专利名称：具有可扩展薄片的杂质屏蔽的制作方法
技术领域：
本发明涉及杂质屏蔽，用来使来自辐射源的辐射通过，并捕获来自辐射源的碎片，该杂质屏蔽包括从主轴沿径向延伸的许多薄片，每一薄片被定位在包含主轴的平面内。
背景技术：
已知这样一种杂质屏蔽，例如，见国际专利申请WO 02/054153。该杂质屏蔽通常定位在光刻投射装置的辐射系统的两个真空室之间的壁中。
在光刻投射装置中，能够在基底上成像的特征的大小受到投射辐射的波长限制。为了制造出具有更高器件密度的集成电路，以及由此获得更高的运行速度，需要能对更小的特征成像。同时，大多数现有光刻投射装置使用由汞灯或者受激准分子激光器产生的紫外光，已经提出使用范围在5～20nm，特别是13nm的更短的波长辐射。这样的辐射称为远紫外(EUV)或者软X射线，可能的源包括，例如，激光发生器等离子体源，放电等离子体源，或者由电子存储环发出的同步加速器辐射。使用放电等离子体源的装置在下列文章中有描述W.Partlo，I.Fomenkov，R.Oliver，D.Birx的“在锂蒸汽中使用密集等离子体聚焦的EUV(13.5nm)源的发展”(Development of an EUV(13.5nm)LightSource Employing a Dense Plasma Focus in Lithium Vapor，Proc.SPIE 3 997，pp.136-156(2000))；M.W.McGeoch的“Z收缩远紫外源的功率测量”(Power Scalingof a Z-pinch Extreme Ultraviolet Source，Proc.SPIE 3997，pp.86 1-866(2000))；W.T Silfvast，M.Klosner，G.Shimkaveg，H.Bender，G.Kubiak，N.Fomaciari的“用于EUV光刻的13.5和11.4nm的高功率等离子体放电源”(High-PowerPlasma Discharge Source at 13.5 and 11.4nm for EUV lithography，Proc.SPIE3676，pp.272-275(1999))；和K.Bergmann等的“基于气放电等离子体的高重复性的远紫外辐射源”(Highly Repetitive，Extreme Ultraviolet Radiation SourceBased on a Gas-Discharge Plasma，Applied Optics，Vol.38，pp.5413-5417(1999))。
EUV辐射源需要用一个更高的局部气压或蒸汽压以发射EUV辐射，例如上面提到的放电等离子体辐射源。在放电等离子体源中，例如在电极之间产生放电，以及由此产生的局部电离的等离子体可能随后导致崩溃以产生在EUV范围发射辐射的强放射性等离子。因为Xe等离子在远紫外(EUV)约13.5nm范围内进行辐射，所以强放射性等离子体往往在Xe中产生。对于有效的EUV产品，在电极到辐射源附近需要0.1mbar的标准气压。具有这么高的Xe气压的缺陷是Xe气体会吸收EUV辐射。例如，0.1mbar的Xe传送1m，仅存0.3％波长为13.5nm的EUV辐射。因此需要将更高的Xe气压限制在围绕源的有限区域内。为此目的，源被容纳在其特有的真空室中，该真空室通过室壁与容纳聚光反射镜和照明光学器件的次真空室分离。通过由杂质屏蔽或者称为“箔收集器”在壁上提供的许多小孔，隔室壁能够对EUV辐射透明，箔收集器例如在欧洲专利申请EP-A-1 057 079中所描述的，其在此结合作为参考。在EP-A-1 057 079中提出一种箔收集器，用于减少和EUV辐射一起传播的粒子数。该箔收集器包括许多薄片状的壁，其紧靠在一起从而形成流阻，但是不至于太紧密以便让辐射基本上没有阻碍地通过。这些薄片可由非常薄的金属片制成，并被定位在辐射源的附近。这些薄片以这样一种方式定位，即能够使来自于辐射源的发散EUV辐射轻易地通过，但是捕获了来自辐射源的碎片。碎片粒子与箔收集器里的气体碰撞，因此被分散，最终与薄片碰撞，并粘在这些薄片上。
然而这些薄片吸收某些EUV辐射和热量。此外，由于碰撞碎片粒子而被加热。这导致薄片和支撑该薄片的支撑结构的显著加热。由于光学传输在光刻投射装置中十分重要，因此不允许机械变形。因此，本发明的目的是提供一种杂质屏蔽，其中薄片的不利变形被减小。
发明内容
依照本发明在开始段落中说明的杂质屏蔽实现这个目的，其特征在于该杂质屏蔽包括内环和外环，每一薄片滑动地定位在内环和外环至少其中之一的槽中的至少一个外部边缘上。
通过滑动定位薄片的外部边缘之一，薄片能在径向扩展，而没有出现可能引起薄片变形的机械拉伸。
该薄片优选与内环和外环至少其中之一热连接。这样，来自薄片的热量将被传送到环上。注意热连接不必要是机械连接；当连接是可滑动的，从薄片到环的热传导也是有可能的。此外，在薄片和环之间使用热传导凝胶的连接是可以想到的。
在一实施例中，杂质屏蔽包括第一屏蔽，设置为保护内环不被来自辐射源的辐射照射(hit)。这样，限制了内环的加热。优选地，杂质屏蔽包括第二屏蔽，设置为阻止来自第一屏蔽的热辐射。通过阻止来自第一热屏蔽的热辐射，进入收集器的光束不会被不希望的辐射曝光。
在另一个的实施例中，第一屏蔽的上游，即关于辐射源沿着主轴发出的辐射的传播方向，提供第三屏蔽，构造和设置为减少由来自辐射源的直接辐射引起的第一屏蔽的加热。第三屏蔽防止第一屏蔽受到来自辐射源的直接辐射过多的加热，从而进一步减少了第一屏蔽向收集器辐射的热量。
在一优选实施例中，该杂质屏蔽也包括至少一个冷却辐条来支撑第一屏蔽，其中冷却辐条与外环热连接。该冷却辐条可以由金属或者任意其它热传导材料，例如碳制成。该冷却辐条不仅支撑第一屏蔽，而且把第一屏蔽的热量传送到外环。
在一实施例中，第一屏蔽包括许多屏蔽部件，每个屏蔽部件通过分开的冷却辐条连接到外环上。
在另一个实施例中，杂质屏蔽包括第一冷却装置，设置为冷却至少第一和第二屏蔽之一。既然这样，以上描述的冷却辐条不是必要的。冷却装置可以包括一个冷却系统，其中使用冷却流体去除杂质屏蔽的热量。冷却装置是在收集器中使用的冷却系统的一部分。这样，冷却装置将在热屏蔽的遮蔽中，并且因此不会阻碍EUV辐射光束。优选地，由冷却装置支撑热屏蔽。由于内环没有固定到冷却系统上，所以来自冷却系统的振动将不会影响杂质屏蔽的薄片。
仍然在另一个实施例中，该杂质屏蔽包括一个第二冷却装置，设置为冷却内环。如果冷却环被直接冷却，将不再需要热屏蔽。
在另一个实施例中，杂质屏蔽包括一个第三冷却装置，设置为冷却外环。如果薄片与内环滑动连接，与外环热连接，则来自薄片的热量将转移到外环。由于外环在EUV光路的外面，因此它能通过例如水冷却而容易地被冷却。
薄片优选在各自的平面内弯曲，内环和外环形如部分锥形管。如果外环和内环的表面被聚焦在EUV源上，那么EUV光束将尽可能少地被环阻碍。只有内环将遮挡EUV光束，这是不可避免的。然而，由于收集器无论如何不能以这种立体角收集辐射，因此没有光损失。
在另一个实施例中，薄片的第一侧面，至少在使用中面向辐射源的面，比薄片的其他部分厚。如果这样，减少了薄片较小翘曲的影响。该翘曲薄片应该定位在薄片厚的前侧面的遮蔽中。这种方法导致杂质屏蔽透射的更好的均匀性。
本发明也涉及一种辐射系统，包括如上所述的杂质屏蔽，和用于收集通过杂质屏蔽的辐射的收集器。
本发明的另一个目的是延长辐射系统中收集器的使用寿命。因此，本发明涉及一种辐射系统，包括；-用于使来自辐射源的辐射通过，并且捕获来自辐射源的碎片的杂质屏蔽，该杂质屏蔽包括许多薄片，和-用于收集通过杂质屏蔽的辐射的收集器，其特征在于薄片的表面覆盖了与收集器的光学表面相同的材料。
当杂质屏蔽的物质溅射到收集器上时，如果材料相同，收集器的使用寿命只是最低限度地受到影响。
本发明也涉及一种光刻投射装置，包括-构造和设置为保持构图部件、使构图部件被辐射投射光束照射以对辐射的投射光束构图的支撑结构，-构造和设置为保持基底的基底台，和-构造并设置为将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统，其中投射装置包括用于提供上述辐射投射光束的辐射系统。
最后本发明涉及如权利要求15所述的一种方法。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动；-程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已定址的反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到无地址的反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
-程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投射装置是，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片步进器或者分布重复装置。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投射装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层必须重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投射系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，其中图1示意地表示了一种光刻投射装置；图2示出了图1的实施例中装置的一部分的侧视图，即一EUV照明系统和投射光学系统；图3示出了根据本发明一实施例的具有内环和外环，以及薄片的箔收集器；图4示出了具有冷却辐条和热屏蔽的箔收集器；图5是根据本发明一实施例的内环的3-D图；图6示出了根据本发明的箔收集器的薄片的详细例子；图7示出了具有冷却辐条和两个热屏蔽的箔收集器；和图8示出了具有冷却辐条和两个热屏蔽的箔收集器的可选实施例。
具体实施例方式
图1示意性表示了本发明的一具体实施例的光刻投射装置1。该装置包括- 辐射系统Ex、IL，用于提供具有11～14nm波长的辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在该具体的例子中该辐射系统还包括辐射源LA；- 第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；- 第二目标台(基底保持器)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；和-投射系统(“镜头”)PL，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如上所述，该装置是反射型的(即具有反射掩模)。但是该装置通常也可以例如是透射型的(具有透射掩模)。或者该装置可以采用其他类型的构图部件，例如上述程控反射镜阵列类型。
辐射源LA(例如激光发生等离子体或放电等离子EUV辐射源)产生辐射束。该光束直接或经过如扩束器的横向调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置(AM)，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO，见图1。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当源是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过适当的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的程控构图部件MA相交。经过掩模MA之后的光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可仅与短冲程执行装置连接，或者固定。掩模MA和基底W可以用掩模对准标志M1、M2和基底对准标志P1、P2对准。
所示的装置可以按照两种不同模式使用1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射；和2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
图2示出了图1的光刻投射装置1的一实施例，包括辐射系统3(例如，“辐射源-收集器(collector)模块”)，照明光学单元4，和投射系统PL。辐射系统3设置有包括放电等离子体源的辐射源LA。辐射源LA使用气体或蒸汽，例如Xe气或者Li蒸汽，其中能产生非常强放射性等离子体，从而发出在电磁波频谱的EUV范围内的辐射。非常强放射性的等离子体通过引发局部电离的电子放电等离子体碰撞光轴20而产生。Xe气、Li蒸汽或其它任何适合的气体或蒸汽需要0.1mbar的局部压力以有效产生辐射。由辐射源LA发射的辐射通过箔收集器9自源室7进入收集器室8。箔收集器9包括通道结构，例如在欧洲专利申请EP-A-1 057 079中详细描述的，在此结合作为参考。
收集器室8包括由切线入射收集器形成的辐射收集器10。通过辐射收集器10的辐射被光栅滤波器11或者反射镜反射，聚焦在收集器室8孔径处的实际源点12上。来自室8的投射束16在照明光学单元4中，通过正入射反射镜13、14反射到位于分划板或掩模台MT上的分划板或掩模上。所形成的带图案的光束17在投射光学系统PL中，通过反射元件18、19在晶片台或基底台WT上成像。通常在照明光学单元4和投射系统PL存在比图中所示更多的元件。
图3分别示出了根据本发明一实施例的具有多个薄片31，32的箔收集器9的下游和横截面视图。箔收集器9包括内环33和外环35。优选的，内环33和外环35形如部分锥形管，其中外环35的最小直径d0大于内环33的最小直径di。优选的，锥形环33，35共用相同的主轴34和焦点。优选的，箔收集器9以这样一种方式设置在光刻投射装置中，即箔收集器9的主轴34和辐射系统3的光轴20一致，见图2。
在图4中，示出了包括热屏蔽(heat shield)41的箔收集器9。热屏蔽41由两个机械连接和热连接到外环35的冷却辐条44，45支撑。在箔收集器9的中心，冷却辐条44，45与支撑热屏蔽41的轴47连接。热屏蔽41包括圆盘，其避免内环33被来自辐射源LA的发射辐射和热量照射(hit)。这样，热屏蔽41遮蔽了内环33。冷却辐条44，45，轴47和热屏蔽41优选由良好的热传导体制成。这样，在热屏蔽41上扩展的热量容易通过冷却辐条44，45传递到外环35上。可选择的，热屏蔽41可以包括两个(或多个)圆盘部分，每个圆盘部分与一个冷却辐条44，45连接。在该情况下，轴47也将被分成两个(或多个)部分。
图5示出了根据本发明一实施例的内环33的鸟瞰图。内环33包括多个槽51。优选的，彼此相对的两个槽53，与其他槽相比具有相对更大的宽度。这些较宽的槽53设置为使冷却辐条44，45通过。根据本发明，内环33仅机械地通过多个薄片31，32支撑。除薄片31，32外，内环33不与其他任何部件连接。
图6示出了根据本发明的箔收集器9中薄片31，32的详细例子。薄片31，32是非常薄的板，其具有两个弯曲的边缘60，61，直的外边缘65，和有缺口63的内边缘62。薄片31，32高度为h，宽度为w，见图6。外边缘65机械地与外环35连接，见图4。内边缘62插入内环33的一个槽51中，见图5。优选的，薄片31，32焊接到外环35上。这样，提供了良好的热接触，几乎所有被薄片吸收的热量都被传送到了外环35。在一实施例中，通过未示出的冷却装置冷却外环35，以去除箔收集器9中的热量。
在本发明一实施例中，为了阻挡来自第一热屏蔽41的热辐射，箔收集器9也包括第二热屏蔽。图7示出了具有第一和第二热屏蔽41，71的箔收集器9。在一实施例中，第二热屏蔽71包括定位在内环33内并且位于该内环33的后端(即下游侧)的圆盘。
在另一实施例中，没有冷却辐条44，45，47。在该情况下，第一和/或第二屏蔽41，71通过冷却装置冷却，以所属领域的技术人员已知的方式设置。该冷却装置可以包括水冷却系统。该水冷却系统可以是辐射系统3中收集器10的冷却系统的一部分。在这种情况下，由冷却装置支撑屏蔽41，71。
仍在另一实施例中，通过冷却装置冷却内环33。用于冷却屏蔽41，71的冷却装置，和用于冷却内环33的冷却装置可以是同一个。箔收集器9可以被聚焦在辐射源6上。构成没有实焦点的箔收集器9也是可能的。无论如何，箔收集器9中的通道，即相邻薄片之间的空间，必须与发出的EUV光束对准。在图2中，箔收集器9被聚焦在辐射源上。因此，EUV源发出的辐射EUV射线可以没有阻碍地通过薄片3 1、32。薄片尺寸的具体值为高h＝30mm，厚0.1mm和宽度w＝50mm(弯曲的)。沟槽宽度的具体值，即相邻薄片之间的距离为1mm。箔收集器9到辐射源LA的距离典型地在60mm数量级内。
图8的实施例与图4所示的实施例相似，除了附加的装配在屏蔽41前面的热屏蔽46。该附加的屏蔽46防止第一屏蔽41被来自辐射源LA的直接辐射过度地加热，从而减少从第一屏蔽41向收集器10辐射的热量。为了实现两屏蔽之间的充分的热绝缘，使用专用的分离装置48将该附加热屏蔽46装配到屏蔽41上。分离装置48可以用例如陶瓷制造，其能够抵制由照射在附加屏蔽46上的辐射引起的热量，以及具有非常小的热传导系数。在分离装置48的另一实施例中，可以设想通过分离装置的特殊设计，在附加屏蔽46或屏蔽41之间产生热阻抗，显著地减少两屏蔽之间的热传递。
以上已描述本发明的具体实施例，但应当理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施。本说明不作为本发明的限定。
权利要求
1.一种杂质屏蔽，用于使来自辐射源的辐射通过，并捕获来自所述辐射源的碎片，所述的杂质屏蔽包括从主轴沿径向延伸的许多薄片，每一所述的薄片被定位在包含所述主轴的各自的平面内，其特征在于，该杂质屏蔽包括内环和外环，每一所述的薄片被可滑动地定位在所述内环和外环至少其中之一的槽中的其至少一个外部边缘上。
2.根据权利要求1的杂质屏蔽，其特征在于，所述薄片与所述内环和外环的至少其中之一热连接。
3.根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，其特征在于，所述的杂质屏蔽包括第一屏蔽，其设置为保护所述内环不被来自所述辐射源的辐射照射。
4.根据权利要求3的杂质屏蔽，其特征在于，所述的杂质屏蔽包括第二屏蔽，其设置为阻止来自所述第一屏蔽的热辐射。
5.根据权利要求3或4的杂质屏蔽，其特征在于，所述第一屏蔽的上游，即关于所述辐射源沿着所述主轴发出的辐射的传播方向，提供第三屏蔽，设置为减少由来自所述辐射源的直接辐射引起的所述第一屏蔽的加热。
6.根据权利要求5的杂质屏蔽，其特征在于，所述第三屏蔽关于所述第一屏蔽充分地热绝缘。
7.根据权利要求6的杂质屏蔽，其特征在于，所述第三屏蔽与所述第一屏蔽相连接。
8.根据权利要求3到7的杂质屏蔽，其特征在于，所述杂质屏蔽包括至少一个冷却辐条来支撑所述第一屏蔽，所述至少一个冷却辐条与所述外环热连接。
9.根据权利要求8的杂质屏蔽，其特征在于，所述第一屏蔽包括多个屏蔽部件，每个屏蔽部件通过分开的冷却辐条连接到所述外环上。
10.根据权利要求3-9的杂质屏蔽，其特征在于，所述杂质屏蔽包括第一冷却装置，设置为冷却所述第一和第二屏蔽至少其中之一。
11.根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，其特征在于，所述杂质屏蔽包括第二冷却装置，设置为冷却所述内环。
12.根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，其特征在于，所述杂质屏蔽包括第三冷却装置，设置为冷却所述外环。
13.根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，其特征在于，所述薄片在所述各自的平面内弯曲，所述的内环和外环形如部分锥形管。
14.根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，其特征在于，所述薄片的至少在使用中面向辐射源的第一侧面，比所述薄片的其他部分厚。
15.一种辐射系统，包括；-根据任一前述权利要求的杂质屏蔽，和-用于收集通过所述杂质屏蔽的辐射的收集器。
16.一种辐射系统，包括-用于使来自辐射源的辐射通过，并且捕获来自所述辐射源的碎片的杂质屏蔽，所述杂质屏蔽包括许多薄片，和-用于收集通过所述杂质屏蔽的辐射的收集器，其特征在于薄片的表面覆盖了与所述收集器的光学表面相同的材料。
17.一种光刻投射装置，包括-构造和设置为保持构图部件、使构图部件被辐射投射光束照射以对所述辐射的投射光束构图的支撑结构，-构造和设置为保持基底的基底台，和-构造并设置为将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统，其中所述投射装置包括根据权利要求15或16的用于提供辐射投射光束的辐射系统。
18.一种利用光刻方法制造集成结构的方法，包括下述步骤-提供将辐射源发射的辐射形成辐射投射束的辐射系统；-通过根据权利要求15或16的辐射系统辐射所述投射光束，-提供构造和设置为保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对所述投射束进行构图的支撑结构；-提供构造和设置为保持基底的基底台；-提供构造并设置为将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统。
全文摘要
本发明涉及用于光刻投射装置的箔收集器。该箔收集器形成一开放的结构，从而让来自例如EUV源的辐射不受阻碍地通过。该箔收集器包括薄片，设置为捕获来自辐射源的碎片粒子。薄片从箔收集器轴沿径向延伸。为了防止机械压力，该薄片可滑动地连接在一个或两个环的槽中。这样，该薄片能够轻易扩展，并且避免了机械压力，因此薄片没有变形。该薄片的至少一个外部边缘与环热连接。该环可以通过冷却系统冷却。在一优选实施例中，该箔收集器包括一屏蔽，以保护内环不被EUV光束照射。
文档编号G03F7/20GK1510523SQ20031012519
公开日2004年7月7日 申请日期2003年12月22日 优先权日2002年12月23日
发明者L·P·巴克, M·M·T·M·迪里奇斯, J·M·弗雷里克斯, F·J·P·舒尔曼斯, J·维温科, W·J·博西, L P 巴克, P 舒尔曼斯, T M 迪里奇斯, 博西, 弗雷里克斯, 驴 申请人:Asml荷兰有限公司