显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法与流程

文档序号:14557025阅读:153来源:国知局
显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法与流程
本公开涉及显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法,并且更具体地,涉及补偿电致发光显示器的元件劣化的方法。
背景技术
:有源矩阵型电致发光显示器包括自发光有机发光二极管(下文中,“oled”)或量子点发射二极管(下文中,“qled”),并且具有响应速度快、发光效率高、亮度高和视角宽的优点。参照图1,oled包括阳极、阴极和在阳极和阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、发射层eml、电子传输层etl和电子注入层eil。当向阳极和阴极施加操作电压时,穿过空穴传输层htl的空穴和穿过电子传输层etl的电子移至发射层eml,形成激发子。因此,发射层eml产生可见光。在电致发光显示器中,各自包括oled的像素布置成矩阵,并且基于视频数据的灰度级来调整像素的亮度。每个个体像素包括基于栅极-源极电压来控制流过oled的驱动电流的驱动tft(薄膜晶体管)和用于对驱动tft的栅极-源极电压进行编程的至少一个开关tft,并且按oled所发射的与驱动电流成比例的光的量来调整显示器的灰度级(亮度)。已知电致发光显示器用于以低速驱动像素以在输入图像仅略有改变时帮助降低功耗的技术。在慢速驱动期间,视频数据以较长的间隔进行刷新,存储在像素中的视频数据不能保持在目标水平,而是会泄漏极。在常规的慢速驱动技术中,为了减少视频数据的泄漏极,每个像素中的一些tft可以被配置为具有优良关断电流特性的氧化物tft,而每个像素中的其它tft可以被配置为ltps(低温多晶硅)tft。例如,与驱动tft的栅极连接的tft被配置为氧化物tft,而其它tft被配置为ltpstft。图2例示了包括氧化物tft和ltpstft的像素电路。图3例示了图2的驱动波形。参照图2和图3,像素pxl包括oled(有机发光二极管)、多个tft(薄膜晶体管)st1至st3和dt以及两个电容器cst1和cst2。在图2中,“coled”表示oled的寄生电容。tftst1至st3和dt被实现为n型mosfet(下文中,被称为nmos)。为了进行慢速驱动,第一开关tftst1被配置为具有优良关断电流特性的nmos氧化物tft,而其它tftst2、st3和dt被配置为具有快速响应特性的nmosltpstft。通过扫描时间段和发光时间段te来驱动像素pxl。扫描时间段可被设置为大致1个水平周期1h,并且包括重置时间段ti、感测时间段ts和编程时间段tw。在重置时间段ti期间,向数据线供应预定的参考电压vref。在重置时间段ti期间,栅极节点ng的电压被重置成参考电压vref,并且源极节点ns的电压被重置成预定的重置电压vinit。在感测时间段ts期间,栅极节点ng的电位保持在参考电压vref,而源极节点ns的电位随着漏极-源极电流ids而升高。用这种源跟随器配置,驱动tftdt的栅极-源极电压vgs被采样作为驱动tftdt的阈值电压vth,并且经采样的阈值电压vth被存储在第一电容器cst1中。在感测时间段ts结束时,栅极节点ng的电压变成等于参考电压vref,并且源极节点ns的电压对应于参考电压vref和阈值电压vth之差。在编程时间段tw期间,向栅极节点ng施加数据电压vdata,并且栅极节点ng处的电压改变vdata-vref跨电容器cst1的和cst2分配,然后被反映到发送源极节点ns。因此,驱动tftdt的栅极-源极电压vgs被编程成对应于所期望的驱动电流。在发光时间段te期间,oled通过驱动电流发光,由此实现视频数据的亮度。像素电路中的这些tft的诸如阈值电压这样的电特性随着操作时间的流逝而改变。为此,存在用于补偿ltpstft的电特性的各种已知方式。技术实现要素:在包括两种类型的tft(也就是说,氧化物tft和ltpstft)的像素电路的情况下,需要用新技术来补偿氧化物tft的劣化,因为氧化物tft的电特性完全不同于ltps的tft的电特性。根据本公开的一方面,提供了一种显示装置。在该显示装置中,每个子像素包括驱动tft、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关tft,其中,所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft,并且每个子像素包括补偿电路,该补偿电路感测所述双栅极tft的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点。根据本公开的另一方面,提供了一种具有有机发光二极管的电致发光显示器,在该电致发光显示器中,每个子像素包括:驱动tft,该驱动tft向所述有机发光二极管施加驱动电流,以使所述有机发光二极管发光;第一开关tft,该第一开关tft与所述驱动tft的栅极连接,并且将通过数据线输入的数据信号施加到所述栅极;以及多个开关tft,所述多个开关tft用于使所述驱动tft导通/截止,其中,所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft,并且每个子像素包括补偿电路,该补偿电路感测所述双栅极tft的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点。根据本公开的另一方面,提供了一种补偿显示装置的劣化的方法,在该显示装置中,每个子像素包括驱动tft、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关tft,该方法包括以下步骤:使阈值电压将被补偿的tft的第一栅极截止,使得所述tft作为源跟随器操作并且存储所述tft的所述阈值电压,其中,阈值电压将被补偿的所述tft被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft;以及将所述阈值电压施加到阈值电压将被补偿的所述tft的第二栅极。在附图和以下描述中阐述了本说明书中描述的主题的一个或更多个实施方式的细节。根据本公开的实施方式,显示装置用简单配置来有效地补偿被配置为像素电路的tft的阈值电压。根据本公开的实施方式,可以在被配置为包括氧化物tft的像素电路中补偿氧化物tft的劣化。根据本公开的实施方式,其阈值电压将被补偿的tft可以被实现为其中一个栅极与用于补偿阈值电压的电容器连接的双栅极tft,并且充入电容器的电压被以规则时间间隔提供到tft的栅极节点,然后能够以规则时间间隔来补偿tft的阈值。应该注意,本公开的效果不限于上述效果,并且本领域的技术人员将根据以下描述而清楚本公开的其它效果。附图说明附图被包括进来以提供对本公开的进一步理解,附图并入并构成本说明书的部分,例示了本公开的实施方式并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。在附图中:图1是示出了一般oled结构的视图;图2是示出了包括氧化物tft和ltpstft的像素电路的视图;图3是示出了图2的驱动波形的视图;图4是示出了根据本公开的实施方式的电致发光显示器的框图;图5是例示了根据本公开的像素阵列的视图;图6是示出了根据本公开的第一实施方式的像素的连接配置的视图;图7是例示了用于补偿图6的像素中的第一开关tft的阈值电压的电路的等效电路的视图;图8是例示了输入的用于补偿图6的像素中的第一开关tft的阈值电压的驱动信号的视图;图9是像素在图8的感测时间段期间如何工作的等效电路图;图10是像素在图8的补偿时间段期间如何工作的等效电路图;图11是根据被按照图6的驱动信号进行补偿的第一开关tft的阈值电压特性的第一电容器(c1)中存储的阈值电压的模拟结果的曲线图;图12是示出了根据本公开的第二实施方式的像素的连接配置的视图;图13是例示了用于补偿图12的像素配置中驱动tft的阈值电压的补偿电路的等效电路的视图;图14是例示了输入的用于补偿图12的像素配置中驱动tft的阈值电压的驱动信号的视图;图15是像素在图14的感测时间段期间如何工作的等效电路图;图16是像素在图14的补偿时间段期间如何工作的等效电路图;以及图17和图18是例示了适用于本公开的具有双栅极的tft的视图。具体实施方式现在,将详细地参考本公开的实施方式,在附图中例示了这些实施方式的示例。通过参考以下对实施方式的详细描述和附图,能够更容易地理解本公开的各种方面和特征及其实现方法。然而,本公开可以按照不同方式来实施并且不应该被理解为限于本文中阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式,使得本公开将是彻底和完全的,并且将把本公开的概念充分传达给本领域的技术人员,并且本公开由所附的权利要求来限定。附图中示出的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅仅是示例,并不限于图中示出的那些。在通篇说明书中,类似的参考标号表示类似的元件。在描述本公开时,将省略对相关公知技术的详细描述,以避免不必要地模糊本公开。当使用术语“包括”、“具有”、“包含”等时,只要不使用术语“仅”,就可以添加其它部分。除非明确阐述,否则单数形式可被解释为复数形式。即使没有明确说明,这些元件也可被解释为包括误差容限。当使用“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等术语来描述两个部件之间的位置关系时,在这两个部件之间可设置一个或更多个部件,只要没有使用术语“直接地”或“恰好地”。应该理解,虽然可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个元件区分开。因此,在不脱离本公开的技术精神的情况下,以下讨论的第一元件可被称为第二元件。在通篇说明书中,类似的参考标号表示类似的元件。本公开的各种实施方式的特征可部分地或全部地彼此组合,并且可按各种方式在技术上相互作用或一起工作。可独立地或彼此组合地执行这些实施方式。下文中,将参照附图来详细地描述本公开的各种实施方式。本文中使用的元件的术语和名称是为了方便描述而选择的,可不同于实际产品中使用的名称。图4示出了根据本公开的实施方式的电致发光显示器。图5示出了根据本公开的像素阵列。参照图4和图5,根据本公开的电致发光显示器包括具有多个像素pxl的显示面板10、驱动与像素pxl连接的信号线的显示面板驱动电路和控制显示面板驱动电路的定时控制器11。显示面板驱动电路12和13将输入视频数据data写入显示面板10的像素pxl。显示面板驱动电路包括源驱动器12和选通驱动器13,源驱动器12驱动与像素pxl连接的数据线14,选通驱动器13驱动与像素pxl连接的选通线15。显示面板驱动电路12和13可按慢速驱动模式进行操作。在慢速驱动模式下,分析输入图像,并且如果输入图像改变没有超过预设数量的帧——也就是说,静止图像呈现超过了一定时间量,则用于运行显示面板驱动电路12和13的操作频率降低,使数据写入像素pxl的间隔延长,由此使功耗降低。在慢速驱动模式下,在显示面板10上更新视频数据data的刷新速率比正常驱动模式下慢。换句话讲,当假定在正常驱动模式下操作频率是mhz时,慢速驱动模式下的操作频率低于mhz。慢速驱动模式不限于何时输入静止图像。例如,当显示装置在待机模式下操作或者没有用户命令或输入图像输入显示面板驱动电路12和13超过预定时间量时,显示面板驱动电路12和13可以在低速驱动模式下操作。在显示面板10上,多条数据线14和多条选通线15彼此相交,并且像素pxl被设置成显示图像。在显示面板10的像素阵列上设置多条水平像素线hl1至hl4,并且在每条水平像素线hl1至hl4上设置与选通线15共同连接的多条水平邻近像素pxl。像素阵列还可包括重置电压供应线16、vdd供应线和vss供应线,重置电压供应线16用于向每个像素pxl供应重置电压vinit,vdd供应线用于向每个像素pxl供应高电平操作电压vdd,vss供应线用于向每个像素pxl供应低电平操作电压vss。选通线15包括用于供应第一扫描信号sc1的第一选通线15a、用于供应第二扫描信号sc2的第二选通线15b和用于供应发光信号em的第三选通线15c。分配给第(n-1)水平像素行的第一扫描信号sc1(n-1)以及分配给第n水平像素行的第一扫描信号sc1(n)和第二扫描信号sc2(n)和发光信号em(n)可以被进一步供应到设置在第n水平像素行上的像素pxl。为此,第一水平像素行hl1上的像素pxl可以与用于供应第一扫描信号sc1(1)的第一选通线15a、用于供应第二扫描信号sc2(1)的第二选通线15b和用于供应发光信号em(1)的第三选通线15c共同连接,并且还与用于供应第一扫描信号sc1(0)的第0水平像素行上的第一选通线15a共同连接。类似地,第四水平像素行hl4上的像素pxl可以与用于供应第一扫描信号sc1(4)的第一选通线15a、用于供应第二扫描信号sc2(4)的第二选通线15b和用于供应发光信号em(4)的第三选通线15c共同连接,并且还与用于供应第一扫描信号sc1(3)的第3水平像素行上的第一选通线15a共同连接。每个像素pxl可以是用于产生颜色的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素或白色子像素。一条数据线14、一条重置电压供应线16、一条第一选通线15a、一条第二选通线15b、一条第三选通线15c、vdd供应线和vss供应线可以与每个像素pxl连接。在正常驱动模式下,源驱动器12将从定时控制器11接收的输入视频数据data转换成每帧中的数据电压vdata,然后将数据电压vdata供应到数据线14。源驱动器12通过使用模数转换器(下文中,“dac”)来输出数据电压vdata,adc用于将输入视频数据data转换成伽马补偿电压。在慢速驱动模式下,源驱动器12的操作频率在定时控制器11的控制下降低。例如,在正常驱动模式下,源驱动器12以1帧的间隔输出用于视频数据的数据电压vdata,而在慢速驱动模式下,源驱动器12可以以数帧的间隔来输出用于视频数据的数据电压vdata,并且在一些帧中是空闲的(也就是说,数据电压vdata的输出可以被中断)。因此,与正常驱动模式相比,源驱动器12的操作频率和功耗显著降低。还可以在显示面板10的源驱动器12和数据线14之间复用器。复用器可以通过将从源驱动器12输出的数据电压经由一个输出通道跨多条数据线分配来减少相对于数据线数目的源驱动器12的输出通道的数目。根据显示装置的分辨率和使用,可以省去复用器。源驱动器12可以生成重置电压vinit并将其供应到重置电压供应线16,生成高电平操作电压vdd并将其供应至vdd供应线,并且生成低电平操作电压vss并将其供应到vss供应线。为此,源驱动器12还可包括发电机。发电机可以安装在源驱动器12的外部,然后通过导电膜等与源驱动器12电连接。为了防止oled不必要地发光,重置电压vinit可以被选择为低于低电平操作电压vss。选通驱动器13在定时控制器11的控制下输出扫描信号sc1和sc2,以选择像素pxl来用数据电压进行充电。选通驱动器13可以被实现为用于将第一扫描信号sc1移位的移位寄存器,由此将第一扫描信号sc1依次供应到第一选通线15a。另外,选通驱动器13可以被实现为用于将第二扫描信号sc2移位的移位寄存器,由此将第二扫描信号sc2依次供应到第二选通线15b。选通驱动器13在时序控制器11的控制下输出发光信号em,以控制每个像素pxl的发光定时。选通驱动器13可包括移位寄存器和逆变器,用于将发光信号em移位,从而将信号依次供应到选通线15c。选通驱动器13与像素阵列一起可以根据gip(板内选通驱动)技术直接形成在显示面板10的基板上,但不限于此。选通驱动器13可以被制造为ic型,然后通过导电膜与显示面板10接合。定时控制器11从主机系统接收输入图像的数据data和与数字数据data同步的定时信号。定时信号包括垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync、点时钟信号dclk和数据使能信号de。主机系统可以被实现为以下中的任一种:电视机系统、机顶盒、导航系统、dvd播放器、蓝光播放器、个人计算机pc、家庭影院系统和电话系统。定时控制器11可以包括改变显示面板驱动电路12和13的操作频率的慢速驱动控制模块。如以上提到的,应该指出,慢速驱动模式不限于静止图像。在正常驱动模式下,定时控制器11可以控制显示面板驱动电路12和13的操作定时成为(输入帧频率×i)hz(i是大于0的正整数)的帧频率,该帧频率等于输入帧频率的i倍。输入帧频率在ntsc(国家电视标准委员会)系统中是60hz,并且在pal(逐行倒相制)系统中是50hz。在慢速驱动模式下,定时控制器11可以降低显示面板驱动电路12和13的操作频率。例如,定时控制器11可以将显示面板驱动电路12和13的操作频率降低至约1hz,使得视频数据data以1秒的间隔写入像素pxl。慢速驾驶模式下的频率不限于1hz。在慢速驱动模式下,显示面板10的像素pxl在1帧中的大部分时间期间不被充入新数据电压,而是能够保持充入的数据电压。定时控制器11基于从主机系统接收到的定时信号vsync、hsync和de来生成用于控制源驱动器12的操作定时的数据定时控制信号ddc和用于控制选通驱动器13的操作定时的选通定时控制信号gdc。定时控制器11所生成的定时控制信号ddc和gdc在正常驱动模式下和慢速驱动模式下可以不同。数据定时控制信号ddc包括源起始脉冲、源采样时钟、源输出使能信号soe等。源起始脉冲控制源驱动器12的采样起始定时。源采样时钟是用于将数据采样定时移位的时钟。如果定时控制器11和源驱动器12之间的信令接口是微型lvds(低压差分信令)接口,则可以省去源起始脉冲和源采样时钟。选通定时控制信号gdc包括选通起始脉冲、选通移位时钟、发射移位时钟、选通输出使能信号等。在gip电路的情况下,可以省去选通输出使能信号。选通起始脉冲在每个帧时间段的初始阶段中生成,并且被输入到移位寄存器。选通起始脉冲在每个帧时间段中控制用于输出扫描信号sc1和sc2和发光信号em的起始定时。选通移位时钟被输入到选通驱动器13的移位寄存器,并且控制移位寄存器的移位定时。发射移位时钟被输入到选通驱动器13的逆变器,并且控制逆变器的移位定时。根据本公开的电致发光显示器的像素pxl可以包括具有优良关断电流特性的氧化物tft和具有快速响应特性的ltps(低温多晶硅)tft。例如,与驱动tft的栅极连接的tft可被配置为氧化物tft,而其它tft可被配置为ltpstft。氧化物tft可以包括n型氧化物tft和p型氧化物tft。ltpstft还可以包括n型ltpstft和p型ltpstft。因此,应用本公开的像素pxl可以包括tft的各种组合,如以下[表1]中示出的。[表1]氧化物tftltps1n型n型2n型p型3p型n型4p型p型应用本公开的像素pxl包括用于根据选通电压来调整流过oled的电流的驱动tft、与驱动tft的栅极连接的开关tft和用于驱动像素pxl的其它tft。驱动tft和开关tft是正常驱动像素pxl所需的重要元件。驱动tft和开关tft二者可被实现为氧化物tft或ltpstft。例如,根据设计,开关tft可被实现为具有优良关断电流特性的氧化物tft,驱动tft可被实现为具有快速响应特性的ltpstft或者可以被实现为氧化物tft。应用本公开的像素pxl的驱动tft和开关tft的组合可以包括tft的各种组合,如以下[表2]中示出的。[表2]开关tftd-tft1ltpsltps2氧化物ltps3氧化物氧化物如上,像素电路pxl可以包括各种基板和各种类型的tft的组合。本公开公开了用简单配置来补偿tft的阈值电压的技术,在该简单配置中,像素电路pxl可以具有各种tft配置。根据本公开的实施方式,其阈值电压将被补偿的tft可以被实现为双栅极tft,其中,一个栅极用于驱动像素pxl,而另一个栅极被施加有用于阈值电压补偿的电压。通过感测并存储双栅极tft的阈值电压来实现阈值电压补偿。感测到的阈值电压可以以规则的间隔被存储在与双栅极tft的一个栅极节点连接的电容器中,并且通过该栅极节点被供应到双栅极tft。通过将用于补偿的电源连接到双栅极tft的栅极,该tft的阈值电压沿着特征曲线的反方向移动,由此补偿阈值电压。用该电路配置,也可以容易地调整像素pxl中的氧化物tft的阈值电压。本公开的第一实施方式例示了开关tft被配置为用于补偿阈值电压的双栅极tft。图6至图11是与本公开的第一实施方式相关的视图。将在以下假定的情况下说明本公开的第一实施方式:开关tft被配置为具有优良关断电流特性的nmos型氧化物tft并且包括驱动tft的其它tft被配置为具有快速响应特性的nmos型ltpstft。图6是示出了根据本公开的第一实施方式的像素pxl的连接配置的视图。图7是例示了用于补偿图6的像素配置中的第一开关tftt1的阈值电压的补偿电路的等效电路的视图。图8是例示了输入的用于补偿图6的像素配置中的第一开关tft的阈值电压的驱动信号的视图。参照图6和图7,本公开的像素pxl包括有机发光二极管oled、多个tft(薄膜晶体管)t1至t4和dt以及电容器c1、c2、cst和coled。第一开关tftt1可以被实现为具有优良关断电流特性的氧化物tft。通过将第一开关tftt1实现为氧化物tft,可以尽可能地抑制在缓慢驱动模式下由泄漏极电流造成的栅极节点的电位改变。其它tftdt和t2至t4可以被实现为ltpstfts,由此实现所期望的响应特性。其阈值电压将被补偿的第一开关tftt1可以被实现为具有第一栅极节点gn1和第二栅极节点gn2的双栅极tft。更一般地,第一实施方式包括多个tft,所述多个tft中的至少一个被配置为双栅极tft。该技术特征可以应用于该实施方式的修改形式。第一开关tftt1的第一栅极节点gn1与被施加第一扫描信号sc1的第一扫描线连接。第一开关tftt1的漏极与被施加数据电压vdata的数据线连接,并且第一开关tftt1的源极与驱动tftdt的栅极连接。响应于输入到第一栅极节点gn1的第一扫描信号sc1,第一开关tftt1将通过数据线输入的数据电压vdata施加到驱动tftdt的栅极。驱动tftdt根据选通电压来调整流过oled的电流。向驱动tftdt的漏极施加高电平电源电压vdd。驱动tftdt的源极与oled的阳极连接。第三tftt3响应于第二扫描信号sc2而连接被施加重置电压vinit的初始线和oled的阳极。为了第一开关tftt1的阈值电压补偿,第一开关tftt1的源极与存储第一开关tftt1的阈值电压vth的第一电容器c1连接,并且第一开关tftt1的第二栅极节点gn2与存储阈值电压vth的第二电容器c2连接。第一电容器c1和第二电容器c2的连接线可以通过在第三扫描信号sc3的作用下导通/截止的第二开关tftt2连接或断开,由此存储在第一电容器c1中的阈值电压vth可以移至第二电容器c2并且被存储在其中。如图8中例示的,可以通过重置时间段ti、重置时间段ti之后的感测时间段ts和感测时间段ts之后的补偿时间段tc来实现阈值电压补偿处理。在重置时间段ti中,第一扫描信号sc1以高电平h输入,第三扫描信号sc3和数据电压vdata以低电平l输入。在感测时间段ts中,第一扫描信号sc1以高电平h输入,第三扫描信号sc3以低电平l输入,数据电压vdata以高电平h输入。感测波形是存储在第一电容器c1中的阈值电压vth的波形的例示。在补偿时间段tc中,第一扫描信号sc1以低电平l输入,第三扫描信号sc3以高电平h输入,并且数据电压vdata以高电平h输入。这里,高电平h是使nmos型氧化物tft导通并且同时使pmos型ltpstft截止的电压电平。另一方面,低电平h是使nmos型氧化物tft截止并且同时使pmos型ltpstft导通的电压电平。可以在设计系统时以规则的间隔执行以上的阈值电压补偿处理。例如,可以在打开/关闭显示装置时以特定数目的帧为间隔或者以规则的时间间隔来执行该处理。图9和图10是在图8的重置时间段ti、感测时间段ts和补偿时间段tc期间像素pxl如何工作的等效电路图。在重置时间段ti中,当第一扫描信号sc1以高电平h输入时,第一开关tftt1导通。当第三扫描信号sc3以低电平l输入时,第二开关tftt2截止。从与第一开关tftt1的漏极连接的数据线输入的数据电压vdata也以低电平l输入。由此重置存储在电容器c1和第二电容器c2中的电力。参照图9,在感测时间段ts中,当第一扫描信号sc1以高电平h输入时,第一开关tftt1导通。当第三扫描信号sc3以低电平l输入时,第二开关tftt2截止。这里,从第一开关tftt1的数据线输入的数据电压vdata以高电平h输入。因此,数据电压vdata从数据线施加到第一开关tftt1的源极节点。第一开关tftt1作为源跟随器工作,并且感测阈值电压vth并且将其存储在第一电容器c1中。详细地,当比重置电压高的数据电压vdata被施加到第一开关tftt1的源极节点时,电流流过第一开关tftt1。由于该电流,导致第一电容器c1的电位升高。当第一开关tftt1的栅极-源极电压的电位变成等于第一开关tftt1的阈值电压vth时,第一开关tftt1截止。在第一开关tftt1截止的时间点,第一电容器c1的电位被存储为第一开关tftt1的阈值电压vth。参照图10,在补偿时间段tc中,当第一扫描信号sc1以低电平l输入时,第一开关tftt1截止。当第三扫描信号sc3以高电平h输入时,第二开关tftt2导通。因此,存储在第一电容器c1中的阈值电压vth通过第二开关tftt2移至第二电容器c2。在移至第二电容器c2之后,阈值电压vth被输入到第一开关tftt1的第二栅极节点gn2,由此补偿第一开关tftt1的阈值电压。图11是根据被按照图6的驱动信号进行补偿的第一开关tft的阈值电压特性的第一电容器(c1)中存储的阈值电压(vth)的模拟结果的曲线图。如图11中例示的,在重置时间段ti中,存储在第一电容器(c1)中的电压被重置,并且在感测时间段ts中,阈值电压vth被存储在第一电容器c1中。如曲线图中所示,当第一开关tft的阈值电压特性从a到e彼此不同时,存储在第一电容器(c1)中的阈值电压(vth)也被不同地检测和存储。此后,在补偿时间段tc中,存储在第一电容器c1中的阈值电压vth被递送到第二电容器c2,并且被输入到第一开关tftt1的第二栅极节点gn2。如此,第一开关tftt1的阈值电压可以被补偿达与施加到第二栅极节点gn2的阈值电压vth相等的量。本公开的第二实施方式例示了驱动tft被配置为用于补偿阈值电压的双栅极tft。图12至图16是与本公开的第二实施方式相关的视图。将在假定开关tft和驱动tft二者被配置为nmos型氧化物tft的情况下说明本公开的第二实施方式。图12是示出了根据本公开的第二实施方式的像素pxl的连接配置的视图。图13是例示了用于补偿图12的像素配置中驱动tftdt的阈值电压的补偿电路的等效电路的视图。图14是例示了输入的用于补偿图12的像素配置中驱动tftdt的阈值电压的驱动信号的视图。参照图12和图13,本公开的像素pxl包括有机发光二极管oled、多个tft(薄膜晶体管)t1至t4和dt以及电容器c1、c2、cst和coled。应该注意,本公开的实施方式不限于有机发光二极管,而是可以应用于量子点发射二极管。第一开关tftt1可以被实现为具有优良关断电流特性的氧化物tft,驱动tftdt也可以被实现为氧化物tft。其它tftt2至t4可以被实现为ltpstfts或氧化物tft。其阈值电压将被补偿的驱动tftdt可以被实现为具有第一栅极节点gn1和第二栅极节点gn2的双栅极tft。驱动tftdt是根据栅极-源极电压vgs来调整流过oled的电流的驱动元件。oled因电流而发光,根据驱动tftdt的栅极-源极电压来调整该电流的量。驱动tftdt可以根据输入第一栅极节点gn1的数据信号vdata来调整在vdd和oled之间流动的电流。向驱动tftdt的漏极供应高电平电源电压vdd。驱动tftdt的源极与oled的阳极连接。第三tftt3响应于第二扫描信号sc2而连接被施加重置电压vinit的初始线和oled的阳极。当根据发光信号em来控制其与vdd的连接的驱动tftdt时,调整发光定时。为了驱动tftdt的阈值电压补偿,驱动tftdt的源极与存储驱动tftdt的阈值电压vth的第一电容器c1连接,并且驱动tftdt的第二栅极节点gn2与存储阈值电压vth的第二电容器c2连接。第一电容器c1和第二电容器c2的连接线可以通过在第三扫描信号sc3的作用下导通/截止的第二开关tftt2连接或断开,由此存储在第一电容器c1中的阈值电压vth可以移至第二电容器c2并且被存储在其中。如图14中例示的,可以通过重置时间段ti、重置时间段ti之后的感测时间段ts和感测时间段ts之后的补偿时间段tc来实现阈值电压补偿处理。在重置时间段ti中,发光信号em以高电平h输入,第一扫描信号sc1以高电平h输入,第三扫描信号sc3和高电平操作电压vdd以低电平l输入。在感测时间段ts中,发光信号em以高电平h输入,第一扫描信号sc1以高电平h输入,第三扫描信号sc3以低电平l输入,高电平操作电压vdd以高电平h输入。感测波形是存储在第一电容器c1中的阈值电压vth的波形的例示。在补偿时间段tc中,发光信号em以高电平h输入,第一扫描信号sc1以低电平l输入,第三扫描信号sc3以高电平h输入,高电平操作电压vdd以高电平h输入。这里,高电平h是使nmos型氧化物tft导通并且同时使pmos型ltpstft截止的电压电平。另一方面,低电平h是使nmos型氧化物tft截止并且同时使pmos型ltpstft导通的电压电平。图15和图16是在图14的重置时间段ti、感测时间段ts和补偿时间段tc期间像素pxl如何工作的等效电路图。在重置时间段ti中,当发光信号em以高电平h输入并且第一扫描信号sc1以高电平h输入时,驱动tftdt导通。当第三扫描信号sc3以低电平l输入时,第二开关tftt2截止。与驱动tftdt的漏极连接的高电平操作电压vdd也以低电平l输入。由此,第一电容器c1和第二电容器c2连接并且将存储在第一电容器c1和第二电容器c2中的电力重置。参照图15,在感测时间段ts中,当发光信号em以高电平h输入时,供应vdd,当第一扫描信号sc1以高电平h输入时,驱动tftdt导通。当第三扫描信号sc3以低电平l输入时,第二开关tftt2截止。结果,vdd信号被施加到驱动tftdt的源极节点。驱动tftdt作为源跟随器操作,并且感测阈值电压vth并且将其存储在第一电容器c1中。详细地,当比重置电压高的vdd信号施加到驱动tftdt的源极节点时,电流流过驱动tftdt。由于该电流,导致第一电容器c1的电位升高。当驱动tftdt的栅极-源极电压的电位变成等于驱动tftdt的阈值电压vth时,驱动tftdt截止。在驱动tftdt截止的时间点,第一电容器c1的电位被存储为驱动tftdt的阈值电压vth。参照图16,在补偿时间段tc中,当发光信号em以高电平h输入并且第一扫描信号sc1以低电平l输入时,驱动tftdt截止。当第三扫描信号sc3以高电平h输入时,第二开关tftt2导通。因此,存储在第一电容器c1中的阈值电压vth通过第二开关tftt2移至第二电容器c2。在移至第二电容器c2之后,阈值电压vth被输入到驱动tftdt的第二栅极节点gn2,由此补偿驱动tftdt的阈值电压。可以在设计系统时以规则的间隔执行阈值电压补偿处理。例如,可以在打开/关闭显示装置时以特定数目的帧为间隔或者以规则的时间间隔来执行该处理。如以上说明的,本公开例示了一种方法,该方法通过将其阈值电压将被补偿的tft(例如,氧化物tft)实现为双栅极tft来补偿阈值电压,在双栅极tft中,一个栅极用于驱动像素pxl,而另一个栅极被施加有用于阈值电压补偿的电压。通过将用于补偿的电源连接到双栅极tft的栅极,该tft的阈值电压沿着特征曲线的反方向移动,由此补偿阈值电压。此外,可使用形成双栅极tft的熟知方法来实现应用于本公开的双栅极tft,并且根据tft形成处理,双栅极tft可以具有诸如蚀刻阻挡件结构、倒共面结构和共面结构这样的各种结构。图17和图18是例示了适用于本公开的双栅极tft的结构的视图。参照图17,适用于本公开的双栅极tft200可以在基板210(例如,玻璃)上具有底栅极220。另外,双栅极tft200可以具有绝缘膜230(例如,氧化铝),绝缘膜230能够使基板210和底栅极220与覆盖材料绝缘。另外,形成漏极240和源极240',然后可以形成其中形成电子或空穴传输通道的有源层250。此后,可以形成保护层260来防止因蚀刻造成的损坏,然后可以形成另一绝缘层270(例如,氧化铝)。另外,可以在绝缘膜270上形成能够调整作为底栅极220的有源层250的沟道宽度的顶栅极280。根据本公开的实施方式的第一开关tftt1和驱动tftdt可以被配置为上述的双栅极tft。因此,为了补偿氧化物tft的阈值电压沿着不期望方向的偏移,可以按照向顶栅极280或底栅极220施加阈值电压vth这样的方式来配置电路。包括两个电容器c1和c2以及第二开关tftt2的简单电路可以被配置为存储和施加阈值电压vth。图18例示了具有适用于本公开的另一结构的双栅极tft。参照图18,在基板305(例如,玻璃或塑料)上形成缓冲层310,然后形成第一有源层360。第一有源层360可以由ltps或氧化物形成。可以在缓冲层310和第一有源层360上形成第一绝缘膜315(例如,硅绝缘膜或氧化铝),以使缓冲层310和第一有源层360与覆盖材料绝缘。可以在第一绝缘膜315上形成底栅极320。另外,可以形成第二绝缘膜330(例如,硅绝缘膜或氧化铝),以使第一绝缘膜315和底栅极320与覆盖材料绝缘。在第二绝缘膜330上形成第二有源层350。第二有源层350由与第一有源层360不同的材料形成。例如,如果第一有源层360由ltps形成,则第二有源层350可以由氧化物形成。如果第一有源层360由氧化物形成,则第二有源层350可以由ltps形成。此后,形成第三绝缘膜335,然后进行蚀刻,以形成与第一有源层360和第二有源层350连接的漏极340和源极340'。因此,可以在第一有源层360和第二有源层350中形成电子或空穴传输通道。此后,可以形成另一绝缘膜370(例如,含硅膜或氧化铝),并且可以在所述另一绝缘膜370上形成能够调整作为底栅极220的第二有源层350的沟道宽度的顶栅极380。也就是说,第二有源层350可以被配置为双栅极结构。当期望按双栅极结构配置第一有源层360时,可以在缓冲层310和基板305上形成能够调整第一有源层360的沟道宽度的栅极。如以上说明的,根据本公开的双栅极tft可以包括由氧化物形成的有源区和由ltps形成的有源区二者。因此,可以选择ltps有源区和氧化物有源区中的至少一个,并且将其用作双栅极tft。然而,本公开不限于此,而是可以包括其中顶栅极380按照与第一有源层360对应的方式设置在缓冲层310的背侧上的修改。可以如下地描述根据本公开的实施方式的显示装置。根据本公开的显示装置包括其中每个子像素包括驱动tft、有机发光二极管和用于驱动子像素的至少一个开关tft的显示装置。所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft,并且每个子像素包括补偿电路,所述补偿电路感测所述双栅极tft的阈值电压并且向所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点施加阈值电压。根据一个或更多个实施方式,该补偿电路可以包括:第一电容器,该第一电容器存储所述双栅极tft的所述阈值电压;第二电容器,该第二电容器与所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点连接,并且存储所述双栅极tft的所述阈值电压,以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压施加到所述第一栅极节点或所述第二栅极节点;以及第二开关tft,该第二开关tft根据外部输入信号而导通/截止,并且当补偿所述双栅极tft的阈值电压时,所述第二开关tft将所述第一电容器和所述第二电容器互连,以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压提供到所述第二电容器。根据一个或更多个实施方式,所述第二开关tft可以根据所述外部输入信号而导通/截止,并且当所述双栅极tft的所述阈值电压被存储在所述第一电容器中时,所述第二开关tft断开所述第一电容器和所述第二电容器。根据一个或更多个实施方式,在用于驱动所述子像素的所述至少一个开关tft当中,所述第一开关tft可以被形成为n型氧化物双栅极tft,并且所述第一开关tft在通过所述第一栅极节点接收到第一扫描信号时将通过数据线输入的数据信号施加到所述驱动tft的栅极,并且可以通过所述第二栅极节点与所述第二电容器连接,以接收所述阈值电压。根据一个或更多个实施方式,所述驱动tft可以被形成为n型氧化物双栅极tft,并且所述驱动tft可以在通过所述第一栅极节点接收到数据信号时调整施加到所述有机发光二极管的电流的量,并且通过所述第二栅极节点与第二电容器连接,以接收所述阈值电压。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以被形成为氧化物tft。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以包括两个或更多个有源区。所述两个或更多个有源区可以由氧化物和ltps中的至少一种形成。根据一个或更多个实施方式,所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个可以被实现为n型氧化物tft,并且用于驱动所述子像素的所述至少一个开关tft可以被实现为n型ltpstft、n型ltpstft或p型ltpstft。根据一个或更多个实施方式,所述补偿电路还可以包括:第三tft,该第三tft响应于第二扫描信号而连接被施加有重置电压的初始线和所述有机发光二极管的阳极。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以具有蚀刻阻挡件结构、倒共面结构和共面结构中的一种。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以包括:底栅极,该底栅极在基板上;绝缘膜,该绝缘膜在所述底栅极和所述基板上,所述绝缘膜将所述基板和所述底栅极绝缘;漏极和源极,该漏极和该源极在所述绝缘膜上;有源层,该有源层在所述绝缘膜以及所述漏极和所述源极上;保护层,该保护层在所述有源层上;另一绝缘层,该另一绝缘层在所述保护层以及所述漏极和所述源极上;以及顶栅极,该顶栅极在所述绝缘膜上。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以包括:缓冲层,该缓冲层在基板上;第一有源层,该第一有源层在所述缓冲层上并且由ltps或氧化物形成;第一绝缘膜,该第一绝缘膜在所述缓冲层和所述第一有源层上;底栅极,该底栅极在所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,该第二绝缘膜在所述第一绝缘膜和所述底栅极上;第二有源层,该第二有源层在所述第二绝缘膜上,所述第二有源层由与所述第一有源层不同的材料形成;第三绝缘膜,该第三绝缘膜在所述第二有源层和所述第二绝缘膜上;漏极和源极,该漏极和该源极被形成为与所述第一有源层和所述第二有源层连接;另一绝缘膜,该另一绝缘膜在所述第三绝缘膜以及所述漏极和所述源极上;以及顶栅极,该顶栅极在所述另一绝缘膜上。根据本公开的一种具有有机发光二极管的电致发光显示器,在所述电致发光显示器中,每个子像素包括:驱动tft,该驱动tft向所述有机发光二极管施加驱动电流,以使所述有机发光二极管发光;第一开关tft,该第一开关tft与所述驱动tft的栅极连接,并且将通过数据线输入的数据信号施加到所述栅极;以及多个开关tft,所述多个开关tft用于使所述驱动tft导通/截止。所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft,并且每个子像素包括补偿电路,该补偿电路感测所述双栅极tft的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点。根据一个或更多个实施方式,所述补偿电路可以包括:第一电容器,该第一电容器存储所述双栅极tft的所述阈值电压;第二电容器,该第二电容器与所述双栅极tft的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点连接,并且存储所述阈值电压,以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压施加到所连接的栅极节点;以及第二开关tft,该第二开关tft根据外部输入信号而导通/截止,当所述双栅极tft的所述阈值电压被存储在所述第一电容器中时,所述第二开关tft断开所述第一电容器和所述第二电容器,并且当补偿所述双栅极tft的所述阈值电压时,所述第二开关tft将所述第一电容器和所述第二电容器互连,以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压提供到所述第二电容器。根据一个或更多个实施方式,所述第一开关tft可以被形成为n型氧化物双栅极tft,并且所述第一开关tft可以在通过所述第一栅极节点接收到第一扫描信号时将通过数据线输入的数据信号施加到所述驱动tft的栅极,并且通过所述第二栅极节点与第二电容器连接,以接收所述阈值电压。根据一个或更多个实施方式,所述驱动tft可以被形成为n型氧化物双栅极tft,并且所述驱动tft可以在通过所述第一栅极节点接收到数据信号时调整施加到所述有机发光二极管的电流的量,并且可以通过所述第二栅极节点与所述第二电容器连接,以接收所述阈值电压。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以被形成为氧化物tft。根据一个或更多个实施方式,所述驱动tft和所述开关tft中的至少一个可以被实现为n型氧化物tft,并且用于驱动所述子像素的至少一个开关tft可以被实现为n型ltpstft、n型ltpstft或p型ltpstft。根据一个或更多个实施方式,所述补偿电路还可以包括:第三tft,该第三tft用于响应于第二扫描信号而连接被施加有重置电压的初始线和所述有机发光二极管的阳极。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以具有蚀刻阻挡件结构、倒共面结构和共面结构中的一种。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以包括:底栅极,该底栅极在基板上;绝缘膜,该绝缘膜在所述底栅极和所述基板上,所述绝缘膜将所述基板和所述底栅极绝缘;漏极和源极,该漏极和该源极在所述绝缘膜上;有源层,该有源层在所述绝缘膜以及所述漏极和所述源极上;保护层,该保护层在所述有源层上;另一绝缘层,该另一绝缘层在所述保护层以及所述漏极和所述源极上;以及顶栅极,该顶栅极在所述绝缘膜上,所述顶栅极调整作为所述底栅极的所述有源层的沟道宽度。根据一个或更多个实施方式,所述双栅极tft可以包括:缓冲层,该缓冲层在基板上;第一有源层,该第一有源层在所述缓冲层上,所述第一有源层由ltps或氧化物形成;第一绝缘膜,该第一绝缘膜在所述缓冲层和所述第一有源层上;底栅极,该底栅极在所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,该第二绝缘膜在所述第一绝缘膜和所述底栅极上;第二有源层,该第二有源层在所述第二绝缘膜上,所述第二有源层由与所述第一有源层不同的材料形成;第三绝缘膜,该第三绝缘膜在所述第二有源层和所述第二绝缘膜上;漏极和源极,该漏极和该源极被形成为与所述第一有源层和所述第二有源层连接;另一绝缘膜,该另一绝缘膜在所述第三绝缘膜以及所述漏极和所述源极上;以及顶栅极,该顶栅极在所述另一绝缘膜上,所述顶栅极调整作为所述底栅极的所述第二有源层的沟道宽度。一种补偿显示装置的劣化的方法,在该显示装置中,每个子像素包括驱动tft、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关tft,该方法包括以下步骤:使阈值电压将被补偿的tft的第一栅极截止,使得所述tft作为源跟随器操作并且存储所述tft的所述阈值电压,其中,阈值电压将被补偿的所述tft被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极tft;以及将所述阈值电压施加到阈值电压将被补偿的所述tft的第二栅极。在整个说明书中,本领域的技术人员应当理解,可以在不脱离本公开的技术原理的情况下进行各种改变和修改。因此,本公开的技术范围不限于本说明书中的详细描述,而是应该由所附的权利要求的范围限定。本申请要求于2016年11月23日提交的韩国专利申请no.10-2016-0156868的优先权权益,该韩国专利申请出于所有目的以引用方式并入本文中,如同在本文中完全阐明一样。当前第1页12
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