一种镀膜返工片的清洗方法
【专利摘要】本发明公开了一种镀膜返工片的清洗方法，包括如下步骤：(1)将镀膜返工片放入10wt%～20wt%的HF溶液中，浸泡900～1800s；(2)将硅片放入常温的去离子水中，鼓泡清洗200～300s；(3)将硅片放入H2O2和NH4OH的混合溶液，控制温度在65～85℃，反应时间15～200s；(4)将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200～300s；(5)将硅片放入常温的5wt%的HF溶液中，常温反应210s；最后去离子水溢流清洗200～300s两次，取出硅片甩干。本发明生产流程简单，可去除SiNx薄膜和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。
【专利说明】一种镀膜返工片的清洗方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种一种镀膜片的清洗方法，具体涉及一种镀膜返工片的清洗方法。【背景技术】
[0002]目前，太阳能电池是直接实现光电转换的装置，为了有效的利用光能，通常在其表面沉积SiNx (氮化硅)作为减反射膜。常规晶体硅太阳能电池生产过程中采用PECVD (等离子增强化学气相沉积)沉积SiNx减反膜，由于镀膜设备的限制和制程控制问题，均存在一定比例的镀膜返工片(厚度、折射率异常和外观不良等)，镀膜返工片比例约为1%?5%。
[0003]对于镀膜返工片的处理，一般采用的工艺步骤为:(I)将返工片浸泡在HF溶液中，去除硅片表面沉积的SiNx膜层；(2)将硅片放入去离子水中，鼓泡、溢流清洗，清洁硅片表面；(3)重新制绒；(4)经由扩散、PSG、PECVD和丝网印刷工序重新制备得到电池片。相较于原片制备的电池片，采用此种方法清洗后的返工片后制备的电池片花片比例高，性能较差，将会影响产线良率。
[0004]究其原因，单纯采用HF溶液去除SiNx薄膜后，硅片表面仍会残留一定的杂质离子及颗粒，形成复合中心，影响电池性能；此外，返工片经过重新制绒形成的绒面孔洞变大，且不均匀，很容易导致花片。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种镀膜返工片的清洗方法，生产流程简单，可去除SiNx薄膜和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。
[0006]本发明解决技术问题所采用的技术方案是:一种镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤:
(1)将镀膜返工片放入10wt%?20被％的册溶液中，浸泡900?1800s，去除硅片表面沉积的氮化硅膜层；
(2)将硅片放入常温的去离子水中，鼓泡清洗200?300s；
(3)将硅片放入H2O2和NH4OH的混合溶液，控制温度在65?85°C，反应时间15?200s，去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；
(4)将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200?300s；
(5)将硅片放入常温的5wt%的HF溶液中，常温反应210s，去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；
(6)将硅片放入常温的去离子水槽I中，溢流清洗200?300s；
(7)将硅片放入常温的去离子水槽II中，再次溢流清洗200?300s；
(8)取出娃片，米用甩干机甩干，甩干时间为300?400s。
[0007]作为一种优先，步骤(3)中所述的H2O2和NH4OH的混合溶液中，含有13wt%?25wt%H202、5wt% ?15wt%NH40H、0.lwt% ?5wt% 表面活性剂和 65 wt% ?75wt% 去离子水。[0008]本发明采用适当比例的H2O2和NH4OH的混合溶液可以氧化腐蚀硅片，由于其反应性质为各向异性反应，可适当增加表面粗糙度，使硅片获得较好的绒面形貌。化学反应式如下:
【权利要求】
1.一种镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，依次包括如下步骤: (1)将镀膜返工片放入10wt%~20wt%的HF溶液中，浸泡900~1800s，去除硅片表面沉积的氮化硅膜层； (2)将硅片放入常温的去离子水中，鼓泡清洗200~300s； (3)将硅片放入H2O2和NH4OH的混合溶液，控制温度在65~85°C，反应时间15~200s，去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌； (4)将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200~300s； (5)将硅片放入常温的5wt%的HF溶液中，常温反应210s，去除氧化层，使硅片表面呈疏水性； (6)将硅片放入常温的去离子水槽I中，溢流清洗200~300s； (7)将硅片放入常温的去离子水槽II中，再次溢流清洗200~300s； (8)取出娃片，米用甩干机 甩干，甩干时间为300~400s。
2.如权利要求1所述的一种镀膜返工片的清洗方法，其特征在于:步骤(3)中所述的H2O2 和 NH4OH 的混合溶液中，含有 13wt% ~25wt%H202、5wt% ~15wt%NH40H、0.lwt% ~5wt%表面活性剂和65wt%~75wt%去离子水。
【文档编号】B08B3/08GK103894362SQ201410011499
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年1月10日 优先权日:2014年1月10日
【发明者】苗丽燕 申请人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司