技术特征：
技术总结
提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片的加工方法包含如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第2方向改质层形成步骤，沿着第2分割预定线在晶片的内部形成第2方向改质层。第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在与形成有第1方向改质层的第1分割预定线呈T字路相交的第2分割预定线的内部形成第2方向改质层。在T字路加工步骤中，多层的第2方向改质层的端部从下层到上层朝向先形成的第1方向改质层形成为逆阶梯状。
技术研发人员：田中圭
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2016.09.14
技术公布日：2017.08.18