专利名称：光致发光熄灭设备驱动电路和含有该电路的矩阵显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及驱动光致发光熄灭设备(PQD)的电路和含有该电路的矩阵显示装置，和多个PQD。更具体地说，该发明涉及用于驱动包含PQD作为像素的矩阵显示面板的电路，该像素由扫描线和数据线的交点定义，和含有该电路的矩阵显示装置。
相关技术描述使用有机发光二极管(OLED)的平板显示器提供高亮度和宽视角。使用自发射模式，OLED不需要任何背光，因此在从弱到中等亮度的外界光线的条件下很有效。可是，在强外界光线的情况下，如阳光直射时，必须向OLED施加相当大的能量以获得所需的亮度。另外，需要大电流以激励含有发光结构的元件。因此，在各种环境光线的条件下，应用到液晶显示器(LCD)的反射和再发射技术对于LCD来说是很有效的。可是当使用该技术时，在弱外界光的条件下需要背光，这导致显示器尺寸的增加和能耗的增加。
美国出版的专利申请2002 0027537A1中公开了在发射和再发射模式下都可工作的OLED的结构。PQD具有类似OLED的结构，并且可以在不需背光的发射模式和再发射模式下工作。
从美国专利6,157,356，5,952,789和6,518,700可以了解激励OLED的驱动电路。所有这些驱动电路的缺点在于它们只能实现OLED操作的发射模式。在强外界光的情况下，发射模式需要大电流以激励OLED元素。该大电流要求导致了制作费用的增加。
发明内容
本发明提供了用于驱动矩阵显示面板的电路，在该面板中光致发光熄灭设备(PQD)在发射模式和再发射模式下都可工作，从而在强外界光的条件下，以低电流提供满意的亮度，因此可以减少该显示面板和使用该电路的显示装置的能耗和制作成本。
根据本发明的一个方面，这里提供了一种用于在使用PQD的矩阵显示面板中驱动PQD的电路，其中每个PQD是在扫描线和数据线的交点处的一个像素。用于驱动PQD的电路包含激励晶体管和驱动晶体管。激励晶体管可以根据连接到该电路的扫描线的电压被接通，当接通时，输出连接到该电路的数据线的电压。驱动晶体管连接在基准电压端子和由该电路驱动的PQD之间。当激励晶体管接通时，根据数据线的电压，施加在基准电压端子的电压被施加到PQD的正极。在发射模式中，当驱动晶体管接通时，在PQD的正极和负极之间施加一正向电压，使得PQD发光。在再发射模式中，当驱动晶体管关断时，在PQD的正极和负极之间不施加电压，所以PQD通过光致发光产生光。
使用本发明的电路，根据电路中相应的激励和驱动晶体管的操作，PQD可以工作在发射模式和再发射模式。换句话说，由相应的驱动电路驱动的矩阵显示器中的每个PQD在弱外界光的条件下工作在发射模式，而在强外界光的条件下可以工作在再发射模式。相应地，在强外界光和低电流的条件下可以产生满意的亮度，从而减少显示器的能耗和制作成本。
根据本发明的另一方面，提供了一种包含矩阵显示面板和多个驱动电路的矩阵显示装置。该矩阵显示面板包括PQD，每个PQD是在扫描线和数据线的交点处的一个像素。在发射模式，每个驱动电路根据灰度值在相应的PQD的正极和负极之间施加一正向电压，而在再发射模式中，根据灰度值在相应的PQD的正极和负极之间施加一反向电压。
根据本发明的另一方面，光致发光熄灭设备有正极和负极并被定义为在扫描线和数据线的交点处的一个像素，用于驱动该设备的电路包括激励晶体管，该晶体管有一个连接到扫描线的控制电极和一个连接到数据线的输出电极，根据扫描线的电压，该激励晶体管被接通，并且当接通时，输出数据线电压；和驱动晶体管，该晶体管有一个连接到激励晶体管输出电极的控制电极，该驱动晶体管连接在该电路的基准电压端子和PQD之间，并且当激励晶体管接通时，根据数据线的电压，施加在基准电压端子的电压被施加到PQD的正极，其中在PQD工作的发射模式中，当驱动晶体管被接通，在PQD的正极和负极之间施加一正向电压，使得PQD发光，而在再发射模式中，当驱动晶体管被关断，在PQD的正极和负极之间不施加电压，所以PQD通过光致发光产生光。
根据本发明的另一方面，矩阵显示装置包括多个扫描线；多个数据线，该数据线和扫描线垂直相交；多个光致发光熄灭设备，每个PQD有一个正极和一个负极，定义一个像素，分别位于一根扫描线和一根数据线的交点；多个驱动电路，每个驱动电路驱动一个相应的PQD，并且在该相应PQD工作的发射模式中，每个驱动电路根据灰度值在该相应PQD的正极和负极之间施加一正向电压，而在该相应PQD工作的再发射模式中，根据灰度值在该相应的PQD的正极和负极之间施加一反向电压。
另外，在该矩阵显示设备中，每个驱动电路包括一个激励晶体管，该晶体管有一个连接到各个扫描线的控制电极和一个连接到各个数据线的输出电极，根据各个扫描线的电压，激励晶体管被接通，并且当接通时，输出各个数据线电压；和驱动晶体管，该晶体管有一个连接到激励晶体管输出电极的控制电极，该驱动晶体管连接在该驱动电路的基准电压端子和相应PQD之间，并且当激励晶体管接通时，根据各个数据线的电压，将施加在基准电压端子的电压施加到相应PQD的正极。
在这些驱动电路中，各个存储电容器被连接在各个驱动晶体管的控制电极和输出电极之间。
附图简述通过参考附图，详细描述本发明的优选实施例，本发明的以上和其它特征和优点将变得显而易见，其中
图1是一种典型的光致发光熄灭设备的截面图；图2A是图1中所示PQD以发射模式工作的示意图；图2B是图1中所示PQD以再发射模式工作的示意图；图3是根据本发明的一个实施例，用于驱动图1中所示PQD的驱动电路的方框图；
图4是包含图3中所示的驱动电路的3×3 PQD矩阵显示面板的方框图；图5是图3中所示驱动电路的详细方框图；图6是图5中所示驱动电路的框图，该驱动电路包括P-沟道薄膜多晶硅场效应晶体管(FET)；图7和图8是包含图5中所示的驱动电路的3×3 PQD矩阵显示面板的详细方框图；图9是显示图6所示驱动电路中信号的电压波形的时序图。
发明详述参考图1，将详细描述一种典型的光致发光熄灭设备的结构。可透光的正极2置于透明衬底6上。空穴注入层3置于可透光的正极2上。发射材料层4置于空穴注入层3上。负极1位于发射材料层4上。当聚合体材料被用于空穴注入层3和发射材料层4时，通过使用旋转涂覆技术，溅射，刮刀施工和撒布(spreading)，和喷墨印刷工艺扩散聚乙烯二氧噻吩(PBDOT)，聚苯乙烯砜酸，和聚苯胺可形成空穴注入层3。通过聚亚苯乙烯和聚芴的旋转涂覆，喷溅，刮刀施工，刮擦沉积，撒布，和喷墨印刷，可形成发射材料层4。当低分子量材料被用于活性层，即空穴注入层3和发射材料层4，通过使用金属掩膜蒸镀，可形成活性层3和4。在图1中标号5表示入射光，标号7表示出射光。
参考图2A，示出PQD的发射模式操作，电荷载体被注入PQD，并经由激发态再结合(5a)，伴随着光发射(7a)。在图2A中，参考字符6a表示作为中间态形成的激发态。空穴经由正极2注入(3a)，该正极可能是氧化铟锡(ITO)或ITO和导电聚合物如PEDOT的混合物。电子经由金属负极1如钙或铝注入(4a)。负极1可包括提供阻挡作用的无机材料隔离层，使得最佳电荷注射发生。电流源连接在PQD的正极2和负极1之间。电流导致电致发光材料发光。在该发射模式中，电流源正向连接到PQD。
参考图2B，示出PQD的再发射模式操作，外部光5b经由图1中所示的发射材料层4射入，并转换成再发射的光致发光的光7b。换句话说，显示元件以光致发光熄灭模式工作。在该光致发光熄灭模式中，有机材料的光致发光发射可能被反向电场抑制，即熄灭。在初始阶段，发射材料层4被外部光5b光激发。当光致发光发射发生时，激发态在几个纳秒中衰减。发射光的颜色取决于发射材料。
当在PQD正极2和负极1之间施加反向电压时，在发射材料层4中产生电场。在光致发光发射发生前，该电场分离激发态6a。这样激发态的总量减少了，并因此减少光致发光的光密度。相应地，光致发光发射的密度可由施加的电压控制。没有施加电压时，光致发光发射的密度最大。对照量子效率，光致发光熄灭模式有显著的优势。在每个被熄灭的激励中，一对电荷载体3b和4b相继在正极2和负极1中被吸收。同时，如果使用标准单态发射材料，在发射模式中，一个被激发的单态的产生将需要从触点注入至少四个电荷载体对。
图3是用于驱动图1所示PQD的依照本发明一个实施例的驱动电路的方框图。激励电路215被连接到扫描线260，数据线250，和基准电压端子230。PQD200被连接在激励电路215和负电压端子240之间。
在行扫描过程中，通过同时施加扫描电压到扫描线260和施加数据电压到数据线250，对于发射模式操作，激励电路215施加一正向电压在PQD200的正极和负极之间，而对于光致发光熄灭操作，施加一反向电压在PQD200的正极和负极之间。对于这些操作，在基准和负极电压端子230和240上必须施加合适的电压。标号201表示施加在PQD正极和负极之间的电压。更具体地说，在发射模式工作操作中，标号201表示施加的正向电压，在再发射操作即熄灭操作过程中，表示施加的反向电压。
当多个驱动电路被连接到N根扫描线和M根数据线的各个交点时，可以构成一个N×M矩阵显示面板。图4示出了应用到3×3 PQD矩阵显示面板的图3中所示的驱动电路。在每个扫描周期中，扫描线260a，260b，和260c相继被激励，以便经由激励电路215使用PQD 200再造视频信息。在每个扫描周期中，依照视频信息，控制电压被施加到数据线250a，250b，和250c。通过反复不变的扫描，视频信息被再造为PQD矩阵显示面板上的影像。
图5是图3中所示的驱动电路的详细方框图。第一电路310被连接到扫描线360和数据线350。第二电路320被连接到第一电路310，PQD 300，和基准电压端子330。该PQD 300被连接在第二电路320和负极电压端子340之间。以下描述涉及施加到基准电压端子330和该驱动电路的单独节点的电压。
在基准电压端子330施加零电压。相对PQD 300的正极而言，负极电压端子340在PQD 300的发射模式操作中有负极性，而在PQD 300的再发射模式操作中有正极性。在图5中，标号301，341，351，和361表示在发射模式和再发射模式施加的电压。更具体地说，标号301表示在PQD 300的正极和负极之间施加的电压波形。标号341表示施加到负极电压端子340的电压波形图。标号351表示施加到数据线350的电压波形图。标号361表示施加到扫描线360的电压波形图。
在行扫描过程中，当负扫描电压施加到扫描线360时，施加到数据线350的电压经由被激励时的第一电路310施加到第二电路320。第二电路320将被施加到基准电压端子330的电压Ub施加到PQD 300的正极。因为负电压Uc被施加到PQD 300的负电压端子340，所以正向电压被施加在PQD 300的正极和负极之间。相应地，PQD 300发光，对应一个亮的像素。假如零电压而不是负电压施加到数据线350，则零电压被施加到PQD 300，因此该PQD 300不发光，对应一个暗的像素。
即使通过施加零电压到扫描线360使第一电路310不激活，不管数据线350上的电压怎样，在PQD 300上的电压保持不变，直到下一个行扫描过程。
再发射模式假定存在足够的用于光致发光的外界光。在行扫描过程中，零电压被施加到连接到第一电路310的扫描线360上，正电压Uc被施加到PQD 300的负电压端子340。在这些条件下，假如零电压被施加到数据线350，第二电路320在PQD 300的正极和负极之间施加一相反电压，用以光致发光熄灭。相应地，该PQD对应一暗的像素。假如正电压而不是零电压施加到数据线350上，则没有电压施加在PQD 300的正极和负极之间，因此该PQD由于光致发光而对应一亮的像素。
即使通过施加一正电压到扫描线360来关断第一电路310，不管数据线上的电压怎样，在该PQD 300上的电压仍然不变，直到下一个行扫描过程。
图6是图5中所示驱动电路的框图，该驱动电路包括P-沟道薄膜多晶硅场效应晶体管(FET)。为简洁起见，我们只谈到基于P-沟道薄膜多晶硅FET的像素电路。也可使用基于N-沟道薄膜多晶硅FET或N-沟道和P-沟道薄膜多晶硅FET的混合。
参考图6，根据本发明的PQD 400的驱动电路包括作为第一电路的激励晶体管411和作为部分第二电路的驱动晶体管421。
激励晶体管411的栅极被连接到扫描线460。激励晶体管411的源极被连接到数据线450。驱动晶体管421提供发射和再发射模式所需的电压和电流到PQD400。驱动晶体管421的栅极连接到激励晶体管411的漏极。驱动晶体管421的源极连接到基准电压端子430，而漏极连接到PQD400。存储电容器422连接在驱动晶体管421的栅极和源极之间。施加到基准电压端子的电压被称作基准电压。在本发明一个实施例中，施加零电压作为基准电压。
在发射模式的行扫描过程中(在下面描述中对应于图9的时间段A和B)，当施加一负电压到扫描线460时，激励晶体管411被接通，因此数据线450上的负电压被施加到驱动晶体管421的栅极。该驱动晶体管421被接通，并因此在PQD 400的负极440施加负电压，使得在该PQD 400的正极和负极之间施加一正向电压。相应地，该PQD发光并对应一个亮的像素。假如零电压被施加到数据线450，驱动晶体管421被关断，因此在该PQD 400的正极和负极之间没有施加电压。相应地，该PQD对应一个暗的像素。
即使通过施加零电压到扫描线来关断激励晶体管411，不管数据线450上的电压怎样，施加到该PQD 400上的电压持续不变地施加到PQD 400上，直到下一个扫描过程。存储电容器422维持施加到驱动晶体管421栅极和源极的电压不变，直到下一个扫描过程。在发射模式中，为了接通两个晶体管411和421，扫描线460的电压必须小于数据线450的电压和激励晶体管411的阈值电压之和，并且数据线450的电压必须小于驱动晶体管421的阈值电压。
表1总结了发射模式中施加到P-沟道薄膜多晶硅FET的电压的功能，该FET的阈值电压为-2.5V。
表格1
再发射模式(对应于图9中的时间范围C和D)假定存在足够的用于光致发光的外界光。在行扫描过程中，假如当一正电压被施加到PQD400的负极440时施加零电压到扫描线460，激励晶体管411将被接通。假如零电压被施加到数据线450，驱动晶体管421被接通，因此在该PQD 400的正极和负极之间施加一个用于光致发光熄灭的反向电压。相应地，该PQD 400对应一个暗的像素。假如一个正电压代替零电压被施加到数据线450上，那么在该PQD 400的正极和负极之间没有施加电压。相应地，光致发光发生，该PQD 400对应一个亮的像素。
即使通过施加一正电压到扫描线460来关断激励晶体管411，不管数据线450上的电压怎样，施加到该PQD 400上的电压持续不变地施加到PQD 400上，直到下一个扫描过程。存储电容器422维持施加到驱动晶体管421栅极和源极的电压不变，直到下一个扫描过程。在再发射模式中，为了关断激励晶体管411，扫描线460的电压必须大于数据线450的电压。为了关断驱动晶体管421，数据线450的电压必须大于负极440的电压和驱动晶体管421的阈值电压之差。
表2总结了再发射模式中施加到P-沟道道薄膜多晶硅FET的电压的功能，该FET的阈值电压为-2.5V。
表格2
图7和8示出了应用到3×3 PQD矩阵显示面板的图5中所示的驱动电路。图7中，用于产生驱动信号的扫描驱动器520和数据驱动器530和PQD矩阵500一起位于显示面板510内。图8中，PQD矩阵600位于显示面板610内，而扫描驱动器620和数据驱动器630位于显示面板61D外。
图9示出了图6所示驱动电路中信号的电压波形。在图9中，参考字符Sc表示施加到PQD 400的负极440的电压波形。参考字符Ss表示施加到扫描线460上的电压波形。参考字符SD表示施加到数据线450上的电压波形。参考字符Sp表示施加在PQD 400的正极和负极之间的电压波形。波形的高低对应于施加到基准电压端子430的电压。0V电压被施加到基准电压端子430。在时间段A和B，发射模式操作是有可能的。在时间段C和D，再发射模式操作是有可能的。PQD 400的亮度取决于所施加的正向和反向电压。换句话说，在发射模式，根据PQD 400的灰度值，在每个PQD 400的正极和负极之间施加一个正向电压。在再发射模式中，根据PQD 400的灰度值，在每个PQD 400的正极和负极之间施加一个反向电压。在发射模式中施加在每个PQD 400的正极和负极之间的正向电压的绝对值与PQD 400的灰度值成比例。在再发射模式中施加在每个PQD 400的正极和负极之间的反向电压的绝对值与PQD 400的灰度值成反比。相应地，显示单元的灰度值可由控制电压，即数据电压控制。换句话说，根据本发明可以在显示面板上产生灰度显示。同时，对照图6中的电路，该晶体管的源极和漏极可以互换。
如上所述，依照本发明的驱动电路，根据该驱动电路激励晶体管的工作情况和驱动晶体管的工作情况，在发射模式和再发射模式都可控制PQD。在弱外界光下，该PQD可工作在发射模式，而在强外界光条件下，可工作在再发射模式。相应地，在强外界光条件下，可以以低电流获得满意的亮度，从而可以降低包含PQD和驱动电路的显示器的能耗和制造费用。
本发明不限于上述实施例，很明显，那些本领域的技术人员可以在不偏离本发明的精神的情况下进行各种变化。
权利要求
1.用以驱动光致发光熄灭设备(PQD)的电路，该设备有一个正极和一个负极，并被定义为在扫描线和数据线交点上的一个像素，该电路包含激励晶体管，该晶体管有一个连接到扫描线的控制电极和一个连接到数据线的输入电极，根据扫描线的电压，该激励晶体管被接通，并且当接通时，输出数据线电压；和驱动晶体管，该晶体管有一个连接到激励晶体管输出电极的控制电极，该驱动晶体管连接在该电路的基准电压端子和该PQD之间，并且当激励晶体管接通时，根据数据线的电压，将施加在基准电压端子的电压施加到该PQD的正极，其中在该PQD的发射模式操作中，当驱动晶体管被接通时，在该PQD的正极和负极之间施加一正向电压，使得该PQD发光，而在该PQD的再发射模式操作中，当驱动晶体管被关断时，在该PQD的正极和负极之间不施加电压，所以该PQD通过光致发光产生光。
2.权利要求1中的电路，其中，在发射模式，相对于施加到基准电压端子的电压，施加一个负电压到PQD的负极。
3.权利要求2中的电路，其中，在再发射模式，相对于施加到基准电压端子的电压，施加一个正电压到PQD的负极。
4.权利要求1中的电路，其中激励晶体管和驱动晶体管是场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管拥有作为控制电极的栅极，和作为输入和输出电极的源极和漏极。
5.权利要求4中的电路，其中激励晶体管和驱动晶体管是P-沟道FET。
6.权利要求5中的电路，其中基准电压端子被连接到驱动晶体管的源极，并包括一个连接在该驱动晶体管的栅极和源极之间的存储电容器。
7.权利要求6中的电路，其中该激励晶体管的栅极被连接到扫描线。
8.权利要求7中的电路，其中该激励晶体管的源极被连接到数据线。
9.权利要求8中的电路，其中该驱动晶体管的栅极被连接到该激励晶体管的漏极。
10.权利要求9中的电路，其中该驱动晶体管的漏极被连接到该PQD的正极。
11.权利要求1中的电路，其中，在发射模式，当该驱动晶体管被关断，并且在该PQD的正极和负极之间不施加电压时，该PQD不发光。
12.权利要求1中的电路，其中，在再发射模式，当该驱动晶体管被关断，并且在该PQD的正极和负极之间施加一个反向电压时，该PQD不发光。
13.一种矩阵显示装置包含多根扫描线；多根数据线，与扫描线垂直相交；多个光致发光熄灭设备(PQD)，每个PQD有一个正极和一个负极，定义一个像素，并分别位于一根扫描线和一根数据线的交点处；和多个驱动电路，每个驱动电路驱动一个相应的PQD，并且在该相应PQD工作的发射模式中，根据灰度值在该相应PQD的正极和负极之间施加一正向电压，而在该相应PQD工作的再发射模式中，根据灰度值在该相应的PQD的正极和负极之间施加一反向电压。
14.权利要求13中的矩阵显示装置，其中在发射模式中施加在该相应PQD的正极和负极之间的正向电压的绝对值和灰度值成正比。
15.权利要求13中的矩阵显示装置，其中在再发射模式中施加在该相应PQD的正极和负极之间的反向电压的绝对值和灰度值成反比。
16.权利要求13中的矩阵显示装置，其中每个驱动电路包含激励晶体管，该晶体管有一个连接到各个扫描线的控制电极和一个连接到各个数据线的输入电极，根据各个扫描线的电压，该激励晶体管被接通，并且当接通时，输出根据各个数据线的电压；和驱动晶体管，该晶体管有一个连接到激励晶体管输出电极的控制电极，该驱动晶体管连接在该驱动电路的基准电压端子和该相应PQD之间，并且当该激励晶体管接通时，根据各个数据线的电压，将施加在基准电压端子的电压施加到该相应PQD的正极。
17.权利要求16中的矩阵显示装置，其中，在发射模式中，相对于施加到驱动电路基准电压端子上的电压，该相应驱动电路施加一个负电压到该相应PQD的负极。
18.权利要求17中的矩阵显示装置，其中，在再发射模式中，相对于施加到驱动电路基准电压端子上的电压，该相应驱动电路施加一个正电压到该相应PQD的负极。
19.权利要求16中的矩阵显示装置，其中每个驱动电路的激励晶体管和驱动晶体管都是场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管拥有作为控制电极的栅极，和作为输入和输出电极的源极和漏极。
20.权利要求19中的矩阵显示装置，其中基准电压端子被连接到该驱动电路的驱动晶体管的源极，并且每个驱动电路包括相应的存储电容器，该电容器连接在各个驱动电路的驱动晶体管的栅极和源极之间。
全文摘要
用于驱动平板显示器中的光致发光熄灭设备(PQD)的电路，包括激励晶体管和驱动晶体管，其中每个PQD定义扫描线和数据线交点上的一个像素。根据数据线的电压，该激励晶体管被接通并输出数据线电压。该驱动晶体管被连接在该电路的基准电压端子和PQD之间。当激励晶体管被接通时，根据数据线上的电压，驱动晶体管将施加在基准电压端子的电压施加到PQD的正极。在PQD的发射模式中，当驱动晶体管被接通时，在该PQD的正极和负极之间施加一正向电压，使得该PQD发光。在再发射模式中，当驱动晶体管被关断，在该PQD的正极和负极之间不施加电压，因此该PQD通过光致发光而发光。
文档编号G09G3/30GK1477609SQ031786
公开日2004年2月25日 申请日期2003年7月18日 优先权日2002年8月23日
发明者M·雷德克, J·菲彻尔, M 雷德克, 苟 申请人:三星Sdi株式会社