一种电子器件外壳冷雕加工工艺的制作方法

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种电子器件外壳冷雕加工工艺。

背景技术：

随着社会发展，科学的进步，以及人们对电子器件的外观审美的提升，目前市场上流通的电子器件外壳已经渐渐的满足不了消费者苛刻的要求，现有3d玻璃外壳表面平整，没有任何图案花纹，无视觉冲击，握在手里没有立体感，无时尚个性。

技术实现要素：

基于背景技术中存在的技术问题，本发明提出了一种电子器件外壳冷雕加工工艺。

本发明提出的一种电子器件外壳冷雕加工工艺，包括以下步骤：

s1、将2d玻璃原材进行切割，得到半成品a；

s2、将半成品a进行cnc冷雕加工，通过多次换刀铣削得到具有钻石图案的半成品b；

s3、将半成品b进行平片扫光，得到半成品c；

s4、将半成品c放入石墨模具中，通过热压弯机进行热压弯成型，半成品c钻石图案位置悬空不与模具接触，降温得到半成品d；

s5、将半成品d进行抛光，然后进行钢化处理得到成品。

优选的，在s1中，半成品a的厚度为1.3mm。

优选的，在s2中，在cnc冷雕加工过程中，采用带刀库的cnc机，单个半成品a的加工时间为48-53min，得到的半成品b钻石顶点厚度为1.3mm、底部厚度为0.6mm。

优选的，在s3中，平片扫光采用cx-500扫光机，加工时间18-24min，上盘转速20rpm，下盘转速100rpm，压力200kg，下盘使用白色尼龙胶丝刷。

优选的，在s4中，加工时间为18-24min。

优选的，在s4中，在热压弯机内设置15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，其中：15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站，成型工站温度为720℃-760℃。

优选的，在s5中，所述抛光包括凹面抛光和凸面抛光。

优选的，所述凹面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用白磨条、下盘仿形底座、加工时间48-55min、上盘转速300rpm、下盘转速5rpm、压力110kg。

优选的，所述凸面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用猪鬃毛刷、下盘仿形底座、加工时间35-42min、上盘转速240rpm、下盘转速3rpm、压力70kg。

本发明提出的3d钻石电子器件外壳是指采用模仿钻石效果棱角设计在产品玻璃面上，本发明提出的3d钻石电子器件外壳是在玻璃外壳上采用钻石的棱角及效果，使3d电子器件外壳呈现出超炫钻石立体效果，能够在整个3d外壳上突显出来，使3d外壳更加美观。

本发明提出的一种电子器件外壳冷雕加工工艺，首先通过cnc机加工出带有钻石效果的2d玻璃，然后通过热压弯成型把玻璃压成理想中的形状，再通过抛光处理将玻璃盖板由于热弯以后玻璃表面呈现cnc加工后雾状及凹面模印、橘皮。使用本发明提出的工艺生产出的3d钻石电子器件外壳呈现出超炫钻石立体效果，能够在整个3d外壳上突显出来，使3d外壳更加美观。

附图说明

图1为本发明提出的工艺所生产的3d钻石电子器件外壳的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，图1为本发明提出的工艺所生产的3d钻石电子器件外壳的结构示意图。

参照图1，本发明提出一种电子器件外壳冷雕加工工艺，包括以下步骤：

s1、将2d玻璃原材利用切割机进行切割，得到半成品a；

s2、将半成品a进行cnc冷雕加工，通过多次换刀铣削得到具有钻石图案的半成品b；

s3、将半成品b进行平片扫光，得到半成品c；

s4、将半成品c放入石墨模具中，通过热压弯机进行热压弯成型，半成品c钻石图案位置悬空不与模具接触，降温得到半成品d；

s5、将半成品d进行抛光，然后进行钢化处理得到成品3d钻石电子器件外壳。

在本实施例中，在s1中，半成品a的厚度为1.3mm。

在本实施例中，在s2中，在cnc冷雕加工过程中，采用带刀库的cnc机，因为钻石效果玻璃需四支砂轮才能加工完成，带刀库的cnc机台可以高效精准的加工出理想的尺寸；单个半成品a的加工时间为48-53min，得到的半成品b钻石顶点厚度为1.3mm、底部厚度为0.6mm。

在本实施例中，在s3中，平片扫光采用专用设计底座，采用cx-500扫光机，加工时间18-24min，上盘转速20rpm，下盘转速100rpm，压力200kg，下盘使用白色尼龙胶丝刷。

在本实施例中，在s4中在热压弯机内设置15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，玻璃钻石位置悬空不与模具接触，待降温后半成品d弧度成型拿出，其中：15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站，成型工站内温度为720℃-760℃，优选温度为750℃，此温度下玻璃软化但不熔化，可重新塑造成任意形状，加工时间为18-24min。

在本实施例中，在s5中，所述抛光包括凹面抛光和凸面抛光。其中：所述凹面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用白磨条、下盘仿形底座、加工时间48-55min、上盘转速300rpm、下盘转速5rpm、压力110kg；所述凸面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用猪鬃毛刷、下盘仿形底座、加工时间35-42min、上盘转速240rpm、下盘转速3rpm、压力70kg。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

s1、将2d玻璃原材进行切割，得到半成品a；

s2、将半成品a进行cnc冷雕加工，通过多次换刀铣削得到具有钻石图案的半成品b；

s3、将半成品b进行平片扫光，得到半成品c；

s4、将半成品c放入石墨模具中，通过热压弯机进行热压弯成型，半成品c钻石图案位置悬空不与模具接触，降温得到半成品d；

s5、将半成品d进行抛光，然后进行钢化处理得到成品。

2.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s1中，半成品a的厚度为1.3mm。

3.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s2中，在cnc冷雕加工过程中，采用带刀库的cnc机，单个半成品a的加工时间为48-53min，得到的半成品b钻石顶点厚度为1.3mm、底部厚度为0.6mm。

4.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s3中，平片扫光采用cx-500扫光机，加工时间18-24min，上盘转速20rpm，下盘转速100rpm，压力200kg，下盘使用白色尼龙胶丝刷。

5.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s4中，加工时间为18-24min。

6.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s4中，在热压弯机内设置15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，其中：15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站，成型工站温度为720℃-760℃。

7.根据权利要求1所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，在s5中，所述抛光包括凹面抛光和凸面抛光。

8.根据权利要求7所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，所述凹面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用白磨条、下盘仿形底座、加工时间48-55min、上盘转速300rpm、下盘转速5rpm、压力110kg。

9.根据权利要求7所述的电子器件外壳冷雕加工工艺，其特征在于，所述凸面抛光过程中，使用3d-6l专用抛光机，上盘使用猪鬃毛刷、下盘仿形底座、加工时间35-42min、上盘转速240rpm、下盘转速3rpm、压力70kg。

技术总结
本发明提出了一种电子器件外壳冷雕加工工艺，包括以下步骤：S1、将3D玻璃原材进行切割，得到半成品a；S2、将半成品a进行CNC冷雕加工，通过多次换刀铣削得到具有钻石图案的半成品b；S3、将半成品b进行平片扫光，得到半成品c；S4、将半成品c放入石墨模具中，通过热压弯机进行热压弯成型，半成品c钻石图案位置悬空不与模具接触，降温得到半成品d；S5、将半成品d进行抛光，然后进行钢化处理得到成品。使用本发明提出的工艺生产出的3D钻石电子器件外壳呈现出超炫钻石立体效果，能够在整个3D外壳上突显出来，使3D外壳更加美观。

技术研发人员：达令;项钰
受保护的技术使用者：安庆市晶科电子有限公司
技术研发日：2019.12.26
技术公布日：2020.05.15