一种氧化钍导电陶瓷材料的制备方法

文档序号:1886440阅读:228来源:国知局
一种氧化钍导电陶瓷材料的制备方法
【专利摘要】本发明提供一种导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钼、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为40-60%:20-30%:15-20%:1-2%:0.5-2%:1.5-2%:1-2%:1-2%,其特征在于首先将纯净的氧化钍进行球磨10-20小时,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钼进行球磨5-10小时,其中二氧化钼:球:水为1∶2∶1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨2-5小时后,加入15-20wt%的PVA水溶液进行造粒、过20-40目筛和干燥处理,接着以1-4吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1400-1600℃下进行烧结,随后保温3-5小时后自然冷却。
【专利说明】一种氧化钍导电陶瓷材料的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种导电陶瓷材料的制备方法,尤其是涉及一种氧化钍导电陶瓷材料的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着材料科学技术的发展,导电陶瓷材料的应用越来越广泛,但是在这些导电陶瓷材料的性能已不能满足目前的实际需要,亟需一种新型的导电陶瓷材料,本申请将提供一种氧化钍导电陶瓷材料。

【发明内容】

[0003]本发明提供一种导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为40-60%:20-30%:15-20%:1-2%:0.5-2%:1.5-2%:1~2%:1_2%,其特征在于首先将纯净的氧化钍进行球磨10-20小时,其中氧化钍:球:水为1: 3: I,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化错进行球磨10-15小时,其中氧化错:球:水为1: 2: I,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨5-10小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨2-5小时后,加入15-20被%的PVA水 溶液进行造粒、过20-40目筛和干燥处理,接着以1_4吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1400-1600°C下进行烧结,随后保温3-5小时后自然冷却。
【具体实施方式】
[0004]下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0005]实施例1
[0006]该导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为40%:30%:20%:2%:2%:2%:2%:2%,首先将纯净的氧化钍进行球磨10小时,其中氧化钍:球:水为1: 3: 1,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化锆进行球磨10小时,其中氧化锆:球:水为1:2: 1,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨5小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨5小时后,加入20wt%的PVA水溶液进行造粒、过40目筛和干燥处理,接着以4吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1600°C下进行烧结,随后保温3小时后自然冷却。[0007]实施例2
[0008]该导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为60%:20%:15%:1%:0.5%:1.5%:1%:1%,首先将纯净的氧化钍进行球磨20小时,其中氧化钍:球:水为1: 3: 1,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化锆进行球磨15小时,其中氧化锆:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨10小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨2小时后,加入15wt%的PVA水溶液进行造粒、过20目筛和干燥处理,接着以I吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1400°C下进行烧结,随后保温5小时后自然冷却。
[0009]实施例3
[0010]该导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为50%:25%:17%:1.5%:
1.5%:1.7%:1.5%:1.8%,首先将纯净的氧化钍进行球磨15小时,其中氧化钍:球:水为1:3: 1,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化锆进行球磨13小时,其中氧化锆:球:水为1: 2: I,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨8小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配 料,将上述配料研磨3小时后,加入ISwt%的PVA水溶液进行造粒、过30目筛和干燥处理,接着以3吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1500°C下进行烧结,随后保温4小时后自然冷却。
[0011 ] 使用以上方法制备的导电陶瓷材料,其导电陶瓷材料耐温性强、导电效率提高、使用寿命延长,起到了良好的效果。
【权利要求】
1.一种导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为40-60%:20-30%:15-20%:1-2%:0.5-2%:1.5-2%:1-2%:1_2%,其特征在于首先将纯净的氧化钍进行球磨10-20小时,其中氧化钍:球:水为1: 3: 1,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化锆进行球磨10-15小时,其中氧化锆:球:水为1:2:1,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨5-10小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨2-5小时后,加入15-20wt%的PVA水溶液进行造粒、过20-40目筛和干燥处理,接着以1_4吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1400-1600°C下进行烧结,随后保温3-5小时后自然冷却。
2.如权利要求1所述的导电陶瓷材料的制备方法,其特征在于该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钥、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为50%:25%:17%:1.5%:1.5%:1.7%:1.5%:1.8%,首先将纯净的氧化钍进行球磨15小时,其中氧化钍:球:水为1: 3: 1,接着进行烘干和400目筛处理,接着将纯净的氧化锆进行球磨13小时,其中氧化锆:球:水为1: 2: I,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钥进行球磨8小时,其中二氧化钥:球:水为1: 2: 1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨3小时后,加入ISwt%的PVA水溶液进行造粒、过30目筛和干燥处理,接着以3吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛 和烧成温度1500°C下进行烧结,随后保温4小时后自然冷却。
【文档编号】C04B35/51GK103819190SQ201310745856
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年12月23日 优先权日:2013年12月23日
【发明者】任知良, 王明刚, 王雪梅 申请人:青岛润鑫伟业科贸有限公司
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