专利名称：平板显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及平板显示器及其制造方法，更具体地说，涉及包括覆盖导体的加盖层的平板显示器及其制造该平板显示器的方法。
背景技术：
在平板显示器(如液晶显示器、有机发光显示器或无机发光显示器)中使用的薄膜晶体管(TFT)用作i)控制每个像素工作的开关设备以及ii)驱动每个像素的驱动设备。
TFT典型包括i)半导体层，具有源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的沟道区；ii)与半导体层绝缘和与沟道区相应地定位的栅极电极，以及iii)分别接触源极和漏极区的源极电极和漏极电极。
近来的平板显示器要求薄且有柔性。为了获得柔性平板显示器，近来进行了许多努力以使用塑料代替玻璃用作平板显示器的衬底。制造具有如塑料衬底的TFT需要低温处理，而不是高温处理。因此，在塑料衬底上形成常规的多晶硅系列TFT是困难的。
为解决该问题，引入了有机半导体。因为有机半导体能在低温处理中形成，所以能获得廉价的TFT。然而，在后续的湿处理中，有机半导体会易于损坏，因此需要特别小心。
当使用这样的TFT制造平板显示器时，后续的处理，比如形成包括TFT的像素电路的处理、像素栅极形成处理等非常复杂。
在该平板显示器中，由于电极或线路的表面粗糙，各种电极或线路会穿过在其上形成的绝缘膜并接触在绝缘膜上形成的导体。同导体的接触会导致电路(特别是像素电路)电短路。
发明内容
本发明的一个方面提供能避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。
本发明的另一方面提供一种平板显示器，它包括具有孔的绝缘膜、具有一部分通过绝缘膜的孔外露的像素电极、在绝缘膜上形成的导体、以及覆盖导体的加盖层。
本发明的另一方面提供一种平板显示器，它包括在衬底上形成的象素电极、在衬底上形成至少一个导体、以及覆盖导体的加盖层。
在一个实施例中，衬底包括至少一个薄膜晶体管。在一个实施例中，薄膜晶体管包括源极和漏极电极、接触源极和漏极电极的半导体层、与源极和漏极电极和半导体层绝缘的栅极电极、以及覆盖i)源极和漏极电极和ii)栅极电极中至少一个的加盖层。
本发明的另一方面提供制造平板显示器的方法，包括用包括传导粒子的胶涂敷衬底、形成胶导体、以及形成覆盖导体的加盖层。
本发明的实施例将参考附图来描述。
图1是根据本发明实施例的有源矩阵(AM)有机发光显示器的像素的电路图。
图2-14是图1的AM有机发光显示器的各种实施例的横截面图。
图15是根据本发明另一实施例的液晶显示器的像素的电路图。
图16是图15的像素的实施例的横截面图。
具体实施例方式
参考图1，根据本发明实施例的有源矩阵(AM)有机发光显示器的每个像素。在一个实施例中，像素电路包括至少两个薄膜晶体管(TFT)(它们是开关TFT(M2)和驱动TFT(M1))、存储电容器(Cst)和有机发光二极管(OLED)。
开关TFT(M2)通过施加到扫描线(SCAN)的扫描信号接通/关断并且传送施加到数据线(DATA)的数据信号到存储电容器(Cst)和驱动TFT(M1)。驱动TFT(M1)根据从开关TFT(M2)接收的数据信号确定流入OLED的电流量。存储电容器(Cst)存储一帧的从开关TFT(M2)接收的数据信号。
在一个实施例中，图1所示的M1和M2是PMOS TFT。在另一实施例中，M1和M2是其它类型的晶体管。例如，M1和M2中的至少一个可以是NMOS TFT。以及，TFT和电容器的数量不限于图1所示的数量。例如，在每个像素中可以包括比图1示出的数量更多数量的TFT和电容器。
图2是图1所示的AM有机发光显示器示例的横截面图。如图2所示，AM有机发光显示器包括在TFT衬底100上形成的像素电极131、在像素电极131上形成的有机发光层132和覆盖有机发光层132的相对电极133。
在一个实施例中，TFT衬底100包含玻璃、塑料或在其上形成如图1所示的像素电路的金属衬底。TFT衬底100将在后面更详细地描述。
通常形成具有对应于TFT衬底100上像素图案的图案的像素电极131。尽管在图2中未示出，但像素电极131电连接到包括在TFT衬底100中的像素电路。
在一个实施例中，至少像素电极131的一部分通过由绝缘材料形成的像素定义膜120覆盖。在图2的实施例中，像素电极131的两端部分通过像素定义膜120覆盖。孔121在像素定义膜120中形成以外露像素电极131。有机发光层132在像素定义膜120的孔121上形成以覆盖像素电极131的外露部分。相对电极133在有机发光层132上形成。在一个实施例中，相对电极133可形成为单层来覆盖包括在TFT衬底100中的所有像素。在另一实施例中，相对电极133可以被形成图案。
在一个实施例中，像素电极131可用作阳极电极，以及相对电极133可用作阴极电极。在另一实施例中，像素电极131可用作阴极电极，以及相对电极133可用作阳极电极。为方便起见，在以下所有实施例中描述以下配置像素电极131用作阳极电极，以及相对电极133用作阴极电极。
在底部发光型发光显示器中，其中光通过像素阴极131和衬底100发出，像素电极131可以是透明电极，以及相对电极133可以是反射电极。用作像素电极131的透明电极可由ITO、IZO、In2O3或ZnO的透明材料形成。用作相对电极133的反射电极可由具有低功函数的金属(如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的化合物)形成。
在顶部发光型发光显示器，其中光通过相对极133发出，像素电极131可以是反射电极，以及相对电极133可以是透明电极。用作像素电极131的反射电极可以由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的化合物的反射膜或例如具有高功函数的ITO、IZO、In2O3或ZnO的膜形成。用作相对电极133的透明电极可以由比如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的化合物形成的低功函数层和辅助电极层或透明传导材料(如ITO、IZO、In2O3或ZnO)的总线电极线形成。
在两侧发光型发光显示器，其中光通过电极131和133发出，像素电极131和相对电极133都可由透明材料形成。
像素电极131和相对电极133的材料不限于上述材料，还可以是传导有机材料或传导胶，其中传导粒子包括例如Ag、Mg或Cu。在一个实施例中，传导胶用于形成两个电极131和133时，传导胶可以使用喷墨印刷方法印刷然后烧制变成电极。
在一个实施例中，有机发光层132可以是小分子有机层或聚合物有机层。小分子有机层可以通过比如在单一或复合结构中堆积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等形成。使用的有机材料可以是各种材料，包括铜酞菁(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺；NPB和三(8-喹啉酚根)合铝(Alq3)。在一个实施例中，小分子有机层通过真空沉积形成。
在一个实施例中，聚合物有机层包括空穴传输层(HTL)和发射层(EML)。HTL可以是聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT)，以及EML可以由聚合物有机材料(如聚亚苯基亚乙烯基(PPV)或聚芴)通过丝网印刷、喷墨印刷等形成。有机发光二极管(OLED)按照这种方式形成，然后密封以阻断外部空气。
在一个实施例中，像素定义膜120可以是具有单层或多层结构的有机绝缘膜、无机绝缘膜或有机-无机混合膜。
有机绝缘膜可由比如聚合物形成，聚合物的示例包括通用聚合物(如PMMA、PS等)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。有机绝缘膜可以由比如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST或PZT形成。
在一个实施例中，像素定义膜120可使用喷墨方法形成。首先，像素电极131的一部分是表面加工过的。表面加工使用基于氟的等离子以使得像素电极131的一部分具有疏水表面。基于氟的等离子通过基于氟的气体(比如CF4或C3F8)形成。然后，包括绝缘材料的溶液从喷墨头喷到TFT衬底100，由此形成像素定义膜120。在这时，不是像素定义膜120而是外露像素电极的孔131在像素电极的表面加工部分形成。
在一个实施例中，当TFT衬底100的外露表面和墨之间的粘性不好，即当TFT衬底100的表面是疏水的时候，执行以下内容。TFT衬底100的外露表面和像素电极131的表面(不包括其上形成孔121的表面)使用比如Ar等离子和O2等离子进行表面加工以变得亲水，由此改善同墨的粘性。之后，当包括用于形成像素定义膜的绝缘材料的墨喷到TFT衬底100的表面上时，仅仅TFT衬底100和像素电极131的表面加工过的和粘性改善的表面涂敷有像素定义膜120。在该实施例中，像素定义膜120没有在未使用等离子表面加工的像素电极131的一部分上形成。
在一个实施例中，导体140可以在像素定义膜120上形成。在一个实施例中，导体140可以是各种线路或电极。例如，导体140可以是图1所示的数据线、扫描线、Vdd线，或用来避免数据线、扫描线和Vdd线的电压降的总线线路。替代地，如后来所述的，导体140可以是电极，比如TFT或电容器。在另一实施例中，导体140可以包括金属，比如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的化合物，或透明传导材料，比如ITO、IZO、In2O3或ZnO。在另一实施例中，导体140可以由传导有机材料或传导胶(其中包括传导粒子，如Ag、Mg或Cu)形成。
如图2所示，在一个实施例中，当导体140在像素定义膜120上形成时，加盖层150在导体140上形成，以把导体140与相对电极133电绝缘。
此外，加盖层150使导体140的粗糙表面钝化。如图3所示，甚至当导体140和相对电极133之间存在有机发光层132时，加盖层150覆盖导体140以避免导体140和相对电极133由于导体140表面的粗糙引起的短路。因为有机发光层132实际上形成有约1000到约2000的厚度，有机发光层132的厚度是如此小以致导体140的表面的粗糙可导致导体140和相对电极133短路。因此，加盖层150能避免这种短路。
在一个实施例中，当导体140由前述传导材料形成时，加盖层150更有用。换言之，当导体140通过包括传导粒子(如Ag、Mg或Cu)的传导胶使用喷墨方法印刷然后烧结传导胶而形成，导体140能厚地形成，其中心和边缘具有峰值厚度。在这种情形下，绝缘材料的加盖层150覆盖导体140，以避免相对电极133和导体140短路。
在一个实施例中，加盖层150可以是具有单层或多层结构的有机膜、无机膜或有机-无机混合膜。无机膜可以由比如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST或PZT形成。有机膜可以由比如聚合物形成，聚合物的示例包括通用聚合物(如PMMA、PS等)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
如上所述，加盖层150不限于无机单层或有机单层，还可以是多层有机材料和无机材料。
在一个实施例中，加盖层150可以由除前述绝缘材料外具有低表面粗糙度的任何材料形成。在另一实施例中，加盖层150甚至可以由导体或半导体形成。换言之，当加盖层150下面的导体140的表面粗糙度不规则时，加盖层150可以由能减轻不规则表面粗糙度的任何材料形成。能用于形成加盖层150的材料能同样适用于下述所有实施例。
图4图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。在该实施例中，导体140与像素电极131相齐形成。换言之，导体140在TFT衬底101上形成。在一个实施例中，导体140由与像素电极131相同的材料或不同于像素电极131的传导材料形成。
如上所述，在该实施例中，当还形成加盖层150以覆盖导体140时，能改善导体140的表面的平面化。甚至当像素定义膜120(其是如图4所示的覆盖导体140和加盖层150的绝缘膜)非常薄地形成时，能通过加盖层150避免导体140和相对电极133的短路。在一个实施例中，如上所述，图4的加盖层150可以是具有单层或多层结构的有机膜、无机膜或有机-无机混合膜。这适用于其余的实施例。
在一个实施例中，覆盖导体140的加盖层150的结构能同样适用于在显示图像的发光区存在导体的情形。
图5图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。参考图5，源极/漏极电极111在衬底101上形成，以及像素电极131从源极/漏极电极111(比如源极111a和漏极111b)的一个电极延伸。在一个实施例中，如图5示出，半导体层112的两侧部分直接在源极/漏极电极111上形成。在该实施例中，半导体112的其余部分在衬底101上形成。像素定义膜120在衬底101上形成，以及栅极电极114在像素定义膜120上形成。相应地，像素定义膜120还用作栅极隔离膜。像素定义膜120具有形成用来外露像素电极131的预定部分的孔121。有机发光层132在像素电极131的外露部分上形成。相对电极133在有机发光层132上形成，由此形成有机发光二极管(OLED)。
衬底101可以由玻璃、塑料或金属形成。金属的示例包括金属箔，如不锈钢、Ti、Mo、因伐(Invar)合金、因科镍(Inconel)合金、科伐(Kovar)合金等。塑料的示例包括从由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸脂(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和纤维素乙酸丙酸酯(CAP)组成的群中选择的塑料膜。
绝缘层，比如缓冲层、阻挡层或不纯扩散避免层可以在衬底101的一侧或两侧上形成。
在一个实施例中，半导体层112可以由无机半导体或有机半导体形成。无机半导体的示例包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。有机半导体的示例包括并五苯、并四苯蒽、萘、α-6-噻吩、α-4-噻吩、苝及衍生物、红荧烯及衍生物、蔻及衍生物、苝四甲酰二亚胺及衍生物、苝四甲酸二酐及衍生物、萘的低聚并苯(oligoacene)及衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及衍生物、含或不含金属的酞菁及衍生物、萘四甲酰二亚胺及衍生物、均苯四酸二酐及衍生物、均苯四甲酰二亚胺及衍生物、含噻吩的共轭聚合物及衍生物、含氟聚合物及衍生物。
在一个实施例中，在衬底上101形成的源极/漏极电极111可以由不同的材料形成。在一个实施例中，如图5所示，当漏极电极111b结合到像素电极131中时，源极电极111a包括具有同半导体层112的功函数匹配的功函数的材料。这是因为在源极电极111a和半导体层112之间的接触阻抗是重要的，并且漏极电极111b包括用于形成像素电极131的材料。例如，当半导体层112由p型半导体形成时，源极电极111a包括具有比半导体层112的功函数更高功函数的电极材料。当半导体层112由p型有机半导体形成时，源极电极111a可包括从例如Au、Pt和Pd选择的金属电极材料。
在一个实施例中，栅极电极114可通过加盖层150覆盖。甚至当栅极电极114是由具有差表面粗糙度的材料形成时，栅极电极114的表面的粗糙能通过加盖层150充分地补偿。因此，能避免栅极电极114和相对电极133的短路。
如图5所示，有机发光层132在加盖层150之上延伸，因此增加加盖层150对于栅极114的加盖效果。
图6图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。同图5的实施例相对比，栅极绝缘膜113介于栅极电极114和半导体层112之间，并且像素定义膜120在加盖层150上形成。在一个实施例中，同前面实施例中的像素定义膜120类似，栅极绝缘膜113由具有单层或多层结构的有机膜、无机膜或有机-无机混合膜形成。
外露像素电极131的孔121在栅极绝缘膜113和像素定义膜120上形成。有机发光层132和相对电极133顺序地在像素电极131的外露表面上形成。其它结构与图5实施例的结构相同，因此不在此描述它们。
图7图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。同图6的实施例相对比，像素电极131在栅极绝缘膜113上形成，接触孔113a在栅极绝缘膜113中形成，并且像素电极131接触源极/漏极电极111中的一个。在这种情形下，接触孔113a可通过激光蚀刻或光刻法形成。
在该实施例中，源极/漏极电极111独立于像素电极131而形成，因此源极/漏极电极111可由同一材料形成。像素电极131由上述能用来形成像素电极131的材料形成。
图8图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。同图5的实施例相对比，半导体层112首先在衬底101上形成，然后源极/漏极电极111在半导体层112上形成。所有其它结构同图5实施例的结构相同，因此不在此描述它们。
图9图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。同图6的实施例相对比，半导体层112首先在衬底101上形成，然后源极/漏极电极111在半导体层112上形成。所有其它结构同图6实施例的结构相同，因此不在此描述它们。
图10图示了根据本发明的另一实施例的有机发光显示器。同图7的实施例相对比，半导体层112首先在衬底101上形成，然后源极/漏极电极111在半导体层112上形成。所有其它结构同图7实施例的结构相同，因此省略其描述。
上述实施例涉及其中栅极电极位于源极/漏极电极和半导体层之上的顶部栅极结构。此后，下文将参考图11-14的实施例描述其中栅极电极位于源极/漏极电极和半导体层之下的底部栅极结构。
在图11的实施例中，栅极电极114在衬底101上形成，然后被栅极绝缘膜113覆盖。此后，源极电极111a和漏极电极111b在栅极绝缘膜113上形成，并且像素电极131结合到漏极电极111b中。源极和漏极电极111a和111b和像素电极131通过像素定义膜120覆盖。孔121在像素定义膜120中形成，并且有机发光层132和相对电极133顺序地堆叠在像素电极131的外露表面上。用于形成前述单元的材料同在前面实施例中使用的材料相同。
在该实施例中，可形成加盖层150以覆盖半导体层112和源极和漏极电极111a和111b中的至少一个。
图12图示了根据本发明的又一实施例的有机发光显示器。同图11的实施例相对比，半导体层112首先在栅极绝缘膜113上形成，然后源极/漏极电极111在半导体层112上形成。所有其它结构同图11实施例的结构相同，因此不在此描述它们。
图13图示了根据本发明的又一实施例的有机发光显示器。参考图13，源极/漏极电极111在栅极绝缘膜113上形成，并且半导体层112在源极/漏极电极111之间形成。然后，形成加盖层150以覆盖半导体层112和源极/漏极电极111。在该实施例中，还形成平面化绝缘膜115以覆盖加盖层150。接触源极/漏极电极111中一个的像素电极131在平面化绝缘膜115上形成。形成像素定义膜120以覆盖像素电极131，并且孔121在像素定义膜120中形成。有机发光显示层132和相对电极133顺序地堆叠在像素电极131的外露表面上。在一个实施例中，用来形成前述单元的材料同在前面实施例中使用的材料相同。
图14图示了根据本发明的再一实施例的有机发光显示器。同图13的实施例相对比，半导体层112首先在栅极绝缘膜113上形成，然后源极/漏极电极111在半导体层112上形成。在此将不描述同图13实施例的结构相同的所有其它结构。尽管上文描述了有机发光显示器，但是本发明同样适用于其它平板显示器，比如液晶显示器。
图15是根据本发明再一实施例的液晶显示器的像素的电路图。参考图15，液晶显示器的每个像素包括开关TFT(Tsw)、存储电容器(Cst)和液晶设备(CLC)。
开关TFT(Tsw)通过施加到扫描线(SCAN)的扫描信号接通/关断并且传输施加到数据线(DATA)的数据信号到存储电容器(Cst)和液晶设备(CLC)。存储电容器(Cst)存储一帧的从开关TFT(Tsw)接收的数据信号。
图16是图15的液晶显示器的实施例的横截面图。参考图16，源极电极211a和漏极电极211b在衬底201上形成，以及像素电极231从漏极电极211b延伸。半导体层212在源极/漏极电极211上形成并且接触源极/漏极电极211。像素定义膜220在衬底201上形成，以及栅极电极214在像素定义膜220上形成。因此，像素定义膜220还用作栅极绝缘膜。像素定义膜220具有外露像素电极231的预定部分的孔221。加盖层在栅极214上形成以对其进行保护。
同时，相对衬底202直接布置在衬底201之上。彩色过滤器234和公共电极235顺序地在相对衬底202的底部表面上形成。
尽管在图16中未示出，定向膜还可在像素电极231的上部表面和公共电极235的底部表面上形成。
甚至在具有该结构的液晶显示器中，通过加盖层250覆盖栅极电极214。因此，通过加盖层250能充分地保护栅极电极214，并且能避免栅极电极214暴露到液晶层236。
尽管仅仅图16的实施例作为液晶显示器的实施例示出，本发明不限于图16的实施例。当然，图2-15的实施例可适用于液晶显示器。
另外，本发明适用于各种平板显示器，比如除有机发光显示器和液晶显示器外的电子发射显示器。
根据本发明的实施例，通过形成在导体上的加盖层能补偿导体表面的粗糙，因此，能够避免导体和相对电极的电短路。
当通过印刷传导胶形成导体或电极时，导体或电极具有不均匀的厚度。在一个实施例中，甚至当导体或电极具有峰时，加盖层也能避免导体或电极的峰值使形成在导体或电极上并与导体或电极隔离的电极短路。
虽然上述描述指出了适用于各种实施例的本发明的新颖特征，技术人员将理解到可以进行各种在所示的设备或处理的形式或细节上的省略、替代和改变，而不背离本发明的范围。因此本发明的范围通过所附权利要求书而不是前述说明书来定义。在权利要求书的等价物的意义和范围内发生的所有变化包含在它们的范围之内。
权利要求
1.一种平板显示器，包含定义开口的绝缘膜；具有通过所述绝缘膜的所述开口外露的一部分的像素电极；在所述绝缘膜上形成的导体；以及覆盖所述导体的加盖层。
2.如权利要求1所述的平板显示器，还包含至少覆盖所述像素电极的外露部分的发光层；以及至少在所述发光层上形成和与所述像素电极绝缘的相对电极。
3.如权利要求2所述的平板显示器，其中所述像素电极由透明材料形成，以及所述相对电极由反射材料形成。
4.如权利要求2所述的平板显示器，其中所述像素电极由反射材料形成，以及所述相对电极由透明材料形成。
5.如权利要求2所述的平板显示器，所述像素电极和所述相对电极由透明材料形成。
6.如权利要求1所述的平板显示器，还包含朝向所述像素电极的公共电极；以及介于所述像素电极和所述公共电极之间的液晶。
7.如权利要求6所述的平板显示器，其中所述像素电极由透明材料形成。
8.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述导体由包括传导粒子的胶形成。
9.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述加盖层由无机材料形成。
10.如权利要求9所述的平板显示器，其中所述无机材料至少是下列一种SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
11.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述加盖层由有机材料形成。
12.如权利要求11所述的平板显示器，其中所述有机材料至少是下列一种PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
13.一种平板显示器，包含衬底；在所述衬底上形成的像素电极；在所述衬底上形成的至少一个导体；以及覆盖所述导体的加盖层。
14.如权利要求13所述的平板显示器，还包含在所述衬底上形成并外露所述像素电极的预定部分的绝缘膜；至少覆盖所述像素电极的外露部分的发光层；以及至少在所述发光层上形成和与所述像素电极绝缘的相对电极。
15.如权利要求14所述的平板显示器，其中所述像素电极由透明材料形成，以及所述相对电极由反射材料形成。
16.如权利要求14所述的平板显示器，其中所述像素电极由反射材料形成，以及所述相对电极由透明材料形成。
17.如权利要求14所述的平板显示器，其中所述像素电极和所述相对电极由透明材料形成。
18.如权利要求13所述的平板显示器，还包含朝向所述像素电极的公共电极；以及介于所述像素电极和所述公共电极之间的液晶。
19.如权利要求18所述的平板显示器，其中所述像素电极由透明材料形成。
20.如权利要求13所述的平板显示器，其中所述导体由包括传导粒子的胶形成。
21.如权利要求13所述的平板显示器，其中所述加盖层由无机材料形成。
22.如权利要求21所述的平板显示器，其中所述无机材料至少是下列一种SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
23.如权利要求13所述的平板显示器，其中所述加盖层由有机材料形成。
24.如权利要求23所述的平板显示器，其中所述有机材料至少是下列一种PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
25.如权利要求13所述的平板显示器，其中所述衬底支持至少一个薄膜晶体管。
26.如权利要求25所述的平板显示器，其中所述薄膜晶体管包含源极和漏极电极；接触所述源极和漏极电极的半导体层；与所述源极和漏极电极和所述半导体层绝缘的栅极电极；以及覆盖i)所述源极和漏极电极和ii)所述栅极电极中至少一个的加盖层。
27.如权利要求26所述的平板显示器，其中所述加盖层覆盖所述栅极电极。
28.如权利要求27所述的平板显示器，其中所述栅极电极由包括传导粒子的胶形成。
29.如权利要求27所述的平板显示器，其中所述加盖层由无机材料形成。
30.如权利要求29所述的平板显示器，其中所述无机材料至少是下列一种SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
31.如权利要求27所述的平板显示器，其中所述加盖层由有机材料形成。
32.如权利要求31所述的平板显示器，其中所述有机材料至少是下列一种PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
33.如权利要求26所述的平板显示器，其中所述加盖层覆盖所述源极和漏极电极。
34.如权利要求33所述的平板显示器，其中所述所述源极和漏极电极由包括传导粒子的胶形成。
35.如权利要求33所述的平板显示器，其中所述加盖层由无机材料形成。
36.如权利要求35所述的平板显示器，其中所述无机材料至少是下列一种SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
37.如权利要求33所述的平板显示器，其中所述加盖层由有机材料形成。
38.如权利要求37所述的平板显示器，其中所述有机材料至少是下列一种PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
39.一种制造平板显示器的方法，包含用包括传导粒子的胶涂敷衬底的一部分；形成所述胶的导体；以及形成加盖层以覆盖所述导体。
40.如权利要求39所述的方法，其中包括所述传导粒子的所述胶使用喷墨印刷方法印刷在所述衬底上。
41.如权利要求39所述的方法，其中所述加盖层由无机材料形成。
42.如权利要求41所述的方法，其中所述无机材料至少是下列一种SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
43.如权利要求39所述的方法，其中所述加盖层由有机材料形成。
44.如权利要求43所述的方法，其中所述有机材料至少是下列一种PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟类聚合物、聚对亚苯基二甲基类聚合物、乙烯醇类聚合物、及其混合物。
45.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述加盖层由具有低表面粗糙度的材料形成。
46.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述加盖层由导体或半导体形成。
47.如权利要求2所述的平板显示器，其中所述相对电极还在所述加盖层上形成。
48.如权利要求2所述的平板显示器，其中所述发光层还在所述加盖层上形成，以及其中所述相对电极还在所述加盖层上形成。
49.如权利要求14所述的平板显示器，其中所述绝缘膜还在所述加盖层上形成。
50.如权利要求49所述的平板显示器，其中所述相对电极还在所述绝缘膜上形成。
51.如权利要求27所述的平板显示器，还包含覆盖所述加盖层的发光层；以及在所述发光层上形成的相对电极。
52.如权利要求27所述的平板显示器，还包含覆盖所述加盖层的绝缘膜。
53.如权利要求33所述的平板显示器，还包含覆盖所述加盖层的绝缘膜。
54.如权利要求33所述的平板显示器，还包含覆盖所述加盖层的平面化绝缘膜。
55.如权利要求40所述的方法，其中所述传导粒子包括Ag、Mg和Cu中的至少一个。
全文摘要
公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例，导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化，因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。
文档编号G02F1/133GK1855484SQ200610073779
公开日2006年11月1日 申请日期2006年3月30日 优先权日2005年3月30日
发明者徐旼彻, 李宪贞, 牟然坤, 具在本 申请人:三星Sdi株式会社