导电陶瓷及其制备方法

文档序号:1916268阅读:1330来源:国知局
导电陶瓷及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种导电陶瓷及其生产方法,种导电陶瓷包括陶体,在陶体的至少一面固定有釉料层,本发明是在陶体面或釉料层面置有导电层。本发明的特点是生产方法简单,生产中无三废排放,保持了陶瓷的原有形状;其显著优点是生产的陶瓷既可作普通陶瓷使用,又可以作为导体用于导电,拓宽陶瓷的使用范围。
【专利说明】 导电陶瓷及其制备方法

【技术领域】
[0001]本发明公开了一种导电陶瓷及其制备方法,属陶瓷生产【技术领域】,用该方法可制备具有导电功能的陶瓷,拓宽陶瓷的实用范围。

【背景技术】
[0002]陶瓷是常规产品,种类繁多,有电瓷、建筑用瓷、日用瓷、工艺瓷等,用途十分广泛,已在工业、电力、建筑、仪器仪表等行业广泛使用。公知的陶瓷产品无论形状如何,其结构均是包括陶体,在陶体外涂有釉料层,经窑炉烧制后将陶体与釉料层熔成一体,制成陶瓷产品。这些已有的陶瓷产品是由二氧化硅为主要原材料制造而成的,是绝缘产品,没有导电功能,限制了陶瓷产品的使用范围。


【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种导电陶瓷,这种导电陶瓷既可按常规陶瓷使用,又可以作为导体用于导电,拓宽陶瓷的使用范围。
[0004]本发明同时还公开了这种导电陶瓷的生产方法。
[0005]为实现本发明的目的采取了如下技术方案:
[0006]一种导电陶瓷,这种导电陶瓷包括陶体,在陶体的至少一面固定有釉料层,本发明是在陶体面或釉料层面置有导电层。
[0007]一种导电陶瓷的生产方法,其特征是将陶瓷至于密闭空间内加热至4501:?70000,在陶瓷的至少一个面喷涂含量为60 %?90 %的氧化锡,在4501:?7001:环境下使氧化锡热浸雾化进陶瓷表面内形成导电层,热浸雾化时间1?5秒钟,然后自然冷却到常温即可。
[0008]本发明的特点是生产方法简单,生产中无三废排放,保持了陶瓷的原有形状;其显著优点是生产的陶瓷既可作普通陶瓷使用,又可以作为导体用于导电,拓宽陶瓷的使用范围。

【专利附图】

【附图说明】
[0009]下面结合附图进一步详细说明本发明的技术特征:
[0010]附图、本发明一个实施例的结构示意图。
[0011]图中:1、陶体2、釉料层3、导电层

【具体实施方式】
[0012]如附图所示,图中的1是陶体,在陶体1的一个面固定有釉料层2,本发明是在釉料层2的外面固定有导电层3,制成导电陶瓷。
[0013]也可以在陶体的面固定导电层,制成导电陶瓷。
[0014]下面结合实施例进一步详细说明本发明的技术特征:
[0015]实施例1
[0016]取陶陶瓷于密闭空间内,将密闭空间升温至5001,把含量为70%的氧化锡在5001的环境下喷涂到釉料层2外进行热浸雾化,热浸雾化时间4秒钟,使氧化锡与釉料层2表面结合在一起,形成导电层,然后自然冷却至常温即成为导电陶瓷。
[0017]实施例2
[0018]取陶瓷于密闭空间内,将密闭空间升温至5001,把含量为80%的氧化锡在6001的环境下喷涂到陶体1的外面进行热浸雾化,热浸雾化时间3秒钟,使氧化锡与陶瓷体表面结合形成隔温、升温层,然后自然冷却至室温即成为导电陶瓷。
[0019]陶瓷的陶体、釉料属硅酸盐系列产品,在4501:?7001:时,其表面张开很多微孔,此时将可导电的氧化锡喷涂到陶体或釉料的表面热浸雾化,氧化锡就热浸到陶体内或釉料内,与陶体或釉料紧密结合,形成铆钉盖形式互相连接,形成一层导电层,使普通陶瓷制成导电陶瓷,拓宽陶瓷的使用范围。
【权利要求】
1.一种导电陶瓷,这种导电陶瓷包括陶体(1),在陶体(I)的至少一面固定有釉料层(2),其特征在于:所述的导电陶瓷是在陶体面或釉料层面置有导电层(3)。
2.按权利要求1所述的导电陶瓷的生产方法,其特征在于:所述的生产方法是将陶瓷至于密闭空间内加热至450°C?700°C,在陶瓷的至少一个面喷涂含量为60%?90%的氧化锡,在450°C?700°C环境下使氧化锡热浸雾化进陶瓷表面内形成导电层,热浸雾化时间I?5秒钟,然后自然冷却到常温即可。
【文档编号】C04B41/89GK104446672SQ201410795427
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月22日 优先权日:2014年12月22日
【发明者】尚保卿 申请人:河南耀发光电有限公司
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