El装置、用于形成导电膜的感光材料和导电膜的制作方法

文档序号:2646453阅读:160来源:国知局
专利名称:El装置、用于形成导电膜的感光材料和导电膜的制作方法
技术领域
本发明涉及一种EL装置、用于形成导电膜的感光材料和导电膜。
背景技术
近年来,已经研究了 1 各种制造方法获得的导电膜(参见,例如,JP-A-200(M3088( “JP-A” 指未经审查公布的日本专利申请)、JP-A-10"34D629、JP-A-10"41682、JF^-42-23746( ‘‘JPH經审查的 日本专利公布)和JP-A-2006-228649)。在这些导电膜中,有通过以下方法制造的银盐基导 电膜,其中涂布卤化银乳剂层,然后图案曝光,使得可以形成具有提供导电性的银的导电部 和确保透明性的开口部的图案形状(参见,例如,JP-A-2004-221564、JP-A-2004-221565、 JP-A-2007-95408 和 JP-A-2006-332459)。

发明内容
本发明在于一种EL装置,其包含支持体和依序设置在所述支持体上的带有网状 图案的导电层、荧光体层、反射绝缘层和背电极,其中所述导电层的网状图案的开口部的 宽度X(i!m)和所述导电层的网状图案的开口部的表面电阻率满足下式(a)和 (b)(a) 50 彡 X 彡 7000(b) 105 彡 Y 彡(5 X 1023) X X-4.02。此外,本发明在于一种导电膜,其包含支持体和设置在所述支持体上的带有网状 图案的导电层,其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度Xhm)和所述导电层的网状 图案的开口部的表面电阻率满足上式(a)和(b)。此外,本发明在于一种用于形成导电膜的感光材料,其包含支持体和在所述支持 体上的含有银盐的乳剂层,其中所述含有银盐的乳剂层或与位于含有银盐的乳剂层相同侧 上的任何其他层含有导电微粒和粘结剂,和所述层中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2。从以下结合附图的说明中可以更清楚地知晓本发明的其他和进一步特征及优点。


图1是本发明的一个优选实施方案的无机EL装置(元件)的剖面图。图2是图1所示的无机EL装置的导电膜(透明电极)的放大剖面图。图3是含有导电微粒的层中粘结剂含量和亮度之间关系的示图(实施例1)。图4是网间距和亮度之间关系的示图(实施例2)。图5是含有导电微粒的层(网状图案的开口部)的表面电阻率和亮度之间关系的 示图(实施例3)。图6是网状图案的开口部的宽度和网状图案的开口部的表面电阻率之间关系的 示图(实施例3)。附图标记说明
4
1无机EL装置2透明电极(透明导电膜)
3荧光体层(荧光体粒子层)4反射绝缘层(介电层)
5背电极6,7电极
8银膏(辅助电极)9绝缘膏
21透明支持体22下涂层(Gel层)
23含有导电微粒的层(氧化锡层)24导电层(银网状图案)
25胶体二氧化硅粒子31荧光体粒子
2/19 页
具体实施例方式关于银盐基导电膜,已经研究了各种用途,本发明人对其作为无机EL的面电极的 用途进行了研究。例如,通过将荧光体层、反射绝缘层和背电极的一体件贴合在导电膜(透 明电极)上或通过在导电膜上依序印刷(涂布)荧光体层、反射绝缘层、背电极和绝缘层, 可以得到无机EL装置。然而,使用银盐基导电膜制作的无机EL装置其亮度比使用氧化铟 锡(IT0)作为导电膜制作的装置的亮度差。根据本发明,提供以下方式(1) 一种EL装置,其包含支持体,带有网状图案的导电层,荧光体层,反射绝缘层,和背电极;其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述 支持体上,和其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X(i!m)和所述导电层的网状图案的 开口部的表面电阻率满足下式(a)和(b)(a) 50 彡 X 彡 7000(b) 105 ^ Y ^ (5 X 1023) X X"4'02。(2)如上述项(1)所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X 为 100 5000 iim。(3)如上述项⑴或⑵所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部的 表面电阻率Y为106 1015Q/ 口。(4)如上述项⑴ (3)中任一项所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的 开口部含有导电微粒。(5)如上述项⑷所述的EL装置,其中所述导电微粒是掺锑的氧化锡。(6)如上述项⑷或(5)所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部含 有质量比为1/33 5/1的导电微粒和粘结剂。(7)如上述项(6)所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部含有质量 比为1/3 5/1的导电微粒和粘结剂。(8) —种导电膜,其包含
5
支持体,和设置在所述支持体上的带有网状图案的导电层;其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X(i!m)和所述导电层的网状图案的 开口部的表面电阻率满足下式(a)和(b)(a) 50≤ X ≤7000(b) 105 ≤ Y ≤(5 X 1023) X X"4'02。(9) 一种用于形成导电膜的感光材料,其包含支持体,和在所述支持体上的含有银盐的乳剂层;其中所述含有银盐的乳剂层和位于含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层中的至 少一个含有导电微粒和粘结剂,和其中所述含有导电微粒和粘结剂的层中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2。(10)如上述项(9)所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述粘结剂的含量为 0. 05 0. 2g/m2。(11)如上述项(9)或(10)所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述导电微粒 的含量为0. 05 lg/m2。(12)如上述项(11)所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述导电微粒的含 量为 0. 1 0. 5g/m2。(13)如上述项(9) (12)中任一项所述的用于形成导电膜的感光材料,其中在所 述含有银盐的乳剂层和位于含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层中的至少一个中含有含 量为0. 05 0. 5g/m2胶体二氧化硅。(14) 一种导电膜,其包含通过使如上述项(9) (13)中任一项所述的用于形成导 电膜的感光材料进行图案曝光和显影处理而形成的导电部。在本发明中,“(支持体的)含有银盐的乳剂层侧”或“导电层侧”指与支持体的背 面侧相对的支持体侧,即,其上涂布至少含有银盐的乳剂层或导电层的支持体侧。本发明的用于形成导电膜的感光材料具有在支持体上的含有银盐的乳剂层,含有 银盐的乳剂层和位于含有银盐的乳剂层侧的任何其他层中的至少一个含有导电微粒和粘 结剂,并且该层(含有导电微粒的层)中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2。关于本发明的用 于形成导电膜的感光材料,例如,可以考虑在透明支持体上基本上仅具有含有银盐的乳剂 层的实施方案和在透明支持体上具有含有银盐的乳剂层和含有导电微粒的层的实施方案。 在其中基本上仅含有银盐的乳剂层设置在支持体上的实施方案的情况下,导电微粒和粘结 剂包含在含有银盐的乳剂层中,结果,含有银盐的乳剂层是含有导电微粒的层。关于本发明的用于形成导电膜的感光材料的各层,下面详细说明其结构。[支持体]本发明的用于形成导电膜的感光材料使用的支持体可以是透明的,例如塑料膜、 塑料板或玻璃板。支持体优选是熔点约290°C以下的塑料膜或塑料板,如聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)(熔点258°C )、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)(熔点269°C )、聚乙烯(PE)(熔点 135°C )、聚丙烯(PP)(熔点163°C )、聚苯乙烯(熔点230°C )、聚氯乙烯(熔点180°C )、聚偏二氯乙烯(熔点212°C )或三乙酰基纤维素(TAC)(熔点290°C )。从光透过性和加 工性的观点来看,PET是特别优选的支持体。优选的是,上述支持体在整个可见光区的透过率为70% 100%,更优选85% 100%,特别优选90% 100%。此外,支持体可以被着色成不妨碍本发明目的的程度。[含有银盐的乳剂层]本发明的用于形成导电膜的感光材料具有在支持体上作为光传感器的含有银盐 的乳剂层(含有银盐的感光层)。对含有银盐的乳剂层(含有银盐的感光层)进行曝光和 显影处理,从而形成导电层。除了银盐和粘结剂之外,含有银盐的感光层可以含有添加剂, 如溶剂和染料。通过使用特定形状的网状图案使含有银盐的感光层进行曝光和显影处理, 从而形成第一导电层。本发明中的第一导电层优选是具有网状形成的导电部和导电部之外 的开口部的层。乳剂层可以由单层构成或者由两个或更多层构成。乳剂层的厚度优选是 0. 1 li m 10 li m,更优选 0. 1 li m 5 li m。在感光材料中,含有银盐的乳剂层基本上配置在最上层。术语“含有银盐的乳剂层 基本上配置在最上层”不仅指含有银盐的乳剂层实际上配置作为最上层的情况,而且指总 膜厚0. 5 y m以下的层配置在含有银盐的乳剂层上的情况。配置在含有银盐的乳剂层上的 层的总膜厚优选为0.2i!m以下。(银盐)本发明使用的银盐的例子包括诸如卤化银等无机银盐和诸如乙酸银等有机银盐。 在本发明中,优选使用作为光传感器性能优异的卤化银,并且有关卤化银的银盐照相软片、 相纸、平版印刷膜和光掩模用乳胶掩模等技术也适用于本发明。在含有银盐的乳剂层中银 盐的涂布量没有特别限制,换算为银计,优选为0. 1 40g/m2,更优选0. 5 25g/m2,进一步 优选0. 5 10g/m2,特别优选4 8. 5g/m2。本发明中使用的卤化银乳剂可以含有属于元素周期表VIII族或VIIB族的金属。 特别地,为获得高对比度和低雾度,优选含有铑化合物、铱化合物、钌化合物、铁化合物或锇 化合物等。这些化合物可以是具有各种配体的化合物。此外,为获得高感光度,有利的是用六氰金属配合物掺杂,如1(4[ 6(〔幻6]、 K4[Ru(CN)6]或 K3[Cr(CN)6]。铑化合物可以是水溶性铑化合物。水溶性铑化合物的例子包括卤化铑(III)化合 物、六氯铑(III)配合盐、五氯水合铑配合盐、四氯二水合铑配合盐、六溴铑(III)配合盐、 六胺铑(III)配合盐、三草酸合铑(trisalatorhodium) (III)配合盐和和K3[Rh2Br9]。铱化合物的例子包括六氯铱配合盐如K2[IrCl6]和K3[IrCl6]、六溴铱配合盐、六胺 铱配合盐和五氯亚硝酰根铱配合盐。在制造本发明中使用的卤化银乳剂时,优选的是,在制造过程中,在不使用阴离子 沉降剂的情况下进行洗涤和脱盐。为根据其中在没有阴离子沉降剂存在下仅通过PH调节 沉降乳剂并除去上清液的方法来进行洗涤和脱盐,优选使用化学修饰的明胶作为分散剂。 当其中带正电荷的氨基变为不带电荷或带负电的氨基的明胶被用作分散剂时,可以仅通过 减小PH来沉降乳剂,并且为了沉降乳剂不需要阴离子沉降剂。这样修饰的明胶的例子包括 乙酰化的、脱氨基化的、苯甲酰化的、二硝基苯基化的、三硝基苯基化的、氨基甲酰基化的、 苯基氨基甲酰基化的、琥珀酰基化的、琥珀酸酯化的或邻苯二甲酸酯化的明胶。在这些明胶中,优选使用邻苯二甲酸酯化的明胶。当使用邻苯二甲酸酯化的明胶时,可以改善导电性和 涂布面的状态。(粘结剂)在乳剂层中,粘结剂用于均勻分散银盐粒子,并辅助乳剂层和支持体之间的粘合。 在本发明中,尽管水不溶性聚合物和水溶性聚合物均可用作粘结剂,但优选使用水溶性聚 合物。粘结剂的例子包括明胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、诸如淀粉、纤维 素及其衍生物等多糖类、聚环氧乙烷、多糖、聚乙烯基胺、壳聚糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚褐 藻酸、聚透明质酸和羧基纤维素。取决于官能团的离子性能,这些材料具有中性、阴离子或 阳离子性。在本发明中,特别优选使用明胶。乳剂层中粘结剂的含量没有特别限制,并且可以在满足分散性和粘合性的范围内 适当选定。至于乳剂层中的粘结剂含量,Ag与粘结剂的体积比优选为1/10以上,更优选 1/4以上,进一步优选1/2以上。此外,Ag与粘结剂的体积比特别优选为1/2 10/1,最优 选 1/2 5/1。(溶剂)形成乳剂层时使用的溶剂没有特别限制,可以是例如水、有机溶剂(例如,醇类如 甲醇、酮类如丙酮、酰胺类如甲酰胺、亚砜类如二甲亚砜、酯类如乙酸乙酯或醚类)、离子性 液体或其混合物。相对于乳剂层中含有的银盐、粘结剂等的总质量计,本发明的乳剂层中使用的溶 剂含量优选为30 90质量%,更优选50 80质量%。本发明中可以使用的各种添加剂没有特别限制,可以有利地使用任何添加剂。其 例子包括增稠剂、抗氧化剂、消光剂、润滑剂、防静电剂、成核剂、分光增感染料、表面活性 剂、防雾剂、硬化剂、黑斑抑制剂。可以加入具有高介电常数的化合物。为了成为表面疏水 性,可以将疏水性基团引入粘结剂中,或者疏水性化合物可以加到粘结剂中。(导电微粒和粘结剂)在本发明的用于形成导电膜的感光材料中,在含有银盐的乳剂层和位于含有银盐 的乳剂层侧上的任何其他层中的至少一个含有导电微粒和粘结剂。当含有导电微粒的层是 位于含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层时,该层的位置没有特别限制,只要该层满足在 制造导电材料后,使导电层具有电气传导性的要求。特别地,优选的是,含有导电微粒和粘 结剂的层设置在含有银盐的乳剂层上。含有导电微粒的层中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2,优选0. 05 0. 3g/m2,更优 选0. 05 0. 2g/m2。在大含量粘结剂的情况下,即使导电微粒的含量增大,含有导电微粒的 层的表面电阻率也没有充分下降的倾向。通过在上述范围内控制粘结剂含量而未使用超过 必要量的导电微粒,可以充分地降低表面电阻率。相反,在过低含量粘结剂的情况下,在制 造过程中,导电微粒可能会剥落,这对于过程管理不利。此外,当粘结剂含量大大超过足够 量时,亮度下降,这是不利的。另一方面,当粘结剂含量大大低于足够量时,导电微粒的分散 变得不稳定,这是不利的。含有导电微粒的层中的导电微粒的含量优选为0. 05 lg/m2,更优选0. 1 0. 5g/ m2,更优选0. 2 0. 45g/m2。当导电微粒的含量过大时,导电微粒的分散变得不稳定,这是不利的。另一方面,当导电微粒含量过小时,在具有通过使上述感光材料进行图案曝光和 显影处理形成的网状图案的导电部的导电膜中,有时导电膜的开口部可能不发射出光,这 是不利的。导电微粒与粘结剂的质量比(导电微粒/粘结剂)优选为1/33 5/1,更优选 1/3 5/1。本发明中使用的导电微粒的例子包括诸如Sn02、ZnO、Ti02、A1203、ln203、MgO、BaO 和Mo03等金属氧化物的粒子;其复合氧化物的粒子;和通过将不同原子加到金属氧化物 中得到的金属氧化物的粒子。金属氧化物的优选例子包括Sn02、ZnO、Ti02、A1203、ln203和 MgO ;Sn02是特别优选的。Sn02粒子优选是用锑掺杂的Sn02粒子,特别优选锑掺杂量0. 2 2. 0mol%的Sn02粒子。本发明中使用的导电微粒的形状没有特别限制,其例子包括粒状和 针状。导电微粒的粒径优选为0. 005 0. 12 ii m。粒径的下限更优选为0. 008 u m,更优选 O.Oliim。粒径的上限更优选为0.08 iim,更优选0.05 iim。当粒径满足上述需求时,可以形 成透明性优异和面内方向导电性均勻的导电层。导电微粒的粉末电阻(在9.8-MPa压力下的粉末)的下限优选为0. 8 Q cm,更优选 1 Q cm,进一步优选4 Q cm。导电微粒的粉末电阻(在9. 8_MPa压力下的粉末)的上限优选 为35 Q cm,更优选20 Q cm,进一步优选10 Q cm。当粉末电阻满足上述要求时,可以形成面内 方向导电性均勻的导电层。比表面积(根据简易BET法)优选为60 120m2/g,更优选70 100m2/g。满足 所有上述优选要求的导电微粒是特别优选的。当导电微粒是球形粒子时,平均(一次)粒径优选为0.005 0.12 iim,更优选 0. 008 0. 05 ii m,进一步优选0. 01 0. 03 ii m。粉末电阻优选为0. 8 7 Q cm,更优选1 5 Q cm。当粒子是针状粒子时,其长轴的平均轴长优选为0. 2 20 ym,其短轴的平均轴长 为0. 01 0. 02iim。其粉末电阻优选为3 35 Q cm,更优选5 30 Q cm。当导电微粒和粘结剂包含在含有银盐的乳剂层中时,导电微粒的涂布量优选为
0. 05 0. 9g/m2,更优选0. 1 0. 6g/m2,进一步优选0. 1 0. 5g/m2,特别优选0. 2 0. 4g/
2
m 0在本发明中,允许设置含有银盐的乳剂层之外的任选层,并将导电微粒和粘结剂 加到任选层中。任选层可以是相对于含有银盐的乳剂层的上层或下层。还优选的是将导电 微粒和粘结剂加到邻近含有银盐的乳剂层的层中。术语“上层”是更接近最上表面层(或 最上层)并比乳剂层更远离支持体的层,术语“下层”是指比乳剂层更接近支持体的层。当除了含有银盐的乳剂层之外还设置含有导电微粒和粘结剂的层时(例如,作为 相对于含有银盐的乳剂层的上层),导电微粒的涂布量优选为0. 1 0. 6g/m2,更优选0. 1 0.5g/m2,进一步优选0.2 0.4g/m2。当含有导电微粒和粘结剂的层为下层(如下涂层) 时,导电微粒的涂布量优选为0. 1 0. 6g/m2,更优选0. 1 0. 5g/m2,进一步优选0. 16 0. 4g/m2。在这些情况下,含有导电微粒的层中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2,优选0. 05 0. 3g/m2,更优选 0. 05 0. 2g/m2。在本发明中,其中含有银盐的乳剂层、含有导电微粒的层和保护层设置在支持体 上的实施方案是优选的。保护层由含有粘结剂(优选明胶)和溶剂的涂布液形成。在该实 施方案中,含有导电微粒的层和保护层中的粘结剂总含量优选设置为0. 05 0. 5g/m2,更优选0. 05 0. 3g/m2,进一步优选0. 05 0. 2g/m2。当保护层中的粘结剂含量过大时,含有导 电微粒的层和与其邻近的层的导电性可能会不充分,结果,可能不能获得预定效果。当导电微粒的涂布量过大时,实用的透明性变得不充分,并且得到的导电膜倾向 于不适合作为透明导电膜。此外,当导电微粒的涂布量过大时,在涂布过程中不容易分散导 电微粒,制造不良倾向于增大。当涂布量过小时,面内电气特性变得不充分,并且当得到的 膜用于EL元件时,实用的亮度倾向于变得不充分。优选的是,包含导电微粒的层的位置是含有银盐的乳剂层的上层。可以通过这种 构造提高EL装置的亮度。据认为,这种效果归因于接近荧光体层的层中的粘结剂含量影响 施加到荧光体上的电压的介电常数的功能。换句话说,即使通过在乳剂层或乳剂层的下层 位置形成含有导电微粒的层,然后在这些层上形成荧光体层而制造的EL装置发光,由于在 含有导电微粒的层上设置的含有银盐的乳剂层和保护层中存在粘结剂,EL装置的亮度在一 定程度下也会下降。含有导电微粒的层中包含的粘结剂具有使导电微粒附着到支持体上的功能。作为 粘结剂,优选使用水溶性聚合物。作为粘结剂,例如,可以使用与乳剂层中所用的相同粘结 剂。[其他层结构]保护层可以形成在乳剂层上。在本发明中,“保护层"是指由诸如明胶或聚合物 等粘结剂形成的层,并形成在具有感光性的乳剂层上,用于防止划伤和改善机械性能。保护 层的厚度优选为0. 2 y m以下。保护层的涂布方法和形成方法没有特别限制,可以适宜地选 择已知的涂布方法和形成方法。在乳剂层下面,例如,可以铺设下涂层。[导电膜]本发明的导电膜具有设置在支持体(优选透明支持体)上的带有网状图案的导电 层,其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X(i!m)和所述导电层的网状图案的开口 部的表面电阻率满足下式(a)和(b)。此外,所述导电膜优选满足下式(bl),更 优选下式(b2)。(a) 50 ≤ X ≤ 7000(b) 105 ≤ Y ≤(5 X 1023) X X-4.02(bl)105 ≤ Y ≤(1 X 1023) XX-4 02(b2) 105 ≤ Y ≤(3 X 1022) X X"4'25本发明中使用的导电膜其网状图案的开口部的表面电阻率必须满足上述条件。优 选的是,通过使上述用于形成导电膜的上述感光材料进行图案曝光和显影处理得到导电 膜。然而,本发明中使用的导电膜不限于这种类型的导电膜。关于本发明中使用的导电膜,当导电层和/或导电层侧的任何其他层含有导电微 粒和粘结剂时,导电层(第一导电层)的例子包括通过使上述用于形成导电膜的感光材料 进行图案曝光和显影处理得到的导电层、具有铜箔网状图案的层和具有通过印刷方法形成 的网状图案的层。除了第一导电层和第二导电层(在含有导电微粒和粘结剂的导电层侧上 的任何其他层,例如,保护层和下涂层)之外,还可以设置含有不同于在第二导电层中包含 的导电微粒的导电微粒的层、IT0层和含有导电聚合物的层。本发明的导电膜中的第一导电层和第二导电层优选满足以下关系。当满足该关系时,导电膜的面内电气特性变得更均勻。因此,当该膜被制造成无机EL装置时,在整个面内 可以获得充分亮度。(1)第一导电层的表面电阻率小于第二导电层的表面电阻率。(2)第一导电层的表面电阻率为l,000Q/sq以下(和O.OlQ/sq以上),第二导 电层的表面电阻率为l,000Q/sq以上(和lX1014Q/sq以下)。第一导电层的表面电阻率的上限更优选为150 Q/sq。第一导电层的表面电阻率的 下限更优选为0. 1 Q /sq,特别优选1 Q /sq。第二导电层(含有导电微粒的层)的表面电阻率的上限更优选为lX1013Q/sq。 第二导电层的表面电阻率的下限优选为1 X 108 Q /sq,特别优选1 X 109 Q /sq。优选的是,本发明使用的导电层中的二氧化硅含量为0.05 0.5g/m2。优选的是, 二氧化硅含量为0. 16g/m2以上,进一步优选0. 24g/m2以上。优选的是,二氧化硅含量为 0. 5g/m2以下,进一步优选0.4g/m2以下。如果二氧化硅含量过大,在制造过程中二氧化硅 的分散可能会变难,或者表面状态可能会变差。关于二氧化硅,优选使用胶体状的二氧化硅(胶体二氧化硅)。胶体二氧化硅 是指平均粒径lnm以上和lym以下的硅酸酐的微粒的胶体,可以参考JP_A_53_112732、 JP-B-57-9051和JP-B-57-51653中记载的那些。胶体二氧化硅可以通过溶胶-凝胶法制备 并被使用,还可以使用市售品。在通过溶胶-凝胶法制备胶体二氧化硅的情况下,可以参考例如WernerStober 等人,“J. Colloid and Interface Sci. ”,26,p. 62-69 (1968) ;Ricky D. Badley 等人, “Langmuir,,,6,p. 792-801 (1990);禾口 “Skikizai Kyokaishi (Journalof the Japan Society of Colour Material) ”,61 [9],p. 488-493 (1988)制备。在使用市售品的情况下,可以优选使用SN0WTEX-XL(平均粒径40 60nm)、 SN0WTEX-YL (平均粒径50 80nm)、SN0WTEX-ZL (平均粒径70 100nm)、PST-2 (平均粒 径210nm)、MP-3020 (平均粒径328歷)、SN0WTEX 20 (平均粒径10 20nm,Si02/Na20 > 57)、SN0WTEX 30(平均粒径10 20nm,Si02/Na20 > 50)、SN0WTEX C(平均粒径10 20nm, Si02/Na20 > 100)和 SN0WTEX 0 (平均粒径10 20nm, Si02/Na20 > 500),所有这些均为商 品名并由Nissan Chemical Industries, Ltd.制造(这里所用的术语〃 Si02/Na20〃是指 二氧化硅与氢氧化钠的含量质量比,并将氢氧化钠换算为Na20表示,记载于小册子中)。在 使用市售品的情况下,SN0WTEX-YL、SN0WTEX-ZL、PST-2、MP-3020和SN0WTEX C是特别优选 的。尽管胶体二氧化硅的主要成分是二氧化硅,但是氧化铝、铝酸钠等也可以被包含 作为少量成分;和/或无机碱如氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂和氨水或有机碱如四甲基铵 可以被包含作为稳定剂。还可以优选使用JP-A-10-268464中记载的厚度1 50nm和长度10 1,OOOnrn 的细长形状的胶体二氧化硅;和JP-A-9-218488或JP-A-10-111544中记载的胶体二氧化硅 和有机聚合物的复合粒子。下面详细说明通过使本发明的用于形成导电膜的感光材料图案曝光,然后使曝光 的材料显影处理得到的导电膜的实施方案。在本发明中,通过图案曝光和显影处理形成的网状图案的例子包括其中直线相互正交的格子图案和其中交叉部间的导电部具有至少一个曲率的波浪线格子图案。在本 发明中,导电层的网状图案的间距(导电部的线宽度和开口部的宽度之和)优选为250 1,000 ii m。导电部的线宽度优选为30 ii m以下,更优选20 y m以下,进一步优选15 y m以下。 线宽度优选为1 P m以上,更优选3 y m以上。例如,关于直线格子图案,优选的是,导电部的 线宽度/开口部的宽度之比,即线/间隔为5/995 10/595。本发明中的导电层的网状图案的开口部的宽度X(iim)为50 7,000 y m,优选 100 5,000 u m,更优选 200 2,000 u m。在本发明中,通过在确保导电性的范围内在导电层上涂布导电聚合物等,可以形 成具有更高电阻的透明导电层。[曝光]通过使用光掩模的平面曝光或通过使用激光束的扫描曝光,可以进行含有银盐的 乳剂层的图案曝光。可以使用利用透镜的折射曝光或利用反射镜的反射曝光,可以使用接 触曝光、接近曝光、缩小投影曝光或反射投影曝光等。[显影处理]在含有银盐的乳剂层上进行曝光后,对乳剂层进一步进行显影处理。关于显影处 理,可以使用银盐照相软片、相纸、平版印刷膜和光掩模用乳胶掩模等使用的普通显影技 术。在本发明中,进行上述图案曝光和显影处理,从而在曝光部中形成具有网状图案 的导电部(金属银部),并且在未曝光部中形成开口部(光透过性部)。感光材料的显影处 理可以包括用于除去未曝光部中的银盐并且实现稳定化的定影处理。在本发明的感光材料 的定影处理中,可以使用银盐照相软片、相纸、平版印刷膜和光掩模用乳胶掩模等使用的任 何定影处理技术。在含有银盐的乳剂层含有导电微粒的情况下,相对于这样得到的导电膜,导电微 粒分散在银盐退出(dropped out)的光透过区中,从而形成比金属银区具有更高电阻的导 电层。当含有银盐的乳剂层之外的任何层含有导电微粒时,以相同方式形成具有其中分散 有导电微粒的光透过区的导电层。导电膜优选用作EL装置的透明电极。此外,本发明的导 电膜可以不仅用于EL装置的透明电极,而且可用于其中透明电极作为必要部件的各种结 构。配置有透明电极的结构的例子包括发光显示装置和电致变色装置。[EL 装置]下面详细说明本发明的EL装置。本发明的EL装置具有以下构成其中荧光体层夹在一对对向电极之间,并且至少 一个电极具有上述导电膜。EL装置可以是有机EL装置或无机EL装置。图1显示本发明的 无机EL装置的优选实施方案的示意图。作为本发明一个优选实施方式的无机EL装置1依序具有透明电极(上述导电 膜)2、荧光体层3、反射绝缘层4和背电极5。荧光体层3设置在导电膜的导电层侧。透明 电极2和背电极5通过电极6和7彼此电连接。银膏8被涂布在接触透明电极2的电极6 上作为辅助电极,绝缘膏9被涂布在荧光体层3侧。可以通过在透明电极上印刷(涂布)这些层来设置荧光体层3、反射绝缘层4和背 电极5,或可选择地,通过贴合它们可以形成装置。这里表述"通过印刷(涂布)设置"是指在透明电极上直接印刷(涂布)荧光体层3、反射绝缘层4和背电极5。此外,表述"贴 合"是指通过将透明电极与荧光体层3、反射绝缘层4和背电极5的一体件热压合而形成装置。通过将电压施加到透明电极2和背电极5,在荧光体层3的荧光体31上施加电位 差。电位差变成发光能量,并通过使用交流电源连续施加电位差维持发光状态。[透明电极]上述透明导电膜用作本发明中使用的透明电极2。图2显示图1所示的无机EL装 置的导电膜(透明电极)的放大剖面图。在图2中,导电膜2在透明支持体21上具有下涂 层(Gel层)22、含有导电微粒的层(氧化锡层)23和银网状图案的导电层24。此外,胶体 二氧化硅粒子25配置在氧化锡层23和/或导电层24中。如图2所示,优选的是,导电微 粒包含在导电层的网状图案的开口部23中。此外,优选的是,导电层的网状图案的开口部 含有质量比1/33 5/1、更优选1/3 5/1的导电微粒和粘结剂。[荧光体层]通过在粘结剂中分散荧光体粒子31形成荧光体层(荧光体粒子层)3。作为粘 结剂,可以使用具有相对较高介电常数的聚合物,如氰基乙基纤维素系树脂,和树脂如聚乙 烯、聚丙烯、聚苯乙烯系树脂、硅树脂、环氧树脂和偏二氟乙烯树脂等树脂。荧光体层3的厚
1 μm 50 μm。荧光体层3中含有的荧光体粒子31具体而言是包括选自族II元素和族VI元素 的一种以上元素和选自族III元素和族V元素的一种以上元素的半导体的粒子。根据必要 的发光波长区域选择元素。作为粒子,优选使用ZnS、CdS和CaS。荧光体粒子31的平均球相当直径优选为0. 1 ii m 15 ii m。平均球相当直径的变 异系数优选为35 %以下,更优选5 % 25 %。这些粒子的平均球相当直径可以根据激光散 射法使用例如LA-500(商品名,HORIBA Ltd.制)测量或使用Beckman Coulter Inc.制造 的库仑计数器测量。[反射绝缘层]优选的是,本发明的无机EL装置1具有接近荧光体层3和背电极5并置于这些层 之间的反射绝缘层(在一些情况下,也称作介电层)4。在介电层4中,可以使用任何介电物质,只要该物质具有高的介电常数和高的绝 缘性,并且也具有高的介电击穿电压。这些物质选自金属氧化物和氮化物。例如,可以使用 8&!103或彻1^206等。含有介电物质的介电层4可以设置在荧光体粒子层3的一侧。介电 层4还优选设置在荧光体粒子层3的两侧。优选的是,例如,通过根据例如旋涂法、浸涂法、棒涂法或喷涂法涂布这些层或通 过丝网印刷它们,进行荧光体层3和介电层4的膜形成。[背电极]在光未射出的背电极5中,可以使用任何导电物质。例如,可以使用诸如IT0等透 明电极或铝/碳电极,只要该物质具有导电性。此外,上述导电膜可以用作背电极。[密封/水吸收]优选的是,本发明的EL装置在透明导电膜的相对侧上具有适当的密封材料。还优 选的是,EL装置被加工成使得该装置不受外部环境的湿汽和氧气的影响。当该装置的支持体本身具有充分的遮蔽性能时,在制得的装置上方覆盖湿汽和氧气遮蔽片,然后可以用固 化性材料如环氧树脂密封装置的周围。此外,可以在平面装置的两面上设置遮蔽片(防水 片),以防止卷曲。当该装置的支持体是水透过性的时,必须在装置的两面上设置遮蔽片。在本发明的EL装置中,导电层的网状图案的开口部的宽度X(i!m)和网状图案的 开口部的表面电阻率Y(Q/ □)满足下式(a)和(b)。(a) 50 ≤ X ≤ 7000(b) 105 ≤ Y ≤(5 X 1023) X X"4'02导电层的网状图案的开口部的宽度X优选为100 5,000 iim。此外,导电层的网 状图案的开口部的表面电阻率Y优选为106 1015Q/ 口。本发明的EL装置的亮度等于或高于通过使用IT0薄膜作为导电膜所得的亮度, 因此,本发明的EL装置具有优异的光学性能。此外,本发明的EL装置的优点在于,在亮 度保持在大约均勻状态的同时,可以实现EL装置的全面发光,即使EL装置具有大尺寸,如 30cmX30cm 尺寸禾口 30cmX 50cm 尺寸。[电压和频率]通常,分散型EL装置由交流驱动。典型地,使用在100V下50Hz 400Hz的交流 电源驱动该装置。本发明的上述感光材料、导电膜和无机EL装置可以与选自下列已知文献的公开 的技术内容适宜组合使用。JP-A-2004-221564、JP-A-2004-221565、JP-A-2007-200922、JP-A-2006-352073、
W02006/001461、 JP-A-2007-129205、 JP-A-2007-235115、JP-A-2007--207987,JP--A--2006--012935,JP--A-2006-010795,JP-A-2006-228469、JP-A--2006--332459,JP--A--2007--207987,JP--A--2007-226215、W0 2006/088059、JP-A-2006--261315,JP--A--2007--072171,JP--A-2007-102200,JP-A-2006-228473、JP-A--2006--269795,JP--A--2006--267635,JP-A--2006-267627、W0 2006/098333、JP-A-2006--324203,JP--A--2006--228478,JP--A--2006-228836、JP-A-2006-228480丨、W02006/'098336,W02006/098338、 JP-A-2007-009326、 JP-A-2006-336057、JP-A-2006--339287,JP--A--2006--336090,JP-A-2006-336099,JP-A-2007-039738、JP-A--2007--039739,JP--A--2007--039740,JP--A-2007-002296,JP-A-2007-084886、JP-A--2007--092146,JP--A--2007--162118、JP--A--2007-200872,JP-A-2007-197809、JP-A--2007--270353,JP--A--2007--308761,JP--A--2006-■286410,JP-A-2006-283133、JP-A--2006-283137,JP--A--2006-348351、JP-A-2007-270321、JP-A-2007-270322、W02006//098335,JP--A--2007-088218、JP-A-2007-201378、JP-A-2007-335729、 W02006//098334,JP--A--2007--134439,JP--A--2007-■149760,JP-A-2007-208133、JP-A--2007--178915、JP--A--2007--334325,JP--A-2007-310091,JP-A-2007-311646、JP-A--2007--013130、JP--A--2006--339526,JP--A--2007-.116137、JP-A-2007-088219、JP-A--2007--207883,JP--A--2007-207893、JP-A-2007-207910、JP-A-2007-013130、 W02007/,001008,JP--A--2005--302508,JP--A--2005-■197234,JP-A-2008-218784、JP-A--2008--227350,JP--A--2008--227351,JP--A--2008--244067,JP-A-2008-267814、JP-A--2008-270405,JP--A--2008--277675,JP--A--2008--277676,JP-A-2008-282840、JP-A--2008--283029、JP--A--2008-288305、JP"-A--2008--288419,JP--A--2008--300720,JP--A--2008-■300721,JP-A--2009-4213、JP-A--2009--10001,JP--A--2009-16526,JP--A--2009-21334,JP--A--2009--26933,JP-A-2008-147507,JP--A-2008-.159770,JP--A--2008-.159771,JP--A--2008-■171568、JP-A.-2008-198388、JP--A--2008--218096,JP--A--2008--218264,JP--A--2008--224916、JP-A-2008-235224、JP-A--2008--235467,JP--A--2008--241987,
JP-A-2008-251274、 JP-A-2008-251275、 JP-A-2008-252046、 JP-A-2008-277428 禾口 了P-A-2009-21153。根据本发明,可以提供亮度等于或更优于通过使用IT0薄膜作为导电膜得到的亮 度的EL装置,并可以提供用于形成EL装置的导电膜的感光材料。当使用本发明的用于形成导电膜的感光材料时,通过使材料图案曝光,然后使曝 光的材料进行显影处理,可以低成本地制造具有高导电性的导电膜,无需进行任何电镀处 理。特别地,可以低成本地制造具有高导电性和透明性的导电材料。配置有通过使用本发明的用于形成导电膜的感光材料形成的导电膜的EL装置其 亮度等于或高于通过使用IT0薄膜作为导电膜得到的亮度,因此,EL装置具有优异的光学
性能。
下面,将基于以下实施例详细描述本发明,但本发明不限于此。
实施例
实施例1
(制备乳剂A)
溶液1
水750ml
明胶(邻苯二甲酰化处理的明胶)8g
氯化钠3g
1,3-二甲基咪唑烷-2-硫酮20mg
苯硫代磺酸钠lOmg
柠檬酸0. 7g
溶液2 :
水300ml
硝酸银150g
溶液3 :
水300ml
氯化钠38g
溴化钾32g
六氯铱(III)酸钾
(0. 005%,20% KC1 水溶液中)5ml
六氯铑酸铵
(0. 001%,20% NaCl 水溶液中)7ml
通过分别在20% KC1水溶液和20% NaCl水溶液中溶解配合物粉末,并在40°C下
加热溶液120分钟,制备溶液3中使用的六氯铱(III)酸钾(0.005%,20%KC1水溶液中)和六氯铑酸铵(0. 001%,20% NaCl水溶液中)。 向温度和pH保持在38°C,pH 4. 5的溶液1中搅拌下于20分钟内同时加入溶液2 和3(相应于各溶液量的90%的量)。这样,形成大小为0.16 ym的核粒子。随后,于8分 钟内向其中加入以下的溶液4和5,并于2分钟内向其中加入其余的溶液2和3 (相应于各 溶液量的10%的量),从而使粒子大小生长到0.21 iim。此外,向其中加入0. 15g碘化钾,将 生成物老化5分钟,结束粒子的形成。溶液4:水100ml硝酸银50g溶液5:水100ml氯化钠13g溴化钾llg亚铁氰化钾5mg此后,根据一般方法利用絮凝法用水洗涤。具体来说,将温度降至35°C,然后用硫 酸使PH值降低,直至卤化银沉淀(在pH为3. 6 士 0. 2时出现沉淀)。然后除去约3L的上清液(第一次水洗)。此外,将3L蒸馏水加到混合物中,加入 硫酸,直到卤化银沉淀。再次除去3L的上清液(第二次水洗)。将与第二次水洗相同的过 程重复一次(第三次水洗),从而完成水洗和脱盐步骤。水洗和脱盐后的乳剂的pH和pAg分别为6. 4和7. 5。向其中加入10mg苯硫代磺 酸钠、3mg苯硫代亚磺酸钠、15mg硫代硫酸钠和10mg氯金酸,从而进行化学增感,以得到在 55°C下最优的感度。然后,加入作为稳定剂的lOOmg l,3,3a,7-四氮杂茚(tetraindene) 和作为防腐剂的lOOmg Proxel (商品名,ICI Co. ,Ltd.制)。最后,得到含有70mol %氯化 银和0. 08mol%碘化银、平均粒径0. 22 ym和变异系数9%的碘氯溴化银立方体粒子乳剂。 乳剂最终为pH 6. 4、pAg 7. 5、电导率40ii S/m、密度1. 2X103kg/m3和粘度为60mPa s。(制备乳剂层涂布液A)向上述乳剂A中加入5. 7X l(T4m0l/m0l Ag的增感染料(SD_1)以进行分光增感。 此夕卜,向其中加入 3. 4X 10_4mol/mol Ag 的 KBr 和 8. 0X 10_4mol/molAg 的化合物(Cpd_3), 然后充分混合。接下来,将1. 2Xl(T4mol/mol Ag 的 1,3, 3a, 7-四氮杂茚、1. 2X 10_2mol/molAg 的 对苯二酚、3. OX l(T4mol/mol Ag 的柠檬酸、90mg/m2 的 2,4- 二氯-6-羟基-1,3, 5-三嗪钠、 相对于明胶15质量%的粒径10 ii m的胶体二氧化硅、50mg/m2的水性乳胶(aqL_6)、lOOmg/ m2的聚丙烯酸乙酯乳胶、100mg/m2丙烯酸甲酯、2-丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸钠和甲基丙烯 酸2-乙酰氧基乙基酯的乳胶共聚物(质量比88 5 7),100mg/m2的芯-壳型乳胶(芯 苯乙烯/ 丁二烯共聚物(质量比37/63),壳苯乙烯/丙烯酸2-乙酰氧基乙基酯(质量比 84/16),芯/壳比=50/50)和化合物(Cpd-7) (4质量%,相对于明胶)加到混合物中,制备 乳剂层涂布液A。使用柠檬酸将涂布液A的pH调节到5. 6。 (制造无机EL装置样品A)在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜支持体上,其两面均设置有含有偏二氯乙烯的湿汽阻 挡下涂层(下层),依序涂布卤化银乳剂层、导电微粒层和粘合赋予层,从而制作无机EL装 置样品A。<卤化银乳剂层>在下涂层上涂布上述制备的乳剂层涂布液A,使Ag和明胶的涂布量分别为8. 0g/ m2 和 0. 94g/m2。〈含有导电微粒的层〉通过在上述卤化银乳剂层上涂布10ml/m2量的以下溶液6形成含有导电微粒的层。溶液6 水1,000ml明胶15g掺Sb 的氧化锡(商品名:SN100P, Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd.制)40g掺Sb的氧化锡是球形导电微粒。该微粒的平均粒径为0. 01 0. 03 ii m( —次粒径)。粉末电阻为1 5 Q cm。比表面积(简易BET法)为70 80m2/g。此外,向其中适 宜地加入表面活性剂、防腐剂和PH调节剂。〈粘合赋予层〉以下溶液7以10ml/m2的量涂布在上述卤化银乳剂层和导电微粒层上,从而在其 上设置粘合赋予层。溶液7:水1000ml明胶15g此外,向其中适宜地加入表面活性剂、防腐剂和pH调节剂。干燥这样得到的涂布品。所得物称为样品A。在样品A中,导电微粒包含在含有导电微粒的层中,其量为0. 4g/m2,导电微粒与粘 结剂的质量比为2/1。在样品A中,在含有导电微粒的层和位于含有导电微粒的层上的层中 的粘结剂含量为0.3g/m2。为了检查导电微粒单独的电阻率(导电膜电阻率),对样品A仅 进行定影处理,没有进行曝光/显影处理。然后,测定不包含卤化银的表面电阻率。结果,为 1X109Q / 口。这里,使用数字型超高电阻/微电流测量仪8340A (商品名,EDCCORPORATION 制)测量表面电阻率。(制造无机EL装置样品B F)按与样品A相同方式制作样品B F,除了通过改变上述溶液6和溶液7的涂布量 和明胶量,使在含有导电微粒的层和位于含有导电微粒的层上的层中的粘结剂量分别变为 下表 1 所示的 0. 25,0. 2,0. 15,0. 1 和 0. 05g/m2。(制造比较用无机EL装置样品G I)按与样品A相同方式制作样品G I,除了使含有导电微粒的层设置在卤化银乳剂 层下,并且使在含有导电微粒的层和位于含有导电微粒的层上的层中的粘结剂量(包括卤 化银乳剂层中的粘结剂)分别变为下表1所示的1. 3,1. 0,0. 8g/m2。(制造参考用无机EL装置样品N)制造使用ITO薄膜作为导电膜的样品N,作为参考例。所用的ITO是Kitagawa Industries Co.,LTD.制造的产品,其透过率为85%,雾度为1%0(曝光/显影处理)接下来,通过能够提供其中线和间隔分别为5 y m和595 y m的显影银像的格子状 光掩模(其中线和间隔分别为595i!m和5i!m(间距600i!m)的光掩模,空间是格子状), 使用来自高压水银灯作为光源的平行光,对上述制备的样品A I和N进行曝光。使用以 下显影液对所得物显影,使用定影液(商品名CN16X用N3X-R,FUJIFILM Corporation制) 进一步显影处理,并用纯水冲洗。按此方式,得到样品。[显影液的组成]1升显影液含有以下化合物对苯二酚0. 037mol/LN-甲基氨基苯酚 0. 016mol/L偏硼酸钠0. 140mol/L氢氧化钠0. 360mol/L
溴化钠0. 031mol/L焦亚硫酸钾0. 187mol/L(制备电致发光元件)将上述制备的样品A I和N分别组入分散型无机EL(电致发光)元件中,按下 述进行发光。EL装置制造如下将含有平均粒径50 60 ym的荧光体粒子的发光层(光发射层)丝网印刷在透 明电极上,使用风干机在110°c下干燥1小时。然后,在发光层上顺序印刷(涂布)含有平 均粒径0. 03 ym的颜料的反射绝缘层和含有碳作为成分的背电极,在110°C下干燥1小时, 从而形成EL装置。EL装置的尺寸为5cmX 10cm。(评价)用于测量发光亮度的电源是恒频率恒电压电源CVFT-D系列(商品名,Tokyo Seiden Co.,Ltd.制)。使用亮度计 BM-9 (商品名,T0PC0NTECHN0H0USE CORPORATION 制), 在100V和400Hz的条件下测量亮度。所得结果示于表1。含有导电粒子的层中的粘结剂量 和亮度之间的关系示于图3。表1 从表1和图3的结果可见,可以理解的是,与比较用样品G 1(通过在含有导电 微粒的层和位于含有导电微粒的层上的层中的粘结剂量超过0. 5g/m2的感光材料制造)相 比,本发明的样品A F(通过在含有导电粒子的层和位于含有导电微粒的层上的层中的粘 结剂量为0.05-0. 5g/m2的感光材料制造)表现出更高的亮度。特别地,已经发现,含有导 电微粒的层中的粘结剂含量越小,亮度越高。其原因尚不确定。然而,据认为,含有导电微 粒的层中的粘结剂由于其低介电常数的原因而成为介电性的抑制剂,结果,粘结剂可以降 低施加到荧光体上的有效电压,从而降低亮度。实施例2(制造无机EL装置样品J M)按与实施例1中制造样品A的相同方式制作样品J M,除了含有导电微粒的层 和位于含有导电微粒的层上的层中的粘结剂含量变为0. 05g/m2。按与实施例1相同方式对这些样品进行曝光和显影处理,除了曝光过程中的网间距变为表2中示出的300、1,000、 1,500 或2,00011111。(制备电致发光元件)按与实施例1相同方式,将这样制造的样品J M和参照样品N分别组入到分散 型无机EL装置中,使用该装置进行发光测试。结果示于表2。基于表2结果的网间距和亮 度之间的关系示于图4。表2 从表2和图4结果可见,可以理解的是,从其中含有导电微粒的层和位于含有导电 微粒的层上的层中的粘结剂含量为0. 05g/m2的感光材料得到的本发明的样品J M表现 出等于其中IT0薄膜用作导电膜的参考样品N的亮度。此外,可以理解的是,由于加宽的网 间距而具有网状图案的开口部(空间)的加宽宽度的本发明样品L和M表现出比其中IT0 薄膜用作导电膜的参考样品N更高的亮度。实施例3(制造无机EL装置样品0 T)按与实施例1中制造样品A的相同方式制作样品0 T,除了含有导电微粒的层 和位于含有导电微粒的层上的层中的粘结剂含量变为0. 05g/m2,并且改变导电微粒的加入 量,使得含有导电微粒的层的表面电阻率变为1 X 108、1 X 109、1 X 101(1、1 X 1011、1 X 1012或 1 X 1013 Q / 口。按与实施例1相似方式对这些样品进行曝光和显影处理,除了曝光时的网 间距变为表 3 所示的 300、600、1,000 或 2,000 iim(网电阻:30 Q / 口、80 Q / 口、130 Q / □ 或250 Q / □)。在网间距为600 y m的情况下,在曝光过程中,使用能够提供线/间隔为 5 U m/595 u m的显影银像的具有线/间隔595 u m/5 u m的格子状光掩模的光掩模。同样,使 用具有能够提供对应于各网间距的显影银像的格子状空间的光掩模。(制备电致发光元件)按与实施例1相似方式,将上述制备的样品0 T分别组入分散型无机EL(电致 发光)元件,进行发光测试。结果示于表3。图5显示基于以与上述发光测试相同方式进行 的发光测试结果的含有导电微粒的层(在网状图案的开口部)的表面电阻率和亮度之间的 关系。此外,图6显示为获得高亮度的网状图案的开口部的宽度和网状图案的开口部的表 面电阻率之间的关系。例如,图5和图6中的表述"1.00E+10"代表〃 1.00X1010"。这里,使用数字型超高电阻/微电流测量仪8340A (商品名,EDCC0RP0RATI0N制) 测量开口部的表面电阻率。表3 (单位cd/m2)从表3和图5的结果可见,可以理解的是,当网间距为300 iim时,即使导电性下 降,直到表面电阻率升到不高于1013 Q / □,也能充分地发光。然而,当网间距为2,000 u m 时,如果导电性过度下降,则未充分地发出亮度。由此,据认为,当间距很窄时,导电部(金属银部)的宽度也很窄,因此,即使开口 部的电阻很高,电压也可以施加到荧光体上,从而发光。相反,当间距很宽并且开口部的电 阻很高时,电压不能充分地施加到荧光体上,导致难于发光。此外,通过调节导电微粒的含量,按表4所示改变间距和开口部的表面电阻率,以 制造无机EL装置。从这些发光测试结果发现,这些装置也表现出60cd/m2以上的亮度,足 以实用。此外,在这些测试中,已经发现存在与表3中记载的评价结果相同的倾向。从上述结果发现,如图6所示,导电层的网状图案的开口部的宽度X(iim)和网状 图案的开口部的表面电阻率Y(Q/D)满足下式(a)和(b)时,可有效地获得表现出60cd/ m2以上亮度的EL装置。(a) 50 ^ X ^ 7000(b) 105 ^ Y ^ (5 X 1023) X X"4'02此外,当Y满足下式(bl),可有效地获得表现出更高亮度的EL装置,当Y满足下式 (b2)时,可有效地获得表现出进一步更高亮度的EL装置(图6)。(bl)105 彡 Y 彡(1 X 1023) XX-4.02
(b2) 105 彡 Y 彡(3 X 1022) X X"4'25表 4 尽管结合实施方式描述了本发明,但除非另有规定,本发明不限于上述细节,相 反,本发明应在所附权利要求书的精神和范围内被宽泛地解释。
权利要求
一种EL装置,其包含支持体,带有网状图案的导电层,荧光体层,反射绝缘层,和背电极;其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述支持体上,和其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X(μm)和所述导电层的网状图案的开口部的表面电阻率Y(Ω/□)满足下式(a)和(b)(a)50≤X≤7000(b)105≤Y≤(5×1023)×X-4.02。
2.如权利要求1所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X为 100 5000 μ m。
3.如权利要求1所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部的表面电阻率Y 为 IO6 IO15 Ω / 口。
4.如权利要求1 3中任一项所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部含 有导电微粒。
5.如权利要求4所述的EL装置,其中所述导电微粒是掺锑的氧化锡。
6.如权利要求4所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部含有质量比为 1/33 5/1的导电微粒和粘结剂。
7.如权利要求6所述的EL装置,其中所述导电层的网状图案的开口部含有质量比为 1/3 5/1的导电微粒和粘结剂。
8.一种导电膜,其包含 支持体,和设置在所述支持体上的带有网状图案的导电层; 其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度x(ym)和所述导电层的网 状图案的开口部的表面电阻率Υ(Ω/ )满足下式(a)和(b)(a)50 ≤ X ≤ 7000(b)IO5≤ Y ≤(5 X IO23) XX^4 02 0
9.一种用于形成导电膜的感光材料,其包含 支持体,和在所述支持体上的含有银盐的乳剂层;其中所述含有银盐的乳剂层和位于含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层中的至少一 个含有导电微粒和粘结剂,和其中所述含有导电微粒和粘结剂的层中的粘结剂含量为0. 05 0. 5g/m2。
10.如权利要求9所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述粘结剂的含量为 0. 05 0. 2g/m2。
11.如权利要求9所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述导电微粒的含量为`0. 05 lg/m2。
12.如权利要求11所述的用于形成导电膜的感光材料,其中所述导电微粒的含量为 0. 1 0. 5g/m2。
13.如权利要求9 12中任一项所述的用于形成导电膜的感光材料,其中在所述含有 银盐的乳剂层和位于所述含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层中的至少一个中含有含量 为0. 05 0. 5g/m2的胶体二氧化硅。
14.一种导电膜,其包含通过使如权利要求9 12中任一项所述的用于形成导电膜的 感光材料进行图案曝光和显影处理而形成的导电部。
全文摘要
一种EL装置,其包含支持体,带有网状图案的导电层,荧光体层,反射绝缘层,和背电极;其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述支持体上,和其中所述导电层的网状图案的开口部的宽度X(μm)和所述导电层的网状图案的开口部的表面电阻率Y(Ω/□)满足下式(a)和(b)(a)50≤X≤7000(b)105≤Y≤(5×1023)×X-4.02。
文档编号G09F9/33GK101853611SQ20101014376
公开日2010年10月6日 申请日期2010年3月29日 优先权日2009年3月30日
发明者德永司 申请人:富士胶片株式会社
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1