专利名称：晶圆刻印方法
技术领域：
本发明关于一种晶圆刻印方法，尤其关于一种利用框架支撑晶圆的刻印方法。
背景技术：
参考图1A至图1D，其为分步骤显示的现有的晶圆刻印方法的示意图。参考图1A，首先，提供一晶圆10，该晶圆10具有一第一表面101及一第二表面102，若干个凸块103设置于该第一表面101上，一胶层11设置于该第一表面101上。参考图1B，该晶圆10进行一研磨步骤，以薄化该晶圆10。参考图1C，将该胶层11贴设于一第一胶膜12下，且投射一雷射光13于该晶圆10的第二表面102以进行刻印。参考图1D，最后，切割该晶圆10以形成若干个芯片单元14。
在现有的晶圆刻印方法中，由于第一胶膜12未设置于一框架上，因此无法提供较佳的支撑力，以使经薄化后的晶圆10得到良好的支撑，也无法改善雷射光13定位不良的问题，以确保晶圆10在进行刻印时的精确性，容易造成产品的质量不良。再者，因该晶圆10无框架的保护，经薄化后的晶圆10搬运至刻印制程平台时，容易产生破裂。
因此，有必要提供一种创新且具有进步性的晶圆刻印方法，以解决上述问题。
发明内容本发明的目的在于提供一种晶圆刻印方法，以确保晶圆在进行刻印时的精确性，以及避免薄化后的晶圆在搬运过程中产生破裂。
本发明晶圆刻印方法包括(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；(b)贴设该胶层于一第一胶膜下，该第一胶膜设置于一框架上；以及(c)投射一雷射光于该晶圆的第二表面以进行刻印。
在本发明中，第一胶膜设置于一框架上，因此可以提供较佳的支撑力，使经薄化后的晶圆得到良好的支撑，并改善雷射光定位不良的问题，以确保晶圆在进行刻印时的精确性，以及提升产品的质量。再者，因该晶圆经该框架的保护，使经薄化后的晶圆在搬运至刻印制程平台的过程中，不与外界碰撞，故可避免晶圆产生破裂。
图1A至1D为分步骤显示的现有的晶圆刻印方法的示意图；以及图2A至2G为分步骤显示的本发明晶圆刻印方法的示意图。
具体实施方式
参考图2A至图2D，其显示本发明晶圆刻印方法的示意图。参考图2A，首先，提供提供一晶圆20，该晶圆20具有一第一表面201及一第二表面202，若干个凸块203设置于该第一表面201上，一胶层21设置于该第一表面201上，该胶层21为一透明材质。参考图2B，对该晶圆20进行一研磨步骤，以薄化该晶圆20。
参考图2C，将该胶层21贴设于一第一胶膜22下，该第一胶膜22设置于一框架23上，该框架23对应于该晶圆20的外形，该第一胶膜22为一透明材质。该框架23用以保护该晶圆20以防破裂。参考图2D，投射一雷射光24于该晶圆20的第二表面202以进行刻印。此时，该框架23可用以作为该雷射光24定位用，该雷射光24配合相对于该晶圆20另一侧的一影像装置(图未示出)同轴移动，以完成刻印步骤。在进行刻印之前，形成至少一定位点于该晶圆20的背面(未图示)。参考图2E，将该晶圆20及该框架23贴设在一第二胶膜25上。参考图2F，最后，取出该框架23并切割该晶圆20以形成若干个芯片单元26。最后，使该晶圆20与该第一胶膜22及该第二胶膜25分离，如图2G所示。
在本发明中，该第一胶膜22设置于一框架23上，因此可以提供较佳的支撑力，使经薄化后的晶圆20得到良好的支撑，并改善雷射光24定位不良的问题，以确保晶圆20在进行刻印时的精确性，以及提升产品的质量。再者，因该晶圆20经该框架23的保护，使经薄化后的晶圆20在搬运至刻印制程平台的过程中不与外界碰撞，故可避免产生破裂。
上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。因此，本领域的普通技术人员可在不违背本发明精神的前提下对上述实施例进行修改及变化。本发明的保护范围应如后述的权利要求书中所列。
权利要求
1.一种晶圆刻印方法，其包括步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；步骤(b)贴设该胶层于一第一胶膜下；以及步骤(c)投射一雷射光于该晶圆的第二表面以进行刻印；其特征在于所述步骤(b)进一步包括该第一胶膜设置于一框架上。
2.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤(b)之后更包括将该晶圆及该框架贴设在一第二胶膜上。
3.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述第一胶膜为一透明材质。
4.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述胶层为一透明材质。
5.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤(c)之前更包括在该晶圆背面形成至少一定位点。
6.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤(c)中，该雷射光配合相对于该晶圆另一侧的一影像装置同轴移动，以完成刻印步骤。
7.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤(c)之后更包括雷射切割该晶圆以形成若干个芯片单元。
8.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述晶圆的第一表面上设置有若干个凸块。
9.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤(a)之后另包括一研磨步骤，以薄化该晶圆。
10.如权利要求7所述的晶圆刻印方法，其特征在于所述步骤之(c)之后另包括一分离该第一胶膜与该晶圆的步骤。
全文摘要
本发明关于一种晶圆刻印方法。该刻印方法包括(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；(b)贴设该胶层于一第一胶膜下，该第一胶膜系设置于一框架上；及(c)投射一雷射光于该晶圆之该第二表面以进行刻印。藉此，利用该框架可提供较佳的支撑力，并改善雷射光定位不良之问题，以确保晶圆在进行刻印时精确性，以及提升产品之质量。
文档编号G03F7/42GK101051187SQ20061007375
公开日2007年10月10日 申请日期2006年4月6日 优先权日2006年4月6日
发明者蔡裕斌 申请人:日月光半导体制造股份有限公司