专利名称：一种移位寄存器及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种移位寄存器及显示装置。
背景技术：
GOA (Gate Drive on Array，栅极集成驱动)，是指将LCD (Liquid CrystalDisplay, 液晶显示)面板的栅极驱动集成在玻璃基板上。然后GOA电路与阵列基板的栅线连接，作为移位寄存器控制栅线信号。将相比传统的COF(ChipOn Film，覆晶薄膜)和C0G(Chip On Glass，直接绑定玻璃上)工艺，GOA技术不仅节省了成本，而且可以将面板做得两边对称， 实现窄边框的设计，对产能和良率提升也较有利。但是，GOA的设计也存在一定的问题，其电路中的三极管的寄生电容会导致有较大的功耗和噪声，而且阵列基板作为输出负载很大，从而使得输出信号延迟变形。图1为每一级GOA电路的连接关系，由于第N-I行GOA单元的输出端连接第N行 GOA单元的输入端，第N行GOA单元的输出端连接第N+1行GOA单元的输入端，因此上一行的信号变形直接影响到下一行的输出信号的质量。当很多GOA单元级联时，信号的变形就会持续恶化，从而导致GOA的输出信号严重变形，甚至不能输出。
实用新型内容本实用新型实施例提供的一种移位寄存器及显示装置，可以降低栅极集成驱动输出信号的变形程度，从而降低其对下一级栅极集成驱动的影响。本实用新型实施例提供的一种移位寄存器，包括多级栅极集成驱动电路31、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件32 ；其中本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一 TFT组件32的输入端，所述 TFT组件32包含至少一个TFT ；所述TFT组件32的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；所述TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。较佳的，所述TFT组件32包括一个以上依次连接的TFT。较佳的，依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件32的输入端，连接本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311，第一个TFT的漏极323连接下一个中间TFT的栅极321 ；各个中间TFT的漏极323均连接下一个中间TFT的栅极321 ；最后一个TFT的漏极323作为TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312;TFT组件32中所有TFT的源极322均连接直流高电平信号VDD。较佳的，所述TFT的沟槽宽度大于100微米。较佳的，每级所述栅极集成驱动电路31的输出信号端311连接阵列基板的栅线。[0018]本实用新型实施例提供了一种显示装置，包括移位寄存器和阵列基板；所述移位寄存器的信号输出端连接所述阵列基板的栅线；所述移位寄存器包括多级栅极集成驱动电路31、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件32 ；其中本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一 TFT组件32的输入端，所述 TFT组件32包含至少一个TFT ；所述TFT组件32的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；所述TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。较佳的，所述TFT组件32包括一个以上依次连接的TFT。较佳的，依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件32的输入端，连接本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311，第一个TFT的漏极323连接下一个中间TFT的栅极321 ；各个中间TFT的漏极323均连接下一个中间TFT的栅极321 ；最后一个TFT的漏极323作为TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312;TFT组件32中所有TFT的源极322均连接直流高电平信号VDD。较佳的，所述TFT的沟槽宽度大于100微米。本实用新型实施例提供的移位寄存器及显示装置，通过增加TFTCThinFilm Transistor，薄膜场效应晶体管)以及直流高电平信号，改善上一级栅极集成驱动电路的输出信号变形，进而较好的避免了上级栅极集成驱动电路对本级栅极集成驱动电路的影响。
图1为现有技术中多级GOA电路连接示意图；图2为本实用新型实施例中移位寄存器的结构示意图；图3为本实用新型另一实施例中移位寄存器的结构示意图；图4为本实用新型另一实施例中移位寄存器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型实施例作进一步详细描述。本实用新型实施例提供了一种移位寄存器，如图2所示，其具体包括多级栅极集成驱动电路31、和与栅极集成驱动电路31数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件32 ；本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一 TFT组件32的输入端，该TFT 组件32至少包含一个TFT ；该TFT组件32的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；该TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。较佳的，参考图5所示，TFT组件32还可以包括一个以上依次连接的TFT。例如， 依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件32的输入端，连接本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311，第一个TFT的漏极323连接下一个中间TFT的栅极321 ；各个中间TFT的漏极323均连接下一个中间TFT的栅极321 ；最后一个TFT的漏极323作为TFT 组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312 ；TFT组件32中所有 TFT的源极322均连接直流高电平信号VDD。较佳的，为了使TFT组件32输出的信号更稳定，上述TFT的沟槽宽度可以大于常规TFT的沟槽宽度，例如大于100微米。较佳的，每级栅极集成驱动电路31的输出信号端311连接阵列基板的栅线，以便向阵列基板的栅线输入信号，控制栅线上的电压。通过上述描述，可以看出，本实用新型提供的移位寄存器，通过增加TFT以及直流高电平信号，改善上一级栅极集成驱动电路的输出信号变形，进而较好的避免了上级栅极集成驱动电路对本级栅极集成驱动电路的影响。下面通过具体实施例对本实用新型提供的移位寄存器进行详细描述。如图3所示，TFT组件32仅包括一个TFT时，本实用新型实施例提供的移位寄存器，其具体包括第N-I级栅极集成驱动电路31、第N级栅极集成驱动电路31和第N+1级栅极集成驱动电路31。第N-I级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一个TFT的栅极321，该TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第N级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。同理，第N级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一个 TFT的栅极321，该TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第N+1级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。由于直流高电平信号VDD的电压稳定，因此，TFT漏极 323输出的电压也较为稳定，将其作为下一级栅极集成驱动电路的输入信号，可以较好的避免本级栅极集成驱动电路输出信号变形给下一级栅极集成驱动电路带来的影响。为了达到更好的效果，可以将该TFT的沟槽制作的较宽，大于传统的TFT沟槽宽度。当然，每级栅极集成驱动电路输出端可以连接多个上述TFT，如图4所示，第N-I级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一个TFT的栅极321，该TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第二个TFT的栅极321，且该第二个TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第N级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。同理，第N级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一个TFT的栅极321，该TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第二个TFT的栅极321，且该第二个TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第N+1级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。当每级栅极集成驱动电路31输出端连接的TFT大于两个时，各个TFT之间的连接关系可以参考上述描述的连接关系，即第一个TFT的源极322连接直流高电平信号VDDJI 极323连接第二个TFT的栅极321，该第二个TFT的源极322连接直流高电平信号VDD，漏极323连接第三个TFT的栅极321，依次类推，最后一个TFT的漏极323连接下一级栅极集成驱动电路31的输入端312。通过上述描述，可以看出，本实用新型提供的移位寄存器，通过增加TFT以及直流高电平信号，改善上一级栅极集成驱动电路的输出信号变形，进而较好的避免了上级栅极集成驱动电路对本级栅极集成驱动电路的影响。
5[0051]基于同一构想，本实用新型实施例提供了一种显示装置，包括移位寄存器和阵列基板；所述移位寄存器的信号输出端连接所述阵列基板的栅线；所述移位寄存器包括多级栅极集成驱动电路31、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件32 ；其中本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311连接一 TFT组件32的输入端，所述 TFT组件32至少包含一个TFT ；所述TFT组件32的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；所述TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312。较佳的，TFT组件32包括一个以上依次连接的TFT。较佳的，依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件32的输入端，连接本级栅极集成驱动电路31的信号输出端311，第一个TFT的漏极323连接下一个中间TFT的栅极321 ；各个中间TFT的漏极323均连接下一个中间TFT的栅极321 ；最后一个TFT的漏极323作为TFT组件32的输出端连接下一级栅极集成驱动电路31的信号输入端312;TFT组件32中所有TFT的源极322均连接直流高电平信号VDD。较佳的，所述TFT的沟槽宽度大于常规TFT的沟槽宽度，例如100微米。通过上述描述，可以看出，本实用新型实施例提供的移位寄存器及显示装置，通过增加TFT以及直流高电平信号，改善上一级栅极集成驱动电路的输出信号变形，进而较好的避免了上级栅极集成驱动电路对本级栅极集成驱动电路的影响。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种移位寄存器，其特征在于，包括多级栅极集成驱动电路(31)、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件(32)；其中本级栅极集成驱动电路(31)的信号输出端(311)连接一 TFT组件(3 的输入端，所述TFT组件(32)包含至少一个TFT ；所述TFT组件(32)的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；所述TFT组件(3 的输出端连接下一级栅极集成驱动电路(31)的信号输入端(312)。
2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT组件(32)包括一个以上依次连接的TFT。
3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件(32)的输入端，连接本级栅极集成驱动电路(31)的信号输出端(311)，第一个TFT的漏极(323)连接下一个中间TFT的栅极(321)；各个中间TFT的漏极(323)均连接下一个中间TFT的栅极(321)； 最后一个TFT的漏极(32 作为TFT组件(3 的输出端连接下一级栅极集成驱动电路(31)的信号输入端(312)；TFT组件(32)中所有TFT的源极(322)均连接直流高电平信号VDD。
4.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT的沟槽宽度大于100微米。
5.如权利要求1-4中任一所述的移位寄存器，其特征在于，每级所述栅极集成驱动电路(31)的输出信号端(311)连接阵列基板的栅线。
6.一种显示装置，包括移位寄存器和阵列基板，其特征在于， 所述移位寄存器的信号输出端连接所述阵列基板的栅线；所述移位寄存器包括多级栅极集成驱动电路(31)、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件(3 ；其中本级栅极集成驱动电路(31)的信号输出端(311)连接一 TFT组件(3 的输入端，所述TFT组件(32)包含至少一个TFT ；所述TFT组件(32)的电压输入端连接直流高电平信号VDD ；所述TFT组件(3 的输出端连接下一级栅极集成驱动电路(31)的信号输入端(312)。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述TFT组件(3 包括一个以上依次连接的TFT。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，依次连接的TFT中，第一个TFT的栅极作为TFT组件(32)的输入端，连接本级栅极集成驱动电路(31)的信号输出端(311)，第一个TFT的漏极(323)连接下一个中间TFT的栅极(321)；各个中间TFT的漏极(323)均连接下一个中间TFT的栅极(321)； 最后一个TFT的漏极(32 作为TFT组件(3 的输出端连接下一级栅极集成驱动电路(31)的信号输入端(312)；TFT组件(32)中所有TFT的源极(322)均连接直流高电平信号VDD。
9.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述TFT的沟槽宽度大于100微米。
专利摘要本实用新型实施例涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种移位寄存器及显示装置，该移位寄存器包括多级栅极集成驱动电路、和与所述栅极集成驱动电路数目相等的薄膜场效应晶体管TFT组件；本级栅极集成驱动电路的信号输出端连接一TFT组件的输入端，该TFT组件包含至少一个TFT；该TFT组件的电压输入端连接直流高电平信号VDD；该TFT组件的输出端连接下一级栅极集成驱动电路的信号输入端。本实用新型实施例提供的移位寄存器及显示装置，通过增加TFT以及直流高电平信号，改善上一级栅极集成驱动电路的输出信号变形，进而较好的避免了上级栅极集成驱动电路对本级栅极集成驱动电路的影响。
文档编号G09G3/36GK202084307SQ20112014780
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月11日 优先权日2011年5月11日
发明者孙阳 申请人:京东方科技集团股份有限公司