化。4.一种清洁半导体装置的方法，其特征在于将权利要求1或2的半导体装置用清洁部件传送到所述半导体装置中，由此除去粘附在半导体装置内部的异物。5.一种制备半导体装置用清洁部件的方法，其特征在于该清洁部件包含晶圆和在该晶圆至少一面形成的清洁层，所述清洁层由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成，以及其中所述清洁层具有暴露出晶圆表面的部分，所述方法的特征在于包含(1)得到包含聚酰胺酸溶液的清漆的步骤，(2)将所述清漆涂布至晶圆上的步骤，(3)干燥涂布至晶圆上的清漆的步骤，和(4)干燥后在200℃或更高的温度下进行固化的步骤，其中所述步骤(2)包含将晶圆水平地和可旋转地固定在工作台顶部，在所述晶圆上设置可水平移动的涂布喷嘴，从该喷嘴喷出所述清漆同时旋转所述晶圆以及水平移动所述喷嘴，由此将所述清漆螺旋形地涂布至所述晶圆上以免在螺旋曲线之间留下间隙，以及调节晶圆表面上如此涂布的区域，由此留下其中暴露出晶圆表面的未涂布部分。6.上述5的制备半导体装置用清洁部件的方法，其中作为暴露晶圆表面的未涂布部分，以在整个环形区域内的给定宽度为未涂布部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。发明效果如上所述，本发明中的清洁层由特定的树脂涂层构成，该树脂涂层由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成而且已经除去部分该涂层以形成暴露出晶圆的部分。由于这一点，可以提供清洁部件，其中在晶圆上形成的批量管理用标记具有提高的可识别性以及从晶圆盒中取出时其不会导致颗粒产生、即粉尘化，它可以用于稳定地进行半导体装置的晶圆固定台和传送系统的清洁。此外，在本发明中，通过将清漆螺旋形地涂布在晶圆上的特定技术，使由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的特定树脂涂层作为清洁层形成。由于这一点，消除了伴随着旋涂法的材料损失，可以利用树脂材料而避免其浪费。另外，由于形成包含该树脂涂层的清洁层以使得具有暴露出晶圆表面的部分，可以提供其中在晶圆上形成的批量管理用标记具有提高的可识别性以及从晶圆盒中取出时其不会导致颗粒产生、即粉尘化的清洁部件，它可以用于稳定地进行半导体装置的晶圆固定台和传送系统的清洁。此外，由于具有暴露出晶圆表面的部分的上述清洁层是通过其中调节晶圆涂覆中的涂覆区域以便留下未涂覆部分的方法来形成的，暴露部分的形成比其他方法更简单，例如涂覆整个晶圆表面然后溶解掉部分涂层以形成暴露出晶圆表面的部分的方法。因而，可以提供从步骤上来看更合意的清洁部件制备方法。附图简要说明[图1]图1显示本发明的半导体装置用清洁部件的一种实施方式；(A)是剖视图而(B)是俯视图。图2是说明本发明的半导体装置用清洁部件另一实施方式的剖视图。图3是说明本发明的半导体装置用清洁部件又一实施方式的剖视图。图4是说明在制备半导体装置用清洁部件的本发明方法中将晶圆可旋转地固定在真空支持台顶部上的情形的剖视图。图5是说明在制备半导体装置用清洁部件的本发明方法中用旋涂机将清漆滴加至晶圆上的情形的剖视图。图6是说明在制备半导体装置用清洁部件的本发明方法中旋转晶圆以将清漆涂布至整个晶圆表面的情形的剖视图。图7是说明在制备半导体装置用清洁部件的本发明方法中用清洗剂(rinse)处理清漆的突出部分以使清漆表面平坦的情形的剖视图。图8是在制备半导体装置用清洁部件的本发明方法中用喷嘴涂覆机(nozzlecoater)将清漆涂布至晶圆上的情形的剖视图。标记数字的说明1硅晶圆2，3清洁层12，13暴露出晶圆表面的部分4真空支持台5转轴6清漆涂布用分配器7清漆8突出部分9边缘清洗(edgerinsing)用喷嘴10清洗剂16涂覆喷嘴实施发明的最佳方式以下参照本发明的附图来说明本发明的实施方式。图1显示本发明的半导体装置用清洁部件的一种实施方式；(A)是剖视图而(B)是俯视图。在图1中，1表示晶圆(裸晶圆)和2表示形成在晶圆1一面上以及由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的清洁层。该清洁层具有暴露出晶圆表面的部分12。该暴露部分12是将给定宽度的清洁层在整个环形区域中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。在该暴露部分12中的晶圆表面带有预先通过激光标示(lasermarking)形成的批量管理用标记(未示出)。图2显示本发明的半导体装置用清洁部件的另一实施方式。该实施方式具有如下结构包含晶圆1和分别形成在其两面上的由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的清洁层2和3，以及其中所述两个清洁层2和3具有如同图1中所示情况那样的暴露出晶圆表面的部分12和13。顺便提及的是，该清洁部件可以仅具有暴露部分12和13中的任何一个。例如，所述清洁部件可以具有其中仅清洁层2具有暴露部分12而清洁层3没有暴露部分13的结构。图3显示本发明的半导体装置用清洁部件的另一实施方式。该实施方式包含晶圆1和分别形成在其两面上的由通过热固化聚酰胺酸形成的耐热树脂制成的清洁层2和3，如同在图2中所示的情况那样。然而，该清洁部件具有其中仅清洁层12具有如同图1中所示情况那样的暴露出晶圆表面的部分12而清洁层3没有这样的暴露出晶圆表面的部分的结构。在图1至图3中所示的半导体装置用清洁部件中，所述清洁层2(3)由特定的树脂涂层构成，所述涂层由通过热固化聚酰胺酸形成的耐热树脂制成。由于这一点，通过在半导体装置中传送这些清洁部件中的任何一种，可以令人满意地用清洁层2除去粘附在该半导体装置内部部件上的异物，如粘附在晶圆传送机、晶圆固定用夹盘台等上的异物。此外，由于清洁层2(3)具有暴露出晶圆表面的部分12(13)，可以清楚地读取预先在该部分中通过激光标示形成的批量管理用标记。从而，可以确定该清洁部件的来源以及可以记录/管理其关于清洁处理的历史。另外，当该半导体装置用清洁部件放置/储存在晶圆盒中时，将其放置以使得暴露出晶圆表面的部分12(13)与该晶圆盒的支持部分相接触。从而，可以防止支持部分接触到作为清洁层2(3)的树脂涂层。因此可以防止由接触摩擦引起的树脂颗粒产生，即粉尘化。因此，可以防止其中颗粒转移到所述半导体装置中传送用的处理装置(handler)上或固定用的夹盘台上的二次污染。在上述图1和图2中，暴露出晶圆表面的部分12(13)由没有清洁层以及具有从所述晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的整个环形区域构成。然而，所述暴露出晶圆表面的部分12(13)并不限于该构造，根据批量管理用激光标记的位置或者根据放置/储存用晶圆盒的支持部分的位置，可以在晶圆的适当位置上形成暴露出晶圆表面的部分。接着，说明制备具有上述构造中任意一种的半导体装置用清洁部件的方法。该方法基本上包含第一步，其中制备包含聚酰胺酸溶液的清漆；第二步，其中将所述清漆涂布至晶圆表面；第三步，其中使涂布至所述晶圆上的清漆干燥；第四步，其中使所述晶圆上的部分清漆通过向其上滴加溶剂而部分除去以由此形成暴露出晶圆表面的部分；和第五步，其中在200℃或更高的温度下固化剩余的涂膜。在第一步中，可以通过已知方法制备包含聚酰胺酸的清漆。例如，使四羧酸二酐、偏苯三酸酐(trimelliticanhydride)、或任一种的衍生物与二胺化合物在适合的有机溶剂(如N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺或N，N-二甲基甲酰胺)中进行缩合反应，由此清漆可以作为酰亚胺前体的溶液而得以制备。所述四羧酸二酐的实例包括3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4，4’-羟基二邻苯二甲酸二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、苯均四酸二酐、和乙二醇双偏苯三酸酯二酐。这些可以单独使用或者以其两种或多种的组合使用。所述二胺化合物的实例包括乙二胺、六亚甲基二胺、1，10-二氨基癸烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基十二烷、4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’二氨基二苯基丙烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’二氨基二苯硫、3，3’-二氨基二苯硫、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、六亚甲基二胺、1，8-二氨基辛烷、1，12-二氨基十二烷、4，4’-二氨基二苯甲酮、和1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。在第二步中，将清漆涂布至晶圆表面。为了所述涂布，可以使用能够获得均匀膜厚的任何涂覆技术。例如，可以使用旋涂、喷涂、口模式涂布、通过真空沉积法的沉积聚合等。其中特别优选的是旋涂。以下参照图4至图7详细解释所述旋涂。首先，如图4中所示，将晶圆1(裸晶圆)可旋转地固定在连接至转轴5的真空支持台4的顶部。随后，如图5中所示从旋涂机的分配器6中滴加清漆7至晶圆1的中心部分。待滴加的清漆的粘度可以在10-10,000mPa·sec的范围内选择。然而，从获得可以保证除尘性能(异物清除性能)的膜厚的观点来看，优选调节其粘度以致在500-3,000mPa·sec的范围内。在滴加之后，高速旋转该晶圆。旋转速度一般在500-2,000rpm的范围内合意地选择，特别优选在900-1,500rpm范围内选择。旋转速度达到该设定值所需的时间也显著影响膜厚的均匀性。因此理想的是在5,000rpm/sec或更高的加速度下，特别优选在10,000rpm/sec或更高的加速度下，提高旋转速度至设定值。通过这样的旋涂，如图6中所示在晶圆1一面的整个表面上形成清漆7的涂膜。然而，在该操作中，沿着晶圆外边缘(peripheraledge)形成清漆突出部分8。如图7中所示，与用于清漆7的溶剂相同的有机溶剂，如N-甲基-2-吡咯烷酮，从边缘清洗用喷嘴9作为清洗剂10滴加至突出部分8上。从而，进行溶解突出部分8的边缘清洗以使涂膜平坦。这样，在晶圆1一面的整个表面上以均匀的厚度形成清漆7的涂膜。合意地调节厚度以使得通过第三步(干燥步骤)至第五步(酰亚胺化步骤)最终形成的清洁层2具有1-300μm的厚度。从膜厚均匀性的观点来看，优选较小的厚度。从除尘性能的观点来看，由于凹进和突出的令人满意的一致性而优选较大的膜厚。当考虑到它们之间的平衡时，特别理想地调节涂膜厚度以使得最终的清洁层2具有10-100μm的厚度。在第三步中，干燥如此形成的清漆涂膜。为了使作为流体的涂布流体硬化以便在随后步骤的处理过程中阻止流体流动，进行所述干燥。对于该干燥步骤，优选选择在其下清漆中的大部分溶剂成分得以除去的条件。一般而言，可以使用70-150℃的温度。从防止膜劣化的观点来看，优选较低的温度。从溶剂成分除去效率的观点来看，优选较高的温度。当考虑到它们之间的平衡时，特别合意地设定温度在90-100℃。在第四步中，在干燥后将溶剂滴加至清漆涂膜上以除去部分的清漆由此形成暴露出晶圆表面的部分。特别地，相应于具有从晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的整个环形区域的部分清漆涂膜被除去以形成暴露出晶圆表面的部分。该方法实质上与用于第二步中为平坦化而溶去清漆突出部分的边缘清洗方法相同。换句话说，在平坦化和干燥之后，作为清洗剂从边缘清洗用喷嘴再次滴加与用于所述清漆的溶剂相同的有机溶剂，如N-甲基-2-吡咯烷酮，从而进一步溶解掉经平坦化的涂膜以及由此暴露出在下面的晶圆的表面。可以由采用滚珠丝杆(ballscrew)的致动器(actuator)来调节待滴加作为清洗剂的有机溶剂的位置。以±100μm的精度调节位置。从而所述涂膜被溶解掉，由此可以确定暴露出晶圆的部分的区域。优选地，以±10μm的精度调节位置，由此可以更精确地调节区域的宽度。重要的是使滴加位置以恒定速度从内侧部分向外扫掠(scanned)。通过所述扫掠，甚至可以形成延伸遍布宽范围的暴露区域。在进行向外扫掠的情况下，扫描至最外侧的边缘是不适宜的，合意的是在离晶圆上存在的切口边缘3mm处停止扫掠。这是因为清洗剂在喷嘴处飞溅并且散布直至中心部分，而这样的清洗剂散布造成甚至在期望保持平坦的中心部分中也溶解，导致小的凹陷以及因此导致削弱的除尘性能。在第五步中，在如此形成了暴露出晶圆表面的部分之后，在200℃或更高的温度下固化和酰亚胺化所述涂膜。从而，形成树脂涂层，根据构成所述清漆的材料，其由包含聚酰亚胺树脂(聚酰胺酰亚胺树脂)、其酰亚胺前体(部分保留未酰亚胺化的树脂)等的耐热树脂构成。根据构成清漆的材料来改变酰亚胺化的固化温度。其分布(profile)也改变。然而，一般而言，优选从常温以大约3℃/min进行加热以及最大固化温度合意地是200℃或更高。根据材料的性能设定保留时间。为了防止膜性能劣化，合意的是在氮气氛围中进行固化。将氧气的浓度合意地设定在100ppm或更低。通过将氧气浓度优选降低至20ppm，得到具有令人满意的性能的树脂涂层。以下作为本发明的另一实施方式说明另一种制备半导体装置用清洁部件的方法。该制备方法基本上包含(1)其中得到包含聚酰胺酸溶液的清漆的步骤，(2)其中将所述清漆涂布至晶圆上的步骤，(3)其中使涂布至所述晶圆上的清漆干燥的步骤，和(4)其中在200℃或更高的温度下使干燥后的涂膜固化的步骤。在步骤(1)中，通过已知方法制备包含聚酰胺酸的清漆。例如，使四羧酸二酐、偏苯三酸酐、或任一种的衍生物与二胺化合物在适合的有机溶剂(如N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺或N，N-二甲基甲酰胺)中进行缩合反应，由此清漆作为酰亚胺前体的溶液而得以制备。所述四羧酸二酐的实例包括3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4，4’-羟基二邻苯二甲酸二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、苯均四酸二酐、和乙二醇双偏苯三酸酯二酐。这些可以单独使用或者以其两种或多种的组合使用。所述二胺化合物的实例包括乙二胺、六亚甲基二胺、1，10-二氨基癸烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基十二烷、4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二氨基二苯基丙烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯硫、3，3’-二氨基二苯硫、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、六亚甲基二胺、1，8-二氨基辛烷、1，12-二氨基十二烷、4，4’-二氨基二苯甲酮、和1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。在步骤(2)中，用喷嘴涂覆机将清漆涂布至晶圆上。该涂覆步骤是本发明中特别重要的步骤。与旋涂法相比，其获得提高的树脂材料利用率以及在实现材料损失显著减少的方面是有效的。首先，如图4中所示，将晶圆1水平地和可旋转地固定在连接至转轴5的真空支持台4的顶部。随后，如图8中所示，在晶圆1上方设置可水平移动的涂覆喷嘴16并且调节该喷嘴16与晶圆1之间的间距。此后，从喷嘴16喷出清漆7同时以适当的旋转速度旋转晶圆1以及水平移动喷嘴16由此螺旋形地涂布清漆7至晶圆1上，以免在螺线之间留下空隙(以致使喷出的清漆稍微重叠)。在该涂布中，可以如此进行喷嘴16的水平移动以使得喷嘴16从中心向周边移动或者相反地从外周(periphery)部分向中心移动。此外，在如此进行的涂布中，调节喷嘴16在晶圆1上移动的位置或者调节清漆7喷射的位置(喷射开始位置或喷射终止位置)，由此调节有待涂覆的晶圆1表面上的区域，从而留下暴露出晶圆表面的未涂覆部分。特别地，在从中心向周边水平移动喷嘴16的情况下，当喷嘴16到达向内离晶圆外周给定距离的位置时停止清漆7的喷射。从而，留下未经涂覆的部分，其是具有从晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的整个环形区域。在上述涂覆步骤中有待涂布的清漆的粘度可以在100-10,000mPa·sec的范围内选择。然而，从获得可以保证除尘性能(异物清除性能)的膜厚的观点来看，优选调节其粘度以致在300-3,000mPa·sec的范围内。合意地调节涂覆厚度以使得通过随后的步骤(3)和(4)最终形成的清洁层具有10-300μm的厚度。从膜厚均匀性的观点来看，优选较小的厚度。从除尘性能的观点来看，由于凹进和突出的令人满意的一致性而优选较大的膜厚。当考虑到它们之间的平衡时，特别理想地调节涂膜厚度以使得最终的清洁层2具有10-200μm的厚度。在步骤(3)中，干燥如此涂布在晶圆1上的清漆7。为了使作为流体的涂布流体硬化以便在随后步骤的处理过程中阻止流体流动，进行所述干燥。对于该干燥步骤，优选选择在其下清漆中的大部分溶剂成分得以除去的条件。一般而言，可以使用70-150℃的温度。从防止膜劣化的观点来看，优选较低的温度。从溶剂成分除去效率的观点来看，优选较高的温度。当考虑到它们之间的平衡时，特别合意地设定温度在90-100℃。在步骤(4)中，在200℃或更高的温度下固化和酰亚胺化除去了溶剂的涂膜。从而，形成树脂涂层，根据构成所述清漆的材料，所述涂层由包含聚酰亚胺树脂(聚酰胺酰亚胺树脂)、其酰亚胺前体(部分保留未酰亚胺化的树脂)等的耐热树脂构成。根据构成清漆的材料来改变酰亚胺化的固化温度。其分布(profile)也改变。然而，一般而言，优选从常温以大约3℃/min进行加热以及最大固化温度合意地是200℃或更高。根据材料的性能设定保留时间。为了防止膜性能劣化，合意的是在氮气氛围中进行固化。将氧气的浓度合意地设定在100ppm或更低。通过将氧气浓度优选降低至20ppm，得到具有令人满意的性能的树脂涂层。经由上述的步骤(1)至(4)，在晶圆上形成由树脂涂层构成的清洁层，该涂层由通过热固化聚酰胺酸得到的耐热树脂制成。从而，得到半导体装置用清洁部件，其中该清洁层具有暴露出晶圆表面的部分，以及特别地，该暴露部分是没有用清洁层覆盖和具有从晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的整个环形区域。根据上述的制备方法，由于采用了涂覆步骤(2)中上述特定的喷嘴涂覆方法，与旋涂法相比，树脂材料的利用率得到提高以及可以实现材料损失的显著减少。另外，由于在涂覆步骤中调节待涂覆的晶圆表面中的区域由此留下未经涂覆的部分，不必另外进行其后形成晶圆表面暴露部分的步骤。因此从制备步骤的观点来看该方法是有利的。在上述步骤之后，可以使经涂覆的晶圆进一步通过常规方法进行必要的步骤。从而，制成具有包含树脂涂层的清洁层的清洁部件。存在着所述清洁部件由于上述步骤而具有粘附在其背面的微粒而这些颗粒会造成污染的情况。考虑到清洁部件的预期用途，必须预先除去上述微粒。据认为所述污染包括在每一步骤中来自夹盘台的转移物(transfer)。特别地，从真空支持台转移的微粒由于作为外力的真空支持力而更牢固地粘附在晶圆背面。这些微粒深深地侵蚀至SiO2中，不能轻易地除去。除去牢固粘附在背面的上述微粒的清除方法的实例包括其中将清洁剂喷洒在保持旋转的晶圆上的旋转清除以及其中将两块或多块晶圆同时浸入液态化学品中的浸渍清除。在旋转清除中，可以另外有效地进行物理清除如用刷子、双流体、超声波、称作megasonic的超声(ultrasoniccalledmegasonic)等的清除。在与物理清除结合进行的化学液体清除中，有效的是采用以臭氧化的水和稀的氢氟酸交替处理。包围着侵入微粒的那部分SiO2用SiO2可溶于其中的稀氢氟酸除去，以及微粒的氧化表面用臭氧化的水溶解掉，由此可以从晶圆表面分离所述微粒。通过重复地进行上述处理，与所述微粒一起可以同时除去粘附在SiO2表面上的微小的金属污染物。一般来说，在半导体工艺中，为了生产令人满意的半导体元件，应当使金属原子减少至1.0×10-10原子/cm2以下。就本发明的清洁部件而言，同样理想的是为了达到该标准而增加用稀氢氟酸的清除。在用刷子清除中，随着清除的重复刷子自身逐渐被污染，因此，必须周期性地进行刷子清洁。为了防止由刷子造成的再污染，有效的是使用与通过在超纯的水中溶解氢气而制成的含氢水组合的megasonic。理想地调节该含氢水以致具有9.0或更高的pH，由此基于静电排斥(ζ电势)可以防止微粒再粘附。实施例以下参照实施例更详细地说明本发明。然而，不应当把本发明解释为仅限于下列实施例。实施例1在氮气流中，使30g由下列化学结构式表示的亚乙基-1，2-双偏苯三酸酯四羧酸二酐(以下称作TMEG)与65.8g二胺(商品名“1300x16ATBN”由UbeIndustries，Ltd.制造)和15.0g由下列化学结构式表示的2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(以下称作BAPP)在120℃下在110g的N-甲基-2-吡咯烷酮(以下称作NMP)中混合并反应。亚乙基-1，2-双偏苯三酸酯四羧酸二酐2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷反应之后，冷却反应混合物以得到包含聚酰胺酸溶液的清漆。用旋涂机将该清漆涂布至12-英寸硅晶圆的一面上。在所述涂布中，旋转速度以10,000rpm/sec的加速度提高到1,000rpm，这花了大约0.1sec。此后，保持该旋转速度直至从旋转开始以后经过0.5sec。然后以100rpm/sec的减速度降低旋转速度至500rpm，保持该旋转速度40sec。接着，自动控制喷嘴位置，将NMP滴在沿着外周形成的突出部分上由此进行边缘清洗和平坦化。此后，在90℃下干燥涂膜20min。随后，将晶圆再次放在旋涂机中。以与所述边缘清洗中相同的方法自动控制喷嘴位置，使喷嘴从中心侧向外周仅仅扫掠过所需的宽度以溶解掉部分所涂布的树脂以及由此暴露出晶圆表面。换句话说，仅仅相应于具有从晶圆外边缘向其中心延伸的给定宽度的整个环形区域的那部分涂布的树脂通过溶解除去，从而形成暴露出晶圆表面的部分。该暴露部分宽6mm。经确定形成于晶圆外周附近的标记充分地暴露在该区域中。此后，在氮气氛围中在300℃下加热晶圆2小时以形成厚10μm的聚酰亚胺树脂膜。从而，制成了具有图1中所示结构的清洁部件，其由12-英寸硅晶圆和形成于其一面上的包含聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成，以及其中在晶圆的外周部分暴露出晶圆表面。对于除尘性能(异物清除性能)、传送的适宜性和标记可识别性来评价如此制成的清洁部件。在该评价中，基于铝片数量来判断除尘性能，以及基于该清洁部件是否能够用顶起销(liftingpin)从真空支持台上分离来判断传送的适宜性。此外，基于通过用CCD照相机和图像处理的检查观察到的标记是否正确来判断标记可识别性。以如下方法进行除尘性能和传送适宜性的评价。将20片1mm见方的铝片放在半导体生产装置的真空支持台上。清洁部件放在其上以使其树脂涂覆一面接触到这些铝片。进行真空抽吸(0.5kg/cm2)约10sec，以及尝试用顶起销将晶圆从台上分离。结果，可以容易地取下晶圆。此后，目测计算从台上移除的铝片数量。结果，确定该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。在标记可识别性的评价中，使用漫射出LED光的散射器(diffuser)以及设置CCD照相机以便可以在暗视野中通过CCD照相机拍到标记的形状。用符号识别设备处理来自该CCD照相机的图象以确定是否可以正确辨认所述标记。结果，如同在普通的裸晶圆上识别标记那样，可以正确地读取暴露出的标记。实施例2使12-英寸硅晶圆的两面都进行与实施例1中相同的处理。从而，制成具有图2中所示结构的清洁部件，其由晶圆和形成于其每一面上的包含厚度为10μm的聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成，以及其中所述两个清洁层各自在晶圆的外周部分暴露出晶圆表面(暴露宽度6mm)。用与实施例1中相同的方法，对除尘性能、传送的适宜性和标记可识别性来评价该清洁部件。结果，通过用顶起销的晶圆分离可以容易地取下晶圆。进而确定的是，在从台上移除的铝片数量的目测计数中，该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。此外，作为来自CCD照相机的图像用符号识别设备处理的结果，如同在普通的裸晶圆上识别标记那样可以正确地读取暴露出的标记。比较例1用与实施例1中相同的方法，使12-英寸硅晶圆的一面用旋涂机涂布含聚酰胺酸溶液的清漆、由边缘清洗而平坦化、和在90℃下热干燥。此后，在没有进行部分溶解所涂布的树脂以便暴露出晶圆表面的处理的情况下，使经涂覆的晶圆在300℃下进行热处理。从而，制成清洁部件，其由晶圆和在其一面整个表面上形成的包含厚度为10μm的聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成。用与实施例1中相同的方法，对除尘性能、传送的适宜性和标记可识别性来评价该清洁部件。结果，通过用顶起销的晶圆分离可以容易地取下晶圆。进而确定的是，在从台上移除的铝片数量的目测计数中，该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。然而，作为来自CCD照相机的图像用符号识别设备处理的结果，不能正确识别在清洁层下的标记，因为在上面覆盖的清洁层导致透明度削弱。以上得到的结果显示下列内容。各个清洁层具有暴露出晶圆表面的晶圆外周部分的实施例1和2的清洁部件，满足除尘性能和传送适宜性，而且可以正确识别这些晶圆上的标记。与此相反，在清洁层没有诸如以上所示的暴露部分的比较例1的清洁部件中，由于清洁层阻碍标记透过而无法正确识别该标记。此外，在另一项评价中，将实施例1和2的两种清洁部件如此放置/储存在晶圆盒中以使得各个清洁层中暴露出晶圆表面的部分接触到该晶圆盒的支持部分。结果，由于避免了支持部分与清洁层接触，可以防止由接触摩擦导致的树脂颗粒产生，即粉尘化。从而确定这些清洁部件不会引起上述颗粒转移到待清洁的半导体装置上从而造成颗粒污染的麻烦。实施例3在氮气流中，使30g.0由下列化学结构式表示的亚乙基-1，2-双偏苯三酸酯四羧酸二酐(以下称作TMEG)与65.8g二胺(商品名“1300x16ATBN”由UbeIndustries，Ltd.制造)和15.0g由下列化学结构式表示的2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(以下称作BAPP)在120℃下在110g的N-甲基-2-吡咯烷酮(以下称作NMP)中混合并反应。亚乙基-1，2-双偏苯三酸酯四羧酸二酐2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷反应之后，冷却反应混合物以得到包含聚酰胺酸溶液的清漆。用喷嘴涂覆机将该清漆涂布至12-英寸硅晶圆的一面上。在所述涂布中，在晶圆的中心设置涂覆喷嘴并且调节该喷嘴与晶圆之间的间隙。此后，当清漆从喷嘴喷出时，晶圆以90rpm的速度旋转以及喷嘴向着圆周水平移动。从而，螺旋形地涂布清漆以便使喷出的清漆稍微重叠，即以免在螺线之间留下空隙。当喷嘴到达向内离晶圆边缘6mm距离的位置时停止从喷嘴喷射，由此终止涂布。在该涂覆操作之后，留下未经涂覆的部分，其是从晶圆外周向内延伸6mm距离的整个环形区域。所述涂布后，在90℃下干燥所涂布的清漆20min，然后在氮气氛围中在300℃下热处理2小时以形成厚30μm的聚酰亚胺树脂膜。如此，制成了具有图1中所示结构的半导体装置用清洁部件，其由12-英寸硅晶圆和形成于其一面上的包含聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成，以及其中在晶圆的外周部分暴露出晶圆表面。在上述清洁部件制备中用喷嘴涂覆机涂覆的步骤中，与后面将列举的比较例2的旋涂法不同的是，可以在避免浪费的同时使用包含聚酰胺酸溶液的清漆，以及可以实现材料损失的显著减少。另外，由于通过上述方法在涂覆步骤中形成未经涂覆的部分，不必另外进行此后形成晶圆暴露部分的步骤。可以容易地制成其中在晶圆外周部分暴露出晶圆表面的清洁部件。对于除尘性能(异物清除性能)、传送的适宜性和标记可识别性来评价如此制成的清洁部件。在该评价中，基于铝片数量来判断除尘性能，以及基于该清洁部件是否能够用顶起销从真空支持台上分离来判断传送的适宜性。此外，基于通过用CCD照相机和图像处理的检查观察到的标记是否正确来判断标记可识别性。以如下方法进行除尘性能和传送适宜性的评价。将20片1mm见方的铝片放在半导体生产装置的真空支持台上。所述清洁部件放在其上以使其树脂涂覆一面接触到这些铝片。进行真空抽吸(0.5kg/cm2)约10sec，以及尝试用顶起销从台上分离晶圆。结果，可以容易地取下晶圆。此后，目测计算从台上移除的铝片数量。结果，确定该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。在标记可识别性的评价中，使用漫射出LED光的散射器(diffuser)以及设置CCD照相机以便可以在暗视野中通过CCD照相机拍到标记的形状。用符号识别设备处理来自该CCD照相机的图象以确定是否可以正确辨认所述标记。结果，如同在普通的裸晶圆上识别标记那样，可以正确地读取暴露出的标记。实施例4在596.1g的NMP中溶解66.0g聚醚二胺(XTJ-510(D4000)，由SunTechnoChemical制造)和38.0g对苯二胺。随后，向其中加入45.0g由下式表示的均苯四酸二酐(以下称作PMDA)并且反应以生成聚酰胺酸溶液。反应之后，冷却反应混合物以得到包含聚酰胺酸溶液的清漆。用与实施例1中相同的方法，将该清漆涂布至12-英寸硅晶圆的一面上，其用量致使获得厚10μm的聚酰亚胺膜。从而，制成具有图1中所示结构的清洁部件，其在晶圆一面上具有包含聚酰亚胺树脂膜的清洁层，以及其中在晶圆的外周部分暴露出晶圆表面。用与实施例1中相同的方法，对除尘性能、传送的适宜性和标记可识别性来评价该清洁部件。结果，通过用顶起销的晶圆分离可以容易地取下晶圆。进而确定的是，在从台上移除的铝片数量的目测计数中，该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。此外，作为用符号识别设备处理来自CCD照相机的图像的结果，如同在普通的裸晶圆上识别标记那样可以正确地读取暴露出的标记。实施例5通过实施例3所述的方法，将实施例4中所述的聚酰胺酸用于制备具有图1中所示结构的清洁部件。该清洁部件由12-英寸硅晶圆和形成于其一面上的包含实施例4中所述聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成。在该清洁部件中，在晶圆的外周部分暴露出晶圆表面。用与实施例1中相同的方法，对除尘性能、传送的适宜性和标记可识别性来评价该清洁部件。结果，通过用顶起销的晶圆分离可以容易地取下晶圆。进而确定的是，在从台上移除的铝片数量的目测计数中，该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。此外，作为来自CCD照相机的图像用符号识别设备处理的结果，如同在普通裸晶圆上识别标记那样可以正确地读取暴露出的标记。比较例2用旋涂机将实施例3中得到的包含聚酰胺酸溶液的清漆涂布至12-英寸硅晶圆的一面上。在所述涂布中，旋转速度以10,000rpm/sec的加速度提高到1,000rpm，这花了大约0.1sec。此后，保持该旋转速度直至从旋转开始以后经过0.5sec。然后以100rpm/sec的减速度降低旋转速度至500rpm，保持该旋转速度40sec。随后，自动控制喷嘴位置，将NMP滴在沿着外周形成的突出部分上由此进行边缘清洗和平坦化。在涂布后，所涂布的清漆在90℃下干燥20min，然后在氮气氛围中在300℃下热处理2小时以形成厚10μm的聚酰亚胺树脂膜。如此，制成半导体装置用清洁部件，其由12-英寸硅晶圆和在其一面整个表面上形成的包含聚酰亚胺树脂膜的清洁层组成，即其没有暴露出晶圆表面的晶圆外周部分。用与实施例3中相同的方法，对除尘性能、传送的适宜性和标记可识别性来评价该清洁部件。结果，通过用顶起销的晶圆分离可以容易地取下晶圆。进而确定的是，在从台上移除的铝片数量的目测计数中，该清洁部件在三次计数操作中各自显示90％或更高的除尘程度。然而，作为用符号识别设备处理来自CCD照相机的图像的结果，不能正确识别在清洁层下的标记，因为在上面覆盖的清洁层导致透明度削弱。以上得到的结果显示下列内容。清洁层具有暴露出晶圆表面的晶圆外周部分的实施例1的清洁部件，满足除尘性能和传送适宜性，而且可以正确识别晶圆上的标记。与此相反，在清洁层没有诸如以上所示的暴露部分的比较例2的清洁部件中，由于清洁层阻碍标记透过而无法正确识别该标记。此外，在另一项评价中，将实施例3和4的清洁部件如此放置/储存在晶圆盒中以使得各个清洁层中暴露出晶圆表面的部分接触到该晶圆盒的支持部分。结果，由于避免了支持部分与清洁层接触，可以防止由接触摩擦导致的树脂颗粒产生，即粉尘化。从而确定这些清洁部件不会引起上述颗粒转移到待清洁的半导体装置上从而造成颗粒污染的麻烦。此外，将比较例的清洁部件放置/储存在晶圆盒中。结果，晶圆盒的支持部分接触到清洁层。由于这一点，存在如下可能性归因于所述清洁层的颗粒会在接触摩擦时产生。因此担心该清洁部件可能污染待清洁的半导体装置。尽管已经详细地和参照其具体实施方式描述了本发明，对于所属领域技术人员显而易见的是在不脱离其精神和范围的情况下可以进行多种变动和改进。本申请基于在2004年3月8日提交的日本专利申请(申请号2004-63858)和2004年3月8日提交的另一日本专利申请(申请号2004-63859)，其全部内容通过引用并入本文。工业实用性根据本发明，由特定的树脂涂层构成清洁层，该涂层由通过热固化聚酰胺酸形成的耐热树脂制成，和除去部分涂层以形成暴露出晶圆表面的部分。由于这一点，可以提供清洁部件，其中形成在晶圆上的批量管理用标记具有提高的可识别性，以及当它从晶圆盒中取出时不会导致颗粒产生、即粉尘化，以及它可以用于稳定地进行半导体装置的晶圆固定台和传送系统的清洁。此外，根据本发明，通过将清漆螺旋形地涂布在晶圆上的特定技术，使由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的特定树脂涂层作为清洁层形成。由于这一点，消除了伴随着旋涂法的材料损失，可以利用树脂材料而避免其浪费。另外，由于形成包含该树脂涂层的清洁层以使得具有暴露出晶圆表面的部分，可以提供其中在晶圆上形成的批量管理用标记具有提高的可识别性以及从晶圆盒中取出时其不会导致颗粒产生、即粉尘化的清洁部件，它可以用于稳定地进行半导体装置的晶圆固定台和传送系统的清洁。此外，由于具有暴露出晶圆表面的部分的上述清洁层是通过其中调节晶圆涂覆过程中的涂覆区域以便留下未涂覆部分的方法来形成的，暴露部分的形成比其他方法更简单，例如涂覆整个晶圆表面然后溶解掉部分涂层以形成暴露出晶圆表面的部分的方法。因而，可以提供从步骤上来看更合意的清洁部件制备方法。权利要求1.一种半导体装置用清洁部件，其特征在于包含晶圆和在该晶圆至少一面形成的清洁层，所述清洁层由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成，以及其中所述清洁层具有暴露出晶圆表面的部分。2.权利要求1的半导体装置用清洁部件，其中清洁层中暴露出晶圆表面的部分是将给定宽度的清洁层在整个环形区域中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。3.一种制备半导体装置用清洁部件的方法，其特征在于通过下列步骤制备权利要求1或2的半导体装置用清洁部件第一步制备包含聚酰胺酸溶液的清漆；第二步将所述清漆涂布至晶圆表面；第三步干燥涂布至晶圆上的清漆；第四步通过滴落溶剂，部分除去晶圆上的部分清漆，由此形成暴露出晶圆表面部分；和第五步在200℃或更高的温度进行固化。4.一种清洁半导体装置的方法，其特征在于将权利要求1或2的半导体装置用清洁部件传送到所述半导体装置中，由此除去粘附在半导体装置内部的异物。5.一种制备半导体装置用清洁部件的方法，其特征在于该清洁部件包含晶圆和在该晶圆至少一面形成的清洁层，所述清洁层由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成，以及其中所述清洁层具有暴露出晶圆表面的部分，所述方法的特征在于包含(1)得到包含聚酰胺酸溶液的清漆的步骤，(2)将所述清漆涂布至晶圆上的步骤，(3)干燥涂布至晶圆上的清漆的步骤，和(4)干燥后在200℃或更高的温度下进行固化的步骤，其中所述步骤(2)包含将晶圆水平地和可旋转地固定在工作台顶部，在所述晶圆上设置可水平移动的涂布喷嘴，从该喷嘴喷出所述清漆同时旋转所述晶圆以及水平移动所述喷嘴，由此将所述清漆螺旋形地涂布至所述晶圆上以免在螺旋曲线之间留下间隙，以及调节晶圆表面上如此涂布的区域，由此留下其中暴露出晶圆表面的未涂布部分。6.权利要求5的制备半导体装置用清洁部件的方法，其中作为暴露晶圆表面的未涂布部分，以在整个环形区域内的给定宽度为未涂布部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。全文摘要本发明目的在于提供一种半导体装置用清洁部件，其必定能够容易地清除粘附在半导体装置内部上的异物，可以带有清楚可读的批量管理用标记，以及可以在与晶圆盒的夹持部分接触时防止产生颗粒。一种半导体装置用清洁部件，其特征在于所述清洁部件包含晶圆1和形成于其至少一面的由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的清洁层2，以及所述清洁层2具有暴露出晶圆表面的部分12；以及特别地具有上述结构的半导体装置用清洁部件，其中清洁层2中暴露出晶圆表面的部分12是是将给定宽度的清洁层在整个环形区域中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。文档编号B08B7/00GK1930665SQ200580007540公开日2007年3月14日申请日期2005年3月7日优先权日2004年3月8日发明者石坂整,宇圆田大介,花井大辅申请人:日东电工株式会社