专利名称：液晶显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示面板，且特别涉及一种高对比度的液晶显示面板。
背景技术：
近年来，随着对移动信息介质需求的增加，正在积极地研究能替代现有阴极射线 管CRT的轻薄便于携带的液晶显示器LCD。最常用的是扭曲向列相(TN)液晶显示模式，给 其通电后，液晶分子在电场的作用下发生扭曲，即通过控制液晶分子的排列控制光的通过。 该TN LCD显示面板的缺点是视角非常狭窄，这是由液晶分子的各向异性引起的，虽然通过 光学补偿方式可以弥补视角狭窄的缺陷，但必须耗费一定的成本。鉴于此提出了一种广视 角显示模式的共面转换型液晶显示面板IPS(In plane switching)。请同时参考图1和图2，图1所示为现有技术的共面转换型液晶显示面板的像素 结构图，图2所示为图1中沿11-11’方向的截面结构图。现有技术的共面转换型液晶显示 面板的像素结构包括栅极扫描线112，薄膜晶体管(未示出)，所述薄膜晶体管由半导体层 114、薄膜晶体管的源极115a、薄膜晶体管的漏极115b构成，数据线115与薄膜晶体管的源 极115a连接，所述数据线115用于给像素电极117提供电压，所述象素电极117与薄膜晶 体管的漏极115b连接。像素电极117为透明材料ΙΤ0，相对于其他不透明金属电极可以增 加开口率或者孔径比。所述像素结构还包括公共电极线124、125，公共电极线125和所述 扫描线112为同一种材料，所述公共电极线124与所述像素电极117为同一种材料。进一 步的，所述像素结构还包括接触孔(或者通孔)181、182、183，且所述像素电极117通过接 触孔181与漏极115b相连，所述公共电极线124通过接触孔182与所述公共电极线125相 连。现有技术中用来保存电荷的存储电容为单层结构，其截面结构如图2所示，其中 该单层结构的存储电容下层电极为190，与数据线金属115为同一种金属，它和薄膜晶体管 开关(TFT)的漏极115b相连，也即提供的是漏极电压。上层电极191为用作公共电极的透 明导电层ΙΤ0，提供的是公共电压。存储电容的绝缘介质116，例如氮化娃，介于上下电极之 间。在图1中，共面转换型液晶显示面板的像素电极117为透明材料ΙΤ0，相对于其他 不透明金属电极虽然可以增加开口率或者孔径比，但当液晶显示面板工作在常白模式的黑 色画面时，不能显示完全的黑，原因是在给所述像素电极117和所述公共电极124加电压 时，所述像素电极117正上方未能形成水平电场，造成正上方的液晶分子不能旋转而漏光， 因而屏幕的对比度差，影响显示的品质。该存储电容设计成单层结构，需要靠增加存储电容的值，来增加开口率，但增加存 储电容的值需要增加不透光的存储电容的面积，增加开口率的空间仍然很小，也就是说开 口率不能进一步的提高。图1中的10区域，由于公共电极线125与上一像素的扫描线金属 为同一层金属，工艺刻蚀的时候，考虑刻蚀偏差，防止公共电极线125与上一像素的扫描线 金属之间短路，二者之间必须保持4-6 μ m的空间距离，这样就会使得开口率降低，从而影响显示的亮度，使显示品质下降。
发明内容
为了解决现有技术对比度差的技术问题，本发明提出一种具有高对比度的液晶显 示面板。5. 一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板；下基板，与所述上基板相对设置；液晶层，位于所述上基板和所述下基板之间，所述液晶层中的液晶分子在平行于 所述上基板或所述下基板的平面内转动；所述下基板上形成有由交叉排列的数据线和扫描线围成的多个像素；每个所述像素包括像素电极、公共电极、第一存储电容以及薄膜晶体管，其中，所 述第一存储电容的上极板与所述像素电极或所述公共电极之一连接、下极板与所述像素电 极或所述公共电极中的另一个连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述薄膜 晶体管的源极和所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；其特征在于，每个所述像素还包括遮光条，所述遮光条与所述像素电极和/或所 述公共电极有交叠。可选的，所述遮光条与所述漏极连接或所述遮光条与所述公共电极连接。可选的，所述遮光条位于所述像素电极和/或所述公共电极的正上方或正下方。可选的，所述遮光条为所述像素电极和/或所述公共电极。可选的，所属液晶显示面板还包括由所述像素电极和所述公共电极形成的第二存 储电容。可选的，所述公共电极由透明导电材料形成。可选的，所述像素电极的材料和所述公共电极的材料相同。可选的，所述液晶显示面板还包括挡光条，所述挡光条与所述公共电极在下基板 上的投影有交叠。可选的，所述液晶显示面板还包括拓展电极，所述拓展电极与所述像素电极连接。可选的，所述拓展电极与所述像素电极通过过孔连接，或者所述拓展电极直接形 成于所述像素电极之上。可选的，所述挡光条与所述公共电极和/或所述遮光条连接。可选的，所述遮光条与所述扫描线由同一导电层形成。可选的，所述挡光条与所述遮光条由同一导电层形成。可选的，所述遮光条与所述数据线由同一导电层形成。可选的，所述挡光条与所述遮光条由同一导电层形成。可选的，所述液晶显示面板还包括导电条，所述导电条与所述像素电极在下基板 上的投影有交叠。可选的，所述导电条与所述像素电极连接。可选的，所述液晶显示面板的显示模式为共面转换型或边缘场型显示模式。本发明的液晶显示面板通过设置遮光条，来挡住所述像素电极和/或公共电极正
6上方的光，使液晶显示面板显示的黑画面更加的黑，从而增大了液晶显示面板的对比度。31. 一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板；下基板，与所述上基板相对设置；液晶层，位于所述上基板和所述下基板之间，所述液晶层中的液晶分子在平行于 所述上基板或所述下基板的平面内转动；所述下基板上形成有由交叉排列的数据线和扫描线围成的多个像素；每个所述像素包括像素电极、公共电极、第一存储电容以及薄膜晶体管，其中，所 述第一存储电容的上极板与所述像素电极或所述公共电极之一连接、下极板与所述像素电 极或所述公共电极中的另一个连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述薄膜 晶体管的源极和所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；其特征在于，所述像素电极由形成所述薄膜晶体管的栅极或源/漏极的导电层形 成。一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面板的制造方法至少包括步骤
在下基板上形成栅极导电层，并刻蚀所述栅极导电层；形成栅极绝缘层，以及半导体岛；形成源/漏极导电层，并刻蚀所述源/漏极导电层；形成透明导电层，并刻蚀所述透明导电层；其特征在于，还包括形成遮光条层，并刻蚀所述遮光条层。可选的，所述形成遮光条层与所述形成栅极导电层为同一步骤。可选的，所述形成遮光条层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。可选的，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成 栅极导电层为同一步骤。可选的，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成 源/漏极导电层为同一步骤。可选的，所述制造方法还包括形成遮光条的拓展电极层，所述形成遮光条的拓展 电极层与所述形成透明导电层为同一步骤。 可选的，所述制造方法还包括形成挡光条层。可选的，所述形成挡光条层与所述形成栅极导电层为同一步骤。可选的，所述形成挡光条层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。可选的，所述制造方法还包括形成公共电极层，所述形成公共电极层与所述形成 透明导电层为同一步骤。可选的，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成 公共电极层为同一步骤。本发明的液晶显示面板的制造方法简单可行，可以制造具有高对比度的液晶显示 面板。
图1所示为现有技术的共面转换型液晶显示面板的像素结构图。
图2所示为图1中沿11-11’方向的截面结构图。图3为本发明第一实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图3A为图3中所述第一存储电容107沿A1-A2方向的截面图。图3B为所述第二存储电容沿B1-B2方向的截面图。图3C为所述公共电极105和所述挡光条102沿C1-C2方向的截面示意图。图4为本发明第二实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图4A为第二存储电容沿方向B1-B2的截面示意图。图5为本发明第三实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图6为本发明第四实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图6A为所述第一存储电容107沿A1-A2方向的截面示意图。图7为本发明第五实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图7A为图7中像素电极104处沿A1-A2方向的一种截面示意图。图8为液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构的另外一种结构示意图。图8A为图8中所述像素电极104处沿A1-A2方向的截面示意图。图9为本发明第六实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。图9A为所述像素100沿B1-B2方向的截面示意图。
具体实施例方式为解决现有技术中液晶显示面板的对比度差的问题，本发明的液晶显示面板包 括上基板；下基板，与所述上基板相对设置；液晶层，位于所述上基板和所述下基板之间， 所述液晶层中的液晶分子在平行于所述上基板或所述下基板的平面内转动；所述下基板上 形成有由交叉排列的数据线和扫描线围成的多个像素；每个所述像素包括像素电极、公 共电极、第一存储电容以及薄膜晶体管，其中，所述第一存储电容的两个极板的电压分别是 像素电极的电压和公共电极的电压，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述薄膜 晶体管的源极和所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；而且，每个 所述像素还包括遮光条，所述遮光条用以遮挡所述像素电极和/或所述公共电极正上方的 光。本发明的所述像素电极与所述公共电极之间形成电场，形成的所述电场平行于所 述上基板或所述下基板，因此，所述液晶分子在平行于所述上基板或所述下基板的平面内 转动。但是由于所述像素电极和/或所述公共电极具有一定的宽度，在所述像素电极和/ 或所述公共电极的正上方，形不成水平电场，所以，对于常黑显示模式的液晶显示面板，所 述液 显示面板不能显示完全的黑画面，所以会影响液晶显示面板的对比度，本发明通过 设置所述遮光条，使液晶显示面板在显示黑画面时，遮住所述像素电极和/或所述公共电 极正上方的光，从而使黑画面更黑，增加了液晶显示面板的对比度。以下根据附图对于本发明优选实施例进行详细描述。第一实施例图3为本发明第一实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 由图3所示的像素结构形成的液晶显示面板的显示模式为共面转换型显示模式。如图3所 示，交叉排列的数据线IOla和扫描线IOlb围成单个像素100，所述像素100位于下基板上，包括像素电极104、公共电极105、遮光条103、薄膜晶体管110、由所述像素电极104和所 述遮光条103形成的第一存储电容107，其中，所述遮光条103与所述公共电极105连接，且 所述遮光条103用以遮挡所述像素电极104正上方的光；所述薄膜晶体管110的栅极与所 述扫描线IOlb连接，所述薄膜晶体管110的源极和所述数据线IOla连接，所述薄膜晶体管 110的漏极与所述像素电极104通过过孔连接。图3A为图3中所述第一存储电容107沿A1-A2方向的截面图。如图3A所示，在 下基板13上，所述像素电极104通过过孔1和薄膜晶体管110的漏极108连接，所述遮光 条103通过过孔2与所述公共电极105连接，所述像素电极104和所述遮光条103之间具 有绝缘介质123，所述绝缘介质123的材料由透明材料形成，如所述透明导电材料可以是氮 化硅，所述像素电极104和所述遮光条103以及所述绝缘介质123形成第一存储电容107， 所述下基板13与所述遮光条103之间为绝缘层121，所述绝缘层121为栅极绝缘层。图3B为所述第二存储电容沿B1-B2方向的截面图示意图。如图3B所示，所述遮 光条103的宽度小于所述像素电极104的宽度，且位于所述像素电极104的下一层，所述遮 光条103与所述基板13之间具有绝缘层121。所述遮光条103的宽度小于所述像素电极 104的宽度，可以有效避免所述遮光条103对所述像素电极104和所述公共点及105之间产 生的电场的影响。图3C为所述公共电极105和所述挡光条102沿C1-C2方向的截面示意图。如图 3C所示，本实施例中，所述公共电极105处还设置有挡光条102，所述挡光条102与所述遮 光条103也具有遮挡所述公共电极105正上方的光的作用，避免液晶显示面板黑态漏光，而 且起到区分不同像素边界的作用。本实施例中，所述挡光条102位于所述公共电极105之 下且与所述公共电极105连接，优选的，垂直且远离所述数据线IOla方向的所述公共电极 105的边界大于所述挡光条102的边界，如图3C所示。当显示黑画面时，由于所述遮光条103可以遮住所述像素电极103正上方的光，从 而使黑画面更黑，增加了液晶显示面板的对比度。本实施例中，所述遮光条103既可以遮光 又可以与像素电极104形成存储电容，将所述遮光条103与所述像素电极104形成的、沿 所述扫描线IOlb方向的电容定义为第一存储电容107，将所述遮光条103与所述像素电极 104形成的、沿所述数据线IOla方向的电容定义为第二存储电容，则，本实施例通过增加第 二存储电容，来减小第一存储电容的面积，从而进一步的增大了开口率。优选的，如图3所示，所述公共电极105沿所述扫描线IOlb方向的部分11由透 明导电材料形成，所述透明导电材料可以是氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓 (IGO)。所述公共电极105沿所述扫描线IOlb方向的部分11由透明导电材料形成，可以增 加所述像素100的透光面积，从而增加液晶显示面板的开口率。优选的，如图3所示，所述公共电极105沿所述数据线IOla方向的部分，与所述公 共电极105沿所述扫描线IOlb方向的部分11在同一工艺步骤中形成，而且所述公共点及 105与所述像素电极104也在同一工艺步骤中形成，这样可以节省工艺步骤。优选的，如图3所示，所述公共电极105沿所述数据线IOla方向的部分下还设置 有挡光条102。所述挡光条102可以与所述薄膜晶体管110的栅极位于同一层，由同一种材 料在同一工艺步骤中形成；或者，如图3C所示，所述挡光条102可以与所述薄膜晶体管110 的源/漏极位于同一层，由同一种材料在同一工艺步骤中形成。当所述挡光条102与所述扫描线IOlb为同一层时，所述挡光条102与所述数据线IOla可以靠的很近甚至有重叠，这 样可以进一步增加像素100的可透光面积从而增加开口率，而且对所述挡光条102与所述 数据线IOla之间的刻蚀精度要求也比较低。优选的，如图3C所示，所述挡光条102与所述公共电极105连接，这样，可以减小 所述公共电极105的走线电阻。而且，当公共电极105沿数据线IOla方向发生断路时，由 于所述挡光条102与所述公共电极105连接，所以可以有效避免由于公共电极105断路造 成的显示缺陷。优选的，所述遮光条103与所述薄膜晶体管110的栅极位于同一层，由同一种材料 在同一工艺步骤中形成；或者所述遮光条103与所述薄膜晶体管110的源/漏极位于同一 层，由同一种材料在同一工艺步骤中形成。当所述遮光条103与所述薄膜晶体管110的源 /漏极位于同一层时，所述遮光条103与所述漏极为一连通的整体，可以省去过孔1。优选的，所述遮光条103和所述挡光条102位于同一层，且两者为一连通的整体， 由同一种材料在同工艺步骤中形成。这样，只需要作一个过孔就可以把所述遮光条103、所 述挡光条103以及所述公共电极105连接起来。本实施例中，所述像素电极104的材料为透明导电材料组成，而且，所述像素电极 104位于所述遮光条103的上一层。优选的，所述遮光条103的宽度小于所述像素电极104 的宽度，这样，所述遮光条103上的电压不会影响所述像素电极104与所述公共电极105形 成水平电场。相对于背景技术部分的像素结构，本实施例中所述薄膜晶体管110的漏极与栅极 的重叠面积较小，因此所述栅极和所述漏极形成的寄生电容也较小，像素出现闪烁的可能 性也较小。第二实施例图4为本发明第二实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 如图4所示，本实施例中，所述像素100除了具有与第一实施例相同的结构或相同的可变 形结构之外，还在第二存储电容区域设置了导电条109，所述导电条109的材料为不透光材 料。如第一实施例所述，本发明通过设置第二存储电容可以增大液晶显示面板的开口率，但 是整个像素的存储电容(即第一存储电容与第二存储电容之和)的值也不能过大，因为存 储电容的值太大会引起像素100充电不足，从而造成显示不良。所以，所述遮光条103的面 积不能太大。本实施例中，通过设置导电条109，在保证存储电容的值适当的情况下，保证对 像素电极104正上方的遮光。图4A为第二存储电容沿方向B1-B2的截面示意图。如图4A所示，所述导电条109 位于所述遮光条103的下方，并与所述遮光条103之间具有绝缘层121，所述遮光条103与 所述像素电极104之间具有绝缘层123。优选的，所述导电条109与所述扫描线IOlb位于 同一层，所述遮光条103与所述数据线IOla位于同一层。则，设置所述遮光条103和所述 导电条109并不增加工艺和成本。这样，当形成所述第二存储电容107的所述像素电极104 断路时，可以通过激光焊接所述像素电极104和所述导电条109即可修复缺陷。第三实施例图5为本发明第三实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 如图5所示，本实施例中的所述导电条109通过过孔3和过孔4分别与所述像素电极104的两端连接，这样可以有效地避免所述像素电极104发生断路造成的显示不良。而且，在本实施例中，所述第一存储电容107和所述第二存储电容均由双层电容 构成，所述第二存储电容沿B1-B2方向的界面示意图同图4的图4A所示。因此，可以更好 的减小所述像素100的不透光面积，从而更好的增大开口率。如图5所示，所述导电条109通过过孔3、过孔4与所述像素电极104连接，因此， 所述导电条109上的电压与所述像素电极104上的电压相同；所述遮光条103通过过孔2 与公共电极105连接，其上的电压与所述公共电极105的电压相同。所述导电条109与所 述遮光条103以及绝缘层121构成第一存储电容107的一部分；所述遮光条103以及所述 像素电极104以及绝缘层123构成第一存储电容107的另一部分。所述第二存储电容的结 构与所述第一存储电容107的结构类似。因此，本实施例中的所述像素100的存储电容结 构更有利于减小所述液晶显示面板的不透光面积。第四实施例图6为本发明第四实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 如图6所示，本实施例中，所述像素电极104与所述薄膜晶体管110的漏极为一连通的整 体，由同一导电层在同一工艺步骤中形成，此结构省去了实施例一中所述的过孔1和过孔 2，简化了所述像素100的结构。本实施例的所述像素电极和以上实施例中的所述遮光条 103合二为一，所述像素电极104为不透光的导电材料形成，因此，其既是像素电极又可以 遮光，还可以与所述公共电极105形成存储电容。本实施例中，所述挡光条102可以与所述公共电极105连接，与所述扫描线101b 或所述数据线101a —起在同一工艺步骤中形成。图6A为所述第一存储电容107沿A1-A2方向的截面示意图。如图6A所示，所述 下基板13上形成有绝缘层121，在所述绝缘层121上形成有所述像素电极104，所述像素电 极104与所述公共电极105以及两者之间的绝缘层123形成第一存储电容。第五实施例图7为本发明第五实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 如图7所示，在本实施例中，除了具有和第四实施例相同的结构外，还具有像素电极104的 拓展电极104a，所述拓展电极104a与所述像素电极104连接，所述连接可以是在所述像素 电极104和所述拓展电极104a交叠的区域的任意地方设置过孔，也可以是将所述拓展电极 104a直接形成于所述像素电极104之上。其中，所述像素电极104由不透明的导电材料形 成，所述拓展电极104a由透明导电材料形成。这样，所述拓展电极104a相当于增加了所述 像素电极104的电极宽度，但是并不减小所述像素100的透光区域的面积；而且所述拓展电 极104a也可以有效避免所述像素电极104断路造成的缺陷。图7A为图7中像素电极104处沿A1-A2方向的一种截面示意图。图7所示只是 所述像素电极104和所述拓展电极104a连接的一种实施例，在下基板13上形成有绝缘层 121，所述像素电极104设置在所述绝缘层121之上，所述拓展电极104a与所述像素电极 104连接，两者之间还具有绝缘层123，当然，所述拓展电极104a也可以直接形成于所述像 素电极104之上，而没有绝缘层123。本实施例中，所述像素电极104与所述薄膜晶体管110的漏极为一连通的整体，不 需要另行设置过孔将所述像素电极104和所述薄膜晶体管110的漏极连接，使结构简单，而且所述第一存储电容区域的所述像素电极104与所述扫描线不在同一层，所以二者之间对 刻蚀精度的要求较低。本实施例中，图8为液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构的另外一种结构 示意图。如图8所示，所述像素电极104与所述扫描线由同一层导电材料形成，而且所述像 素电极104与所述薄膜晶体管110的漏极通过过孔连接。图8A为图8中所述像素电极104 处沿A1-A2方向的截面示意图。如图8A所示，所述下基板13上形成有所述像素电极104， 所述像素电极104与薄膜晶体管110的栅极为同一导电层，所述拓展电极104a与所述像素 电极104连接，两者之间具有绝缘层121和/或绝缘层123，或者两者之间不具有绝缘层。第六实施例图9为本发明第六实施例的液晶显示面板的下基板单个像素的平面结构示意图。 本实施例中，液晶显示面板的显示模式为边缘场显示模式。所述公共电极105位于所述像 素电极104之下，所述像素电极104材料为不透光材料，所述像素电极104之上还具有和其 连接的拓展电极104a。这样所述像素电极104的宽度通过所述拓展电极104a的加宽了， 但是所述像素100的透光面积并没有减小，而且通过所述拓展电极104a增加了所述像素电 极104产生的电场的空间范围，使所述像素电极104和所述公共电极105之间的电场强度 增大了，从而可以减少整个液晶面板的功耗。图9A为所述像素100沿B1-B2方向的截面示意图。如图9A所示，所述下基板13 上最先形成有公共电极105，在所述公共电极105上形成有绝缘层123，所述像素电极104 位于所述绝缘层123之上，且所述像素电极104之上还形成有拓展电极104a。因此，上、下 基板之间的液晶分子，在所述像素电极104和所述公共电极105形成的水平电场的作用下转动。第七实施例本实施例为一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面板的制造方法至少包 括步骤在下基板上形成栅极导电层，并刻蚀所述栅极导电层；形成栅极绝缘层，以及半导体岛；形成源/漏极导电层，并刻蚀所述源/漏极导电层；形成透明导电层，并刻蚀所述透明导电层；其特征在于，还包括形成遮光条层，并刻蚀所述遮光条层。其中，所述形成遮光条层与所述形成栅极导电层为同一步骤。其中，所述形成遮光条层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成栅 极导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成源/ 漏极导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成遮光条的拓展电极层，所述形成遮光条的拓展电 极层与所述形成透明导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成挡光条层。其中，所述形成挡光条层与所述形成栅极导电层为同一步骤。
其中，所述形成挡光条层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成公共电极层，所述形成公共电极层与所述形成透 明导电层为同一步骤。其中，所述制造方法还包括形成像素电极层，所述形成像素电极层与所述形成公 共电极层为同一步骤。本发明虽以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人 员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行更动和修改，因此本发明的保护范围 以所提出的权利要求所限定的范围为准。
权利要求
一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板；下基板，与所述上基板相对设置；液晶层，位于所述上基板和所述下基板之间，所述液晶层中的液晶分子在平行于所述上基板或所述下基板的平面内转动；所述下基板上形成有由交叉排列的数据线和扫描线围成的多个像素；每个所述像素包括像素电极、公共电极、第一存储电容以及薄膜晶体管，其中，所述第一存储电容的上极板与所述像素电极或所述公共电极之一连接、下极板与所述像素电极或所述公共电极中的另一个连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述薄膜晶体管的源极和所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；其特征在于，每个所述像素还包括遮光条，所述遮光条与所述像素电极和/或所述公共电极有交叠。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光条与所述漏极连接或 所述遮光条与所述公共电极连接。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光条位于所述像素电极 和/或所述公共电极的正下方或正上方。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光条为所述像素电极和/ 或所述公共电极。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括由所述像素电极和所述 公共电极形成的第二存储电容。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极由透明导电材料 形成。
7.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极的材料和所述公 共电极的材料相同。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括挡光条，所述挡光条与所 述公共电极在下基板上的投影有交叠。
9.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括拓展电极，所述拓展电极 与所述像素电极连接。
10.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述拓展电极与所述像素电极 通过过孔连接，或者所述拓展电极直接形成于所述像素电极之上。
11.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述挡光条与所述公共电极和 /或所述遮光条连接。
12.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光条与所述扫描线由同 一导电层形成。
13.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，所述挡光条与所述遮光条由 同一导电层形成。
14.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光条与所述数据线由同 一导电层形成。
15.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，所述挡光条与所述遮光条由同一导电层形成。
16.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括导电条，所述导电条与 所述像素电极在下基板上的投影有交叠。
17.根据权利要求16所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导电条与所述像素电极 连接。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面 板的显示模式为共面转换型或边缘场型显示模式。
19.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括 上基板；下基板，与所述上基板相对设置；液晶层，位于所述上基板和所述下基板之间，所述液晶层中的液晶分子在平行于所述 上基板或所述下基板的平面内转动；所述下基板上形成有由交叉排列的数据线和扫描线围成的多个像素； 每个所述像素包括像素电极、公共电极、第一存储电容以及薄膜晶体管，其中，所述第 一存储电容的上极板与所述像素电极或所述公共电极之一连接、下极板与所述像素电极或 所述公共电极中的另一个连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述薄膜晶体 管的源极和所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；其特征在于，所述像素电极由形成所述薄膜晶体管的栅极或源/漏极的导电层形成。
20.一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面板的制造方法至少包括步骤 在下基板上形成栅极导电层，并刻蚀所述栅极导电层；形成栅极绝缘层，以及半导体岛；形成源/漏极导电层，并刻蚀所述源/漏极导电层；形成透明导电层，并刻蚀所述透明导电层；其特征在于，还包括形成遮光条层，并刻蚀所述遮光条层。
21.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述形成遮光条 层与所述形成栅极导电层为同一步骤。
22.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述形成遮光条 层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。
23.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成像素 电极层，所述形成像素电极层与所述形成栅极导电层为同一步骤。
24.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成像素 电极层，所述形成像素电极层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。
25.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成遮光 条的拓展电极层，所述形成遮光条的拓展电极层与所述形成透明导电层为同一步骤。
26.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成挡光 条层。
27.根据权利要求26所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述形成挡光条 层与所述形成栅极导电层为同一步骤。
28.根据权利要求26所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述形成挡光条层与所述形成源/漏极导电层为同一步骤。
29.根据权利要求20所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成公共 电极层，所述形成公共电极层与所述形成透明导电层为同一步骤。
30.根据权利要求29所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括形成像素 电极层，所述形成像素电极层与所述形成公共电极层为同一步骤。
全文摘要
本发明涉及一种液晶显示面板，以及一种制造液晶显示面板的方法，所述液晶显示面板包括上基板、与所述上基板相对的下基板，位于所述下基板上的数据线、扫描线、像素电极、薄膜晶体管、公共电极、存储电容以及遮光条，其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述存储电容由所述像素电极和所述公共电极形成。并且，所述液晶显示面板具有较高的对比度和开口率。
文档编号G02F1/1368GK101893774SQ20091005730
公开日2010年11月24日 申请日期2009年5月22日 优先权日2009年5月22日
发明者梁艳峰, 温琳, 黄贤军 申请人:上海天马微电子有限公司