专利名称：薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的显示装置。更具体地说，本发明涉及一种包括栅极线和数据线的扇形部(fan out part)的薄膜晶体管基板以及一种具有该薄膜晶体管基板的显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管(TFT)基板用作用于独立驱动液晶显示(LCD)装置或有机发光二极管(OLED)显示装置中的每个像素部的电路板。TFT基板包括传输扫描信号的扫描信号线(或栅极线)和传输图像信号的图像信号线(或数据线)。TFT基板进一步包括TFT，分别连接至栅极线和数据线；像素电极，连接至TFT；栅极绝缘层，覆盖栅极线且使之绝缘；以及保护层，覆盖TFT和数据线，且使TFT和数据线绝缘。此处，栅极绝缘层和保护层通常由氮化硅制成。
TFT包括栅电极，其为栅极线的一部分；半导体层，其形成沟道部；源电极，其为数据线的一部分；漏电极；栅极绝缘层；保护层；等等。TFT是开关元件，其根据通过栅极线传输的扫描信号来传输或中断通过数据线传输的图像信号。
用于将驱动信号施加到栅极线和数据线的驱动电路连接至TFT基板。驱动电路通过焊盘连接至栅极线或数据线。该焊盘密集地形成在狭窄的区域中，以与驱动电路相连接。另一方面，由于邻近栅极线或邻近数据线之间的线性间距是根据像素尺寸来确定的，因此，邻近栅极线或邻近数据线之间的线性间距宽于邻近焊盘之间的间距。所以，扇形区(其是线的线性间距逐渐变宽的区域)形成在焊盘部与显示区域之间。由于扇形区，使得线的长度彼此不同，从而，每条线的RC延迟程度彼此不同。RC延迟程度的不同引起像素中的反冲电压(kickback voltage)的偏离。从而，产生亮度的偏离，因此，显示图像的质量下降。
为解决上述问题，具有用于补偿扇形线线性偏离的波形部(wave part)形成在驱动电路与扇形线之间。波形部在长度相对较长的线的外部处形成得较短，而在长度相对较短的线的中部处形成得较长，因此，波形线和扇形线的总长度可以近似与所有的线相等。
近来，已经开发了其上安装有多沟道驱动电路以减少昂贵的数据驱动电路的TFT基板。多沟道驱动电路包括数据线，相比于传统驱动电路，该数据线在数目上大于传统驱动电路约1.5倍。因此，扇形线之间的间距如此靠近，使得波形部比以前更难形成。
发明内容
本发明消除了上述问题，因此，本发明提供了一种能够补偿栅极和数据扇形部的RC延迟的薄膜晶体管基板。
本发明还提供了一种具有该薄膜晶体管基板的显示装置。
在根据实现上述目的的本发明示例性实施例的薄膜晶体管基板中，该薄膜晶体管基板包括多条信号线，其形成在具有多个像素的显示区域中；至少一个扇形线部，其包括形成在显示区域的外部范围处的多条扇形线；以及信号补偿线部，其包括基本上平行于信号线的多条信号补偿线。信号补偿线的第一端连接至信号线，而信号补偿线的第二端连接至扇形线，以将每条信号线与每条扇形线连接起来。信号补偿线的至少一部分具有波形图案(wave pattern)。
当信号补偿线的位置从信号补偿线部的外部逐渐向其中部靠近时，信号补偿线的波形图案的周期数可以增加。信号补偿线和扇形线可以与信号线形成在同一层。
信号线可以是栅极线和数据线中的至少一条。像素包括基本上平行于数据线的第一侧和基本上垂直于数据线的第二侧，并且像素的第一侧可以短于像素的第二侧。
根据本发明的示例性实施例，扇形线部可以包括至少500条扇形线。
薄膜晶体管基板可以进一步包括信号补偿电极，该信号补偿电极至少与扇形线部或信号补偿线部的一部分相交叠。信号补偿电极通过绝缘层分别与扇形线部和信号补偿线部隔开。
信号补偿电极可以包含透明导电材料。
信号补偿电极可以与扇形线部的一部分相交叠。信号补偿电极可以具有一形状，该形状使得当交叠的扇形线的位置从扇形线部的外部逐渐接近扇形线部的中部时，信号补偿电极与扇形线交叠的区域范围增加。这里，信号补偿电极可具有三角形形状。
在根据本发明示例性实施例的显示装置中，该显示装置包括多条信号线，其形成在具有多个像素的显示区域中；驱动部，为信号线提供驱动信号；扇形线部，其包括形成在显示区域的外部范围处的多条扇形线；以及信号补偿线部，其包括形成在信号线与扇形线之间以将信号线与扇形线连接起来的多条信号补偿线。信号补偿线基本上与信号线相平行。信号补偿线的至少一部分具有波形图案。
根据参照附图对示例性实施例的详细描述，本发明的上述和其它特征以及优点将变得更加显而易见。
图1是示出了根据本发明示例性实施例的显示装置的示意性平面图；图2是示出了图1中的扇形区的放大平面图；图3是示出了根据本发明示例性实施例的显示装置的显示区域的平面图；图4是示出了根据本发明另一示例性实施例的显示装置的示意性平面图；图5是沿图4中的线I-I′截取的横截面图；图6是本发明另一示例性实施例的横截面图；图7是沿图4中的线II-II′截取的横截面图；以及图8是本发明的进一步示例性实施例的横截面图。
具体实施例方式
下面将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以不同的形式来实施，且不应被理解成局限于此处阐述的实施例；相反地，提供这些实施例是为了使本公开彻底且全面，并且能充分地将本发明的范围传达给本领域技术人员。应该理解的是，当指出一个元件“位于”或“置于”另一元件上时，其可以直接位于另一元件之上，或者也可以存在插入元件。相反，当指出一个元件“直接位于”另一元件上时，则不存在插入元件。自始至终相同的参考标号代表相似或相同的元件。
以下，将参照附图详细解释本发明。
图1是示出了根据本发明示例性实施例的显示装置的示意性平面图。图2是示出了图1中的扇形区的放大平面图。
参照图1和图2，该显示装置包括显示基板300；多个栅极柔性印刷电路(以下称为“FPC”)基板410和多个数据FPC基板510，它们附着于显示基板300；以及印刷电路板(以下称为“PCB”)550，其附着于数据FPC基板510。
显示基板300包括下部显示基板100；上部显示基板200；以及液晶层(未示出)，介于显示基板100和200之间。
栅极驱动集成电路440和数据驱动集成电路(以下称为“IC”)540以芯片的形式分别安装在栅极和数据FPC基板410和510上。同样，用于将每个栅极和数据驱动IC 440和540与外部连接起来的引出线420和520分别形成在栅极和数据FPC基板410和510上。FPC基板410和510可以由聚酰亚胺或聚酯等形成。
PCB 550包括用于驱动和控制显示基板300的各种电路元件。例如，PCB 550包括信号控制部(未示出)、渐变(gradation)电压产生部(未示出)等。
电路元件通过数据FPC基板510的引出线520以及形成在PCB550上的信号线(未示出)与数据驱动IC 540相连接。栅极驱动IC440通过栅极FPC基板410的引出线420、扇形线430、以及分别独立地形成在数据FPC基板510和下部显示基板100处的线，与PCB 550电连接。引出线420和520可以由具有相对较低电阻的材料(诸如铜等)形成。与上述不同的是，栅极和数据驱动IC 440和540可以直接安装在显示基板300的下部显示基板100上。在这种情况下，可不需要栅极FPC基板410。
显示基板300的下部显示基板100可以被分成显示区域‘D’和位于显示区域‘D’周围的外围区域。像素电极(未示出)设置在显示区域‘D’中。外围区域分别与显示信号线121和171、FPC基板410和510、以及驱动IC 440和540物理及电连接。
信号线121和171通过显示区域‘D’中的开关元件(未示出)电连接至像素电极。信号线121和171彼此平行地延伸。位于外围区域中的信号线121和171的端部连接至FPC基板410和510或驱动IC 440和540。在图1所示的显示装置中，FPC基板410和510的邻近引出线420(其将驱动IC 440和540与信号线121和171连接起来)之间的间距窄于显示区域‘D’的邻近信号线121和171之间的间距。因此，邻近信号线121和171之间的间距逐渐变化，从而，信号线121和171被设置成扇形。以下，在信号线121和171被设置成扇形的区域称为扇形线部FOL，并且被设置成扇形的每条信号线121和171称为扇形线430。在图2中，扇形线通过参考标号430-1至430-7来表示。同样地，信号线通过参考标号121-1至121-7来表示。
提供信号补偿线SCL-1至SCL-7，用于补偿由扇形线部FOL的扇形线430-1至430-7之间的间距偏差导致的信号偏差，该信号补偿线SCL-1到SCL-7形成在扇形线430-1至430-7与信号线121-1至121-7之间。在下文中，形成有多条信号补偿线SCL-1至SCL-7的区域被表示为信号补偿线部SCL。
形成在信号补偿线部SCL的信号补偿线SCL-1至SCL-7的至少一部分具有多个波形图案451，在该实施例中该波形图案为方形的波形图案。当然，也可以使用诸如锯齿形或正弦波等其它图案。
近来，已经开发了其上安装有多沟道驱动电路以减少昂贵的数据驱动电路的TFT基板。多沟道驱动电路包括数据线，与传统驱动电路相比较，该数据线的数目大约多1.5倍。因此，邻近的引出线420之间的间距非常靠近，使得在引出线420处很难形成波形图案。
由于根据本发明，信号补偿线SCL-1至SCL-7形成在扇形线部FOL与信号线121之间，因此，邻近的信号补偿线之间的间距充分地宽于邻近的引出线420之间的间距。所以，在信号补偿线SCL-1至SCL-7处很容易形成波形图案451。
形成在信号补偿线部SCL的中部处的信号补偿线SCL-4具有比形成在补偿线部SCL的外部处的信号补偿线(诸如SCL-1)多的波形图案451周期。因此，扇形线和信号补偿线的总长度在中部和外部处基本上相同。例如，扇形线430-4和信号补偿线SCL-4的总长度可以与扇形线430-1和信号补偿线SCL-1的总长度基本上相同。因此，可以降低线的电阻偏差，从而也可以降低驱动信号的偏差。
图3是示出了根据本发明示例性实施例的显示装置的显示区域的平面图。
参照图3，显示装置包括由数据线(D1，...，Dm)和栅极线(G1，...，Gn)限定的多个像素。每个像素具有基本上与数据线(D1，...，Dm)平行的第一侧S1和基本上与数据线(D1，...，Dm)垂直的第二侧S2。此处，像素的第一侧的长度可以短于像素的第二侧的长度。
由于像素的水平长度大于像素的垂直长度，因此，可以以水平条状形式设置诸如红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等的滤色器。即，诸如红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等的滤色器可以连续地且重复地沿数据线(D1，...，Dm)设置。
如上所述的像素设置有助于减少数据驱动电路的数目。根据上述像素设置，与传统像素设置相比，数据信号线之间的间距更长。因此，当使用多沟道驱动电路时，可以特别设置用于在扇形线与信号线之间形成信号补偿线的足够空间。
图4是示出了根据本发明另一示例性实施例的显示装置的示意性平面图。
在上文中参照图2和图3描述了扇形线部的元件等，因此，将省略详细和重复的描述。
参照图4，扇形线部13和23与具有三角形形状的信号补偿电极460和560相交叠。信号补偿电极460和560包括栅极信号补偿电极460和数据信号补偿电极560。栅极信号补偿电极460与栅极扇形线部13交叠，而数据信号补偿电极560与数据扇形线部23交叠。在扇形线部13和23的中部，信号补偿电极460和560分别与扇形线部13和23相交叠的交叠区域宽于在扇形线部13和23的外部的交叠区域。即，扇形线430和530与信号补偿电极460和560交叠的长度在扇形线部13和23的中部相对较长，而在其外部相对较短。换句话说，每个信号补偿电极460和560与每条扇形线430和530之间的电容在中部相对较大，而在外部相对较小。
每条扇形线430和530的电阻在扇形线部13和23的中部较小，而在其外部较大。因此，不管位置如何，每条扇形线430和530的电阻和电容的产生都是有规律的。因此，由扇形线430和530的长度偏差引起的RC延迟可以由通过信号补偿电极460和560产生的电容来有效地补偿。
根据TFT基板100的信号线中所产生的RC延迟，来决定扇形线430和530的长度以及信号补偿线电极460和560与扇形线430和530相交叠的交叠区域的范围。
尽管在该示例性实施例中信号补偿电极与扇形线相交叠，但是在另一示例性实施例中，信号补偿电极可以形成为与信号补偿线相交叠。
图5是沿图4中的线I-I′截取的横截面图。
参照图4和图5，多条栅极线121形成在绝缘基板100上。绝缘基板100包含诸如玻璃、石英、陶瓷和塑料等的绝缘材料。栅极线121的一部分分支出来，以形成栅电极12。数据信号补偿电极560与栅极线121和栅电极12形成在相同的层上。
尽管每条栅极线121和信号补偿电极560形成为单层，但是，它们可以形成为多层，以弥补金属或合金的不足并获得所需的性质。例如，多层包括包含铝或铝合金等的下层以及包含铬、钼、钼-钨或氮化钼-钨的上层。即，具有相对较低电阻率的铝或铝合金被用作下层，以防止由配线电阻引起的信号阻抗，并且具有相对较高的抗化学药品腐蚀的铬、钼、钼-钨或氮化钼-钨被用作上层，以弥补容易被化学药品腐蚀和氧化以及进而容易被电击穿的铝或铝合金的缺点。近来，钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)等成为配线材料的热点。
栅极绝缘层26形成在栅极线121、栅电极12、和数据信号补偿电极560的上方。栅极绝缘层26可以包含氮化硅(SiNx)。
包含诸如氢化非晶硅等半导体的半导体层91形成在设置有栅电极12的栅极绝缘层26上。包含掺杂有高浓度n+型杂质的n+氢化非晶硅的电阻接触层92形成在半导体层91上。此处，电阻接触层92以栅电极12为中心被分成两部分。
源电极93和漏电极94形成在电阻接触层92上。扇形线或信号补偿线530与源电极93和漏电极94形成在相同的层上。尽管在图5中栅极绝缘层26上的非晶硅层91和92被蚀刻并去除，但是，当非晶硅层和数据线层通过一个曝光过程而形成时，非晶硅层91和92可以保留在栅极绝缘层26上。
栅极绝缘层26介于数据信号补偿电极560与扇形线或信号补偿线530之间，因此，三个部件构成了电容器。
源电极93和漏电极94也可以是单层或包括金属层的多层。例如，包含氮化硅(SiNx)的保护层95形成在数据线的上方。保护层95具有露出漏电极94的接触孔。接收来自TFT的图像信号的像素电极96形成在保护层95上。像素电极96与上部基板的公共电极相耦合，以产生电场。像素电极96通过接触孔与漏电极94物理及电连接，以接收图像信号。尽管像素电极96形成在与形成有数据信号补偿电极560的层不同的层上，但是，数据信号补偿电极560和像素电极96可以形成在相同层上。
图6是示出了本发明另一示例性实施例的横截面图。相同的参考标号表示与前面图5中所述相似或相同的元件，并将省略关于相同元件的任何更详细且重复的描述。
参照图6，数据信号补偿电极560与像素电极96形成在相同的层上。即，包含氮化硅等的保护层95设置于数据扇形线或数据信号补偿线530与数据信号补偿电极560之间。
形成保护层95之后，数据信号补偿电极560和像素电极96最终一起被图案化。数据信号补偿电极560包含诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。
图7是沿图4中的线II-II′截取的横截面图。图7是关于栅极信号补偿电极的横截面图。对于前面在图5中已经描述过的相同元件，省略其任何进一步详细且重复的描述。
参照图4和图7，栅极信号补偿电极460独立地覆盖栅极扇形线或栅极信号补偿线430。栅极信号补偿电极460与栅极扇形线或栅极信号补偿线430相交叠，因此，栅极信号补偿电极460与栅极扇形线或栅极信号补偿线430相耦合，以构成电容器。
栅极信号补偿电极460与形成在栅电极12上方的源电极93和漏电极94形成在相同层上。当包括源电极93和漏电极94的数据线被图案化时，栅极信号补偿电极460形成在栅极扇形部13中。因此，与栅极扇形部13相耦合的栅极信号补偿电极460可以构成电容器。尽管栅极信号补偿电极460、源电极93和漏电极94形成在相同的层上，但是，它们彼此物理地间隔开，因此，彼此没有电接触。
图8是用于解释本发明另一示例性实施例的横截面图。省略与前面图7中所述元件相同的元件的任何进一步详细且重复的描述。
参照图8，栅极信号补偿电极460与像素电极96形成在相同的层上，而不是与源电极93或漏电极94形成在相同的层上。即，包含氮化硅的栅极绝缘层26和保护层95被设置在栅极扇形线430与栅极信号补偿电极460之间。
形成保护层95之后，栅极信号补偿电极460和像素电极96最终一起被图案化。栅极信号补偿电极460包含诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。
再次参照图4，数据扇形部23和数据信号补偿电极560的结构与上述的栅极扇形部13和栅极信号补偿电极460的结构相似。描述数据扇形部23的横截面，栅极绝缘层26和保护层95顺次叠置在绝缘基板100上，并且像素电极90与数据信号补偿电极560形成在相同的层(保护层95)上。
本示例性实施例同时使用电容补偿以及图1所示的阻抗补偿，因此，可以更有效地补偿RC延迟。
根据如上所述的本发明，信号补偿线形成在扇形线部与信号线之间，其中，相邻线间的间距充分宽于从驱动电路引出的引出线之间的间距。因此，可以较容易地在多条线处形成波形图案。同样，信号补偿电极和信号补偿线可以一起形成，从而可以实现电容补偿以及阻抗补偿。因此，可以有效地改善信号延迟的偏差。
尽管已经描述了本发明的示例性实施例，但应该理解的是，本发明不限于这些示例性实施例，在所附权利要求所要求的本发明精神和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种改变和修正。
权利要求
1.一种薄膜晶体管(TFT)基板，包括多条信号线，形成在具有多个像素的显示区域中；至少一个扇形线部，包括形成在所述显示区域的外部范围处的多条扇形线；以及信号补偿线部，包括多条信号补偿线，其中，每条信号补偿线的第一端连接至相关的信号线，而每条信号补偿线的第二端连接至相关的扇形线，以将每条所述信号线连接至所述相关的扇形线，并且进一步地，其中，至少所述信号补偿线中的第一条具有第一长度，而所述信号补偿线中的第二条具有不同于所述第一长度的第二长度。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一和第二条信号补偿线中的至少一条包含波形图案。
3.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，每条所述信号补偿线具有波形图案，并且所述信号补偿线中的第一条中的所述波形图案的周期数不同于所述信号补偿线中的第二条中的所述波形图案的周期数。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其中，当信号补偿线的位置从所述信号补偿线部的外部逐渐接近所述信号补偿线部的中部时，所述波形图案的所述周期数增加。
5.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述信号线、所述信号补偿线、以及所述扇形线由共同的材料层构成。
6.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述信号线与栅极线和数据线中的至少一条相对应。
7.根据权利要求6所述的TFT基板，其中，每个像素包括基本平行于所述数据线的第一侧和基本垂直于所述数据线的第二侧，并且进一步地，每个像素的所述第一侧短于每个像素的所述第二侧。
8.根据权利要求1所述的TFT基板，进一步包括信号补偿电极，所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部的至少一部分交叠；以及绝缘层，其介于所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部之间。
9.根据权利要求8所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极包含透明导电材料。
10.根据权利要求8所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极与所述扇形线部的一部分交叠。
11.根据权利要求10所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极形成的形状使得，当所述交叠的扇形线的位置从所述扇形线部的外部朝向所述扇形线部的中部移位时，所述信号补偿电极与所述扇形线相交叠的交叠面积量增加。
12.根据权利要求11所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极具有三角形形状。
13.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述扇形线部包括至少500条扇形线。
14.根据权利要求13所述的TFT基板，进一步包括信号补偿电极，所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部的至少一部分相交叠；以及绝缘层，其介于所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部之间。
15.根据权利要求14所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极与所述扇形线部的一部分交叠。
16.根据权利要求15所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极形成的形状使得，当所述交叠的扇形线的位置从所述扇形线部的外部朝向所述扇形线部的中部移位时，所述信号补偿电极与所述扇形线交叠的交叠面积量增加。
17.根据权利要求16所述的TFT基板，其中，所述信号补偿电极具有三角形形状。
18.一种显示装置，包括多条信号线，形成在具有多个像素的显示区域中；驱动部，用于将驱动信号提供给所述信号线；扇形线部，包括形成在所述显示区域的外部范围处的多条扇形线，所述扇形线的第一端与所述驱动部连接；以及信号补偿线部，其包括多条信号补偿线，所述信号补偿线形成在所述信号线与所述扇形线之间，以将所述信号线与所述扇形线连接起来，每条信号补偿线基本平行于所述信号线，并且其中，所述信号补偿线中的至少一条的至少一部分包含波形图案。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述信号补偿线包含波形图案，并且当信号补偿线的位置从所述信号线部的外部逐渐接近所述信号补偿线部的中部时，所述波形图案的周期数增加。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述信号补偿线和所述扇形线与所述信号线形成在相同的层上。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述信号线与栅极线和数据线中的至少一条相对应。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述显示装置包括至少一个像素，并且所述像素包括基本平行于所述数据线的第一侧和基本垂直于所述数据线的第二侧，并且所述像素的所述第一侧短于所述像素的所述第二侧。
23.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括信号补偿电极，所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部的至少一部分交叠；以及绝缘层，其介于所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极包含透明导电材料。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极与所述扇形线部的一部分相交叠。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极形成的形状使得，当所述交叠的扇形线的位置从所述扇形线部的外部逐渐接近所述扇形线部的中部时，所述信号补偿电极与所述扇形线相交叠的交叠面积量增加。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极具有三角形形状。
28.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述扇形线部包括至少500条扇形线。
29.根据权利要求28所述的显示装置，进一步包括信号补偿电极，所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部的至少一部分交叠；以及绝缘层，其介于所述信号补偿电极与所述扇形线部或所述信号补偿线部之间。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极与所述扇形线部的一部分交叠。
31.根据权利要求30所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极形成的形状使得，当所述交叠的扇形线的位置从所述扇形线部的外部逐渐接近所述扇形线部的中部时，所述信号补偿电极与所述扇形线相交叠的交叠面积量增加。
32.根据权利要求31所述的显示装置，其中，所述信号补偿电极具有三角形形状。
全文摘要
一种薄膜晶体管基板，包括多条信号线，形成在显示区域中；至少一个扇形线部，包括多条扇形线；以及信号补偿线部，包括多条信号补偿线。信号补偿线中的至少一条的至少一部分包含波形图案。当信号补偿线的位置逐渐接近信号补偿线部的中部时，信号补偿线的波形图案的周期数可以增加。一个实施例中的薄膜晶体管基板包括信号补偿电极，该信号补偿电极与扇形线部或信号补偿线部的至少一部分相交叠。
文档编号G02F1/1362GK101086995SQ20071000036
公开日2007年12月12日 申请日期2007年1月22日 优先权日2006年6月8日
发明者金东奎 申请人:三星电子株式会社