专利名称：液晶显示面板和液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板和液晶显示装置。
背景技术：
液晶显示装置(Liquid Crystal Display, LCD)具备轻薄、节能、无辐射 等诸多优点，因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶 显示器广泛应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记 本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
液晶显示装置根据液晶显示面板的反射方式可以分为透射型 (transmissive )、反射型(reflective)以及半透反型(transflective )三种基本 类型。透射型液晶显示装置的液晶显示面板具有背光光源，可以达到穿透显 示，因此在正常光线及暗光线下仍能维持良好的显示效果，但是功耗较高。 反射型液晶显示装置的液晶显示面板没有背光光源，其可以利用环境周围的 光线，因此可以节省功耗，但是其对外界环境光线的依赖性较强，在外界光 线充足的环境下均有良好的显示效果，在外界光线不足的环境下则不易辨识 显示内容。
半透反型液晶显示装置则结合了透射型与反射型二者的优点，在外界光 强较弱时背光光源关闭，在外界光强较强时背光光源打开，这样保证了人眼 ,容易辨识液晶显示装置的显示内容。
但现有的半透反型液晶显示装置中，由于背光光源的光强是一定的，因 此在背光光源打开的情况下，背光光源的光强不能调节，这样就造成当需要 背光光源较弱的情况下就可以实现清晰显示时(在外界光强的强度较弱时)， 背光光源的光强也不会变化，因此这样就会比较耗电。
发明内容
本发明的 一 目的是提供一种具有光电转换功能的液晶显示面板。本发明的另一目的是提供一种液晶显示装置，自动降低液晶显示装置的 耗电。
另外，本发明还提供了一种液晶显示装置，在具有显示功能的前提下还 具有扫描功能。
为达到上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括相对放置的上 基板和下基板，在所述下基板上具有数据线和栅极线，所述数据线和栅极线 交叉形成像素区域，所述像素区域包括薄膜晶体管、第一存储电容和液晶电
容，进一步还包括外界光强釆集装置，其位于所述液晶显示面板内，用于 釆集外界入射液晶显示面板的光强信号，并将所述光强信号转换为电信号输 出。
可选的，所述外界光强采集装置包括位于所述像素区域内的光电晶体管 和开关晶体管所述光电晶体管，位于下基板朝向上基板的一侧，用于将外 界入射其上的光强信号转换为电信号，并且所述光强信号越大，则输出的电 信号越大，所述光强信号越小，则输出的电信号越小。所述开关晶体管，位 于下基板朝向上基板的一侧，包括输入端、控制端和输出端，所述输入端和 所述光电晶体管的输出端耦接，所述控制端和所述像素区域的其中 一条栅极 线耦接，在所述栅极线控制下所述开关晶体管导通或关闭，所述输出端在所 述光电晶体管导通时输出所述电信号。
可选的，所述光电晶体管的源极耦接基准电压电极线，所述光电晶体管 的栅极耦接偏置电压电极线，所述光电晶体管的漏极耦接所述开关晶体管的 源极；所述开关晶体管的漏极为所述外界光强采集装置的输出端。
可选的，所述偏置电压电极线和基准电压电极线平行于栅极线排列，所 述电信号输出线平行于数据线排列。
可选的，所述外界光强采集装置还包括第二存储电容，所述第二存储电 容的两端分别耦接所述光电晶体管的漏极和偏置电压电极线。
可选的，所述外界光强采集装置还包括寄生电容，所述寄生电容的两端 分别耦接所述开关晶体管的漏极和偏置电压电极线。
本发明的上述技术方案可以实现光电转换的功能，并将电信号输出。为达到上述目的，本发明还提供了一种包含前述液晶显示面^反的液晶显
示装置，进一步还包括背光光源；背光光源控制装置，用于根据所述电信 号来控制所述背光光源的亮度，从而使得在背光光源打开的情况下，外界光 强越强，背光光源的亮度越强；外界光强越弱，背光光源的亮度越弱。
可选的，所述背光光源控制装置包括运算放大器，用于将所述外界光 强采集装置的输出的电信号进行放大。背光光源控制模块，用于根据所述放 大后的电信号调整所述背光光源的亮度，且所述放大后的电信号越大，所述 背光光源的亮度越强；反之，所述放大后的电信号越小，所述背光光源的亮 度越弱。
可选的，所述背光光源控制装置还包括调制模块，其耦接在所述运算 放大器和所述背光光源控制模块之间，用于将放大后的电信号中的干扰信号 滤掉。
本发明的前述第二技术方案和现有技术相比优点在于
本发明在液晶显示装置中设置有外界光强采集装置和背光光源控制装 置，从而背光光源控制装置可以利用外界光强采集装置采集到的光强信号， 来调整背光光源的强度，使得背光光源可以随外界的光强进行调整，这样就 在保证液晶显示装置的显示内容容易被人眼辨识的前提下，达到了省电的效果。
相应的，本发明还提供了一种包含前述液晶显示面板的液晶显示装置， 进一步还包括信号读出装置，用于将所述电信号转换为图像信号。
可选的，在所述下基板上具有至少两个分立的凸块，所述凸块的最外层 为反射层，所述凸块位于所述光电晶体管的周围，且所述凸块与所述光电晶 体管之间具有可透光的缝隙。
可选的，所述凸块的反射层下层包括非晶硅层和位于非晶硅层上的金属层。
本发明的前述第三技术方案和现有技术相比优点在于本发明在液晶显示装置中设置有外界光强采集装置和信号读出装置，从 而信号读出装置可以利用外界光强采集装置采集到的光强信号，来获得所述
液晶显示装置所扫描的物体的图像，因此通过将电信号转换为图像信号来还 原所扫描的物体的图像。
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及 其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同 的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的 主旨。
图l是本发明的液晶显示面板一实施例的结构示意图2为本发明的液晶显示面板下基板上一个像素区域内的电路原理图； 图3为图2所示的一个像素区域的平面示意图3a为图3所示的^f象素区域平面示意图中沿A-A，方向的剖面示意图3b为图3所示的像素区域平面示意图中沿B-B，方向的剖面示意图；图4是图2中的外界光强采集装置的工作原理图5为本发明的液晶显示装置第一实施例的结构示意图6为本发明的液晶显示装置第一实施例实现背光自动控制的电路原理
图7为本发明的液晶显示装置第二实施例的结构示意图8为本发明的液晶显示装置第二实施例下基板上一个像素区域的平面 示意图9为图8所示的像素区域平面示意图中沿C-C，方向的剖面示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
4故详细的说明。本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为1"更于说明， 表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实 例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、 宽度及深度的三维空间尺寸。
液晶显示面+反实施例
图1是本发明的液晶显示面板一实施例的结构示意图。如图1所示，本
发明的液晶显示面板包括相对放置的上基板10a和下基板10b，还包括外界 光强采集装置30，其位于所述液晶显示面板IO内，用于采集外界入射液晶显 示面板10的光强信号，并将所述光强信号转换为电信号。
具体的，图2为本发明的液晶显示面板下基板上一个像素区域内的电路 原理图。下面结合图2对图1中的外界光强采集装置30进行详细说明。如图 2所示，在下基板10b上的第一栅极线111、第二栅极线112和第一数据线141、 第二数据线142围成一个像素区域110a,下基板10b上还具有薄膜晶体管211 (和传统液晶显示面板中的薄膜晶体管相同)。薄膜晶体管211的栅极和第二 栅极线112耦接，输入第二栅极信号Vgn+1，源极和第一数据线141耦接， 漏极连接并联的第一存储电容Cstl和液晶电容Clc，液晶电容Clc耦接公共电 压信号Vcom。
所述外界光强釆集装置30包括位于所述液晶显示面板10每一个像素区 域110a内的光电晶体管213和开关晶体管212。所述光电晶体管213,位于下 基板10b朝向上基板10a的一侧，用于将外界入射其上的光强信号转换为电 信号榆出，并且所述光强信号越大，则输出的电信号越大，所述光强信号越 小，则输出的电信号越小。所述开关晶体管212,位于下基板10b朝向上基板 10a的一侧，包括输入端、控制端和输出端，所述输入端和所述光电晶体管 213的输出端耦接于第一节点x,所述控制端和第一栅极线111耦接，在第一 栅极线111输入信号Vgn控制下所述开关晶体管212导通或关闭，所述输出 端耦接于第二节点r，在所述光电晶体管213导通时输出所述电信号&w。
在本实施例中优选的，所述光电晶体管213和所述开关晶体管212为薄 膜晶体管，这样便于和传统的薄膜晶体管211同时形成。所述光电晶体管213 8的源极耦接基准电压信号Vref，所述光电晶体管213的栅极耦接偏置电压信 号Vbias,所述光电晶体管213的漏极和所述开关晶体管212的源极耦接于第 一节点x;所述开关晶体管212的栅极耦接于第一栅极线111,所述开关晶体 管212的漏极为所述外界光强采集装置30的输出端。
外界光强采集装置30还包括第二存储电容Cst2,所述第二存储电容Cst2 的两端分别耦接光电晶体管213的漏极，即第一节点x和偏置电压信号Vbias。 外界光强采集装置还包括寄生电容Cr,所述寄生电容Cr的两端分别耦接所述 开关晶体管212的漏极，即第二节点r和偏置电压信号Vbias。
图3为图2所示的一个像素区域的平面示意图。下面结合图3对图2的 具体实现进行详细说明。
如图3所示，相邻的第一栅极线111和第二栅才及线112分别与相邻的第一 数据线141和第二数据线142交叉形成一个像素区域，该像素区域包括与 第一4册极线111和第二栅极线112平行的偏置电压电极线113、基准电压电极 线114以及公共电压电极线115，以及与第一数据线141和第二数据线142平 行的电信号输出线143。因为各个像素区域都相同，因此在本实施例中，我们 以一个像素区域举例进行说明。
第一栅极线111、第二栅极线112以及公共电压电极线115的形成方式同 传统的液晶显示装置中栅极线以及公共电压电极线的形成方式，偏置电压电 极线113和基准电压电极线114,与第一4册极线111和第二棚4及线112可以为 同一层薄膜，并在相同的曝光、显影、蚀刻等工艺中同时形成，其可以由相 同的材质制成，如在下基板的玻璃基板116(参考图3a)上形成第一金属层(未 图示)，该第一金属层可以是铝、银、铜、钼或其它金属或合金，例如本实施 例中优选的采用AlNd(铝钕合金)。再经过公知的曝光、蚀刻等工艺同时形成 第一栅极线111和第二栅极线112以及偏置电压(Vbias)电极线113和基准 电压(Vref)电才及线114。
在第二栅极线112上设置有薄膜晶体管2U,该薄膜晶体管211的结构同 传统的液晶显示装置中的薄膜晶体管，此处不作赘述。
9在第一栅极线111上设置有开关晶体管212,在偏置电压电极线113上设 置有光电晶体管213。
其中，图3a为图3所示的像素区域平面示意图中沿A-A，方向的剖面示意 图。图3b为图3所示的像素区域平面示意图中沿B-B，方向的剖面示意图。在 此结合图3a和图3b对薄膜晶体管211、开关晶体管212和光电晶体管213的 结构及制作过程进行说明。
在第一栅极线lll、第二栅极线112、偏置电压电极线113以及基准电压 电极线114上依次形成绝缘层120、非晶硅层以及第二金属层140。该绝缘 层120覆盖第一栅极线111、第二栅极线112以及偏置电压电极线113和基准 电压电4及线114。
在本实施例中优选的，所述非晶硅层130进一步包括第一非晶硅层130a 和位于第一非晶硅层130a上的第二非晶硅层130b。
第二金属层140覆盖于所述第一非晶硅层130a和第二非晶硅层130b的 上表面及其侧壁，以及绝缘层120的部分上表面。
将位于第一栅4及线111对应位置处的第一非晶一法层130a和第二非晶^法层 130b以及第二金属层140进行曝光、蚀刻等工艺，则分别形成图3a中所示的 与第一栅极线111对应的第一非晶硅层130a、第二非晶硅层130b,以及第二 金属层140。与第一栅极线lll对应的第一非晶硅层130a和第二非晶硅层130b 一起形成开关晶体管212的沟道层，与第一栅极线111对应的第二金属层140 形成开关晶体管212的源极和漏极，第一栅极线111的一部分形成开关晶体 管212的栅极。同样道理(如图3b),可以将与偏置电压电极线113对应的第 一非晶硅层130a、第二非晶硅层130b,以及第二金属层140进行曝光、蚀刻 等工艺。则与偏置电压电极线113对应的第一非晶硅层130b和第二非晶硅层 130b —起形成光电晶体管213的沟道层、该与偏置电压电极线113对应的第 二金属层140形成光电晶体管213的源极和漏极，该偏置电压电极线113的 一部分形成光电晶体管213的栅极。其中，该第一非晶硅层130b材质可以是没有掺杂的非晶硅(a-Si),该第二非晶硅层130b材质可以是掺杂n型杂质的 n型非晶硅(n+Si),第二金属层140的材质可以是MoAlMo。除此之外，第 一非晶硅层130a材质，该第二非晶硅层130b材质，第二金属层140的材质 还可以是本领域:忮术人员所所熟知的其它材料。
其中，开关晶体管212和该光电晶体管213的形成工艺可以与薄膜晶体 管211的形成工艺相同，该三者可以在相同的工艺过程中同时完成。
继续结合图3a、图3b,偏置电压电极线113的上表面覆盖有绝缘层120, 该绝缘层120的部分上表面覆盖有第二金属层140,则该偏置电压电极线113 的一部分、该绝缘层120和第二金属层140形成如图3中所示的第二存储电 容Cst2。该第二存储电容Cst2的一极电性连接偏置电压电极线113,另一极 电性连接开关晶体管212漏极和光电晶体管213的源极，当然无论对于开关 晶体管212漏极还是光电晶体管213来说，其源极和漏极是可以互换的，所 以本发明中不对耦接源极还是漏极做限定。
参考图3,由于电信号输出线143与第一数据线141和第二数据线142平 行，且同由第二金属层140形成，进一步地讲，该电信号输出线143与偏置 电压电极线113交叉，并且二者之间有绝缘层120,则该电信号输出线143、 绝缘层120和偏置电压电极线113形成寄生电容Cr。该寄生电容Cr与第二存 储电容Cst2并耳关连接。
继续结合图3b，在图3b所示的基准电压电极线114的部分上表面覆盖有 绝纟彖层120，在与基准电压电才及线114对应的绝纟彖层120上具有通孔231 (如 图3b中所示)，在与基准电压电极线114对应的绝缘层120上表面及通孔231 覆盖有第二金属层140,则与基准电压电极线114对应的第二金属层140和基 准电压电;f及线114通过通孔231电性导通。又由于与偏置电压电^l线113对 应的第二金属层140和与基准电压电极线114对应的第二金属层140通过通 孔231导通，则光电晶体管213的源极与该基准电压电极线114电性导通。
在第二金属层140及其侧壁以及第一非晶硅层130a的部分上表面依次覆盖钝化层150和透明导电层160，该钝化层150和透明导电层160的形成同公 知技术。同样应用公知的技术形成公共电压电极线115和位于该公共电压电 极线115上的第一存储电容Cstl，此处涉及的公知技术不作赘述。
图4是图2中的外界光强采集装置的工作原理图。图5为本发明的液晶 显示装置第一实施例实现背光自动控制的电^各原理图。下面结合图4和图5 对本发明的液晶显示装置的工作原理进行进一步说明。
在图2所示的像素区域中，分别向第一栅极线111和第二栅极线112输入 第一栅极电压Vgn和第二栅极电压Vgn+1,第一栅极电压Vgn驱动开关晶体 管212的栅极，第二栅极电压Vgn+1驱动薄膜晶体管211的栅极，则该开关 晶体管212的工作方式与薄膜晶体管211的工作方式类似，即当第一栅极电 压Vgn为高电平时开关晶体管212被导通，当第一栅极电压Vgn为低电平时 开关晶体管212被断开，则该开关晶体管212可以被视作一开关(Switch )元 件。分别向偏置电压电极线113和基准电压电极线114输入偏置电压信号Vbias 和基准电压信号Vref。在开关晶体管212的源极与第二存储电容Cst2电性连 接处为第一节点x,在开关晶体管212的漏极与电信号输出线143电性连接处 为第二节点r (如图2中所示)，第二存储电容Cst2与寄生电容Cr并联。光 电晶体管213的等效阻抗视为Rs。光照时间为t。则在第一栅极电压Vgn为 高电平，即开关晶体管212被导通时，
第一节点x处的电压值为
第二节点r处的电压值为
+ O ° ……
由于光电晶体管213具有第一、第二非晶硅层，该第一、第二非晶硅层 具有光电转化功能，可^L为光电转化层，所以该光电晶体管213可以净皮;现为一光侦测器。
参考图2和图4，当有环境光照射光电晶体管213时，在公式1中，t为 环境光照射光电晶体管213的时间，Rs为光电晶体管213的等效阻抗，随着 光强的增加Rs逐渐减小，即光强越大，Rs越小。当光强足够小时，由公式(l) 可知，第一节点电压Vx值无限趋近于0;当光强足够大时，由公式(l)可知， 第一节点电压Vx值无限趋近于Vref。在公式(2)中，第二存储电容的电容 值为Cst2，寄生电容Cr的电容值为Cr，参照图3,第二存储电容的电容值
Cst2远大于寄生电容的电容值Cr,可得出^ : 「x + & , Cst2
> >Cr，则Vr-Vx。又在图2中有^^,=化，则可得出当光强由弱变强时， 输出电信号J^w在0-Vref的范围内变化。进一步地，由公式(1)和(2)
可知，当光强越强时，光电晶体管213的等效阻抗Rs越小，第一节点X处的 电压Vx越大，则输出的电信号K,,(即第二节点r处的电压Vr)越大；反
之，当光强越弱时，光电晶体管213的等效阻抗Rs越大，第一节点X处的电 压Vx越小，则输出的电信号&&,(即第二节点r处的电压Vr)越小。
液晶显示装置第一实施例
图5是本发明的液晶显示装置第一实施例结构示意图，如图5所示，本 发明的液晶显示装置包括液晶显示面板10和为液晶显示面板10提供光强的 背光光源20,背光光源控制装置40,用于才艮据所述电信号来控制所述背光光 源20的亮度，从而使得在背光光源20打开的情况下，外界光强越强，背光 光源20的亮度越强；外界光强越弱，背光光源20的亮度越弱。
图6为本发明的液晶显示装置第一实施例实现背光自动控制的电路原理 图。参考图5和图6，所述背光光源控制装置40包括运算放大器510，用于 将所述光电晶体管213的输出的电信号进行放大；背光光源控制模块520，用 于根据所述放大后的电信号，调整所迷背光光源20的亮度，且所述放大后的 电信号越大，所述背光光源20的亮度越强；反之，所述放大后的电信号越小， 所述背光源20的亮度越弱。
13优选的，背光光源控制装置40还包括调制模块530,其耦接在所述运算 放大器510和所述背光光源控制模块520之间，用于将放大后的电信号中的 干扰信号滤掉。
上述，运算放大器510、调制模块530和背光光源控制模块520为本领域 技术人员结合公知技术可以实现的，因此不再赘述。
在图5中^^ 、 KDRe,2、 ...^^分别为本发明的液晶显示面板中各个 像素区域中的输出电信号，该输出电信号r^, 、 FDRe/2、…F^,"并联输入
运算放大器(OperatorAmplifier)的输入端，这样背光光源控制模块520的输 出就随着外界光强采集装置30输出的电信号r,h的变化而变化。从而可以
控制背光光源的强度。例如背光光源可以是 一 个输出功率可以调节的光源， 背光光源控制模块520只需要调节背光光源的输出功率就可以改变背光光源 的强弱，背光光源的强度随着外界光强的增大而增大，随着外界光强的减小 而减小，>^人而可以节能。
优选的，本发明的液晶显示面板的各个像素区域的电信号输出线143以 及基准电压电极线114在液晶显示面板的外围形成端子部，与该液晶显示器 中的背光光源控制装置40电性连结。
液晶显示装置第二实施例
图7是本发明的液晶显示装置第二实施例的结构示意图，如图7所示， 本发明的液晶显示装置包括液晶显示面板10和信号读出装置60，用于将所述 电信号转化为图像信号。进一步地，该第一实施例中的液晶显示装置还包括 背光光源(图中未示)。
本发明的液晶显示装置，还可以用来作为扫描装置。
图8为本发明的液晶显示装置第二实施例下基板上一个^f象素区域的平面 示意图，图9为图8所示的像素区域平面示意图中沿C-C，方向的剖面示意图。 参考图8和图9,背光光源20穿过液晶显示面板入射在扫描物件70上，扫描 物件70将光线反射在液晶显示面板内的光电晶体管213上，光电晶体管213 将光信号转化为电信号，在栅极信号导通开关晶体管时，所述电信号通过信号读出装置60输出，从而对该电信号进行处理实现电信号转化为携带待扫描 物件30信息的图像讯号，从而还原图像信息，实现扫描功能。该液晶显示装 置的信号读出装置以及对电信号进行处理实现电信号转化为图像信号的处理 方法均为公知的技术，这里不作赘述。
如图9所示，优选的，在液晶显示面板的至少一个像素区域中，光电晶 体管213的周围具有至少两个分离凸块(bump) 240,在所述凸块240与所述 光电晶体管213之间具有可透光的缝隙610。
在本发明的液晶显示装置进行扫描时，如图9所示，背光光源20从凸块 240和光电晶体管213的缝隙610穿过入射在扫描物件70上，扫描物件60将 光线反射在液晶显示面板内的光电晶体管213和凸块240上，凸块240再次 将光线反射到光电晶体管213上。因此，经过上述反射后入射光电晶体管213 的光线大大加强，这样使得待扫描物体反射的更多的光强信号入射到光电晶 体管213上，因此增强了待扫描物件转化为图像信号之后的色彩真实度。
在本实施例中，所述凸块240可以利用和薄膜晶体管211的制造工艺一 起形成，例如所述凸块240可以包括非晶硅层130，以及非晶硅层130上的第 二金属层140，在第二金属层140上具有覆盖非晶硅层130和第二金属层140 的反射层。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何 熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上 述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或 修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，
均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1、一种液晶显示面板，其包括相对放置的上基板和下基板，在所述下基板上具有数据线和栅极线，所述数据线和栅极线交叉形成像素区域，所述像素区域包括薄膜晶体管、第一存储电容和液晶电容，其特征在于，还包括外界光强采集装置，其位于所述液晶显示面板内，用于采集外界入射液晶显示面板的光强信号，并将所述光强信号转换为电信号输出。
2、 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述外界光强釆 集装置包括位于所述像素区域内的光电晶体管和开关晶体管所述光电晶体管，位于下基板朝向上基板的一侧，用于将外界入射其上 的光强信号转换为电信号，并且所述光强信号越大，则输出的电信号越大， 所述光强信号越小，则输出的电信号越小；所述开关晶体管，位于下基板朝向上基板的一侧，包括输入端、控制端 和输出端，所述输入端和所述光电晶体管的输出端耦接，所述控制端和所述 像素区域的其中一条栅极线耦接，在所述栅极线控制下所述开关晶体管导通 或关闭，所述输出端在所述光电晶体管导通时输出所述电信号。
3、 根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述光电晶体管 的源极耦接基准电压电极线，所述光电晶体管的栅极耦接偏置电压电极线， 所述光电晶体管的漏极耦接所述开关晶体管的源极；所述开关晶体管的漏极 为所述外界光强采集装置的输出端。
4、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述偏置电压电 极线和基准电压电极线平行于栅极线排列，所述电信号输出线平行于数据线 排列。
5、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述外界光强采 集装置还包括第二存储电容，所述第二存储电容的两端分别耦接所述光电晶 体管的漏极和偏置电压电极线。
6、 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述外界光强采 集装置还包括寄生电容，所述寄生电容的两端分别耦接所述开关晶体管的漏 极和偏置电压电极线。
7、 一种包含权利要求1至6任意一项所述液晶显示面板的液晶显示装置，其特征在于，还包括 背光光源；背光光源控制装置，用于根据所述电信号来控制所述背光光源的亮度， 从而使得在背光光源打开的情况下，外界光强越强，背光光源的亮度越强； 外界光强越弱，背光光源的亮度越弱。
8、 根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述背光光源控 制装置包括运算放大器，用于将所述外界光强采集装置输出的电信号进行放大；背光光源控制模块，用于根据所述放大后的电信号调整所述背光光源的 亮度，且所述放大后的电信号越大，所述背光光源的亮度越强；反之，所述 放大后的电信号越小，所述背光光源的亮度越弱。
9、 才艮据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述背光光源控 制装置还包括调制模块，其耦接在所述运算放大器和所述背光光源控制模块之间，用 于将放大后的电信号中的干扰信号滤掉。
10、 一种包含权利要求1至6任意一项所述液晶显示面板的液晶显示装 置，其特征在于，还包括信号读出装置，用于将所述电信号转换为图傳Z言号。
11、 根据权利要求IO所述的凌晶显示装置，其特征在于，在所述下基板 上具有至少两个分立的凸块，所述凸块的最外层为反射层，所述凸块位于所 述光电晶体管的周围，且所述凸块与所述光电晶体管之间具有可透光的缝隙。
12、 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，所述凸块的反 射层下层包括非晶硅层和位于非晶硅层上的金属层。
全文摘要
本发明提供了一种液晶显示装置，所述显示装置包括液晶显示面板和为液晶显示面板提供光强的背光光源，所述液晶显示面板包括相对放置的上基板和下基板，位于所述下基板上的栅极线和数据线，还包括外界光强采集装置，其位于所述液晶显示面板内，用于采集外界入射液晶显示面板的光强信号，并将所述光强信号转换为电信号；背光光源控制装置，用于根据所述电信号来控制所述背光光源的亮度，从而使得在背光光源打开的情况下，外界光强越强，背光光源的亮度越强，该液晶显示装置降低了耗电，节约了成本。
文档编号G02F1/13GK101614900SQ20091016477
公开日2009年12月30日 申请日期2009年7月22日 优先权日2009年7月22日
发明者廖家德, 钟德镇 申请人:昆山龙腾光电有限公司