显示器件的制造方法和显示器件的制作方法

专利名称：显示器件的制造方法和显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及在基板上制造具有多个有机发光元件的显示器件的方法，还涉及显示 器件。
背景技术：
近年来，作为代替液晶显示器的显示器件，已经实际应用了具有有机发光元件的 有机电致发光(EL)显示器件。由于有机EL显示器件是发光型的，因而认为有机EL显示器 件的视角比液晶显示器等的视角宽，并且有机EL显示器件即使对高精度高速度的视频信 号也具有足够高的响应。在相关技术的有机EL显示器件中，为了防止下部电极与上部电极之间短路，在下 部电极周围形成像素隔离绝缘膜(例如，参照日本专利申请公开公报No. 2001-175200)。然而，存在着由于设置了像素隔离绝缘膜而使开口率降低的问题。从有机发光材 料的寿命的观点来看，要求增大开口率。日本专利申请公开公报No. 2001-110575公开了一种通过将下部电极的侧面形成 为正向锥形(forward-tapered shape)来防止上部电极与下部电极之间短路的方法。然而， 下部电极必须通过设在平坦化层中的连接孔与驱动元件电连接。在该连接孔中也可能出现 上部电极与下部电极之间的短路。在相关技术中，通过光刻技术来形成下部电极和像素隔离绝缘膜，并且位置精度 很高。另一方面，通过利用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法来形成包含发光层的有机层。因 此，在大型化的情况下，由于蒸发沉积掩模的变形而导致的有机层中的蒸发沉积位置偏离 会增大。

发明内容
鉴于以上问题，本发明期望提供一种能够减小下部电极或像素隔离绝缘膜与有机 层之间的位置偏离的显示器件制造方法，并期望提供一种能够抑制连接孔中的短路并能增 大开口率的显示器件。 本发明实施例的具有多个有机发光元件的显示器件的第一种制造方法包括如下 步骤在基板上形成与所述多个有机发光元件分别对应的驱动元件；形成一层以上的平坦 化膜，所述一层以上的平坦化膜在与各所述驱动元件对应的位置处具有侧面为正向锥形的 连接孔；在包含所述连接孔的区域中形成与所述多个有机发光元件分别对应的下部电极； 在所述下部电极之间的区域中形成像素隔离绝缘膜；通过使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法在所述下部电极上方形成包含发光层的有机层；以及在所述有机层上方形成上部电极。 形成所述下部电极的步骤包括如下步骤形成下部电极材料膜；在所述下部电极材料膜上 形成光致抗蚀剂膜；使用所述蒸发沉积掩模对所述光致抗蚀剂膜进行曝光，然后将所述光 致抗蚀剂膜显影；以及通过使用所述光致抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻，选择性地除去所述 下部电极材料膜。
本发明实施例的具有多个有机发光元件的显示器件的第二种制造方法包括如下 步骤在基板上形成与所述多个有机发光元件分别对应的驱动元件；形成一层以上的平坦 化膜，并且把所述一层以上的平坦化膜中的至少最上层平坦化膜中的连接孔的侧面形成为 正向锥形；在包含所述连接孔的区域中形成与所述多个有机发光元件分别对应的下部电 极；通过使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法以覆盖所述下部电极的所有顶面和侧面的方式 形成包含发光层的有机层；以及在所述有机层上方形成上部电极。其中，所述下部电极是通 过使用所述蒸发沉积掩模来予以形成的。“连接孔的侧面的正向锥形”是指连接孔的直径从基板侧以圆锥形状或棱锥形状 逐渐增加的形状。本发明实施例的显示器件包括驱动元件，它们分别对应于多个有机发光元件而 被形成在基板上；一层以上的平坦化膜，它们中的至少最上层膜具有侧面为正向锥形的连 接孔；下部电极，它们分别对应于多个有机发光元件而被形成在包含所述连接孔的区域中； 有机层，它包含发光层；以及上部电极。在本发明实施例的显示器件中，由于至少最上层平坦化膜中的连接孔的侧面具有 正向锥形，并且下部电极被形成在包含该连接孔的区域中，因而抑制了下部电极与上部电 极之间在该连接孔中的短路，并且增大了开口率。在本发明实施例的显示器件的第一种制造方法中，使用蒸发沉积掩模对用于蚀刻 下部电极材料膜的光致抗蚀剂膜进行曝光。在本发明实施例的显示器件的第二种制造方法 中，通过使用蒸发沉积掩模来形成下部电极，并且通过使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法 以覆盖所述下部电极的所有顶面和侧面的方式形成有机层。因此，减小了下部电极或像素 隔离绝缘膜与有机层之间的位置偏离。在根据本发明实施例的制造方法得到的显示器件中，至少最上层平坦化膜中的连 接孔的侧面被形成为正向锥形，并且下部电极被形成在包含该连接孔的区域中。因此，抑制 了下部电极与上部电极之间在该连接孔中的短路，并且增大了开口率。本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将从下面的说明中更充分地体现出来。


图1是本发明第一实施例的显示器件的结构图。图2是图示了图1中示出的像素驱动电路的示例的图。图3是图示了图1中示出的显示区域的结构的截面图。图4是按工序顺序说明图1中示出的显示器件的制造方法的截面图。图5是说明了图4之后的工序的截面图。图6是说明了图5之后工序的截面图。
图7是说明了图6之后的工序的截面图。图8是说明了图7之后的工序的截面图。图9是说明了图8之后的工序的截面图。图10是说明了图9之后的工序的截面图。图11是说明了图10之后的工序的截面图。图12是说明了图11之后的工序的截面图。图13是图示了图12之后的工序的截面图。图14是说明了图13之后工序的截面图。图15是说明了图14之后的工序的截面图。图16是说明了图15之后的工序的截面图。图17是说明了图16之后的工序的截面图。图18是说明了图17之后的工序的截面图。图19是图示了本发明第二实施例显示器件中显示区域的结构的截面图。图20是用于以平面图形式来解释连接孔与下部电极之间的位置关系的图。图21是按工序顺序说明图19中示出的显示器件的制造方法的截面图。图22是说明了图21之后的工序的截面图。图23是说明了图22之后的工序的截面图。
图24是说明了图23之后的工序的截面图。图25是说明了图24之后的工序的截面图。图26是说明了图25之后的工序的截面图。图27是说明了图26之后的工序的截面图。图28是说明了图27之后的工序的截面图。图29是说明了变形例1的显示器件的制造方法的截面图。图30是说明了图29之后的工序的截面图。图31是说明了图30之后的工序的截面图。图32是说明了变形例2的显示器件中显示区域的结构的截面图。图33是图示了变形例3的显示器件中显示区域的结构的截面图。图34是图示了变形例4的显示器件中显示区域的结构的截面图。图35是图示了变形例5的显示器件中显示区域的结构的截面图。图36是图示了变形例6的显示器件中显示区域的结构的截面图。图37是图示了变形例7的显示器件中显示区域的结构的截面图。图38是图示了变形例8的显示器件中显示区域的结构的截面图。图39是按工序顺序说明本发明第三实施例的显示器件的制造方法的截面图。图40是说明了图39之后的工序的截面图。图41是说明了图40之后的工序的截面图。图42是说明了图41之后的工序的截面图。图43是用于以平面图形式来解释相关技术的蒸发沉积掩模与下部电极之间的位置关系的图。图44A和图44B是图43的图面中央和图面端部的截面图。
图45是图示了包括本发明实施例显示器件的模块的示意结构的平面图。图46是图示了上述实施例显示器件的应用例1的外观的立体图。图47A是图示了从表面侧看到的应用例2的外观的立体图；并且图47B是图示了 从背侧看到的应用例2的外观的立体图。图48是图示了应用例3的外观的立体图。 图49是图示了应用例4的外观的立体图。图50A是图示了应用例5的显示器件处于打开状态的正视图；图50B是该显示器 件处于打开状态的侧视图；图50C是图示了该显示器件处于关闭状态的正视图；图50D是 该显示器件处于关闭状态的左视图；图50E是该显示器件处于关闭状态的右视图；图50F 是该显示器件处于关闭状态的俯视图；以及图50G是该显示器件处于关闭状态的仰视图。
具体实施例方式下面参照附图详细说明本发明的实施例。说明的顺序如下1.第一实施例(使用蒸发沉积掩模对用于蚀刻下部电极材料膜的光致抗蚀剂膜 和用于形成像素隔离绝缘膜的感光膜进行曝光的示例)2.第二实施例(将连接孔的侧面形成为正向锥形并且在包含该连接孔的区域中 形成下部电极的示例)3.变形例4.第三实施例(通过使用蒸发沉积掩模的电子束蒸发沉积方法或者溅射方法来 形成下部电极的示例)第一实施例图1图示了本发明第一实施例的使用有机发光元件的显示器件的结构。该显示器 件被用作超薄型有机发光彩色显示器件等。例如在由诸如玻璃等形成的基板11上形成有 显示区域110，在该显示区域110中，以矩阵形式设置有稍后说明的多个有机发光元件10R、 有机发光元件IOG和有机发光元件10B。在显示区域110的周边形成有作为视频图像显示 驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。在显示区域110中形成有像素驱动电路140。图2图示了像素驱动电路140的示 例。像素驱动电路140形成在稍后说明的下部电极13的下层，并且是有源型驱动电路，该 有源型驱动电路包含驱动晶体管Trl、写晶体管Tr2、设在晶体管Trl与晶体管Tr2之间的 电容器(保持电容器)Cs以及在第一电源线(Vcc)与第二电源线(地)之间与驱动晶体管 Trl串联连接的有机发光元件10R(或者IOG或者10B)。驱动晶体管Trl和写晶体管Tr2 是普通的薄膜晶体管(thin film transistohTFT)，并且例如可具有反向错列结构(所谓 的底栅型)或者错列结构(顶栅型)，但不限于此。在像素驱动电路140中，在列方向上设置有多条信号线120A，并且在行方向上设 置有多条扫描线130A。信号线120A与扫描线130A之间的交叉点对应于有机发光元件10R、 有机发光元件IOG和有机发光元件IOB (亚像素)中的一者。信号线120A与信号线驱动电 路120连接。从信号线驱动电路120经过信号线120A向写晶体管Tr2的源极电极提供图 像信号。扫描线130A与扫描线驱动电路130连接，并且从扫描线驱动电路130经过扫描线 130A向写晶体管Tr2的栅极电极依次提供扫描信号。
图3示出了显示区域110的截面结构的示例。在显示区域110中，整体上以矩阵 形式依次形成了产生红光的有机发光元件10R、产生绿光的有机发光元件IOG和产生蓝光 的有机发光元件10B。各自具有矩形形状平面图的各有机发光元件10R、有机发光元件IOG 和有机发光元件IOB按逐个颜色设置在纵向方向(列方向)上。各有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB具有如下结构，即，在位于基板11侧的像素驱动电路140的驱动晶体管Trl和平坦化膜12上依次堆叠有作为 阳极的下部电极13 ；像素隔离绝缘膜14 ；包括红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光 发光层15CB的有机层15 ；以及作为阴极的上部电极16。这些有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB上覆盖有由诸如氮 化硅(SiNx)等制成的保护膜17。然后，在保护膜17的整个表面上，通过由热固化树脂或紫 外线固化树脂等制成的粘接层30与由玻璃等制成的密封基板20粘合。平坦化膜12被设置用于使形成有像素驱动电路140的基板11的表面平坦化，并 且该平坦化膜12由诸如丙烯酸或聚酰亚胺等有机材料或者诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅 (Si3N4)等无机材料形成。平坦化膜12中设有用于使驱动晶体管Trl与下部电极13电连 接的连接孔12A。对应于各个有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB都形成有下 部电极13。例如，在从下部电极13侧获取由红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光 发光层15CB产生的光(下部出射)的情况下，下部电极13是由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)或SnO2等制成的透射电极。另一方 面，在从上部电极16侧获取由红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB产 生的光(上部出射)的情况下，下部电极13是由诸如金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)、铜 (Cu)、钨(W)、铝(Al)、钼(Mo)或银(Ag)等金属元素或者上述任何金属元素的合金制成的 反射电极。下部电极13也可由透射电极和反射电极的复合膜构成。平坦化膜12中的连接孔12A的侧面形成为正向锥形形状。下部电极13形成在包 含连接孔12A的区域中。在本显示器件中，利用上述结构可以抑制连接孔12A中的短路并 增大开口率。像素隔离绝缘膜14被设成保证下部电极13与上部电极16之间的绝缘并被设成 用于以所需形状精确地形成发光区域。像素隔离绝缘膜14具有约Ιμπι的厚度，并且由诸 如氧化硅或者聚酰亚胺等感光树脂制成。在像素隔离绝缘膜14中，对应于发光区域设置有 开口部。此外，在像素隔离绝缘膜14上依次设置有机层15和上部电极16。但是仅在像素 隔离绝缘膜14中的开口部处产生光。有机层15例如具有如下结构，即，从下部电极13侧依次堆叠有空穴注入层和空 穴输运层15ΑΒ ；红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB ；以及电子输运层 和电子注入层15DE。其中，除了红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB 以外的其他层可视需要来设置。有机层15的结构可根据有机发光元件10R、有机发光元件 IOG和有机发光元件IOB的发光颜色的不同而不同。空穴注入层是用于提高空穴注入效 率并用于防止泄漏的缓冲层。空穴输运层被设为用于提高向红光发光层15CR、绿光发光层 15CG或蓝光发光层15CB的空穴输运效率。在红光发光层15CR、绿光发光层15CG或蓝光发 光层15CB中，通过施加电场，电子和空穴发生复合，并且产生光。电子输运层被设为用于提高向红光发光层15CR、绿光发光层15CG或蓝光发光层15CB的电子输运效率。电子注入层 例如具有约0. 3nm的厚度，并由LiF或者Li2O等制成。在图3中，把空穴注入层和空穴输 运层表示为一层(空穴注入层和空穴输运层15AB)，并且把电子输运层和电子注入层表示 为一层(电子输运层和电子注入层15DE)。有机发光元件IOR的空穴注入层例如具有5nm 300nm的厚度，并且由4，4'， 4"-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(!11-101^1幻或者4，4'，4〃 -三(2-萘基苯基 氨基)三苯胺(2-TNATA)制成。有机发光元件IOR的空穴输运层例如具有5nm 300nm的 厚度，并且由双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)制成。有机发光元件IOR的红光发 光层15CR例如具有IOnm IOOnm的厚度，并且由将30重量％的2，6_双[4，-甲氧基二苯 胺]苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)混入9，10_ 二(2-萘基)蒽(ADN)而得到的材料制 成。有机发光元件IOR的电子输运层例如具有5nm 300nm的厚度，并且由8-羟基喹啉铝 (Alq3)制成。有机发光元件IOG的空穴注入层例如具有5nm 300nm的厚度，并且由m-MTDATA 或者2-TNATA制成。有机发光元件IOG的空穴输运层例如具有5nm 300nm的厚度，并且 由α -NPD制成。有机发光元件IOG的绿光发光层15CG例如具有10nm 100nm的厚度，并 且由将5体积％的香豆素6混入ADN而得到的材料制成。有机发光元件IOG的电子输运层 例如具有5nm 300nm的厚度，并且由Alq3制成。有机发光元件IOB的空穴注入层例如具有5nm 300nm的厚度，并且由m-MTDATA 或者2-TNATA制成。有机发光元件IOB的空穴输运层例如具有5nm 300nm的厚度，并且由 α -NPD制成。有机发光元件IOB的蓝光发光层15CB例如具有IOnm IOOnm的厚度，并且 由将2. 5重量％的4，4-双[2-{4-(N，N- 二苯胺)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)混入ADN 而得到的材料制成。有机发光元件IOB的电子输运层例如具有5nm 300nm的厚度，并且 由Alq3制成。上部电极16例如具有5nm 50nm的厚度，并且由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠 (Na)等金属元素或者上述任何金属元素的合金制成。特别地，优选镁和银的合金(MgAg合 金)或者铝(Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)。上部电极16可由复合膜构成，该复合膜 含有由上述任何金属元素或者上述任何金属元素的合金制成的层和如同第一电极13 —样 的透射电极。密封基板20位于有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB的上 部电极16侧，并与粘接层30 —起将有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件 IOB密封住。密封基板20由能够让有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件 IOB所产生的光透过的诸如玻璃等材料制成。例如，上述显示器件可按如下方法制造出来。图4至图18按工序顺序示出了显示器件的制造方法。首先，如图4所示，在由上 述材料制成的基板11上，形成包含驱动晶体管Trl的像素驱动电路140。随后，还如图4所 示，在基板11的整个表面上涂敷感光树脂。通过进行曝光和显影，形成在与驱动晶体管Trl 对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔12A的平坦化膜12，并且进行烘干。此时，使用 正型感光树脂作为平坦化膜12的材料，可以容易地将连接孔12A的侧面形成为正向锥形形 状。
随后，还如图4所示，在平坦化膜12上形成由下部电极13的材料制成的下部电极 材料膜13A。此后，如图5至图7所示，在下部电极材料膜13A上形成负型光致抗蚀剂膜41。使 用用于形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB的蒸发沉积掩模51对 光致抗蚀剂膜41进行三次曝光。在第一次曝光中，如图5所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机发 光元件IOR的下部电极13的区域13RA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部电 极13的区域13RA被设定为包含连接孔12A的区域。在曝光时，为了形成比开口部52宽的 下部电极13，优选加大蒸发沉积掩模51与基板11之间的距离、增加曝光量或者降低曝光用 光L的直线性等。
在第二次曝光中，如图6所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机发 光元件IOG的下部电极13的区域13GA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部电 极13的区域13GA被设定为包含连接孔12A的区域。在第三次曝光中，如图7所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机发 光元件IOB的下部电极13的区域13BA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部电 极13的区域13BA被设定为包含连接孔12A的区域。在使用上述蒸发沉积掩模51对光致抗蚀剂膜41进行三次曝光之后，将光致抗蚀 剂膜41显影。随后，如图8所示，使用光致抗蚀剂膜41作为掩模进行蚀刻，选择性地除去 下部电极材料膜13A。结果，在各个包含连接孔12A的区域中形成了与有机发光元件10R、 有机发光元件IOG和有机发光元件IOB分别对应的下部电极13。在形成下部电极13之后，如图9至图11所示，在基板11的整个表面上形成由像 素隔离绝缘膜14的材料制成的感光膜42，并且使用蒸发沉积掩模51对感光膜42进行三次
曙光ο在第一次曝光中，如图9所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准有机发光元件 IOR的下部电极13，并对感光膜42进行曝光。在曝光时，利用同一个曝光掩模51，要使下部 电极13和像素隔离绝缘膜14必须重叠，也就是说，必须使像素隔离绝缘膜14中的开口部 比下部电极13小。因此，优选使蒸发沉积掩模51与基板11之间的距离变小、减少曝光量 或者提高曝光用光L的直线性等。在第二次曝光中，如图10所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准有机发光元 件IOG的下部电极13，并对感光膜42进行曝光。在第三次曝光中，如图11所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准有机发光元 件IOB的下部电极13，并对感光膜42进行曝光。在使用上述蒸发沉积掩模51对感光膜42进行三次曝光之后，将感光膜42显影。 结果，如图12所示，在下部电极13之间的区域中形成了像素隔离绝缘膜14。在本实施例 中，使用蒸发沉积掩模51来对用于蚀刻下部电极材料膜13A的光致抗蚀剂膜41和用于形 成像素隔离绝缘膜14的感光膜42进行曝光，因而可以减小下部电极13与像素隔离绝缘膜 14及有机层15之间的位置偏离。在形成像素隔离绝缘膜14之后，如图13所示，通过例如蒸发沉积方法在基板11 的整个表面上形成由上述材料制成的空穴注入层和空穴输运层15AB。随后，还如图13所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准有机发光元件10R的下部电极13，并且通过使用 蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法在有机发光元件10R的下部电极13上方形成红光发光层 15CR。在形成红光发光层15CR之后，如图14所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准 有机发光元件10G的下部电极13，并且通过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法在有机发 光元件10G的下部电极13上方形成绿光发光层15CG。在形成红光发光层15CG之后，如图15所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准 有机发光元件10B的下部电极13，并且通过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法在有机发 光元件10B的下部电极13上方形成蓝光发光层15CB。结果，如图16所示，形成了红光发光 层15CR、绿光发光层15CG和蓝光发光层15CB。此后，如图17所示，通过例如蒸发沉积方法在基板11的整个表面上形成由上述材 料制成的电子输运层和电子注入层15DE。以此方式，形成了有机层15。随后，还如图17所 示，通过例如蒸发沉积方法在有机层15上形成由上述材料制成的上部电极16。结果，形成 了有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B。在形成有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B之后，如图18所 示，在有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B上形成由上述材料制成的 保护膜17。之后，在保护膜17上形成粘接层30，让粘接层30处于保护膜17与密封基板20 之间从而把密封基板20粘附到保护膜17上。结果，完成了图3所示的显示器件。在本显示器件中，从扫描线驱动电路130经过写晶体管Tr2的栅极电极将扫描信 号提供至各像素，并且通过写晶体管Tr2把来自信号线驱动电路120的图像信号保持在保 持电容器Cs中。也就是说，根据保持电容器Cs中所保持的信号对驱动晶体管Trl进行导 通/关断控制。通过该导通/关断控制将驱动电流Id注入到各有机发光元件10R、有机发 光元件10G和有机发光元件10B中，从而引起空穴与电子的复合并产生光。该光穿过下部 电极13和基板11 (下部出射)，或者穿过上部电极16和密封基板20 (上部出射)，然后被 获取到。由于连接孔12A的侧面具有正向锥形并且下部电极13形成在包含连接孔12A的 区域中，因而抑制了连接孔12A中下部电极13与上部电极16之间的短路。因此，相关技术 中的被像素隔离绝缘膜14覆盖的连接孔12A在本发明中被包含在发光区域中，从而增大了 开口率。这样，提高了有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B的寿命。在本实施例的显示器件的制造方法中，由于使用蒸发沉积掩模51来对用于蚀刻 下部电极材料膜13A的光致抗蚀剂膜41和用于形成像素隔离绝缘膜14的感光膜42进行 曝光，因此，减小了下部电极13与像素隔离绝缘膜14及有机层15之间的位置偏离。在本实施例的显示器件中，通过将连接孔12A的侧面形成为正向锥形并将下部电 极13形成在包含连接孔12A的区域中，抑制了连接孔12A中下部电极13与上部电极16之 间的短路，并增大了开口率。在前述实施例中，已经说明了从下部电极13侧获取由红光发光层15CR、绿光发光 层15CG或者蓝光发光层15CB产生的光(下部出射)的情况或者从上部电极16侧获取由 红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB产生的光(上部出射)的情况。 在该实施例中，上部电极16具有半透射型反射层的功能。但本发明也可应用于由下部电极 13和上部电极16构造成共振器结构以使红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB所产生的光发生共振的情况。在前述实施例中，已经说明了像素隔离绝缘膜14由诸如聚酰亚胺等感光树脂制成的情况。但像素隔离绝缘膜14也可由诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等无机材料 制成。在此情况下，可按如下工序来形成像素隔离绝缘膜14。首先，形成由像素隔离绝缘膜 14的上述材料制成的无机材料膜。随后，在该无机材料膜上形成光致抗蚀剂膜。使用蒸发 沉积掩模51通过图5至图7所示的工序对该光致抗蚀剂膜进行三次曝光。此后，将该光致 抗蚀剂膜显影。随后，使用该光致抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻从而选择性地除去上述无机 材料膜。结果，形成了像素隔离绝缘膜14。第二实施例图19图示了本发明第二实施例的显示器件中显示区域110的截面结构。本实施 例的显示器件与第一实施例的显示器件不同的方面是未设有像素隔离绝缘膜14，有机层 15以覆盖着下部电极13的所有顶面13C和侧面13D的方式形成，并且驱动晶体管Trl和下 部电极13通过中间电极相互连接。因此，用相同的附图标记表示相对应的组件。基板11和包含驱动晶体管Trl的像素驱动电路140与第一实施例中的基板11及 像素驱动电路140相同。在基板11与下部电极13之间，依次设有第一平坦化膜12B、中间电极18和第二平 坦化膜12C。第一平坦化膜12B具有作为驱动晶体管Trl与中间电极18之间的中间层绝缘膜 的功能，并且例如由诸如丙烯酸或聚酰亚胺等有机材料或者诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅 (Si3N4)等无机材料制成。第一平坦化膜12B中在与驱动晶体管Trl对应的位置处设有用 于使驱动晶体管Trl和中间电极18电连接的连接孔12BA。连接孔12BA的侧面最好是正向 锥形。平坦化膜12C被设为使形成有像素驱动电路140的基板11的表面平坦化，并且由 诸如丙烯酸或聚酰亚胺等有机材料或者诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等无机材料制 成。第二平坦化膜12C中设有用于使中间电极18和下部电极13电连接的连接孔12CA。连 接孔12CA设置在与中间电极18对应的位置处，并且连接孔12CA的侧面形成为正向锥形形 状。下部电极13形成在包含连接孔12CA的区域中。在本显示器件中，利用上述结构可以 抑制连接孔12CA中的短路并增大开口率。中间电极18形成在包含第一平坦化膜12B的连接孔12BA的区域中，并且中间电 极18的材料不受限制，只要是导电材料即可。中间电极18抑制了由于由驱动晶体管Trl 的厚铝(Al)膜制成的布线电极19的表面粗糙所导致的在连接孔12A中下部电极13与上 部电极16之间出现的短路。在本实施例中，有机层15被形成为覆盖着下部电极13的所有顶面13C和侧面 13D。利用这种结构，无需设置像素隔离绝缘膜14也会进一步增大开口率，并且也会进一步 提高器件寿命。此外，在下部出射的情况下，与驱动晶体管Trl连接的面积很小，并且像素 隔离绝缘膜14对开口率减小的影响变大。无需进行形成像素隔离绝缘膜14的工序，工序 在很大程度上被简化，并降低了成本。此外，不会有由于像素隔离绝缘膜14的形成及图形 化而导致的对下部电极13的顶面13C的损坏，并且防止了顶面13C的粗糙，从而得到极好 的器件特性。另外，由于不存在使得像素隔离绝缘膜14变厚的粗糙不平，因而保护膜17的覆盖率非常好，并且提高了可靠性。下部电极13的侧面13D优选具有正向锥形形状，原因如下。这降低了有机层15 在下部电极13的侧面13D上中断的可能性并且抑制了下部电极13与上部电极16之间的 短路。“下部电极13的侧面13D具有正向锥形形状”意味着下部电极13的尺寸从基板11 侧以圆锥形或棱锥形逐渐减小。下部电极13优选比有机层15薄。当下部电极13足够薄时，降低了有机层15在 下部电极13的侧面13D上中断的可能性，并且抑制了下部电极13与上部电极16之间的短 路。在此情况下，下部电极13的侧面13D不一定总是必须被形成为正向锥形形状。具体地， 如图20所示，例如在40英寸FHD显示器件中，一个像素的尺寸约为153 u mX459 u m,并且 下部电极13的尺寸是143iimX449iim。根据Nobuki Ibaraki等人在“SID06 DIGEST”上 第 1760 页至第 1763 页发表的 “58. 1 :Invited Paper :Viewson the Present and Future Promise of OLED displays”，在2008年可实现的性能是，一个像素所需的最大电流约为 2PA，并且预期可通过后续的改进把所需的电流减小到约2yA的1/3。当假设所需的电 压是5V时，一个像素的有机层15的电阻是2. 5MQ。当驱动晶体管Trl中连接孔12CA的 尺寸为10 umXIOu m,并且该连接孔12CA设置在像素的中心时，连接孔12CA的对角线长 度为14. 1 u m,在连接孔12CA偏离像素端部的情况下在横向方向上的偏离量为66. 5 u m， 并且在纵向方向上的偏离量为219. 5i!m。因此，到像素端部为止的电阻是方块电阻的16
倍(^/(66.52 + 219.52) )/14.1 — 16)以下。当由于下部电极13的方块电阻所导致的电压降
的量被设置成士0. 以降低一个像素内的发光亮度差异时，允许方块电阻为156Q/ 口。 即使在下部电极13由具有高电阻系数的IT0制成的情况下，如果IT0的电阻系数是 1. 5X10_4Q cm，则lOnm以上的厚度是足够的。常规的有机层15的厚度为50nm以上，下 部电极13比有机层15薄得多。例如，上述显示器件可按如下顺序制造出来。图21至图28按工序顺序图示了显示器件的制造方法。首先，如图21所示，按照 与第一实施例类似的方式，在基板11上形成包含驱动晶体管Trl的像素驱动电路140。随后，还如图21所示，通过在基板11的整个表面上涂敷感光树脂并进行曝光和显 影，形成在与驱动晶体管Trl对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔12BA的第一平坦 化膜12B，并进行烘干。此时，通过使用正型感光树脂作为第一平坦化膜12B的材料，可以容 易地将连接孔12BA的侧面形成为正向锥形形状。随后，还如图21所示，在平坦化膜12B上形成由上述中间电极18的材料制成的中 间电极材料膜(未图示)，并且例如通过光刻等工艺将该中间电极材料膜形成为预定的形 状，从而形成中间电极18。此后，还如图21所示，在基板11的整个表面上涂敷感光树脂，并对该感光树脂 进行曝光和显影，从而形成在与中间电极18对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔 12CA的第二平坦化膜12C，并且烘干该第二平坦化膜12C。此时，通过使用正型感光树脂作 为第二平坦化膜12C的材料，可以容易地将连接孔12CA的侧面形成为正向锥形形状。在形成第二平坦化膜12C之后，还如图21所示，在第二平坦化膜12C上形成由下 部电极13的材料制成的下部电极材料膜13A。在形成下部电极材料膜13A之后，如图22所示，在下部电极材料膜13A上形成负型光致抗蚀剂膜41。使用曝光掩模53对光致抗蚀剂膜41进行曝光，然后进行显影。随后， 使用光致抗蚀剂膜41作为掩模进行蚀刻，选择性地除去下部电极材料膜13A。结果，如图 23所示，在各个包含连接孔12A的区域中形成了与有机发光元件10R、有机发光元件IOG和 有机发光元件IOB分别对应的下部电极13。在这时，通过调整蚀刻参数，将下部电极13的 侧面13D形成为正向锥形。可选择地，把下部电极13制成得比有机层15薄。
在形成下部电极13之后，如图24所示，例如通过蒸发沉积方法在基板11的整个 表面上形成由上述材料制成的空穴注入层和空穴输运层15AB。随后，还如图24所示，蒸发 沉积掩模51中的开口部52对准有机发光元件IOR的下部电极13，并且通过使用蒸发沉积 掩模51的蒸发沉积方法在有机发光元件IOR的下部电极13上方形成红光发光层15CR。
在形成红光发光层15CR之后，如图25所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准 有机发光元件IOG的下部电极13，并且通过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法在有机发 光元件IOG的下部电极13上方形成绿光发光层15CG。在形成绿光发光层15CG之后，如图26所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准 有机发光元件IOB的下部电极13，并且通过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法在有机发 光元件IOB的下部电极13上方形成蓝光发光层15CB。通过上述操作，形成了红光发光层 15CR、绿光发光层15CG和蓝光发光层15CB。之后，如图27所示，例如通过蒸发沉积方法在基板11的整个表面上形成由上述材 料制成的电子输运层和电子注入层15DE。以此方式形成了有机层15。随后，还如图27所 示，例如通过蒸发沉积方法在有机层15上形成由上述材料制成的上部电极16。结果，形成 了有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件10B。在形成有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB之后，如图28所 示，在有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB上形成由上述材料制成的 保护膜17。之后，在保护膜17上形成粘接层30，并且以粘接层30被夹在中间的方式把密 封基板20粘附到保护膜17上。结果，完成了图19所示的显示器件。在本显示器件中，从扫描线驱动电路130经过写晶体管Tr2的栅极电极将扫描信 号提供至各像素，并且通过写晶体管Tr2把来自信号线驱动电路120的图像信号保持在保 持电容器Cs中。也就是说，根据保持电容器Cs 中所保持的信号对驱动晶体管Trl进行导 通/关断控制。通过该导通/关断控制将驱动电流Id注入到各有机发光元件10R、有机发 光元件IOG和有机发光元件IOB中，从而引起空穴与电子之间的复合并产生光。该光穿过下 部电极13和基板11 (下部出射光)，或者穿过上部电极16和密封基板20 (上部出射光)， 从而被获取到。以与第一实施例相似的方式，由于连接孔12A的侧面具有正向锥形并且下 部电极13形成在包含连接孔12A的区域中，因而抑制了连接孔12A中下部电极13与上部 电极16之间的短路。因此，相关技术中的被像素隔离绝缘膜14覆盖的连接孔12A在本发 明中被包含在发光区域中，从而增大了开口率。这样，提高了有机发光元件10R、有机发光元 件IOG和有机发光元件IOB的寿命。由于有机层15被形成为覆盖着下部电极13的所有顶面13C和侧面13D，因而无需 像素隔离绝缘膜14，并且进一步增大了开口率。在上述本实施例的显示器件中，除了第一实施例的效果之外，有机层15还被形成 为覆盖着下部电极13的所有顶面13C和侧面13D。因此，无需像素隔离绝缘膜14，进一步增大了开口率，并且进一步提高了器件寿命。另外，由于可省略用于形成像素隔离绝缘膜14 的工序，因此能够大幅度地简化工序，并且降低成本。此外，在第二实施例中，按照与第一实施例相似的方式，上部电极16具有作为半 透射型反射层的功能。本发明适用于由下部电极13和上部电极16构造成共振器结构以让 红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB所产生的光发生共振的情况。下面说明第二实施例的变形例。变形例1图29至图31用于按工序顺序来说明变形例1的显示器件的制造方法。该变形例 除了使用蒸发沉积掩模51来对用于蚀刻下部电极材料膜13A的光致抗蚀剂膜41进行曝光 之外，其他步骤与第二实施例的制造方法相同。因此，下面参照图20至图27说明与第二实 施例中的工序类似的工序。首先，按照与第二实施例类似的方式，根据图21所示的工序，在基板11上形成包 含驱动晶体管Trl的像素驱动电路140、第一平坦化膜12B、中间电极18、第二平坦化膜12C 和下部电极材料膜13A。随后，如图29所示，在下部电极材料膜13A上形成负型光致抗蚀剂膜41，并且使用 用于形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB的蒸发沉积掩模51对该 负型光致抗蚀剂膜41进行三次曝光。通过上述操作，以与第一实施例相似的方式，减小了 下部电极13与有机层15之间的位置偏离。在第一次曝光中，如图29所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机 发光元件10R的下部电极13的区域13RA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部 电极13的区域13RA被设定为包含连接孔12A的区域。在曝光时，为了形成比开口部52宽 的下部电极13，优选加大蒸发沉积掩模51与基板11之间的距离、增加曝光量或者降低曝光 用光L的直线性等。在第二次曝光中，如图30所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机 发光元件10G的下部电极13的区域13GA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部 电极13的区域13GA被设定为包含连接孔12A的区域。在第三次曝光中，如图31所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准要形成有机 发光元件10B的下部电极13的区域13BA，并对光致抗蚀剂膜41进行曝光。要形成有下部 电极13的区域13BA被设定为包含连接孔12A的区域。在如上所述使用蒸发沉积掩模51对光致抗蚀剂膜41进行三次曝光之后，将光致 抗蚀剂膜41显影。随后，按照与第二实施例相似的方式，在图23所示的工序中，通过使用 光致抗蚀剂膜41作为掩模进行蚀刻，选择性地除去下部电极材料膜13A。结果，在各个包 含连接孔12A的区域中形成了与有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B 分别对应的下部电极13。在上述操作中，通过调整蚀刻参数，将下部电极13的侧面13D形 成为正向锥形。可选择地，将下部电极13制成为比有机层15薄。在形成下部电极13之后，按照与第二实施例相似的方式，利用如图24所示的工 序，通过例如蒸发沉积方法在基板11的整个表面上形成由上述材料制成的空穴注入层和 空穴输运层15AB。随后，按照与第二实施例相似的方式，根据图24至图26所示的工序，通 过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法，形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB。在形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB之后，按照与第二 实施例相似的方式，通过图27所示的工序形成电子输运层和电子注入层15DE以及上部电 极16。结果，形成了有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件10B。在形成有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB之后，按照与第 二实施例相似的方式，通过图28所示的工序在有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机 发光元件IOB上形成保护膜17。之后，在保护膜17上形成粘接层30，然后让粘接层30介 于保护膜17与密封基板20之间地把密封基板20粘附到保护膜17上。结果，完成了图19 所示的显示器件。变形例2图32图示了变形例2的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本显示器件 中，除了未设有中间电极18并且驱动晶体管Trl通过平坦化膜12中的连接孔12A与下部电 极13连接起来以外，本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和效果， 并且按照类似的方法制造出来。变形例3图33图示了变形例3的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本显示器件 中，除了形成有各个有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB的空穴注入 层和空穴输运层15AB以外，本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和 效果。另外，除了通过使用蒸发沉积掩模51来形成空穴注入层和空穴输运层15AB以及红 光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝光发光层15CB以外，可以按照与第二实施例类似的 方法来制造出本显示器件。变形例4图34图示了变形例4的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本显示器件 中，除了形成有各个有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB的有机层15 的所有层(即空穴注入层和空穴输运层15AB ；红光发光层15CR、绿光发光层15CG或者蓝 光发光层15CB ；以及电子输运层和电子注入层15DE)以外，本显示器件具有与第二实施例 的显示器件相同的结构、作用和效果。除了通过使用蒸发沉积掩模51来形成有机层15的所 有层以外，可以按照与第二实施例类似的方法来制造出本显示器件。然而，在本变形例中， 有机层15必须覆盖下部电极13的顶面13C和侧面13D。变形例5图35图示了变形例5的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本显示器 件中，除了形成白光发光层15CW来代替红光发光层15CR、绿光发光层15CG或蓝光发光层 15CB,并且在密封基板20上设置有彩色滤光片21R、21G和21B以及作为黑矩阵的遮光膜22 以外，本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和效果，并且按照类似的 方法制造出来。也可以设置有颜色转换媒介(Color Changing Medium,CCM)来代替彩色滤 光片 21R、21G 和 21B。变形例6 图36图示了变形例6的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本变形例 中，中间电极18与下部电极13设在同一个区域内，因而让中间电极18具有反射电极的功能。利用该结构，在下部电极13是透射电极的情况下，从上部电极16侧获取由红光发光层 15CR、绿光发光层15CG或蓝光发光层15CB产生的光(上部出射)。除了上面说明的以外， 本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和效果，并且按照类似的方法 制造出来。变形例7图37图示了变形例7的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本变形例中， 通过把驱动晶体管Trl的布线电极19与下部电极13设在同一个区域内，让布线电极19具 有反射电极的功能。因此使用简单的结构得到了与变形例6的效果相似的效果。除此以 外，本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和效果，并且按照类似的方 法制造出来。变形例8图38图示了变形例8的显示器件中的显示区域110的截面结构。在本变形例中， 未设置第二平坦化膜12C而是将下部电极13设在中间电极18上，从而使用简单结构就抑 制了短路。除此以外，本显示器件具有与第二实施例的显示器件相同的结构、作用和效果， 并且按照类似的方法制造出来。第三实施例图39至图44按工序顺序说明了本发明第三实施例的显示器件的制造方法。在本 实施例中，通过使用蒸发沉积掩模51来形成下部电极13。除此以外，该方法与第二实施例 的方法相似。因此，下面参照图21至图28说明与第二实施例的工序相同的工序。首先，如图39所示，按照与第二实施例相似的方式，根据图21图示的工序，在基板 11上形成包含驱动晶体管Trl的像素驱动电路140、第一平坦化膜12B、中间电极18和第二 平坦化膜12C。如图40所示，蒸发沉积掩模51中的开口部52对准在第二平坦化膜12C中要形成 有机发光元件10R的下部电极13的区域13RA，并通过蒸发沉积方法或溅射方法等形成下部 电极13。要形成有下部电极13的区域13RA被形成为包含连接孔12CA。优选通过调整成 膜参数来将下部电极13的侧面13D形成为正向锥形。随后，如图41所示，按照与有机发光元件10R的下部电极13的情况相似的方式， 蒸发沉积掩模51中的开口部52对准在第二平坦化膜12C要形成有机发光元件10G的下部 电极13的区域13GA，并通过蒸发沉方法或溅射方法等形成下部电极13。随后，如图42所示，按照与有机发光元件10R的下部电极13的情相似的方式，蒸 发沉积掩模51中的开口部52对准在第二平坦化膜12C要形成有机发光元件10B的下部电 极13的区域13BA，并通过蒸发沉方法或溅射方法等形成下部电极13。在形成下部电极13之后，按照与第二实施例相似的方法，根据图所示的工序，通 过例如蒸发沉积方法在基板11的整个表面上形成由上材料制成的空穴注入层和空穴输运 层15AB。随后，按照与第二实施例似的方法，根据图24至图26所示的工序，通过使用蒸发 沉积掩模51蒸发沉积方法形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG和蓝光发光层CB。通过如上所述使用蒸发沉积掩模51来形成下部电极13，即使由于型化而使开口 部52的位置精度降低时，也能减小下部电极13与有机15之间的位置偏离。具体地，如参照图20的第二实施例中所述，例如在40英寸的FHD示器件中，一个像素的尺寸约为153 u mX459 u m。当假设连接孔12CA有10 y mX 10 y m的尺寸并且像素间距(inter-pixel space)为10 y m时，接孔12CA与蒸发沉积掩模51的开口部52之间的最 大位置偏离量可是士 66.5i!m。因此，对蒸发沉积掩模51的位置精度的要求变得非常低。同样在本例中，如参照图20的第二实施例中所述，下部电极13的度可以是lOnm 以上。另一方面，在相关技术中，用光刻方法来图形化地形成下部电极。图形的位置精 度由步进机(st印per)或镜像投影对准仪(mirror projectiongner)的位置精度来确定， 并且可将通常的位置精度设为lym以下。另方面，通过使用蒸发沉积掩模的真空沉积方 法来形成有机层。在真空积方法中，为了减少蒸发沉积掩模的影子，通常使用具有5 y m 100 u m的薄板来制造蒸发沉积掩模。为了以较高的位置精度制造出蒸发沉积模，需要在张 力下将蒸发沉积掩模固定到框架上。随着张力越高，越容易得到较高的位置精度，框架变得 越重。由于要求蒸发沉积掩模具有较高的位置精度并且框架重量增大，因而在相关技术中 极难使有机EL显示器件大型化。例如，如图43和图44A及图44B所示，当蒸发沉积掩模851中的开口部852的位 置偏离时，使下部电极813和像素隔离绝缘膜814与开口部852在屏幕的中央对齐。然而， 在屏幕的端部，下部电极813不会与开口部852对齐。在40英寸FHD的情况下，一个像素 的尺寸约为153iimX459iim。当开口部852的位置精度是士20 y m时，通过使开口部852 变窄来解决问题，并且开口率变成67%以下。在本发明实施例中，因为通过使用蒸发沉积掩 模51来形成下部电极13，所以即使当由于大型化而使开口部52的位置精度降低时，也可减 小下部电极13与有机层15之间的位置偏离。在如上所述形成红光发光层15CR、绿光发光层15CG或蓝光发光层15CB之后，按照 与第二实施例相似的方式，根据图26所示的工序，形成电子输运层和电子注入层15DE以及 上部电极16。以此方式，形成了有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光元件10B。在形成有机发光层10R、有机发光层10G和有机发光层10B之后，按照与第二实施 例相似的方式，根据图27所示的工序，在有机发光元件10R、有机发光元件10G和有机发光 元件10B上形成保护膜17。之后，在保护膜17上形成粘接层30，并以粘接层30处于保护 膜17与密封基板20之间的方式粘附密封基板20。结果，完成了图19所示的显示器件。如上所述，在本实施例中，通过使用蒸发沉积掩模51来形成下部电极13，并且通 过使用蒸发沉积掩模51的蒸发沉积方法来将有机层15形成得覆盖住下部电极13的所有 顶面13C和侧面13D。因此，可以减小下部电极13与有机层15之间的位置偏离。这对于大 型化来说是特别有效的。模块和应用例下面说明在上述各实施例中解释的显示器件的应用例。上述各实施例的显示器件 适合于用于把从外部输入的视频信号或者在内部产生的视频信号以图像或视频形式进行 显示的所有领域中的电子装置的显示器件，上述电子装置例如是电视机、数码相机、笔记本 电脑、诸如手机等便携式终端装置、摄像机等。模块例如，把任一实施例所述的显示器件作为图45所示的模块安装在稍后说明的应 用例1至应用例5中的各种电子装置中。该模块例如在基板11的一个侧边处具有从密封基板20和粘接层30露出的区域210。在该露出区域210上，通过延长信号线驱动电路120的 布线和扫描线驱动电路130的布线来形成外部连接端子(未图示)。在该外部连接端子上 可以设有用于输入和/或输出信号的柔性印刷电路(flexible printed circuit，FPC) 220。应用例1图46图示了应用上述实施例的显示器件的电视机的外观。该电视机例如具有包 括前面板310和滤光玻璃320的视频图像显示屏300。视频图像显示屏300由任一上述实 施例的显示器件构成。应用例2图47A和图47B图示了应用上述实施例的显示器件的数码相机的外观。该数码相 机例如具有闪光用的发光单元410、显示单元420、菜单开关430和快门按钮440。显示单元 420由任一上述实施例的显示器件构成。应用例3图48图示了应用上述实施例的显示器件的笔记本电脑的外观。该笔记本电脑例 如具有主体510、用于进行字符等的输入操作的键盘520和用于显示图像的显示单元530。 显示单元530由任一上述实施例的显示器件构成。应用例4图49图示了应用上述实施例的显示器件的摄像机的外观。该摄像机例如具有主 体610、设在主体610的前表面上且用于拍摄物体的镜头620、拍摄开始/停止开关630和 显示单元640。显示单元640由任一上述实施例的显示器件构成。应用例5图50A至图50G图示了应用上述实施例的显示器件的手机的外观。该手机例如是 通过连接件(铰链部)730使上部壳体710与下部壳体720连接起来而得到的，并且包括显 示屏740、副显示屏750、图片灯760和照相机770。显示屏740或者副显示屏750由任一上 述实施例的显示器件构成。虽然已经通过各实施例对本发明进行了说明。然而，本发明不限于这些实施例，可 以做出各种变形。例如本发明不限于各实施例中所说明的各层的材料和厚度、成膜方法以 及成膜条件等，可以使用其它材料和厚度、其它成膜方法以及其它成膜条件。例如，在各实施例中，已经说明了从基板11侧在基板11上依次堆叠下部电极13、 有机层15和上部电极16并从密封基板20侧获取光的情况。但该堆叠顺序也可以倒置。在 基板11上，可以从基板11侧在基板11上依次堆叠上部电极16、有机层15和下部电极13， 并且可以从基板11侧获取光。此外，例如在上述各实施例中，已经说明了将下部电极13设为阳极并将上部电极 16设为阴极的情况。然而，阳极和阴极可以互换。可将下部电极13设为阴极并且可将上部 电极16设为阳极。可以从基板11侧在基板11上依次堆叠上部电极16、有机层15和下部 电极13，并且可从基板11侧获取光。另外，在各实施例中，已经具体说明了有机发光元件10R、有机发光元件10G和有 机发光元件10B的结构。然而，不是必须设置有上述所有层，并且也可以设置有其他层。此外，尽管在上述各实施例中已经说明了有源矩阵显示器件的情况，但本发明也 适用于无源矩阵显示器件。另外，用于有源矩阵驱动的像素驱动电路的电路不限于各实施例中的说明。视需要，可以增设电容元件和晶体管。在此情况中，根据像素驱动电路中的变化，除了设有信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130之外，还可以设置有必要的驱动电路。另外，本发明不限于蒸发沉积方法，并且也适用于使用印刷板的印刷方法。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
一种具有多个有机发光元件的显示器件的制造方法，其包括如下步骤在基板上形成与所述多个有机发光元件分别对应的驱动元件；形成一层以上的平坦化膜，所述一层以上的平坦化膜在与各所述驱动元件对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔；在包含所述连接孔的区域中形成与所述多个有机发光元件分别对应的下部电极；在所述下部电极之间的区域中形成像素隔离绝缘膜；通过使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法在所述下部电极上方形成包含发光层的有机层；以及在所述有机层上方形成上部电极，其中，形成所述下部电极的步骤包括如下步骤形成下部电极材料膜；在所述下部电极材料膜上形成光致抗蚀剂膜；使用所述蒸发沉积掩模对所述光致抗蚀剂膜进行曝光，然后将所述光致抗蚀剂膜显影；和通过使用所述光致抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻，选择性地除去所述下部电极材料膜。
2.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，形成所述像素隔离绝缘膜的步骤包括如下步骤形成感光膜；和使用所述蒸发沉积掩模对所述感光膜进行曝光，然后将所述感光膜显影。
3.一种具有多个有机发光元件的显示器件的制造方法，其包括如下步骤在基板上形成与所述多个有机发光元件分别对应的驱动元件；形成一层以上的平坦化膜，并且把所述一层以上的平坦化膜中的至少最上层平坦化膜中的连接孔的侧面形成为正向锥形；在包含所述连接孔的区域中形成与所述多个有机发光元件分别对应的下部电极；通过使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法以覆盖所述下部电极的所有顶面和侧面的方 式形成包含发光层的有机层；以及 在所述有机层上方形成上部电极，其中，所述下部电极通过使用所述蒸发沉积掩模来予以形成。
4.如权利要求3所述的显示器件的制造方法，其中，把所述下部电极的侧面形成为正向锥形。
5.如权利要求3所述的显示器件的制造方法，其中，把所述下部电极形成得比所述有机层薄。
6.如权利要求3所述的显示器件的制造方法，其中，形成所述一层以上的平坦化膜的步骤包括如下步骤形成第一平坦化膜，它在与所述驱动元件对应的位置处具有连接孔；在包含所述第一平坦化膜的所述连接孔的区域中形成中间电极；以及形成第二平坦化膜，它在与所述中间电极对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔。
7.—种显示器件，它包括驱动元件，它们分别对应于多个有机发光元件而被形成在基板上； 一层以上的平坦化膜，它们中的至少最上层膜具有侧面为正向锥形的连接孔； 下部电极，它们分别对应于多个有机发光元件而被形成在包含所述连接孔的区域中； 有机层，它包含发光层；以及 上部电极。
8.如权利要求7所述的显示器件，其中，所述有机层被形成为覆盖着所述下部电极的 所有顶面和侧面。
9.如权利要求7所述的显示器件，其中，所述下部电极的侧面具有正向锥形。
10.如权利要求7所述的显示器件，其中，所述下部电极比所述有机层厚。
11.如权利要求7所述的显示器件，还包括第一平坦化膜，它在与所述驱动元件对应的位置处具有连接孔； 中间电极，它形成在包含所述第一平坦化膜中的所述连接孔的区域中；以及 第二平坦化膜，它在与所述中间电极对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔。
全文摘要
本发明提供显示器件及其制造方法，该制造方法包括在基板上形成驱动元件；形成在与各驱动元件对应的位置处具有侧面为正向锥形的连接孔的平坦化膜；形成与多个有机发光元件分别对应的下部电极；在下部电极之间的区域中形成像素隔离绝缘膜；使用蒸发沉积掩模的蒸发沉积方法在下部电极上方形成包含发光层的有机层；以及在有机层上方形成上部电极。在形成下部电极时的步骤包括形成下部电极材料膜；在下部电极材料膜上形成光致抗蚀剂膜；使用蒸发沉积掩模对光致抗蚀剂膜进行曝光，然后显影；和通过使用光致抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻，选择性地除去下部电极材料膜。本发明能减小下部电极或像素隔离绝缘膜与有机层之间的位置偏离，并能增大开口率。
文档编号G09G3/32GK101800194SQ201010104328
公开日2010年8月11日 申请日期2010年2月2日 优先权日2009年2月9日
发明者关谷光信 申请人:索尼公司