专利名称：等离子体反应室的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体反应室，特别是一种可增加基板的传送空间的等离子体反应室。
背景技术：
等离子体蚀刻机台(plasma etching apparatus)已广泛地应用于液晶显示面板的制作过程中，用来去除玻璃基板表层未被光致抗蚀剂(photo-resist)覆盖及保护的部分，以将掩模图案(pattern)转移至玻璃基板表面。等离子体蚀刻主要是利用等离子体将反应气体分子解离成对玻璃基板表面的薄膜材料具有反应性(reactive)的离子，以与玻璃基板上的薄膜发生化学反应，从而使暴露在等离子体下的薄膜反应成挥发性的物质，然后再利用真空系统将反应生成挥发性的物质加以抽离玻璃基板表面。
请参考图1至图3，图1至图3是现有等离子体蚀刻机台的等离子体反应室的侧视图。如图1所示，一等离子体反应室10包含有一壳体12，一基座14设于壳体12的底部，一电极座16a设于基座14的表面上，一下电极16设于电极座16a的表面上，以及一环形体22，以可移动的方式设于下电极16的上方。此外，等离子体反应室10还包含有多支升降针(lift pin)18，以可上下移动的方式设于下电极16内，以及一绝缘层20环设于下电极16的周围，用来保护下电极16。另一方面，基座14由一陶瓷材料(ceramic)层14a与一铝金属层14b堆叠而成。除此之外，等离子体反应室10还包含有一特氟隆护罩(Teflon cover，未显示)，环设于电极座16a的周围，以及一陶瓷护罩(ceramic cover，未显示)，环设于该特氟隆护罩与基座14的周围，而该特氟隆护罩与该陶瓷护罩用来保护电极座16a与基座14。
请参考图2与图3，接下来将说明等离子体反应室10内的工作方式。如图2所示，壳体12包含有一通道开口(未显示)，用来使一传送手臂(robot)24得以传送一玻璃基板26进出等离子体反应室10。并且，当传送手臂24将玻璃基板26送进等离子体反应室10后，各个升降针18会向上移动以将玻璃基板26向上举起，并使基板26离开传送手臂24，然后传送手臂24会退出等离子体反应室10之外。随后，如图3所示，各个升降针18会向下移动，并将玻璃基板26放置于下电极16的表面上，接着环形体22会由上往下移动至下电极16的表面上，最后再进行一等离子体反应于玻璃基板26上。须注意的是，环形体22用来将该等离子体反应的等离子体离子(plasma ions)集中于玻璃基板26之上，以避免基板14或壳体12内部受到等离子体离子的攻击而受损。
如图2所示，当各个升降针18向上移动以承接玻璃基板26时，玻璃基板26与升降针18接触的部分会往上翘，而玻璃基板26的中间部分则会因为重力而往下沉，并且，玻璃基板26的厚度越薄，则前述的弯曲(bending)情形便会越严重，因此必须将升降针18升得更高，才可让玻璃基板26完全地离开传送手臂24，而使传送手臂24得以退出等离子体反应室10之外。然而，当传送手臂24将玻璃基板26送进等离子体反应室10时，环形体22位于传送手臂24的上方，因此，升降针18所能上升的高度会受限于环形体22与下电极16之间的空间，所以对于厚度越薄的玻璃基板26而言，便会增加传送的困难度。
发明内容
本发明的目的是提供一种等离子体反应室，以解决前述问题。
依据本发明的目的，本发明的优选实施例提供一种等离子体反应室，其包含有一下电极以及一环形体，该下电极设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上，而该环形体以可移动的方式套合于该下电极的周围，其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。
由于在本发明的等离子体反应室内，该环形体的初始位置环设于该下电极的周围，因此该下电极的上方区域具有足够的空间，以方便进行该基板的传送工作。
图1至图3是现有等离子体蚀刻机台的等离子体反应室的侧视图；
图4、图6与图7是本发明优选实施例的等离子体反应室的侧视图；图5是本发明优选实施例的等离子体反应室的上视图。
附图标记说明10等离子体反应室 12 壳体14基座14a 陶瓷材料层14b 铝金属层16 下电极16a 电极座 18 升降针20绝缘层 22 环形体24传送手臂26 玻璃基板30等离子体反应室 32 壳体34基座34a 陶瓷材料层34b 铝金属层36 下电极36a 电极座 38 升降针40绝缘层 42 环形体44传送手臂46 基板具体实施方式
请参考图4至图7，图4、图6与图7为本发明优选实施例的等离子体反应室的侧视图，而图5为本发明优选实施例的等离子体反应室的上视图。如图4与图5所示，一等离子体反应室30包含有一壳体32，一基板34设于壳体32的底部，一电极座36a设于基座34的表面上，一下电极36设于电极座36a的表面上，以及一环形体42，以可上下移动的方式环设于下电极36的周围。此外，等离子体反应室30还包含有多支升降针38以及一绝缘层40，并且各个升降针38以可上下移动的方式安装于下电极36内，而绝缘层40则是设于下电极36与环形体42之间，用来保护下电极36。另一方面，如图6所示，壳体32包含有一通道开口(未显示)，用来使一传送手臂44得以传送一基板46进出等离子体反应室30。除此之外，等离子体反应室30还包含有一特氟隆护罩(Teflon cover，未显示)，环设于电极座36a的周围，以及一陶瓷护罩(ceramic cover，未显示)，环设于该特氟隆护罩与基座34的周围，而该特氟隆护罩与该陶瓷护罩用来保护电极座36a与基座34。
在本发明的优选实施例中，基座34由一陶瓷材料(ceramic)层34a与一铝金属层34b堆叠而成，绝缘层40由一陶瓷材料所构成，环形体42的材料包含有陶瓷材料或石英材料，而基板46是一玻璃基板，且该玻璃基板用来制作一液晶显示面板。
接下来，将说明等离子体反应室30内的工作方式，而可更详尽地呈现本发明的特征。请参阅图6，当等离子体反应室30内将进行一等离子体反应时，传送手臂44会将基板46送进等离子体反应室30内，并使基板46停留在下电极36的正上方，然后各个升降针38会向上移动以将基板46向上举起，而使基板46离开传送手臂44，待基板46完全地离开传送手臂44后，传送手臂44便会退出等离子体反应室30之外。
随后，如图7所示，待传送手臂44退出等离子体反应室30之后，各个升降针38会向下移动，并将基板46固定于下电极36的表面上。然后，环形体42由下往上移动至下电极36的表面的上方，最后再进行一等离子体反应于基板46上，并且环形体42可将该等离子体反应的等离子体离子集中于基板46之上，以避免基座34或壳体32内部受到等离子体离子的攻击而受损。须注意的是，当传送手臂44将基板46送进等离子体反应室30时，环形体42位于传送手臂44的下方(如图6所示)，此时下电极36的上方区域具有足够的空间，以供传送手臂44将基板46移转至升降针38上。并且，当基板46厚度变薄而产生较大的弯曲时，本发明仅需把升降针38的高度调高，便可将基板46完全地举离传送手臂44。
相较于现有技术，在本发明的等离子体反应室30内，环形体42的初始位置环设于下电极36的周围，即当传送手臂44将基板46送进等离子体反应室30时，环形体42位于传送手臂44的下方，因此下电极36的上方区域具有足够的空间，可供传送手臂44将基板36移转至升降针38上，而可解决前述的问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡按照本发明权利要求所做的均等变化与修饰，均应属本发明专利的涵盖范围。
权利要求
1.一种等离子体反应室，其包含有一下电极，设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上；以及一环形体，以可移动的方式套合于该下电极的周围；其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。
2.如权利要求1的等离子体反应室，其中该等离子体反应室还包含有一通道开口，用来使一传送手臂得以传送该基板进出该等离子体反应室。
3.如权利要求2的等离子体反应室，其中该等离子体反应室还包含有多支升降针，各该升降针以可上下移动的方式设于该下电极内，且该等升降针用来将该基板自该传送手臂移送至该下电极，以及用来将该基板自该下电极移送至该传送手臂。
4.如权利要求1的等离子体反应室，其中该等离子体反应室还包含有一电极座，用来承放该下电极。
5.如权利要求4的等离子体反应室，其中该等离子体反应室还包含有一基座，用来承放该电极座。
6.如权利要求5的等离子体反应室，其中该基座包含有一铝金属层、以及一陶瓷材料层设于该铝金属层之上。
7.如权利要求1的等离子体反应室，其中该等离子体反应室还包含有一绝缘层，设于该下电极与该环形体之间，用来保护该下电极。
8.如权利要求7的等离子体反应室，其中该绝缘层是一陶瓷材料层。
9.如权利要求1的等离子体反应室，其中该环形体的材料包含有陶瓷材料或石英材料。
10.如权利要求1的等离子体反应室，其中该基板是一玻璃基板，且该玻璃基板用来制作一液晶显示面板。
11.如权利要求1的等离子体反应室，其中该等离子体反应是一等离子体蚀刻反应。
全文摘要
本发明提供一种等离子体反应室，其包含有一下电极以及一环形体，该下电极设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上，而该环形体以可移动的方式套合于该下电极的周围，其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。
文档编号G03F7/36GK1570773SQ0314748
公开日2005年1月26日 申请日期2003年7月14日 优先权日2003年7月14日
发明者梁忠棋, 张昭升, 黄木上, 彭顺煌 申请人:友达光电股份有限公司