一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺的制作方法

文档序号:2491687阅读:317来源:国知局
专利名称:一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种电磁屏蔽膜涂布工艺,尤其涉及一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺。
背景技术
镭射膜一般采用计算机点阵光刻技术、3D真彩色全息技术、多重与动态成像技术等。经模压把具有彩虹动态、三维立体效果的全息图像转移到PET、B0PP、PVC或带涂层的基材上,然后利用复合、烫印、转移等方式使商品包装表面获得某种激光镭射效果。镭射包装材料不仅具有新颖、亮丽的外观效果,同时还具有高技术防伪功能,被称为世界包装印刷业中最前沿的技术产品。目前镭射材料的应用领域已经非常广泛,在食品、药品、日化用品、烟酒、服装、礼品包装以及装饰材料等行业都得到较快的推广。从工艺技术水平上看,目前应用于商标印刷领域的防伪镭射膜产品属于该行业中的高端产品,其生产过程涉及镭射防伪制版、膜压、涂布、转移等多个技术环节,产品具有较高的附加值。但是这种镭射膜没有防静电功能,在电子电器的产品包装上不能使用,在电子电器的产品包装上只能使用电磁屏蔽膜,这种电磁屏蔽膜具有防静电的功能,比如申请号为200620059283. 8的中国专利公开了一种防静电膜,包括膜本体,膜本体上喷涂有导电金属粉末,金属粉末相互联接成链状,导电面为金属粉末介质,是一种静电泄放时间短、防静电动能稳定的防静电膜。这种电磁屏蔽膜虽然具有防静电的功能,但是基本上是单调的灰色,没有镭射膜的美观大方。凹版印刷简称凹印,是四大印刷方式其中的一种印刷方式。凹版印刷是一种直接的印刷方法,它将凹版凹坑中所含的油墨直接压印到承印物上,所印画面的浓淡层次是由凹坑的大小及深浅决定的,如果凹坑较深,则含的油墨较多,压印后承印物上留下的墨层就较厚;相反如果凹坑较浅,则含的油墨量就较少,压印后承印物上留下的墨层就较薄。凹版印刷的印版是由一个个与原稿图文相对应的凹坑与印版的表面所组成的。印刷时,油墨被充填到凹坑内,印版表面的油墨用刮墨刀刮掉,印版与承印物以一定的压力接触,将凹坑内的油墨转移到承印物上,完成印刷。凹版印刷作为印刷工艺的一种,以其印刷品墨层厚实,颜色鲜艳、饱和度高、印版耐印率高、印品质量稳定、印刷速度快等优点在印刷包装及图文出版领域内占据极其重要的地位。从应用情况来看,在国外,凹印主要用于杂志、产品目录等精细出版物,包装印刷和钞票、邮票等有价证券的印刷,而且也应用于装饰材料等特殊领域;在国内,凹印则主要用于软包装印刷,随着国内凹印技术的发展,也已经在纸张包装、木纹装饰、皮革材料、药品包装上得到广泛应用。凹版印刷一般工艺流程如下印前准备、调整刮墨刀、正式印刷、印后处理,如图1 所示。印前准备包括根据施工单的要求,准备承印物、油墨、凹版等,还要对印刷机进行润滑。然后进行印版滚筒的安装和压印滚筒的调整,根据承印材料选用对应硬度和合适长度的压印滚筒,刮墨刀在安装前,必须清洁支撑刀片和刀槽,安装好刀架、支撑刀片、刮墨刀, 刮墨刀主要采用正向安装,即刮墨刀与印版接触点处切线成锐角,比较理想的刮墨刀夹角应为5(Γ60°,一般刮刀压力在0.2 0.3Mpa。刮刀压力是指刮刀施于印版滚筒的压力,刮刀压力的主要作用有两个第一是将非图文区既网坑外的油墨刮干净;第二是抗拒油墨的冲击力,阻止油墨从刀口流出。然后就可以正式印刷了,在正式印刷的过程中,要经常柚样检查,网点是否完整,套印是否准确,墨色是否鲜艳,油墨的粘度及干燥是否和印刷速度相匹配,是否因为刮墨刀刮不均勻,印张上出现道子、刀线、破刀口等。

发明内容
本发明探索了将凹版印刷工艺应用于在镭射膜上涂布防静电层,目的是提供一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺,制作出一种既具有电磁屏蔽膜的防静电功能,又具有镭射膜的美观大方的特点的镭射电磁屏蔽膜。本发明的一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺,依次由下述步骤组成
(A)印前准备包括准备承印物、涂料、凹版等,还要对印刷机进行润滑a.承印物为镭射膜,市面上通常所用的镭射膜即可;b.涂料配制用乙醇或酯类溶剂将抗静电剂配成 0. 2 洲浓度的溶液,溶液的浓度在抗静电效果的前提下,尽可能稀一些以免发粘,吸附灰尘;c.选择用180目或200目的凹版。(B)调整刮刀与普通凹版印刷时相似,根据承印材料选用对应硬度和合适长度的压印滚筒,进行印版滚筒的安装和压印滚筒的调整,刮刀在安装前,必须清洁支撑刀片和刀槽,安装好刀架、支撑刀片、刮刀,支撑刀片伸出刀架15 25mm,刮刀伸出支撑刀片5、mm;刮刀主要采用正向安装,刮刀夹角为45 70°之间;调节刮刀压力为0.2、. 4 MPa,压力应随印刷速度的提高而增加。(C)涂布将滚筒速度控制在5(T60m/ min,滚筒温度控制在13(Tl50°C之间,将 (A)中的b步骤中配制好的溶液涂布在承印物镭射膜上形成防静电层。(D)印后熟化将涂布有防静电层的镭射膜在自然环境下放置4-7小时进行熟化, 使产品充分干燥,制得镭射电磁屏蔽膜。作为优选,(A)中的b步骤中所述的酯类溶剂包括环已酮或丁酮或树脂。作为优选,(A)中的b步骤中所述的抗静电剂包括胺的衍生物、季铵盐、硫酸酯、磷酸酯和聚乙二醇的衍生物。作为优选,(C)步骤中所述的滚筒温度控制为变温过程,由130°C勻速加温至 150°C,再由150°C勻速减温至130°C,再重复循环以上变温过程。本发明的有益效果包括
1、所述的一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺制作的镭射电磁屏蔽膜,抗静电效果明显,其电阻率可达小于ΙΟΓ^Ω* m的水平。2、所述的一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺制作的镭射电磁屏蔽膜,抗静电时间长久,一般能达到10年以上。3、生产方法简单,所用到的溶剂和工具比较常见,成本低。4、本发明所述的一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺制作的镭射电磁屏蔽膜,应用范围广泛。由于产品可以进行有效的尺寸加工,因此除了适用于电子电器产品的防伪标记外,也可以与PE膜或CPP膜复合制成袋子用于包装,还可以制作成各种台布、帐篷等,还适用于对静电有特殊要求的场合,在电磁屏蔽领域有非常好的应用前景。


图1是本发明所述较佳实施例的工艺设备的结构示意图。
具体实施例方式下面结合图1与实施例对本发明作进一步详细描述。 实施例一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺,依次由下述步骤组成
先做好印前准备,以市面上通常所用的镭射膜作为承印物6即可;用乙醇将乙氧基化烷基胺配成0.洲浓度的溶液作为涂料放在墨斗3中待用;选择用180目的凹版做成印版滚筒2。然后调整刮刀4,与普通凹版印刷时相似,选好压印滚筒1,进行印版滚筒2的安装和压印滚筒1的调整,刮刀4在安装前,必须清洁支撑刀片5和刀槽,安装好刀架6、支撑刀片5、刮刀4,支撑刀片5伸出刀架6 :20mm,刮刀4伸出支撑刀片5 :5mm ;刮刀4主要采用正向安装,刮刀夹角α为45° ;调节刮刀压力为0.3 MPa0然后开始涂布,印版滚筒2直接与所述的墨斗中的涂料接触蘸取涂料,并通过刮刀4刮去印版滚筒2上空白部分的涂料,而凹下去的部分填满了涂料,进入压印区进行压印,压印区包括压印滚筒1和印版滚筒2,将压印滚筒1和印版滚筒2的速度均控制在50m/ min,压印滚筒1和印版滚筒2的温度保持相同,先由130°C勻速加温至150°C,再由150°C 勻速减温至130°C,再重复循环以上变温过程。在压印滚筒1和印版滚筒2的带动下,承印物7从压印滚筒1和印版滚筒2之间通过,印版滚筒2上凹下去的部分填满的这些涂料会大部分转移到承印物7上,将涂料涂布在镭射膜上形成防静电层。最后进行印后熟化,将涂布有防静电层的镭射膜在自然环境下放置7小时进行熟化,使产品充分干燥,制得镭射电磁屏蔽膜。总之,以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本发明专利的涵盖范围。
权利要求
1.一种镭射电磁屏蔽膜的涂布工艺,其特征在于依次由下述步骤组成A.印前准备包括a.承印物(7)为镭射膜;b.涂料配制用乙醇或酯类溶剂将抗静电剂配成0.2 洲浓度的溶液作为涂料放在墨斗(3)中待用;c.选择用180目或200目的凹版;B.调整刮刀(4)根据承印材料选用对应硬度和合适长度的压印滚筒(1),进行印版滚筒(2)的安装和压印滚筒(1)的调整,安装好刀架(6)、支撑刀片(5)、刮刀(4),支撑刀片(5)伸出刀架(6) 15 25謹,刮刀(4)伸出支撑刀片(5)5 8謹,刮刀(4)与印版滚筒(2) 接触点处切线的夹角α为45 70°之间,调节刮刀(4)与印版滚筒(2)接触点处的压力为 0. 2 0. 4 MPa;C.涂布将压印滚筒(1)和印版滚筒(2)的速度均控制在5(T60m/min,压印滚筒(1) 和印版滚筒(2)的温度均控制在13(T150°C之间,将(A)中的b步骤中配制好的溶液涂布在镭射膜上形成防静电层;D.印后熟化将涂布有防静电层的镭射膜在自然环境下放置4-7小时进行熟化,使产品充分干燥,制得镭射电磁屏蔽膜。
2.根据权利要求1所述的一种镭射电磁屏蔽膜的涂布工艺,其特征在于所述的(A)中的b步骤中所述的酯类溶剂为环已酮或丁酮或树脂。
3.根据权利要求1所述的一种镭射电磁屏蔽膜的涂布工艺,其特征在于所述的(A)中的b步骤中所述的抗静电剂为胺的衍生物、季铵盐、硫酸酯、磷酸酯或聚乙二醇的衍生物。
4.根据权利要求1所述的一种镭射电磁屏蔽膜的涂布工艺,其特征在于所述的(C) 步骤中所述的压印滚筒(1)和印版滚筒(2)的温度控制为变温过程,由130°C勻速加温至 150°C,再由150°C勻速减温至130°C,再重复循环以上变温过程。
全文摘要
本发明涉及一种电磁屏蔽膜涂布工艺,尤其涉及一种镭射电磁屏蔽膜涂布工艺,包括印前准备、调整刮刀、在镭射膜本体上涂布防静电层、印后熟化等步骤制作得到镭射电磁屏蔽膜。得到的镭射电磁屏蔽膜抗静电效果好、制作成本低,在电磁屏蔽领域和包装领域均有非常好的应用前景。
文档编号B41M1/10GK102416786SQ2011102473
公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月24日 优先权日2011年8月24日
发明者陈显东 申请人:温州宏达激光图像有限公司
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