专利名称：液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示面板，特别是一种阵列基板上设有黑矩阵(Black Matrix,简称BM)的液晶显示面板，属于液晶显示器件制造领域。
背景技术：
随着显示技术的发展，具有高品质、低消耗功率、无辐射等优越性能的薄 膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 以 下简称TFT-LCD)已经逐渐成为市场的主流。
目前，TFT-LCD正朝着全彩化、大尺寸、高对比度、高亮度的方向发展。 液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)的液晶显示面板主要 包括阵列基板和彩膜基板，二者之间充入液晶。上述阵列基板与彩膜基板在真 空状态下对合的精度对成盒后液晶显示面板的光学性能有着至关重要的影响， 即对合偏差的最大允许值(Assembly Margin,简称AM)是液晶显示面板制程 中一个重要的参数。当对合偏差接近或超过对合偏差的最大允许值时，将会出 现漏光现象，从而影响成盒后液晶显示面板的画面品质，尤其是对液晶显示面 板在暗态时的亮度和对比度有较大的影响。由于在液晶显示面板制程中存在工 艺不稳定的因素，对合偏差的数值结果有时候会超出对合偏差的最大允许值。 因此，提高对合偏差的最大允许值在液晶显示面板设计中是有一定的意义的。
如图l所示，为现有技术液晶显示面板在信号线方向的截面示意图。传统 的液晶显示面板结构中，起挡光作用的黑矩阵22是设置于彩膜基板20上的。
阵列基板IO上设置有绝缘相交的扫描线(Gate Line)与信号线(Data Line) 11，扫描线和信号线11的相交处设置有TFT和屏蔽条(Shield Bar) 13， TFT 连接像素电极12;彩膜基板20上设置有彩色树脂(Color Resin) 21和黑矩 阵22。其中，a表示黑矩阵22的宽度，b表示信号线ll的宽度，c表示信号 线11到屏蔽条13的距离，d表示屏蔽条13的宽度，e表示屏蔽条13到黑矩 阵22外侧的距离。由于信号线11和屏蔽条13通常为不透明的金属，此时， 只有信号线和屏蔽条之间的区域可能透光。正常对合状态下，由于彩膜基板 20上黑矩阵22的挡光作用，信号线11和屏蔽条13之间的漏光现象也不会发 生。但是，实际工艺过程中，存在对合偏差，当彩膜基板20向右偏移到黑矩 阵22的左边界与阵列基板上屏蔽条13的右边缘对齐时，刚好没有漏光现象发 生。 一旦彩膜基板20相对于阵列基板IO偏移，使得彩膜基板20上黑矩阵22 的左边界超出阵列基板20上屏蔽条13的右边缘时，信号线11和屏蔽条13 之间就会发生部分漏光，如图2所示。因此，此时的对合偏差的最大允许值为 d+e。可以看出，当TFT电学特性设计一定时，即阵列基板上信号线11的宽度、 屏蔽条13的宽度、信号线11到屏蔽条13的距离一定的情况下，增加黑矩阵 22的宽度可以有效提高对合偏差的最大允许值。但是，由于黑矩阵22宽度的 增加，会降低阵列基板上像素的开口率，从而影响了液晶显示面板的透过率。
发明内容
本发明是提供一种液晶显示面板，用以解决现有方法增加黑矩阵宽度导致 像素开口率减小的问题，实现在不影响像素开口率的前提下，增加对合偏差的
最大允许值。
为了实现本发明上述方面，本发明通过一些实施例提供了如下的技术方
案 一种液晶显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设有彩色 树脂；所述阵列基板与彩膜基板之间充有液晶；所述阵列基板上还设有黑矩阵。 本发明提供了一种液晶显示面板，通过阵列基板上设置黑矩阵，使得在不 影响像素开口率的前提下，极大地增加了对合偏差的最大允许值，减少了由于 工艺不稳定产生对合偏差时导致的液晶显示面板的漏光，从而提高了 TFT-LCD 的对比度，改善了画面品质。
下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步详细的说明。 图1为现有技术液晶显示面板在信号线方向的截面示意图； 图2为现有技术液晶显示面板的彩膜基板与阵列基板对合偏移后发生漏 光时的示意图3为本发明液晶显示面板的一实施例在信号线方向的截面示意图； 图4为本发明液晶显示面板的一实施例中黑矩阵在阵列基板上的分布示 意图5为本发明液晶显示面板的一实施例中彩色树脂在彩膜基板上的分布 示意图。
具体实施例方式
如图3所示，本发明液晶显示面板的一实施例在信号线方向的截面示意 图。与现有技术的液晶显示面板相比，本实施例中的黑矩阵22是设置于阵列 基板10上的。此时，黑矩阵22是采用工艺的方法固定于阵列基板10上，故 由于黑矩阵22的挡光作用，信号线11与屏蔽条13之间的区域漏光现象不可
能发生。只有当彩膜基板20相对于阵列基板向左偏移使得彩膜基板上彩色树 脂的边界超过阵列基板上黑矩阵的左边缘时，由于边界左右两边的彩色树脂为 不同基色，这时在位于黑矩阵的左边象素区域才会发生颜色显示的混乱现象。 因此，在各膜层的宽度和相对距离不变的情况下，此时对合偏差的最大允许值 变为d+e+c+b/2=a/2，即本发明相对于现有液晶显示面板，其对合偏差的最大 允许值有c+b/2的增加。故本发明液晶显示面板上述实施例在没有影响像素开 口率的前提下，极大地提高了对合偏差的最大允许值。
上述实施例中，黑矩阵22可以根据工艺的需要，位于阵列基板10的任意 一层。即黑矩阵22可以通过类似于在彩膜基板20上时的涂覆、光刻来实现， 其位置可以位于阵列基板的任意一层。如位于阵列基板上任意两膜层之间或 阵列基板的第一层和最后一层，其结果对于提高液晶面板的对合偏差的最大允 许值具有同样的效果。
如图4所示，为本发明液晶显示面板的一实施例中黑矩阵22在阵列基板 IO上的分布示意图。黑矩阵22的宽度a可以根据对合偏差的最大允许值的需 要来确定，当对合偏差的最大允许值a/2富余较多时，可以适当减小黑矩阵的 宽度，使得像素开口率相应地有所增加。如图5所示，为本发明液晶显示面板 的一实施例中彩色树脂21在彩膜基板20上的分布示意图。阵列基板10上的 黑矩阵22相对于彩膜基板20上的彩色树脂21的边界是对称分布的。本实施 例中的彩膜基板20上由于没有设置黑矩阵22,使得其工艺变得极为简单，同 时由于彩膜基板20简化了制作工艺，其上不存在黑矩阵22与彩色树脂21的 交叠，不同基色的彩色树脂21的边界直接相邻，故使得彩膜基板20表面变得 非常平整，对于改善摩擦(Rubbing)效果，提高液晶面板的画面品质也有一定 的作用。
本发明液晶显示面板的实施例采用黑矩阵设置于阵列基板的方式，在不影 响像素开口率的前提下，极大地增加了对合偏差的最大允许值，减少了由于工
艺不稳定产生对合偏差时导致的液晶显示面板的漏光，从而提高了 TFT-LCD 的对比度，改善了画面品质。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限 制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员 应当理解其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其 中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的 本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
权利要求
1.一种液晶显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设有彩色树脂；所述阵列基板与彩膜基板之间充有液晶；其特征在于所述阵列基板上还设有黑矩阵。
2、 根据权利要求l所述的液晶显示面板，其特征在于所述彩膜基板上的 彩色树脂的边界直接相邻。
3、 根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵相 对于所述彩色树脂的边界是对称分布的。
4、 根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位 于阵列基板的任意两膜层之间。
5、 根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位 于阵列基板的第一层。
6、 根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位 于阵列基板的最后一层。
7、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位于阵 列基板的任意两膜层之间。
8、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位于阵 列基板的第一层。
9、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于所述黑矩阵位于阵 列基板的最后一层。
全文摘要
本发明涉及一种液晶显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设有彩色树脂；所述阵列基板与彩膜基板之间充有液晶；所述阵列基板上还设有黑矩阵。上述液晶显示面板的结构，通过阵列基板上设置黑矩阵，使得在不影响像素开口率的前提下，极大地增加了对合偏差的最大允许值，减少了由于工艺不稳定产生对合偏差时导致的液晶显示面板的漏光，从而提高了TFT-LCD的对比度，改善了画面品质。
文档编号G02F1/133GK101369076SQ200710120428
公开日2009年2月18日 申请日期2007年8月17日 优先权日2007年8月17日
发明者占红明 申请人:北京京东方光电科技有限公司