具有改进的图像质量的面内切换模式液晶显示器件的制作方法

文档序号:2800086阅读:97来源:国知局
专利名称:具有改进的图像质量的面内切换模式液晶显示器件的制作方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件(LCD),更具体,涉及横向电场 LCD器件,如面内切换模式(IPS-模式)LCD器件。
背景技术
LCD器件包括背光单元和在背光单元的正面或发光侧上布置的 LCD面板。LCD面板对于其中以矩阵布置的像素执行光学切换,并在 屏幕上显示图像。此外,LCD面板也可以通过连续地执行每个像素的 光学切换,显示视频图像。近年来,由于LCD器件的较轻重量和较小厚度的优点,LCD器件 的被广泛地用于车辆设备领域如汽车导航系统、各种工业装置、医学 或广播装置等。随着LCD器件的广泛使用,对于LCD,越来越希望较 高的性能。作为用于LCD器件的驱动方案,通常采用TN(扭曲-向列型)模式, 其中LCD器件在一对基板之间产生垂直电场,S卩,在有源矩阵基板和 反基板之间。但是,由于从基板表面上升的液晶(LCD)分子的定向, TN模式导致入射光的极化角产生偏差。该偏差随观察者相对于屏幕的 垂线的视角增加而增加,由此在较高的视角处,LCD器件具有较差的 图像质量。鉴于常规TN-模式LCD器件中的上述问题,横向-电场模式(LEF-
模式)LCD器件如IPS-模式(面内切换模式)或FFS-模式(边缘场切换 模式)LCD器件被提出并被越来越多地使用。LEF-模式LCD器件产生 平行于其间夹入LC层的两个基板的横向电场,且因此旋转平行于基板 的LC层中的LC分子。LEF-模式LCD器件包括有源-矩阵基板、有源-矩 阵基板上形成的用于驱动电极的TFT (薄膜晶体管)以及与有源矩阵基 板相对的反基板,其间插入LC层,该有源-矩阵基板包括用于施加横向 电场到LC层的电极。该两个基板在其上包括在基板表面上与LC层接触的定向膜,该定 向膜限定LC层中的LC分子的初始定向,g口,在没有电场期间。因此, 每个灰阶级的LC分子的旋转角由施加的电压和由定向膜产生的定向力 之间的平衡决定。通常, 一般使用研磨技术形成定向膜。该研磨技术 是,通过特定种类的布(cloth),在用于取向聚合物表面的特定方向 上,使配置定向膜的表面的聚合物如聚酰胺经受研磨。但是,近年来, 因为对较高图像质量的LCD器件的需求增加,因此通过研磨处理在定 向膜表面上/从定向膜表面形成的划痕或灰尘被认为不可忽略。为了抑制由划痕或灰尘引起的LCD器件的图像质量降低,无接触定向技术被强调,其中在不使用研磨处理的条件下形成定向膜。专利
发明者佐佐木洋一, 杉本光弘, 沟口亲明, 田中大充, 铃木照晃 申请人:Nec液晶技术株式会社
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