专利名称：降低多线切割硅片损伤层的方法
技术领域：
本发明属于晶体硅电池片的切割エ艺技术领域，尤其涉及一种降低多线切割硅片损伤层的方法。
背景技术：
近年太阳能发电技术得到大力推广，在太阳能电池组件的生产中晶体硅片的加工是重要的环节，硅片的加工精度、表面粗糙度和整体的完整性关系到后续的转换效率和良品率。目前采用游离磨料的方式进行多线切割，一方面切割效率发生革命性的变化；另一方面，在硅片翘曲、线痕和表面损伤也有很大幅度的改善。硅片的损伤层越大，就越会影响到 后续制造过程中的关键性技术指标——转换效率。因此，如何降低硅片表面的损伤，也就是减小切割时的晶体所受到的垂直压力，无论是对硅片的质量还是成品率、电性能都有着非常重要的意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术切割硅棒时造成硅片损伤层大成品率和电性能低的技术问题，提供一种降低多线切割硅片损伤层的方法，最大限度的降低硅片损伤层，提供娃片质量，提闻转换效率。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种降低多线切割硅片损伤层的方法，采用多线切割机对硅棒进行切割，工作台移动速度为O. 3(T0. 35mm/min，入刀时钢线走线速度为15±lm/s，当硅棒完成1/5 1/3切割时钢线走线速度降为12± lm/s，当硅棒还剩1/5^1/3没切割时钢线走线速度降为10±lm/s。所述的工作台入刀时的移动速度为O. 30mm/min,当硅棒完成1/5 1/3切割时工作台移动速度升为O. 32mm/min,当硅棒还剩1/5 1/3没切割时工作台移动速度升为O. 35mm/min0本发明的有益效果是，本发明的降低多线切割硅片损伤层的方法通过控制工作台速度和钢线走线速度的比值，降低垂直压力，以得到表面损伤较低的硅片，良品率増加，产能増加，成本降低，扫瞄式电子显微镜观测得到损伤层在5 μ m以下。
具体实施例方式—种降低多线切割硅片损伤层的方法，采用多线切割机对硅棒进行切割，工作台移动速度为O. 3(T0. 35mm/min，入刀时钢线走线速度为15± lm/s，当硅棒完成1/5 1/3切割时钢线走线速度降为12±lm/s，当硅棒还剩1/5 1/3没切割时钢线走线速度降为10±lm/
So工作台入刀时的移动速度为O. 30mm/min,当硅棒完成1/5 1/3切割时工作台移动速度升为O. 32mm/min,当硅棒还剩1/5 1/3没切割时工作台移动速度升为O. 35mm/min。
权利要求
1.一种降低多线切割硅片损伤层的方法，采用多线切割机对硅棒进行切割，其特征是工作台移动速度为0. 30-0. 35mm/min,入刀时钢线走线速度为15±lm/s，当硅棒完成1/5 1/3切割时钢线走线速度降为12±lm/s，当硅棒还剩1/5 1/3没切割时钢线走线速度降为 10 + lm/so
2.如权利要求I所述的降低多线切割硅片损伤层的方法，其特征是所述的工作台入刀时的移动速度为0. 30mm/min,当硅棒完成1/5 1/3切割时工作台移动速度升为0. 32mm/min,当硅棒还剩1/5 1/3没切割时工作台移动速度升为0. 35mm/min。
全文摘要
本发明涉及一种降低多线切割硅片损伤层的方法，采用多线切割机对硅棒进行切割，工作台移动速度为0.30~0.35mm/min，入刀时钢线走线速度为15±1m/s，当硅棒完成1/5~1/3切割时钢线走线速度降为12±1m/s，当硅棒还剩1/5~1/3没切割时钢线走线速度降为10±1m/s。本发明的降低多线切割硅片损伤层的方法通过控制工作台速度和钢线走线速度的比值，降低垂直压力，以得到表面损伤较低的硅片，良品率增加，产能增加，成本降低。
文档编号B28D5/04GK102700012SQ201210168209
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月28日 优先权日2012年5月28日
发明者王煜辉 申请人:常州华盛恒能光电有限公司