本发明涉及一种mems装置、作为mems装置的一个示例的液体喷射头、具备该液体喷射头的液体喷射装置、mems装置的制造方法以及液体喷射头的制造方法。
背景技术：
作为mems(microelectromechanicalsystems：微机电系统)装置的一个示例的喷墨式记录头具有：流道形成基板，其形成有对液体进行贮留的压力产生室；功能元件(压电元件)，其被设置在流道形成基板的一个面侧，所述喷墨式记录头通过对压电元件进行驱动而使压力产生室内的液体产生压力变化，从而从与压力产生室连通的喷嘴喷射液滴。
作为这种压电元件而提出一种通过成膜及光刻法而被形成在流道形成基板上的薄膜形的压电元件。通过使用薄膜形的压电元件而能够高密度地配置压电元件，但与之相对，高密度地配置的压电元件与驱动电路的电连接将变得困难。
例如，专利文献1所记载的喷墨式记录头具有：形成压力产生室的压力产生室形成基板、向压力产生室内的油墨施加喷射能量的压电致动器(压电元件)、形成有对压电元件进行驱动的驱动器的基板。压力产生室形成基板与形成有驱动器的基板相比较大，压电元件通过压力产生室形成基板、形成有驱动器的基板和粘合剂而被密封，从而与空气隔断，由此实现了压电元件的防湿。
并且，压电元件与驱动电路经由凸点而被电连接。通过在压电元件与驱动电路的电连接中使用凸点，从而即使在高密度地配置了压电元件的情况下，也能够容易地对压电元件与驱动电路进行电连接。
然而，在为了实现喷射液体的喷嘴的高密度化而以单晶硅来制造压力产生室形成基板，并且为了提高液体的喷射性能或喷射精度而将压力产生室形成基板设为较薄的情况下，在专利文献1中所记载的喷墨式记录头中，存在如下课题，即，由于压力产生室形成基板与形成有驱动器的基板相比而较大，从而压力产生室形成基板的端部从形成有驱动器的基板的端部伸出，因此易容易在压力产生室形成基板上产生机械性的损伤。
专利文献1：日本特开2014-51008号公报
技术实现要素：
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的发明，其能够作为以下的方式或者应用例而实现。
应用例1
本应用例所涉及的mems装置的特征在于，包括：第一基板；第二基板，其与所述第一基板层压配置，并在所述第一基板侧具有功能元件，所述第一基板与所述第二基板为大致相同的尺寸，并且在俯视观察时，所述第一基板的端部与所述第二基板的端部被配置在大致相同的位置处。
根据本应用例，由于第一基板与具有功能元件的第二基板为大致相同的尺寸，并且在俯视观察时第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处，因此第二基板通过第一基板而被保护，从而不易在第二基板上产生机械性的损伤。
例如，由于在以第一基板与第二基板被接合了的状态而进行把持来制造mems装置的情况下，不易在第二基板上产生机械性的损伤，因此能够提高mems装置的制造成品率，从而提高mems装置的品质。
应用例2
在上述应用例所记载的mems装置中，优选为，所述第一基板的厚度与所述第二基板的厚度相比而较厚。
当将第一基板的厚度设为与第二基板的厚度相比而较厚时，与第一基板的厚度薄于第二基板的厚度的情况相比，能够提高第一基板的机械强度，从而能够提高第一基板相对于机械冲击的耐性。通过利用相对于机械冲击的耐性得到提高的第一基板来对第二基板进行保护，从而更不易在第二基板上产生机械性的损伤。
应用例3
在上述应用例所记载的mems装置中，优选为，所述第一基板具备驱动电路。
当在第一基板中形成驱动电路，并且使第一基板内置有驱动电路时，与在第一基板上外置(安装)形成有驱动电路的基板的结构相比，能够使mems装置薄型化。
应用例4
在上述应用例所记载的mems装置中，优选为，具有粘合剂层，所述粘合剂层对所述第一基板与所述第二基板进行接合，所述粘合剂层包围所述功能元件。
由于对第一基板与第二基板进行接合的粘合剂层包围功能元件，因此功能元件通过第一基板、第二基板和粘合剂层而被密封，从而与空气隔断，由此抑制了来自空气的水分(湿气)向功能元件的侵入。因此，能够抑制由水分侵入导致的功能元件的劣化，从而提高mems装置的可靠性。
应用例5
优选为，上述应用例所记载的mems装置为液体喷射头，上述应用例所记载的功能元件为压电元件，所述第二基板具备：压力产生室形成基板，其具有与喷嘴连通的作为压力产生室的贯穿口；振动板，其对所述贯穿口的所述第一基板侧的开口进行密封；所述压电元件，其被形成在所述振动板的所述第一基板侧的面上。
本应用例所涉及的液体喷射头通过压电元件的驱动而使压力产生室产生压力变化，并通过利用该压力变化而使油墨从喷嘴喷射。压电元件通过第一基板、第二基板、粘合剂层而被密封，从而与空气隔断，由此抑制了来自空气的水分(湿气)向压电元件的侵入。因此，抑制了由水分侵入导致的压电元件的劣化，从而压电元件会稳定地工作而具有较高的可靠性。因此，具有该压电元件的液体喷射头也会稳定地从喷嘴喷射油墨而具有较高的可靠性。
除此之外，在本应用例所涉及的液体喷射头中，不易在第二基板上产生机械性的损伤，从而能够提高液体喷射头的制造成品率或者品质。
应用例6
本应用例所涉及的液体喷射装置的特征在于，具有上述应用例所述的液体喷射头。
上述应用例所记载的液体喷射头提高了制造成品率和品质，从而该液体喷射头具有较高的可靠性。因此，具有上述应用例的液体喷射头的液体喷射装置也提高了制造成品率和品质，从而具有较高的可靠性。
应用例7
本应用例所涉及的mems装置的制造方法的特征在于，所述mems装置具有：第一基板；第二基板，其与所述第一基板层压配置，并在所述第一基板侧具有功能元件，所述mems装置的制造方法具有：在形成有多个所述第一基板的第三基板与形成有多个所述第二基板的第四基板之间配置粘合剂层，并且以在俯视观察时所述第一基板的端部与所述第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的方式而对所述第三基板与所述第四基板进行接合的工序；将所述第三基板与所述第四基板切断，并将所形成的多个所述第一基板以及所述第二基板分片化的工序。
根据本应用例，在以俯视观察时第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的方式而将形成有多个第一基板的第三基板(母基板)与形成有多个第二基板的第四基板(母基板)贴合从而使其接合后，将第三基板和第四基板切断，从而将所形成的多个第一基板以及第二基板(mems装置)分片化。即，由于将形成有多个mems装置的母基板切断来制造单个mems装置，因此与通过将单个第一基板与单个第二基板贴合从而使其接合的方式来制造单个mems装置的情况相比，能够提高mems装置的生产率。并且，在以该制造方法而制造出的mems装置中，在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处。
因此，通过本应用例所涉及的mems装置的制造方法，能够以较高的生产率来制造在俯视观察时第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的mems装置。
应用例8
在上述应用例所记载的mems装置的制造方法中，优选为，在将所形成的多个所述第一基板以及所述第二基板分片化的工序中，通过使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割而将所述第三基板与所述第四基板切断。
由于使用等离子蚀刻来对第三基板以及第四基板进行化学蚀刻从而将第三基板以及第四基板切断，因此与例如使用切割刀片来机械式地切削第三基板以及第四基板从而将第三基板以及第四基板切断的情况相比不易产生异物，从而能够对异物对mems装置造成的不良影响进行抑制。
应用例9
本应用例所涉及的液体喷射头的制造方法的特征在于，所述液体喷射头具有：第一基板；第二基板，其与所述第一基板层压配置，所述第二基板具备：压力产生室形成基板，其具有与喷嘴连通的作为压力产生室的贯穿口；振动板，其对所述贯穿口的所述第一基板侧的开口进行密封；压电元件，其被形成在所述振动板的所述第一基板侧的面上，所述液体喷射头的制造方法具有：在形成有多个所述第一基板的第三基板与形成有多个所述第二基板的第四基板之间配置粘合剂层，并且以在俯视观察时所述第一基板的端部与所述第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的方式而对所述第三基板与所述第四基板进行接合的工序；将所述第三基板与所述第四基板切断，并使所形成的多个所述第一基板以及所述第二基板分片化的工序。
根据本应用例，在以俯视观察时第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的方式而将形成有多个第一基板的第三基板(母基板)与形成有多个第二基板的第四基板(母基板)贴合从而使其接合后，将第三基板与第四基板切断，从而将所形成的多个第一基板以及第二基板分片化来制造液体喷射头。即，由于将形成有多个液体喷射头的母基板切断来制造单个液体喷射头，因此与通过将单个第一基板与单个第二基板贴合从而使其接合的方式来制造单个液体喷射头的情况相比，能够提高液体喷射头的生产率。并且，在以该制造方法而制造出的液体喷射头中，在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处。
因此，在本应用例所涉及的液体喷射头的制造方法中，能够以较高的生产率来制造在俯视观察时第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处的液体喷射头。
应用例10
在上述应用例所记载的液体喷射头的制造方法中，优选为，在将所形成的多个所述第一基板以及所述第二基板分片化的工序中，通过使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割而将所述第三基板与所述第四基板切断。
由于使用等离子蚀刻来对第三基板以及第四基板进行化学蚀刻从而将第三基板以及第四基板进行切断，因此与例如使用切割刀片来机械式地切削第三基板以及第四基板从而将第三基板以及第四基板切断的情况相比不易产生异物，从而能够对异物对液体喷射头造成的不良影响进行抑制。
应用例11
在上述应用例所记载的液体喷射头的制造方法中，优选为，在对所述第三基板与所述第四基板进行接合的工序、与将所形成的多个所述第一基板以及所述第二基板分片化的工序之间，包括在所述压力产生室形成基板上实施各向异性蚀刻从而形成所述贯穿口的工序。
当在第二基板的压力产生室形成基板上实施各向异性蚀刻从而在压力产生室形成基板上形成贯穿口时，第二基板的机械强度会显著地下降。因此，优选为在将第二基板接合于第一基板上而使第二基板的机械强度通过第一基板而被提高了之后，在压力产生室形成基板上形成贯穿口。因此，优选为，在对第三基板与第四基板进行接合的工序之后实施在压力产生室形成基板上形成贯穿口的工序。
在所形成的多个第二基板的各自之上一并形成贯穿口与在分片化了的第二基板上分别形成贯穿口的情况相比，对于生产率是较为有利的。由此，优选为，在将所形成的多个第一基板以及第二基板进行分片化的工序之前实施在压力产生室形成基板上形成贯穿口的工序。
因此，优选为，在对第三基板与第四基板进行接合的工序与将所形成的多个第一基板以及第二基板分片化的工序之间实施在压力产生室形成基板上形成贯穿口的工序。
附图说明
图1为表示实施方式1所涉及的打印机的结构的概要图。
图2为表示实施方式1所涉及的记录头的结构的概要剖视图。
图3为表示实施方式1所涉及的记录头的制造方法的工序流程。
图4为第一基板的概要俯视图。
图5为第二基板的概要俯视图。
图6为表示经过步骤s1之后的基板的状态的概要俯视图。
图7为表示经过步骤s1之后的基板的状态的概要剖视图。
图8为表示经过步骤s2之后的基板的状态的概要剖视图。
图9为表示步骤s3的处理的状态的概要剖视图。
图10a为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图10b为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图10c为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图10d为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图10e为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图10f为由图9的虚线所包围的区域h的概要剖面。
图11为表示实施方式2所涉及的记录头的结构的概要剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来对本发明的实施方式进行说明。所涉及的实施方式为表示本发明的一个实施方式，且并不限定于本发明，并且能够在本发明的技术思想的范围内任意地进行变更。此外，在以下的各附图中，由于将各层或各部位设为在附图上可识别程度的大小，因此使各层或各部位比例与实际有所不同。
实施方式1
打印机的概要
图1为表示实施方式1所涉及的喷墨式记录装置(以下，称之为打印机)的结构的概要图。首先，参照图1，对作为“液体喷射装置”的一个示例的打印机1的概要进行说明。
本实施方式所涉及的打印机1为，向记录纸等记录介质2喷射作为“液体”的一个示例的油墨，从而在记录介质2上实施图像等记录(印刷)的装置。
如图1所示，打印机1具备：记录头3；安装有记录头3的滑架4；使滑架4在主扫描方向上移动的滑架移动机构5；在副扫描方向上移送记录介质2的输送机构6等。在此，上述的油墨被贮留在作为液体供给源的墨盒7中。墨盒7以能够拆装的方式而被安装于记录头3上。
另外，记录头3为“mems装置”以及“液体喷射头”的一个示例。并且，也可以采用如下结构，即，墨盒被配置在打印机的主体侧，并且从该墨盒通过油墨供给管而向记录头3供给油墨。
滑架移动机构5具备同步带8，并通过dc(directcurrent：直流)电机等脉冲电机9而被驱动。当脉冲电机9工作时，滑架4通过架设在打印机1上的导向杆10而被引导，从而在主扫描方向(记录介质2的宽度方向)上往返移动。滑架4的主扫描方向上的位置通过作为位置信息检测单元的一种的线性编码器(省略图示)而被检测。线性编码器将其检测信号即编码脉冲向打印机1的控制部发送。
此外，在滑架4的移动范围内的与记录区域相比靠外侧的端部区域内，设定有作为滑架4的扫描的基点的初始位置。在该初始位置处，从端部侧起依次配置有对形成在记录头3的喷嘴面(喷嘴板21(参照图2))上的喷嘴22(参照图2)进行密封的盖11和用于对喷嘴面进行擦拭的擦拭单元12。
记录头的概要
图2为表示本实施方式所涉及的记录头的结构的概要剖视图。
接下来，参照图2，对记录头3的概要进行说明。
如图2所示，记录头3具有流道单元15、电子装置14、头外壳16。在记录头3中，流道单元15与电子装置14以被层压的状态而被安装在头外壳16上。
以后，将流道单元15与电子装置14被层压的方向为上下方向而进行说明。并且，将从上下方向进行观察的情况称为“俯视观察”。即，本申请中的“俯视观察”相当于从流道单元15与电子装置14层压的方向(上下方向)进行观察的情况。
头外壳16为合成树脂制的箱体状部件，在其内部形成有向各压力产生室30供给油墨的贮液器18。贮液器18为被并排设置的多个压力产生室30所共用的对油墨进行贮留的空间，并对应于并排设置为两列的压力产生室30的列而形成有两个。另外，在头外壳16的上方形成有将来自墨盒7侧的油墨向贮液器18导入的油墨导入通道(省略图示)。
被接合于头外壳16的下表面上的流道单元15具有连通基板24与喷嘴板21。连通基板24为硅制的板材，在本实施方式中，其由以表面(上表面以及下表面)的结晶面方位为(110)面的单晶硅基板制作而成。在连通基板24上，通过蚀刻而形成有共用液室25和独立连通通道26，其中，共用液室25与贮液器18连通且对被各压力产生室30所共用的油墨进行贮留，独立连通通道26经由共用液室25而将来自贮液器18的油墨向各压力产生室30单独地供给。共用液室25为沿着喷嘴列方向的长条的空间部，并对应于并排设置为两列的压力产生室30的列而形成有两列。共用液室25由贯穿连通基板24的板厚方向的第一液室25a和第二液室25b构成，所述第二液室25b以如下的状态而被形成，即，从连通基板24的下表面侧起朝向上表面侧而凹陷至该连通基板24的板厚方向的中途且在上表面侧残留有薄板部。独立连通通道26在第二液室25b的薄板部上，对应于压力产生室30而沿着该压力产生室30的并排设置方向而形成有多个。该独立连通通道26在连通基板24与第二基板29被接合了的状态下与所对应的压力产生室30的长边方向上的一方的端部连通。
此外，在连通基板24的对应于各喷嘴22的位置处，形成有贯穿连通基板24的板厚方向的喷嘴连通通道27。即，喷嘴连通通道27对应于喷嘴列而沿着该喷嘴列方向而形成有多个。通过该喷嘴连通通道27而将压力产生室30与喷嘴22连通。在连通基板24与第二基板29被接合的状态下，喷嘴连通通道27与所对应的压力产生室30的长边方向上的另一侧的端部(与独立连通通道26侧相反一侧的端部)连通。
喷嘴板21为与连通基板24的下表面(与第二基板29侧相反的一侧的面)接合的硅制的基板(例如，单晶硅基板)。在本实施方式中，通过喷嘴板21而对作为共用液室25的空间的下表面侧的开口进行密封。此外，多个喷嘴22以直线状(列状)而在喷嘴板21上开口设置。在本实施方式中，喷嘴列对应于被形成为两列的压力产生室30的列而形成有两列。该并排设置的多个喷嘴22(喷嘴列)以如下方式被设置，即，从一端侧的喷嘴22至另一端侧的喷嘴22，以对应于点形成密度的间距(例如600dpi)而沿着与主扫描方向正交的副扫描方向被等间隔地设置。
另外，喷嘴板与连通基板的从共用液室向内侧偏离了的区域接合，并能够通过例如具有可挠性的可塑性薄片等部件而对成为共用液室的空间的下表面侧的开口进行密封。以此方式，能够尽可能地将喷嘴板设为较小。
电子装置14为，作为使各压力产生室30内的油墨产生压力变化的致动器而发挥功能的薄板状的压电装置。即，电子装置14使各压力产生室30内的油墨产生压力变化，从而从与各压力产生室30连通的喷嘴22喷射油墨。
电子装置14具有将第二基板29、粘合剂61、62、63、第一基板33、驱动ic(integratedcircuit：集成电路)34依次层压从而被单元化的结构。换言之，在电子装置14中，第二基板29与具备驱动ic34的第一基板33通过粘合剂61、62、63而被接合。
另外，粘合剂63的“粘合剂层”的一个示例。
第二基板29被层压配置在第一基板33上。第一基板33与第二基板29为大致相同的尺寸，并且在俯视观察时，第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a被配置在大致相同的位置处，第二基板29通过第一基板33而被保护。因此，本实施方式与在俯视观察时第二基板29的端部29a从第一基板33的端部33a伸出的情况相比，不易在第二基板29上产生机械性的损伤。
第二基板29通过连通基板24以及头外壳16而形成记录头3中的油墨流道。如果假设第二基板29较厚且压力产生室30的容积变大，则变得难以可靠地对各压力产生室30内的油墨的压力变化进行控制，从而难以可靠地从喷嘴22喷射油墨。因此，第二基板29的厚度与第一基板33的厚度相比较薄。即，第一基板33的厚度与第二基板29的厚度相比较厚。详细而言，第二基板29的厚度大约小于100μm，而第一基板33的厚度大约大于300μm。
通过将第一基板33的厚度设为厚于第二基板29的厚度的厚度，从而与第一基板33的厚度与第二基板29的厚度相比较薄的情况相比，能够提高第一基板33的机械强度，从而提高第一基板33相对于机械冲击的耐性。因此，通过利用提高了相对于机械冲击的耐性的第一基板33而对第二基板29进行保护，从而更不易在第二基板29上产生机械性的损伤。
虽然详细内容会在后文中进行叙述，但在制造记录头3的工序中对电子装置14(第二基板29、第一基板33)进行图案形成时，对第二基板29的端部施加机械冲击不易产生第二基板29的端部缺损等机械性的损伤，从而能够提高记录头3的制造成品率，并提高记录头3的品质。
第二基板29具有压力产生室形成基板28、振动板31、作为“功能元件”的一个示例的压电元件32。
压力产生室形成基板28为硅制的硬质的板材，并且由表面(上表面以及下表面)的结晶面方位被设为(110)面的单晶硅基板制作而成。压力产生室形成基板28具有作为压力产生室30的贯穿口30a。贯穿口30a通过在板厚方向上对面方位(110)的单晶硅基板进行各向异性蚀刻而形成。贯穿口30a成为形成压力产生室30的空间(空间部)。
振动板31为具有弹性的薄膜状的部件，并被形成在压力产生室形成基板28的上表面(第一基板33侧的表面)上。振动板31通过依次层压在压力产生室形成基板28的上表面上的弹性膜31a与绝缘膜31b而被构成。
弹性膜31a由例如通过对压力产生室形成基板28的上表面(硅)进行热氧化而形成的氧化硅构成，并被配置在压力产生室形成基板28的上表面的整体上。绝缘膜31b由例如通过溅射法而形成的氧化锆构成，并被配置在第一基板33的端部33a的内侧。即，弹性膜31a(氧化硅)与绝缘膜31b(氧化锆)相比较大，且在俯视观察时从绝缘膜31b(氧化锆)伸出。
压力产生室形成基板28的贯穿口30a的上侧的开口(贯穿口30a的第一基板33侧的开口)通过振动板31而被密封。压力产生室形成基板28的贯穿口30a的下侧的开口通过连通基板24而被密封。而且，通过振动板31与连通基板24而被密封的贯穿口30a(空部)成为压力产生室30。压力产生室30对应于被形成为两列的喷嘴列而形成有两列。压力产生室30为在与喷嘴列方向正交的方向上长条的空间部(空间)，其长边方向的一方的端部与独立连通通道26连通，并且另一方的端部与喷嘴连通通道27连通。
振动板31中的对应于压力产生室30的区域(振动板31与压力产生室形成基板28不相接的区域)作为随着压电元件32的位移而向远离或者接近喷嘴22的方向进行位移的位移部而发挥功能。即，振动板31中的对应于压力产生室30的区域(振动板31与压力产生室形成基板28不相接的区域)成为容许振动板31的位移的驱动区域35。另一方面，振动板31中的从压力产生室30偏离了的区域(振动板31与压力产生室形成基板28相接的区域)成为振动板31的位移被阻碍的非驱动区域36。
在驱动区域35中，在振动板31的与压力产生室形成基板28侧相反一侧的表面(第一基板33侧的面)上形成有压电元件32。详细而言，在驱动区域35中的振动板31的第一基板33侧的表面上，依次层压有下电极层(独立电极)、压电体层、上电极层(共用电极)，从而形成了压电元件32。压电元件32为所谓的挠曲模式的压电元件，其会使振动板31挠曲变形。当向压电体层施加对应于下电极层与上电极层之间的电位差的电场时，压电元件32将向远离或者接近喷嘴22的方向进行位移。
构成压电元件32的下电极层延伸至与压电元件32相比靠外侧的非驱动区域36而形成了独立电极37，并且与所对应的凸点电极40电连接。独立电极37被配置在第一基板33的端部33a的内侧。即，上述的绝缘膜31b与独立电极37一同被配置在第一基板33的端部33a的内侧处。
构成压电元件32的上电极层延伸至压电元件32的列之间的非驱动区域36而形成了共用电极38，并且与所对应的凸点电极40电连接。
并且，在压电元件32的长边方向上，在与该压电元件32相比靠外侧处形成有独立电极37，而在内侧处形成有共用电极38。此外，在本实施方式中，从一侧的压电元件32的列延伸设置的共用电极38与从另一侧的压电元件32的列延伸设置的共用电极38通过共用配线而被电连接。
第一基板33被配置在第二基板29与驱动ic34之间，其为将驱动ic34的信号向第二基板29供给的中继基板(配线基板)。第一基板33具有由单晶硅基板构成的基材330，或者被形成于基材330上的配线或电极等。
在基材330的下表面(第二基板29侧的表面)上，形成有与第二基板29的独立电极37电连接的电极67、和与第二基板29的共用电极38电连接的电极68。电极67对应于压电元件32而沿着喷嘴列方向形成有多个。
电极67、68通过保护层71而被覆盖。保护层71通过例如氧化硅而被构成，且具有使电极67的一部分露出的开口67a与使电极68的一部分露出的开口68a。
在保护层71的与覆盖电极67、68的一侧相反的一侧的表面上形成有凸点电极40。凸点电极40被配置在分别与第二基板29的独立电极37或共用电极38对应的位置处。凸点电极40由具有弹性的内部树脂40a和覆盖内部树脂40a的导电膜41构成。作为内部树脂40a例如能够使用聚酰亚胺树脂等树脂。导电膜41能够使用金属单体、合金、金属硅化物、金属氮化物、将它们层压了的层压膜等。导电膜41对内部树脂40a进行覆盖，并且经由开口67a、68a而与电极67、68电连接。
凸点电极40具有弹性，并在发生了弹性变形的状态(被按压的状态)下与第二基板29的独立电极37以及共用电极38电连接。通过使凸点电极40具有弹性，从而与凸点电极40不具有弹性的情况相比，使凸点电极40分别良好地与独立电极37、以及凸点电极40与共用电极38电连接。因此，第一基板33的电极67经由凸点电极40而良好地与第二基板29的独立电极37电连接，第一基板33的电极68经由凸点电极40而良好地与第二基板29的共用电极38电连接。
在基材330的上表面(驱动ic34侧的面)的中央处，形成有(本实施方式中为四个)向驱动ic34供给电力(例如vdd1(低电压电路的电源)、vdd2(高电压电路的电源)、vss1(低电压电路的电源)、vss2(高电压电路的电源))的多个电源配线53。各电源配线53沿着喷嘴列方向即驱动ic34的长边方向而延伸设置，并在该长边方向的端部处经由柔性电缆等的配线基板(省略图示)而与外部电源(省略图示)等连接。而且，在该电源配线53上电连接有所对应的驱动ic34的电源凸点电极56。
在基材330的上表面的端部(从形成有电源配线53的区域向外侧偏离的区域)内形成有独立连接端子54。独立连接端子54与驱动ic34的独立凸点电极57电连接，且被输入来自驱动ic34的信号。独立连接端子54对应于压电元件32而沿着喷嘴列方向形成有多个。独立连接端子54经由形成于基材330的内部的贯穿配线45而与形成于基材330的下表面上的电极67电连接。
贯穿配线45为对基材330的下表面与基材330的上表面之间进行中继的配线，并且由在板厚方向上贯穿基材330的贯穿孔45a和被填充于贯穿孔45a的内部的导体部45b构成。导体部45b由例如铜(cu)或者钨(w)等金属构成。
驱动ic34为用于对压电元件32进行驱动的ic芯片，并且经由各向异性导电膜(acf)等粘合剂59而被层压配置在基材330的上表面(第一基板33的上表面)上。在驱动ic34的第一基板33侧的表面上，与电源配线53电连接的电源凸点电极56以及与独立连接端子54电连接的独立凸点电极57沿着喷嘴列方向而并排设置有多个。
在驱动ic34上，经由电源凸点电极56而被供给来自电源配线53的电力(电压)。而且，驱动ic34生成用于单独地对各压电元件32进行驱动的信号(驱动信号、共用信号)。由驱动ic34所生成的驱动信号经由独立凸点电极57、独立连接端子54、贯穿配线45、电极67、凸点电极40、与独立电极37而向压电元件32的下电极层被供给。并且，由驱动ic34所生成的共用信号经由形成于基材330的配线(省略图示)、电极68、凸点电极40、共用电极38而向压电元件32的上电极层被供给。
在第一基板33与第二基板29之间的非驱动区域36中配置有粘合剂61、62、63。粘合剂61、62、63与第一基板33和第二基板29接合。换言之，第一基板33与第二基板29通过粘合剂61、62、63而被接合。
粘合剂61、62、63由具有感光性以及热硬化性的树脂、例如以环氧树脂、丙烯树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂、苯乙烯树脂等为主成分的树脂形成。
粘合剂61、62以在凸点电极40的附近处相对于凸点电极40而远离的状态沿着喷嘴列方向被配置为带状。如上文所述，凸点电极40以发生了弹性变形的状态而与独立电极37或共用电极38电连接。粘合剂61、62以即使凸点电极40发生弹性变形也不会与凸点电极40发生干涉的程度从凸点电极40远离。
粘合剂63在第一基板33以及第二基板29的周缘部处以包围压电元件32的方式而配置，并且具有框缘状。压电元件32通过第一基板33、第二基板29、粘合剂63而被密封，从而抑制了外部的水分(湿气)的影响。换言之，通过在第一基板33与第二基板29之间形成包围压电元件32的粘合剂63，而抑制了水分对压电元件32的影响，从而抑制了由水分导致的压电元件32的劣化。
因此，能够提高压电元件32的可靠性。并且，能够提高具有压电元件32的记录头3的可靠性。
以此方式，在记录头3中，来自墨盒7的油墨经由油墨导入通道、贮液器18、共用液室25以及独立连通通道26而被导入至压力产生室30。并且，第二基板29与独立电极37以及共用电极38电连接，并且所述第二基板29具有使压力产生室30内的油墨产生压力变化的压电元件32。在该状态下，通过经由被形成在第一基板33上的配线或电极而向第二基板29的压电元件供给来自驱动ic34的驱动信号，而使压电元件32驱动，并且通过压电元件32的驱动而使压力产生室30中产生了压力变化。通过利用该压力变化，从而在记录头3中，经由喷嘴连通通道27而从喷嘴22喷射油墨滴。
记录头的制造方法
图3为表示本实施方式所涉及的记录头的制造方法的工序流程。图4为第一基板的概要俯视图。图5为第二基板的概要俯视图。图6为表示经过步骤s1之后的基板的状态的概要俯视图。图7为表示经过步骤s1之后的基板的状态的概要剖视图。图8为表示经过步骤s2之后的基板的状态的概要剖视图。图9为表示步骤s3的处理的状态的概要剖视图。
另外，图4对应于在图2中从第二基板29朝向第一基板33的方向上观察第一基板33的情况。在图4中，第一基板33的轮廓以虚线来表示。即，图4中的虚线相当于第一基板33的端部33a，并且相当于后文所述的步骤s3中的切断区域sl。由虚线所包围而成的区域相当于形成有第一基板33的区域。
图5对应于在图2中从第一基板33朝向第二基板29的方向即从与图4相反的方向观察第二基板29的情况。因此，在图4与图5中，表示x方向的箭头标记的方向成为相反。
并且，在图5中，第二基板29的轮廓以虚线来表示。即，图5中的虚线相当于第二基板29的端部29a，并且相当于后文所述的步骤s3中的切断区域sl。由虚线所包围而成的区域相当于形成有第二基板29的区域。
在图9中，为了使步骤s3的处理的状态易于理解而将切断区域sl放大来表示。即，图9中的双点划线为被放大了的切断区域sl，被配置在切断区域sl中的第三基板73以及第四基板74的结构要素也以双点划线来表示。
第三基板73(图4)以及第四基板74(图5)具有定向平面。此后，将沿着定向平面的方向称为x方向，将与x方向交叉的方向称为y方向。并且，有时会将表示方向的箭头标记的顶端侧称为(+)方向，将表示方向的箭头标记的基端侧称为(-)方向。
如图4所示，第三基板73为形成有多个第一基板33的面方位(110)的单晶硅基板(母基板)。即，在第三基板73中形成有多个第一基板33。虽然在图4中省略了图示，但在多个第一基板33的各自之上形成有凸点电极40、电极67、68、贯穿配线45、电源配线53、独立连接端子54等(参照图2)。
并且，在图4中，将配置在第三基板73的中央处的第一基板33称为第一基板33b，将在x(-)方向侧处与第一基板33b相邻的第一基板33称为第一基板33a，将在x(+)方向侧处与第一基板33b相邻的第一基板33称为第一基板33c。即，沿着x(+)方向而依次配置有第一基板33a、第一基板33b、第一基板33c。
如图5所示，第四基板74为形成有多个第二基板29的面方位(110)的单晶硅基板(母基板)。即，在第四基板74中形成有多个第二基板29。并且，弹性膜31a被配置在第四基板74的整个区域中。绝缘膜31b被配置在由切断区域sl所包围而成的区域的内侧处。即，在切断区域sl中配置有弹性膜31a，且未配置有绝缘膜31b。虽然在图5中省略了图示，但在多个第二基板29的各自之中形成有压电元件32(参照图2)。另外，使压电元件32的下电极层延伸至非驱动区域36而形成的独立电极37也与绝缘膜31b同样，被配置在由切断区域sl包围而成的区域的内侧处，且未被配置于切断区域sl中(参照图2)。
接下来，参照图3、以及图6至图9而对本实施方式所涉及的记录头3的制造方法进行说明。
如图3所示，本实施方式所涉及的记录头3的制造方法包括对第三基板73与第四基板74进行接合的工序(步骤s1)、在压力产生室形成基板上实施各向异性蚀刻从而形成贯穿口30a的工序(步骤s2)、通过等离子切割而将第三基板73以及第四基板74切断的工序(步骤s3)。
另外，步骤s3为“使形成了多个的第一基板以及第二基板分片化的工序”的一个示例。
在步骤s1中，如图6以及图7所示，在第三基板73与第四基板74之间配置粘合剂61、62、63，从而对第三基板73与第四基板74进行接合。详细而言，在第三基板73与第四基板74之间配置粘合剂61、62、63，并以使第一基板33a与第二基板29a重叠、第一基板33b与第二基板29b重叠、第一基板33c与第二基板29c重叠的方式而将形成有多个第一基板33的第三基板73和形成有多个第二基板29的第四基板74贴合。即，在第三基板73与第四基板74之间配置粘合剂61、62、63，并以在俯视观察时使第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a重叠的方式，将第三基板73与第四基板74贴合。接下来，使粘合剂61、62、63固化，从而对第三基板73与第四基板74进行接合。
另外，由于会在接下来的工序(步骤s2)中形成作为压力产生室30的贯穿口30a，因此在步骤s1中不会形成贯穿口30a。
以此方式，步骤s1为，在形成有多个第一基板33的第三基板73与形成有多个第二基板29的第四基板74之间配置粘合剂61、62、63，并以在俯视观察时第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a被配置在大致相同的位置处的方式而对第三基板73与第四基板74进行接合的工序。
此后，将从第三基板73朝向第四基板74的方向称为z方向。并且，有时会将表示方向的箭头标记的顶端侧称为(+)方向，将表示方向的箭头标记的基端侧称为(-)方向。
另外，z方向相当于上述的流道单元15与电子装置14所层压的方向(上下方向)。因此，从z方向进行观察的情况与从上下方向进行观察的情况相同，均为“俯视观察”的一个示例。
在步骤s2中，如图8所示，在第四基板74(第二基板29)的压力产生室形成基板28上实施例如由koh(氢氧化钾)所实现的各向异性蚀刻，从而形成作为压力产生室30的贯穿口30a。如果在压力产生室形成基板28上形成贯穿口30a，则与在压力产生室形成基板28上不形成贯穿口30a的情况相比，第四基板74(第二基板29)的机械强度会显著地下降。
虽然在压力产生室形成基板28上形成了贯穿口30a，从而第四基板74的机械强度显著地下降，但是由于在步骤s1中第四基板74与第三基板73被接合，从而第四基板74的机械强度通过第三基板73而被提高，因此抑制了在第四基板74上产生机械损伤等不良情况。因此，优选为，在对第三基板73与第四基板74进行接合的工序(步骤s1)之后实施在第四基板74(第二基板29)的压力产生室形成基板28上形成贯穿口30a的工序(步骤s2)。
如图9所示，在切断区域sl中，沿着z(-)方向而依次层压有基材330(硅)、保护层71(氧化硅)、粘合剂63(树脂(有机物))、弹性膜31a(氧化硅)、压力产生室形成基板28(硅)。
在步骤s3中，在通过蚀刻掩膜77而对切断区域sl以外的区域进行了覆盖后，使用化学干蚀刻装置或容量结合型干蚀刻装置等，将氟类气体(f类气体)作为反应气体而产生与硅或氧化硅或树脂(有机物)等发生反应的等离子活性物质(例如f自由基)，所述化学干蚀刻装置为，例如将激发反应气体而产生等离子活性物质的部分与进行等离子蚀刻的部分分离的装置，所述容量结合型干蚀刻装置为，将激发反应气体而产生等离子活性物质的部分与进行等离子蚀刻的部分设置在相同部位处的装置。
而且，从第一基板33侧照射以图中的箭头标记表示的f自由基，从而将被配置于切断区域sl内的第三基板73以及第四基板74的结构要素蚀刻去除。详细而言，依次将被配置于切断区域sl内的基材330(硅)、保护层71(氧化硅)、粘合剂63(树脂)、弹性膜31a(氧化硅)、压力产生室形成基板28(硅)蚀刻除去。
另外，由于在切断区域sl中未配置有难以通过f自由基而被蚀刻的第三基板73以及第四基板74的结构要素(绝缘膜31b(氧化锆)、独立电极37(金属))，因此能够通过f自由基而顺利地将配置于切断区域sl的第三基板73以及第四基板74的结构要素(基材330、保护层71、粘合剂63、弹性膜31a、压力产生室形成基板28)蚀刻去除。
由于配置在切断区域sl以外的区域的第三基板73以及第四基板74的结构要素(第一基板33、第二基板29)通过蚀刻掩膜77而被覆盖，因此不会被f自由基蚀刻。因此，能够通过步骤s3而将形成了多个的第一基板33以及第二基板29分片化为单个第一基板33以及第二基板29。
另外，作为蚀刻掩膜77，能够使用抗蚀剂、难以被f自由基蚀刻的绝缘膜或者金属等。
以此方式，步骤s3为，通过使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割而将第三基板73与第四基板74切断，从而将所形成的多个第一基板33以及第二基板29分片化的工序。
在步骤s3中，由于使用相同的蚀刻掩膜77而对切断区域sl的第三基板73以及第四基板74进行蚀刻，从而将所形成的多个第一基板33以及第二基板29分片化，因此第一基板33与第二基板29为大致相同的尺寸，并且在俯视观察时第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a被配置在大致相同的位置处。
另外，也能够在将所形成的多个第一基板33以及第二基板29分片化之后，在第二基板29上分别形成贯穿口30a。由于与在将所形成的多个第一基板33以及第二基板29分片化之后分别形成贯穿口30a的情况相比，在被多个形成的第二基板29上将贯穿口30a统一形成对于生产率较为有利，因此，优选为，在对被多个形成的第一基板33以及第二基板29进行分片化的工序(步骤s3)之前实施在压力产生室形成基板28上形成贯穿口30a的工序(步骤s2)。
因此，优选为，在对第三基板73和第四基板74进行接合的工序(步骤s1)与对被多个形成的第一基板33以及第二基板29进行分片化的工序(步骤s3)之间，实施在压力产生室形成基板28上形成贯穿口30a的工序(步骤s2)。
接下来，在将所形成的多个第一基板33以及第二基板29分片化之后，经由粘合剂59而将驱动ic34接合在第一基板33的与第二基板29侧相反的一侧的表面上，从而制造电子装置14。并且，对电子装置14、流道单元15、头外壳16进行接合来制造记录头3。
第一基板33与第二基板29为大致相同的尺寸，由于在俯视观察时第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a被配置在大致相同的位置处，从而第二基板29通过第一基板33而被保护，因此，在例如对电子装置14进行把持，并对电子装置14、流道单元15、头外壳16进行接合来制造记录头3时，不易在第二基板29上产生机械性的损伤，从而能够提高记录头3的制造成品率或品质。
第一基板以及第二基板的端部的状态
图10a至图10f为由图9的虚线包围而成的区域h的概要剖视图。即，图10a至图10f为表示第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a的状态的概要剖视图。
另外，在图10a至图10f中，省略了第一基板33的端部33a的结构要素(基材330、保护层71)的图示，并省略了第二基板29的端部29a的结构要素(弹性膜31a、压力产生室形成基板28)的图示。
在下文中，参照图10a至图10f而对经过步骤s3之后的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a的状态进行说明。
如图10a所示，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为，以与x方向成角度(锥形角)θa的方式而倾斜的平面。锥形角θa小于直角，并且第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为倾斜为正锥形的平面。
在该情况下，第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(-)方向侧。
如图10b所示，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为锥形角θb小于锥形角θa且与图10a相比较缓地倾斜的平面。
在该情况下，第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(-)方向侧。
另外，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为相对于x方向而倾斜成直角的平面，并且也可以采用如下结构，即，第一基板33的端部33a与第二基板29的端部29a相对于x方向而被配置在相同的位置处。
如图10c所示，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为锥形角沿着z(-)方向而逐渐变小的凹曲面。
在该情况下，第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(-)方向侧。
另外，虽然省略了图示，但第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a也可以为锥形角沿着z(-)方向而逐渐变大的凸曲面。并且，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a也可以包括平面与曲面。
如图10d所示，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为锥形角θd大于直角且倾斜为倒锥形的平面。
在该情况下，第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(+)方向侧。
如图10e所示，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为锥形角均小于直角且倾斜为正锥形的平面。并且，粘合剂63的端部被配置在第一基板33的端部33a的内侧，并且形成有第一基板33的端部33a从粘合剂63的端部伸出的突部。
这种突部通过使粘合剂63相对于f自由基的蚀刻速度快于第一基板33相对于f自由基的蚀刻速度而被形成。
如图10f所示，第一基板33的端部33a为倾斜为正锥形的平面，第二基板29的端部29a为倾斜为倒锥形的平面。
图10a至图10f所示的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a能够通过对步骤s3中所使用的干蚀刻装置(等离子蚀刻装置)或者干蚀刻条件进行调节来形成。并且，通过对干蚀刻装置或者干蚀刻条件进行变更而使第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a的形状发生变化，从而能够形成图10a至图10f所示的形状以外的各种形状的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a。
图10a至图10f所示的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为本申请中的“在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处”的一个示例，其被包括在本申请的技术应用范围内。并且，通过对干蚀刻装置或者干蚀刻条件进行变更而形成的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a、即图10a至图10f所示的形状以外的各种形状的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a也为本申请中的“在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处”的一个示例，其被包括在本申请的技术应用范围内。
即，通过使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割而被分片化从而形成的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a为本申请中的“在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处”的一个示例，并且全部被包括在本申请的技术应用范围内。并且，通过使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割而被分片化从而形成的第一基板33以及第二基板29为本申请中的“第一基板与第二基板为大致相同的尺寸”的一个示例，并且全部被包括在本申请的技术应用范围内。
并且，使形成了多个的第一基板33以及第二基板29分片化的方法并不限定于上述的等离子切割的方法，例如既可以为使用切割刀片来进行切割的方法，例如也可以为向切断区域sl照射激光来进行切割的方法，例如也可以为使用刀轮来进行切割的方法。
并且，对f自由基进行照射的方向也可以为与上述的图9相反的方向，即，从第二基板29朝向第一基板33的方向。在该情况下，第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a的z方向的位置关系与图10a至图10f所示的状态相反。
例如,虽然在图10a至图10c中,第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(-)方向侧，但通过向从第二基板29朝向第一基板33的方向照射f自由基，从而使第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(+)方向侧。例如，虽然在图10d中,第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(+)方向侧，但通过向从第二基板29朝向第一基板33的方向照射f自由基，从而使第一基板33的端部33a相对于第二基板29的端部29a而被配置在x(-)方向侧。
通过所涉及的方法而形成的第一基板33以及第二基板29均为本申请中的“第一基板与第二基板为大致相同的尺寸”的一个示例，其被包括在全部本申请的技术应用范围内。通过所涉及的方法而形成的第一基板33的端部33a以及第二基板29的端部29a均为本申请中的“在俯视观察时，第一基板的端部与第二基板的端部被配置在大致相同的位置处”的一个示例，其被包括在全部本申请的技术应用范围内。
此外，使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割的方法与使用切割刀片来进行切割的方法、使用激光来进行切割的方法或者使用刀轮来进行切割的方法相比，不易产生异物，从而能够对由异物导致的不良情况进行抑制。因此，对第三基板73与第四基板74进行切断，从而使形成了多个的第一基板33以及第二基板29分片化的方法优选为，使用等离子蚀刻来进行切割的等离子切割的方法。
实施方式2
图11为对应于图2的图，并且为表示实施方式2所涉及的记录头的结构的概要剖视图。
在本实施方式所涉及的记录头3a中，在第一基板33a上形成有对压电元件32进行驱动的驱动电路39。在实施方式1所涉及的记录头3中，对压电元件32进行驱动的驱动电路被形成在第一基板33以外的其他的基板(驱动ic34)上。这一点为本实施方式所涉及的记录头3a和实施方式1所涉及的记录头3的不同点，其他的结构在本实施方式与实施方式1中是相同的。
以下，参照图11，以与实施方式1的不同点为中心而对本实施方式所涉及的记录头3a的概要进行说明。此外，对与实施方式1相同的结构部位标注相同的符号，并省略重复的说明。
如图11所示，记录头3a具有流道单元15、电子装置14a、头外壳16。
电子装置14a为作为使各压力产生室30内的油墨产生压力变化的致动器而发挥功能的薄板状的mems装置。即，电子装置14a使各压力产生室30内的油墨产生压力变化，从而从与各压力产生室30连通的喷嘴22喷射油墨。电子装置14a具有依次对第二基板29、粘合剂61、62、63、第一基板33a进行层压从而被单元化的结构。
第二基板29被层压配置在第一基板33a上，并具有压力产生室形成基板28、振动板31、压电元件32。
第一基板33a被层压配置在第二基板29上，并具有形成有对压电元件32进行驱动的驱动电路39的基板331、用于将来自驱动电路39的信号向第二基板29进行供给的电极(电极67、电极68、凸点电极40)等。
基板331为例如在p型的硅基板(p型半导体基板)上形成有驱动电路39的半导体电路基板。
详细而言，通过在基板331的p型半导体区域中上层压绝缘层与电极层等从而形成n沟道型的晶体管。并且，通过向基板331的p型半导体区域离子注入n型杂质而形成n型半导体区域，并通过在该n型半导体区域中层压绝缘层、电极层等而形成p沟道型的晶体管。而且，在基板331上，通过由n沟道型的晶体管与p沟道型的晶体管构成的cmos型晶体管而形成驱动电路39。
在第一基板33a上经由柔性电缆等配线基板(省略图示)而连接有外部电源(省略图示)等，从而向驱动电路39供给电力(电压)。而且，驱动电路39生成用于单独地对各压电元件32进行驱动的信号(驱动信号、共用信号)。由驱动电路39所生成的驱动信号经由电极67、凸点电极40、独立电极37而向压电元件32的下电极层被供给。并且，由驱动电路39所生成的共用信号经由电极68、凸点电极40、共用电极38而向压电元件32的上电极层被供给。
粘合剂61、62、63与第一基板33a和第二基板29接合。换言之，第一基板33a与第二基板29通过粘合剂61、62、63而被接合。
在本实施方式所涉及的记录头3a中，由于第一基板33a与第二基板29为大致相同的尺寸，并且在俯视观察时，第一基板33a的端部33a与第二基板29的端部29a被配置在大致相同的位置处，从而第二基板29通过第一基板33a而被保护，因此能够获得如下的与实施方式1相同的效果，即，在例如对电子装置14a进行把持，并将电子装置14a、流道单元15、头外壳16接合而制造记录头3a时，不易在第二基板29上产生机械性的损伤，从而能够提高记录头3a的制造成品率以及品质。
并且，在本实施方式所涉及的记录头3a中，由于第一基板33a内置有对压电元件32进行驱动的驱动电路39，因此与对压电元件32进行驱动的驱动电路被形成在第一基板33a之外的基板(驱动ic34)上的结构(实施方式1的结构)相比，能够使记录头3a薄型化。
并且，本发明为广泛地将头整体作为对象的发明，例如本发明也能够用于打印机等图像记录装置的各种喷墨式记录头等的记录头、液晶显示器等的滤色器的制造中所使用的色材喷射头、有机el显示器、fed(fieldemissiondisplay：场致发光显示器)等的电极形成中所使用的电极材料喷射头、生物芯片制造中所使用的生物体有机物喷射头等，并且均为本发明的技术应用范围。
此外，本发明为广泛地将mems装置整体作为对象的发明，其也能够应用于上述的记录头3、3a以外的mems装置中。例如也能够将本发明应用于作为mems装置的一个示例的saw装置(表面弹性波装置)、超声波装置、电机、压力传感器、焦电元件、以及强介电体元件中，并且均为本发明的技术应用范围。
此外，也能够将本发明应用于利用了这些mems装置的成品，例如利用了上述的记录头3、3a的液体喷射装置、利用了上述saw装置的saw振荡器、利用了上述超声波装置的超声波传感器、以上述电机作为驱动源而利用的机器人、利用了上述焦电元件的ir(infra-redray：红外线)传感器、利用了强介电体元件的强介电体存储器等，并且均为本发明的技术应用范围。
符号说明
1：打印机；3：记录头；14：电子装置；15：流道单元；16：头外壳；18：贮液器；21：喷嘴板；22：喷嘴；24：连通基板；25：共用液室；25a：第一液室；25b：第二液室；26：独立连通通道；27：喷嘴连通通道；28：压力产生室形成基板；29：第二基板；30：压力产生室；30a：贯穿口；31：振动板；31a：弹性膜；31b：绝缘膜；32：压电元件；33：第一基板；35：驱动区域；36：非驱动区域；37：独立电极；38：共用电极；40：凸点电极；40a：内部树脂；41：导电膜；45：贯穿配线；45a：贯穿孔；45b：导体部；53：电源配线；54：独立连接端子；56：电源凸点电极；57：独立凸点电极；59、61、62、63：粘合剂；67、68：电极；67a、68a：开口；71：保护层；330：基材。