异方向性导电胶膜切割校准系统和方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜工艺技术领域，具体而言，涉及一种异方向性导电胶膜切割校准系统和一种异方向性导电胶膜切割校准方法。
【背景技术】
[0002]在ACF (异方向性导电胶膜)处理工序中，通过ACF贴附装置一边牵引ACF，一边对其进行切割的方式，然后将切割好的ACF贴覆于基板上。其中，牵引ACF不稳定以及机构磨损会影响切割精度，导致切割得到的ACF面积与待贴覆的基板面积不相符，进而影响贴覆精度。
[0003]针对上述问题，现有技术中所采用的方案是增加固定卡板及引出卡板的表面摩擦力，或者直接更换卡盘，以稳定地牵引AFC，从而使得贴付精度提高。但该种方案操作起开难度较大，而且开销较高，更重要的是无法彻底改善对ACF的牵引精度。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何提高对异方向性导电胶膜的牵引精度。
[0005]为此目的，本发明提出了一种异方向性导电胶膜切割校准系统，包括:
[0006]切割元件，用于切割异方向性导电胶膜；
[0007]图像采集元件，按照预定周期采集异方向性导电胶膜的切痕图像；
[0008]处理元件，将所述切痕图像与预定图像进行比较，以确定所述切痕图像中切痕相对于所述预定图像中切痕的偏移量；
[0009]牵引元件，用于牵引异方向性导电胶膜，并根据所述偏移量调整牵引异方向性导电胶膜的速度。
[0010]优选地，所述图像采集元件中设置有标尺，所述切痕图像中切痕与所述标尺成第一关系，所述预定图像中切痕与所述标尺成第二关系，
[0011]其中，所述处理元件将所述第一关系与所述第二关系进行比较，以确定所述偏移量。
[0012]优选地，所述图像采集元件包括:
[0013]图像传感器，按照预定周期采集所述切痕图像；
[0014]数据处理卡，在所述切痕图像中生成标尺，确定所述切痕图像中切痕与所述标尺的第一关系，
[0015]其中，所述预定图像中切痕与所述标尺成第二关系，
[0016]所述处理元件将所述第一关系与所述第二关系进行比较，以确定所述偏移量。
[0017]优选地，所述图像采集元件还用于对所述切痕图像进行编码，所述处理元件还用于对编码后的切痕图像进行解码。
[0018]优选地，所述牵引元件包括:
[0019]可编程逻辑控制器，用于根据所述偏移量进行逻辑运算，以得到牵引速度的改变量;
[0020]驱动电机，根据所述牵引速度的改变量调整牵引异方向性导电胶膜的速度。
[0021]优选地，还包括:
[0022]设置元件，根据接收到的指令设置所述预定周期和/或补正精度，
[0023]其中，所述牵引元件在所述偏移量大于或等于所述补正精度时，调整牵引异方向性导电胶膜的速度。
[0024]优选地，所述处理元件在所述切痕图像中未检测到切痕时发出提示信息。
[0025]本发明还提出了一种异方向性导电胶膜切割校准方法，包括:
[0026]按照预定周期采集异方向性导电胶膜的切痕图像；
[0027]将所述切痕图像与预定图像进行比较，以确定所述切痕图像中切痕相对于所述预定图像中切痕的偏移量；
[0028]根据所述偏移量调整牵引异方向性导电胶膜的速度。
[0029]优选地，采集所述切痕图像包括:
[0030]在所述切痕图像中生成标尺，确定所述切痕图像中切痕与所述标尺的第一关系，
[0031]其中，所述预定图像中切痕与所述标尺成第二关系，
[0032]确走所述偏移星包括:
[0033]将所述第一关系与所述第二关系进行比较，以确定所述偏移量。
[0034]优选地，还包括:
[0035]根据接收到的指令设置所述预定周期和/或补正精度，
[0036]确定所述偏移量还包括:在所述偏移量大于或等于所述补正精度时，调整牵引异方向性导电胶膜的速度。
[0037]根据上述技术方案，通过在切割元件切割ACF的过程中自动调整牵引元件对ACF的牵引速度，可以保证牵引元件的牵引速度与预定牵引速度相符，进而保证切割元件在ACF上的切痕间距相同，使得切割后的ACF能够与基板面积相对应，从而良好地贴覆于基板。
【附图说明】
[0038]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0039]图1示出了根据本发明一个实施例的异方向性导电胶膜切割校准系统的结构示意图；
[0040]图2示出了根据本发明一个实施例的切痕图像中切痕与标尺的关系示意图；
[0041]图3示出了根据本发明一个实施例的预定图像中切痕与标尺的关系示意图；
[0042]图4示出了根据本发明一个实施例的信号流向示意图；
[0043]图5示出了根据本发明一个实施例的异方向性导电胶膜切割校准方法的示意流程图。
【具体实施方式】
[0044]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0045]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0046]如图1所示，根据本发明一个实施例的异方向性导电胶膜(以下为了描述简洁，用ACF表示异方向性导电胶膜)切割校准系统，包括:
[0047]切割元件11，用于切割ACF ;
[0048]图像采集元件12，按照预定周期采集ACF的切痕图像；
[0049]处理元件13，将切痕图像与预定图像进行比较，以确定切痕图像中切痕相对于预定图像中切痕的偏移量；
[0050]牵引元件14，用于牵引ACF，并根据偏移量调整牵引ACF的速度。
[0051]切割元件11只会切开ACF表面的胶体，而不会切断胶体之下的膜，从而不会切断ACF，只会在ACF表面留下切痕。其中切割元件11的切割频率是固定的，因此可以设置预定周期，使得图像采集元件12每次采集到的切痕图像中一般都会存在切痕，如果处理元件13没有在切痕图像中检测到切痕，说明切割的偏移量过大，属于设备故障的等级，需要发出警报。以下仅针对切痕图像中存在切痕的情况进行论述。
[0052]牵引元件14在接收到切痕图像中切痕相对于预定图像中切痕的偏移量Δχ之后，获取预定图像中切痕与切割元件11的距离S和牵引元件14当前的牵引速度V1，其中S在预先设定预定图像时已确定，Vl则可以直接获取。判断偏移量ΛΧ的正负，若偏移量Λχ*正，贝1J判定牵引元件14当前的牵引速度V1K形成预定图像中切痕时的牵引速度Vci快，则需要将牵引速度V1下调，下调量V i △ X/ (S+ △ X)，使得下调后的速度趋于V(l，具体推理过程如下:
[0053]由于形成切痕图像中切痕和形成预定图像中切痕的预定周期是相同的，因此可以得出
[0054]S/v0= (S+Δ X)/v i，即 V。= S v J (S+ Δ χ),
[0055]而牵引元件14当前的牵引速度V1K形成预定图像中切痕时的牵引速度V 快，因此需要下调V1，即下调量
[0056]Δ V = V1-V0= V「S V1/ (S+ Δ x) = V1 Δ x/ (S+ Δ χ)。
[0057]同理，若偏移量Δχ为负，则判定牵引元件14当前的牵引速度V1K形成预定图像中切痕时的牵引速度V漫，则需要将牵引速度V ^，上调量V i Ax/(S-Ax)，使得上调后的速度趋于Vtl，具体推理过程如下:
[0058]由于形成切痕图像中切痕和形成预定图像中切痕的预定周期是相同的，因此可以得出
[0059]S/v0= (S-Ax)ZV1JPv0=S v J (S- Δ χ),
[0060]而牵引元件14当前的牵引速度V1K形成预定图像中切痕时的牵引速度V 慢，因此需要上调V1，即上调量
[0061 ] Δ V = V1-V0 =V1-S V1/ (S- Δ x) =V1Ax/ (S- Δ χ) 0
[0062]通过在切割元件11切割ACF的过程中自动调整牵引元件14对ACF的牵引速度，可以保证牵引元件14的牵引速度与预定牵引速度(即Vtl)相符，进而保证切割元件在ACF上的切痕间距相同，使得切割后的ACF能够与基板面积相对应，从而良好地贴覆于基板。
[0063]优选地，ACF切割校准系统还可以包括固定卡盘15和引出卡盘16，牵引元件14调整牵引速度可以通过控制固定卡盘15和引出卡盘16来实现。
[0064]优选地，图像采集元件12中设置有标尺，切痕图像中切痕21与标尺成第一