专利名称：显示装置、用于驱动该显示装置的装置及驱动该显示装置的方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置、一种用于驱动该显示装置的装置、以及一种驱动该显示装置的方法。
背景技术：
个人电脑和电视机的近期趋势要求更轻更薄的显示装置。满足上述要求的平板显示器已替代了传统的阴极射线管显示器。
平板显示器包括液晶显示器、场致放射显示器、有机发光装置、等离子显示面板等。
一种类型的平板显示器是有源矩阵平板显示器。有源矩阵有机发光装置包括排列在矩阵结构中多个像素，并且通过基于表示预期图像的亮度信息来控制像素的亮度而显示图像。有机发光装置是具有低功耗、宽视角、及快速响应时间的自发射显示装置。
有机发光装置包括有机发光元件和连接至该有机发光元件的至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括作为半导体层的诸如多晶硅、非晶硅等各种状态的硅。薄膜晶体管的使用产生了反冲效应(kick back effect)和泄漏电流，其中泄漏电流造成串扰现象。
发明内容
根据本发明的实施例，显示装置具有多个像素，且每个像素均包括开关晶体管；多条扫描线，连接至像素的开关晶体管；以及多条数据线，连接至开关晶体管。扫描线传输用于接通开关晶体管的栅极接通电压和用于断开开关晶体管的栅极断开电压。数据线传输数据电压。栅极接通电压基本上和数据电压的最大值相同。栅极接通电压是基于数据电压的最大值确定的。
确定栅极接通电压，使得至少一个像素在数据电压的最大值下具有基本上最大的亮度。
栅极接通电压遵循以下公式Vdm-α≤Von≤Vdm+β其中，Von是栅极接通电压，Vdm是数据电压的最大值，而α和β分别是正数。α约为3，且β约为3。可替换地，α约为3，而β约为6。数据电压的最大值在约10V至约15V的范围内。
根据本发明的另一实施例，提供了用于驱动显示装置的装置，所述显示装置具有多个像素，且每个像素均包括开关晶体管；多条扫描线，连接至像素的开关晶体管；以及多条数据线，连接至开关晶体管。扫描线传输用于接通开关晶体管的栅极接通电压和用于断开开关晶体管的栅极断开电压。数据线传输数据电压。用于驱动显示装置的装置包括产生栅极接通电压和栅极断开电压的驱动电压发生器、将栅极接通电压传输到扫描线的扫描驱动器、以及将数据电压传输到数据线的数据驱动器。栅极接通电压基本上和数据电压的最大值相同。栅极接通电压是基于数据电压的最大值确定的。
根据本发明的另一实施例，显示装置被驱动。显示装置具有多个开关晶体管、具有所述开关晶体管的多个像素、连接至开关晶体管的多条扫描线、以及连接至开关晶体管的多条数据线。扫描线传输用于接通开关晶体管的栅极接通电压和用于断开开关晶体管的栅极断开电压。数据线传输数据电压。在该方法中，产生栅极接通电压和栅极断开电压。栅极接通电压基本上和数据电压的最大值相同。栅极接通电压被传输到扫描线，而数据电压被传输到数据线。
通过参照附图对示例性实施例的详细描述，本发明的上述和其它优点将变得更显而易见，附图中图1是根据本发明实施例的有机发光装置的框图；图2是根据本发明实施例的有机发光装置的等效电路图；图3是根据本发明实施例的有机发光装置的横截面图；图4是根据本发明实施例的有机发光装置的示意性横截面图；图5是示出了根据本发明实施例的有机发光装置的驱动电流与栅极接通电压之间关系的曲线图；图6是示出了根据本发明实施例的有机发光装置的数据电压与栅极接通电压之间关系的曲线图；图7是有机发光装置中的用于测试串扰现象的图像模式；以及图8是示出了取决于栅极接通电压的图7区域的亮度的曲线图。
具体实施例方式
下面将参照示出了本发明实施例的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以以各种不同形式体现，不应认为其局限于文中所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使描述更彻底和全面，并将本发明的范围完全转达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。
应该理解的是，当元件或层被表示为处于另一个元件或层的“上面”、“连接于”或“接合于”另一个元件或层时，它可以直接位于其它元件或层的上面、连接于或接合于另一个元件或层，或者也可存在插入元件或层。相反，当元件表示为“直接”处于另一个元件的“上面”、“直接连接于”或“直接接合于”另一个元件或层时，则不存在插入元件或层。在全文中相似的附图标号表示相似的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个有关的所列项目中的任何一个及其所有组合。
可以理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，以下所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分，在不背离本发明宗旨的情况下，也可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于说明，这里可使用诸如“下方”、“下面”“下部”“上面”、“上”等空间关系术语，以描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。可以理解的是，除图中所示的方位之外，空间关系术语还应包括使用或操作中的装置的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为位于其它元件或特征“下面”或“下方”的元件将位于所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下面”可包含上面和下面两种方位。所述装置也可以以其它方式定位(转动90度或其它方位)，而文中所用空间相对关系描述可作相应解释。
这里所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不用于限制本发明。除非上下文中清楚地指明，否则在文中使用时，单数形式“a”“an”和“the”也可以包括复数形式。还可以理解，当用于本说明书时，术语“包括(comprises和/或comprising)”表明存在所述的零件、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它零件、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
这里，参照横截面图对本发明的实施例进行描述，这些横截面图是本发明的理想化实施例(和中间结构)的示意图。因此，可以预见到由于例如制造技术和/或制造公差所导致的图中形状的改变。因此，本发明的实施例不应该被理解为限于这里所示出的区域的特定形状，而是应该包括例如由于制造而产生的形状上的偏差。例如，示为矩形的植入区域通常在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或植入浓度梯度，而不具有从植入区域到非植入区域的双重变化。同样地，通过植入形成的埋藏区域可能导致在埋藏区域与进行植入所经过的表面之间的区域内的一些植入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，不应认为它们的形状示出了装置的区域的真实形状，也不应认为其限制本发明的范围。
除非另外限定，否则文中所使用的所有术语(包括技术性和科学性术语)都具有本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。还应该理解的是，除非特别限定，否则应认为诸如限定在通用词典中的那些术语具有与其相关领域范围内相符的含义，而不应认为其具有理想化或过于正式的意思。
下面，将参照图1和图2详细描述根据本发明一个实施例的有机发光装置。
图1是根据本发明实施例的有机发光装置的框图。图2是根据本发明实施例的有机发光装置的等效电路图。
如图1所示，有机发光装置具有显示面板300、连接至显示面板300的扫描驱动器400、连接至显示面板300的数据驱动器500、连接至扫描驱动器400的驱动电压发生器700、连接至数据驱动器500的灰度级电压发生器800、以及信号控制器600。
显示面板300具有多条信号线G1-Gn、D1-Dm以及多个像素PX。排列在矩阵结构中的多个像素PX连接至信号线G1-Gn、D1-Dm。
扫描信号线G1-Gn沿水平方向大体上相互平行。数据信号线D1-Dm沿竖直方向大体上相互平行。
参照图2，连接至扫描信号线Gi和数据线Dj的像素具有有机发光元件LD、驱动晶体管Qd、电容器Cst、以及开关晶体管Qs。
驱动晶体管Qd具有连接至开关晶体管Qs和电容器Cst的控制端子、连接至电源电压Vdd的输入端子、以及连接至有机发光元件LD的输出端子。
开关晶体管Qs具有连接至扫描信号线Gi的控制端子、连接至数据线Dj的输入端子、以及连接至电容器Cst和驱动晶体管Qd的输出端子。
电容器Cst连接在开关晶体管Qs与电源电压Vdd之间。电容器Cst将通过数据线Dj和开关晶体管Qs提供的数据电压保持一段时间。
有机发光元件LD具有连接至驱动晶体管Qd的阳极和连接至共用电压Vcom的阴极。有机发光元件LD根据从驱动晶体管Qd中供应的输出电流ILD的强度发光。输出电流ILD的强度取决于驱动晶体管Qd的控制端子与驱动晶体管Qd的输出端子之间的电压。
在一些实施例中，开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd分别是具有非晶硅或多晶硅的n型电场效应晶体管(FET)。在一些实施例中，开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd分别是p型电场效应晶体管。p型晶体管的操作、电压和电流与n型晶体管的操作、电压和电流相反。
下面将参照图3和图4详细描述图2的驱动晶体管Qd和有机发光元件LD。
图3是根据本发明实施例的有机发光装置的横截面图。图4是根据本发明实施例的有机发光装置的示意性横截面图。
控制电极124形成在绝缘基板110上。控制电极124可以包含诸如铝或铝合金的铝基金属、诸如银或银合金的银基金属、诸如铜或铜合金的铜基金属、诸如钼或钼合金的钼基金属、铬、钛、钽、或其合金。在一些实施例中，控制电极124可以具有至少两层。一层可以包含减少信号延迟或电压降的低电阻率金属，诸如铝基金属、银基金属、或铜基金属。另一层可以包含在物理、化学、或电学方面具有良好接触特性的氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在一些实施例中，控制电极124包括铬或铬合金的下层和铝或铝合金的上层。在一些实施例中，控制电极124包括铝或铝合金的下层和钼或钼合金的上层。在一些实施例中，控制电极124包括钼或钼合金的下层、铝或铝合金的中间层以及铝或铝合金的上层。控制电极124的材料不局限于上面的材料，并且控制电极124可以包含各种其它金属或传导材料。
控制电极124相对于绝缘基板110的表面是倾斜的，并且倾斜角度在约30至约80度的范围内。
绝缘层140形成在控制电极124上。绝缘层140包含无机材料，诸如氮化硅或氧化硅。绝缘层140还可以包含有机材料。
半导体154形成在绝缘层140上。半导体154包含氢化非晶硅或多晶硅。
一对欧姆接触件163和165形成在半导体154上。欧姆接触件163和165可以包含硅化物或大量掺杂如磷的n型杂质的n+氢化a-Si。
半导体154和欧姆接触件163、165的侧部相对于绝缘基板110的表面是倾斜的，并且倾斜角度在约30至约80度的范围内。
输入电极173和输出电极175形成在欧姆接触件163、165和绝缘层140上。输入电极173和输出电极175可以包含难熔金属，诸如铬、钼、钽、或其合金。输入电极173和输出电极175也可以具有包括难熔金属膜和低电阻率膜的至少两层。在一些实施例中，输入电极173和输出电极175包括下部Cr/Mo(合金)膜和上部Al(合金)膜；下部Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上部Mo(合金)膜。输入电极173和输出电极175相对于绝缘基板110的表面是倾斜的，并且倾斜角度在约30至约80度的范围内。
输入电极173和输出电极175彼此隔开，并被设置成关于控制电极124相对。控制电极124、输入电极173、输出电极175和半导体154构成薄膜晶体管。
欧姆接触件163和165仅介于半导体条与上面的电极173、175之间。欧姆接触件163和165减小半导体154与输入电极173之间的接触电阻以及半导体154与输出电极175之间的接触电阻。半导体154包括未被输入电极173和输出电极175覆盖的露出部分。
钝化层180形成在输入电极173、输出电极175、半导体154的露出部分、以及绝缘层140上。在一些实施例中，钝化层180包含诸如氮化硅或氧化硅的无机材料、有机材料、或低介电常数绝缘材料。低介电常数绝缘材料具有低于4.0的介电常数。低介电常数绝缘材料的实例包括通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O或a-Si:O:F。在一些实施例中，钝化层180可以包含感光材料。
钝化层180具有露出输出电极175一部分的接触孔185。
像素电极191形成在钝化层180上。像素电极191通过接触孔185物理和电连接至输出电极175。像素电极191可以包含透明传导材料，诸如氧化铟锡或氧化铟锌。像素电极191还可以包含反射金属层，诸如Cr、Ag、Al、或其合金。
隔离件(Partition)361形成在钝化层180上。隔离件361围住像素电极191的外围，以限定开口。隔离件361包含有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。
有机发光件370形成在像素电极191上。有机发光件370具有至少两层，包括发射层EML和用于改进发射效率的辅助层。辅助层的实例包括电子传输层(ETL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)、空穴注入层(HIL)、空穴阻挡层(HBL)、或其组合。
将被供以共用电压Vcom的共用电极270形成在有机发光件370和隔离件361上。当像素电极191为透明的时，共用电极270可以包含包含Ca、Ba、和/或Al的金属。共用电极270可以包含透明传导材料，诸如ITO和/或IZO。
在朝向显示面板300顶部发光的顶部发射有机发光装置中，采用不透明像素电极191和透明共用电极270的组合。在朝向显示面板300底部发光的底部发射有机发光装置中，采用透明像素电极191和不透明共用电极270的组合。
像素电极191、有机发光件370和共用电极270构成以像素电极191作为阳极和以共用电极270作为阴极(反之亦然)的有机发光元件LD。有机发光元件LD根据有机发光件370的材料唯一地发射基色光。示例性基色组包括三基色红色、绿色、和蓝色。图像的显示通过三基色的添加而实现。在一些实施例中，有机发光元件LD发射白光，并且通过滤色器显示基色光。
返回来参照图1和图2，驱动电压发生器700产生用于接通开关晶体管Qs的栅极接通电压Von和用于断开开关晶体管Qs的栅极断开电压Voff。驱动电压发生器700还可以产生共用电压Vcom和电源电压Vdd。在一个实施例中，栅极接通电压Von具有基本与最大灰度级下的数据电压(在下文中，称之为最大数据电压Vdm)相同的数值。栅极断开电压Voff具有低至足以将开关晶体管Qs保持在断开状态的数值。
灰度级电压发生器800产生用于确定像素PX亮度的灰度级电压的集合(或标准灰度级电压的集合)。
扫描驱动器400连接至扫描信号线G1-Gn。扫描驱动器400从驱动电压发生器700接收栅极接通电压Von和栅极断开电压Voff，并将具有栅极接通电压Von和栅极断开电压Voff的扫描信号传输到扫描信号线G1-Gn。
数据驱动器500连接至数据线D1-Dm。数据驱动器500从灰度级电压发生器800选择灰度级电压，并将该灰度级电压作为一种形式的数据电压传输到数据线D1-Dm。当灰度级电压发生器800提供一定量的标准灰度级电压取代全灰度级电压(all gray scale voltages)时，数据驱动器500将标准灰度级电压转换成全灰度级电压并选择适当的数据电压。
信号控制器600控制扫描驱动器400和数据驱动器500。
扫描驱动器400、数据驱动器500、信号控制器600、驱动电压发生器700和灰度级电压发生器800可以包含在安装于显示面板300上的集成电路(IC)芯片中。在一些实施例中，扫描驱动器400、数据驱动器500、信号控制器600、驱动电压发生器700和灰度级电压发生器800可以与信号线G1-Gn和D1-Dm以及晶体管Qd和Qs一起直接集成在显示面板300上。
下面，返回来参照图1和图2，将详细描述根据本发明实施例的有机发光装置的操作。
信号控制器600从外部图形控制器接收诸如红(R)、绿(G)、蓝(B)信号的输入图像信号和输入控制信号。输入图像信号具有关于每个像素亮度的信息。该亮度具有诸如1024(＝210)、256(＝28)或64(＝26)的预定量的灰度级。输入图像信号还包括竖直同步信号Vsync和水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据启动信号DE。
信号控制器600根据显示面板300和数据驱动器500的操作状态处理输入图像信号R、G、B。之后，信号控制器600产生扫描控制信号CONT1和数据控制信号CONT2。信号控制器600将扫描控制信号CONT1发送至扫描驱动器400。信号控制器600将数据控制信号CONT2和所处理的图像信号DAT发送至数据驱动器500。作为数字信号的图像信号DAT具有预定量的灰度级。
扫描控制信号CONT1包括用于开始扫描的扫描起始信号(未示出)和用于控制栅极接通电压Von的输出时间的至少一个时钟信号(未示出)。扫描控制信号CONT1可以包括多个用于限定栅极接通电压Von持续时间的允许输出信号(未示出)。
数据控制信号CONT2包括用于开始用于一组像素PX的数据传输的水平同步起始信号(未示出)、命令数据驱动器500向数据线D1-Dm施加数据电压的加载信号(未示出)、以及数据时钟信号(未示出)。
响应数据控制信号CONT2，数据驱动器500从信号控制器600接收一组像素的图像信号DAT。数据驱动器500选择与每个图像信号DAT相对应的灰度级电压，并将图像信号DAT转换成模拟数据电压。所转换的模拟数据电压被传输到相应的数据线D1-Dm。在一些实施例中，数据驱动器500将灰度级电压发生器800所提供的标准灰度级电压进行划分，并产生灰度级电压。数据驱动器500将所产生的灰度级电压作为一种形式的数据电压传输到相应的数据线D1-Dm。
响应扫描控制信号CONT1，扫描驱动器400将栅极接通电压Von提供给扫描线G1-Gn，以接通开关晶体管Qs。之后，数据线D1-Dm中所提供的数据电压通过已触发的开关晶体管Qs被施加到电容器Cst以及驱动晶体管Qd的控制端子。电容器Cst保持数据电压，并且在开关晶体管Qs断开之后保持在电容器Cst中的电压依然维持。因此，驱动晶体管Qd的控制端子与驱动晶体管Qd的输出端子之间的电压可以被保持。
驱动晶体管Qd将输出电流ILD发送至有机发光元件LD。有机发光元件LD发出具有一定强度的光，该强度取决于输出电流ILD。
在水平周期(其由“1H”表示，并等于水平同步信号Hsync和数据启动信号DE的一个周期)的连续单位期间，通过对每条扫描线重复该程序，所有的扫描线G1-Gn都在第一帧期间被顺序地供以栅极接通电压Von，从而将数据电压施加给所有像素。
在下文中，将参照图5和图6描述根据一个实施例的有机发光元件中的栅极接通电压与数据电压之间的关系。
图5是示出了根据本发明实施例的有机发光装置的驱动电流与栅极接通电压之间关系的曲线图。图6是示出了根据本发明实施例的有机发光装置的数据电压与栅极接通电压之间关系的曲线图。
实验1将数据电压Vd定为10V，并且在改变栅极接通电压Von的同时测量驱动晶体管Qd的输出电流ILD。将电源电压Vdd定为16V，并将共用电压Vcom定为0.5V。将栅极断开电压Voff定为-7V，并且栅极接通电压Von与栅极断开电压Voff的占空比(duty cycle)为0.2％。图5中示出了结果。
参照图5，当栅极接通电压Von为10V时，输出电流ILD具有最大值。当栅极接通电压Von大于或小于10V时，输出电流ILD趋于减小。可以设想，在低于10V的栅极接通电压下，通过开关晶体管Qs不能充分地对数据电压Vd充电。在高于10V的栅极接通电压下，反冲电压似乎会影响开关晶体管Qs。
已知输出电流ILD与有机发光元件LD的亮度成比例。最大输出电流ILD表示有机发光元件LD的最大亮度。因此，当栅极接通电压Von为10V时，具有10V数据电压Vd的图5中的有机发光装置具有最大亮度。
实验2进行另一组实验，以发现将数据电压Vd改变为4V、6V、8V、10V、12V和13.5V时具有最大输出电流ILD的栅极电压。其它条件与实验1中的相同。图6中示出了结果。在图6中，X轴表示栅极接通电压Von。左侧Y轴表示数据电压Vd，右侧Y轴表示输出电流ILD。
参照图6，当栅极接通电压分别为约4V、6V、7V、10V、12V和13.5V时，输出电流ILD具有最大值。可推断出，具有基本上与数据电压Vd相同数值的栅极接通电压Von成为最佳栅极接通电压。在该实验中，当数据电压Vd为8V时，一个栅极接通电压Von具有7V的最佳值，这与上述规则略微有些偏差。由于通常的最大数据电压Vdm在10V和15V范围内，因此可以设想，8V数据电压Vd下的偏差可忽略不计。当确定栅极接通电压Von具有基本上与最大数据电压Vdm相同的数值时，采用该栅极接通电压Von的有机发光装置可以具有最大亮度。小于最大灰度级的灰度级的亮度可以基于伽马(gamma)曲线确定。
同时，应用具有接近于最大数据电压Vdm数值的栅极接通电压Von与应用具有与最大数据电压Vdm数值相同的栅极接通电压Von之间的亮度差别不大。因此，可以从一定范围内选择栅极接通电压Von。栅极接通电压Von小于或等于最大数据电压Vdm相差第一值α，并且栅极接通电压Von大于或等于数据电压相差第二值β。栅极接通电压Von的范围由以下公式表示公式Vdm-α≤Von≤Vdm+β其中，Von是栅极接通电压，Vdm是数据电压的最大值，而α和β分别是正数。
根据显示面板300的特征或操作状态确定α和β。在一个实施例中，α约为3且β约为3。在另一实施例中，α约为3而β约为6。
根据上述公式设定的栅极接通电压Von可以应用于具有一些偏差的各种有机发光装置中。
下面将参照图7和8详细描述有机发光装置的栅极接通电压Von与串扰现象之间的关系。
图7是有机发光装置中的用于测试串扰现象的图像模式。图8是示出了取决于栅极接通电压的图7区域的亮度的曲线图。
参照图7，该图像模式具有中央黑色区域PA和外围区域。
已知串扰现象是由开关晶体管Qs被断开时的泄漏电流导致的。当不同的数据电压被施加于连接至一条数据线的相邻像素时，通过断开的开关晶体管泄漏的电流流过数据线，而这影响了相邻驱动晶体管Qd的控制端子的电压。这导致了相邻像素之间颜色亮度的混合。具体地，当相邻像素之间的亮度差较大(诸如图7的图像模式中所示的黑色和白色)时，在一些区域PB中显示出灰色而不是白色。
实验3在显示面板上进行实验，以发现在显示面板显示图7中所示的图像时可以减少串扰现象的栅极接通电压Von。图8中示出了结果。在实验中，用于显示白色的数据电压Vd为13V，且电源电压Vdd为13V。栅极断开电压Voff为-7V，而栅极接通电压Von与栅极断开电压Voff的占空比为0.2％。
在图8中，左侧Y轴表示图7中灰色区域PB和白色区域PC的亮度，右侧Y轴表示灰色区域PB与白色区域PC之间的亮度差。
参照图8，当栅极接通电压Von为与数据电压Vd相同的13V时，白色区域PC具有高亮度。白色区域PC的亮度图的形状与示出了取决于栅极接通电压Von的输出电流ILD的形状的图5相似。同时，具有接近于13V的栅极接通电压Von的亮度与13V栅极接通电压Von下的亮度基本上没有不同。
当栅极接通电压Von为与数据电压Vd相同的13V时，灰色区域PB具有高亮度。灰色区域PB的亮度图的形状也与示出了取决于栅极接通电压Von的输出电流ILD的形状的图5相似。当栅极接通电压Von高于或低于13V时，亮度趋向于减弱。当栅极接通电压Von为13V时，灰色区域PB与白色区域PC之间的亮度差具有最小值。当栅极接通电压Von高于或低于13V时，亮度差趋向于增强。灰色区域PB的越高亮度表示越少的串扰。灰色区域PB与白色区域PC之间的越小亮度差表示越少的串扰。因此，具有与数据电压Vd相同数值的栅极接通电压Von导致较少的串扰，而成为最佳栅极接通电压。
即使栅极接通电压Von不等于最大数据电压Vdm，但确定栅极接通电压Von在公式1的范围内，串扰也不会增加太多。
通常，栅极接通电压Von具有20V至25V的数值，而最大数据电压Vdm具有10V至15V的数值。因此，栅极接通电压Von通常高于最大数据电压。根据本发明的实施例，使用接近于最大数据电压Vdm的栅极接通电压Von可以减少能耗。
在上述实验中，输出电流ILD和亮度值可以根据显示面板300的特征或操作状态而改变。即使在这种情况下，输出电流ILD的特征和取决于栅极接通电压Von的亮度趋势也基本上不会改变。
如上所述，基于最大数据电压的数值设定的栅极接通电压导致高亮度和较少的串扰现象。
已参照有机发光装置的示例性实施例描述了本发明。然而，很显然，本领域普通技术人员可以根据前述描述进行许多可替换的修正和改变。因此，本发明包含所有落在所附权利要求的精神和范围内的可替换的修正和改变，并且本发明的主题可以应用于诸如液晶显示装置等其它显示装置。
权利要求
1.一种显示装置，包括多个像素，每个所述像素均包括开关晶体管；多条扫描线，连接至所述像素的所述开关晶体管，其中，所述扫描线传输用于接通所述开关晶体管的栅极接通电压和用于断开所述开关晶体管的栅极断开电压；以及多条数据线，连接至所述开关晶体管，所述数据线传输数据电压，其中，所述栅极接通电压基本上和所述数据电压的最大值相同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极接通电压确定为使得至少一个所述像素在所述数据电压的最大值下具有基本上最大的亮度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极接通电压遵循以下公式Vdm-α≤Von≤Vdm+β其中，Von是所述栅极接通电压，Vdm是所述数据电压的最大值，而α和β分别是正数。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，α约为3，且β约为3。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，α约为3，而β约为6。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述数据电压的最大值在约10V至约15V的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，每个所述像素还包括驱动晶体管和发光元件，所述驱动晶体管连接至所述开关晶体管，所述发光元件连接至所述驱动晶体管。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，每个所述像素还包括连接至所述开关晶体管的存储电容器。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述开关晶体管和/或所述驱动晶体管包含非晶硅或多晶硅。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括驱动电压发生器，其产生所述栅极接通电压和所述栅极断开电压；扫描驱动器，其将所述栅极接通电压传输到所述扫描线；以及数据驱动器，其将所述数据电压传输到所述数据线。
11.一种显示装置，包括多个像素，每个所述像素均包括开关晶体管；多条扫描线，连接至所述像素的所述开关晶体管，其中，所述扫描线传输用于接通所述开关晶体管的栅极接通电压和用于断开所述开关晶体管的栅极断开电压；以及多条数据线，连接至所述开关晶体管，所述数据线传输数据电压，其中，所述栅极接通电压是基于所述数据电压的最大值确定的。
12.一种用于驱动显示装置的装置，所述显示装置包括多个像素，每个所述像素均包括开关晶体管；多条扫描线，连接至所述像素的所述开关晶体管；以及多条数据线，连接至所述开关晶体管，所述扫描线传输用于接通所述开关晶体管的栅极接通电压和用于断开所述开关晶体管的栅极断开电压，所述数据线传输数据电压，用于驱动所述显示装置的装置包括驱动电压发生器，其产生所述栅极接通电压和所述栅极断开电压，所述栅极接通电压基本上和所述数据电压的最大值相同；扫描驱动器，其将所述栅极接通电压传输到所述扫描线；以及数据驱动器，其将所述数据电压传输到所述数据线。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述栅极接通电压确定为使得至少一个所述像素在所述数据电压的最大值下具有基本上最大的亮度。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述栅极接通电压遵循以下公式Vdm-α≤Von≤Vdm+β其中，Von是所述栅极接通电压，Vdm是所述数据电压的最大值，而α和β分别是正数。
15.根据权利要求12所述的装置，其中，α约为3，且β约为3。
16.根据权利要求12所述的装置，其中，α约为3，而β约为6。
17.根据权利要求12所述的装置，其中，所述数据电压的最大值在约10V至约15V的范围内。
18.一种驱动显示装置的方法，包括产生栅极接通电压和栅极断开电压，其中，所述栅极接通电压用于接通所述显示装置的像素的开关晶体管，而所述栅极断开电压用于断开所述显示装置的所述像素的所述开关晶体管；将所述栅极接通电压传输到连接至所述像素的所述开关晶体管的扫描线；以及将所述数据电压传输到连接至所述像素的所述开关晶体管的数据线，其中，所述栅极接通电压基本上和所述数据电压的最大值相同。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述栅极接通电压确定为使得至少一个所述像素在所述数据电压的最大值下具有基本上最大的亮度。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述栅极接通电压遵循以下公式Vdm-α≤Von≤Vdm+β其中，Von是所述栅极接通电压，Vdm是所述数据电压的最大值，而α和β分别是正数。
全文摘要
本发明披露了一种包括多个像素的显示装置。每个像素均包括开关晶体管，多条扫描线连接至开关晶体管，且多条数据线连接至开关晶体管。扫描线传输用于接通开关晶体管的栅极接通电压和用于断开开关晶体管的栅极断开电压，并且数据线传输数据电压。栅极接通电压是基于数据电压的最大值确定的。基于数据电压最大值的栅极接通电压导致高亮度和较少的串扰现象。
文档编号G09G3/30GK1956033SQ20061015034
公开日2007年5月2日 申请日期2006年10月30日 优先权日2005年10月28日
发明者昆贾尔·帕里克, 高炳植, 崔凡洛, 崔埈厚, 高俊哲 申请人:三星电子株式会社