专利名称：光刻设备和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和一种制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬 底上。 在光刻设备中，衬底将被定位在投影系统下面，所述投影系统用于将图案形成装 置的图像投影到衬底的目标部分上。为了将图案形成装置的图像投影到衬底的不同的目标 部分上并且为了扫描在投影系统下面的衬底，移动衬底。因而，通过定位系统，反射镜块是 可移动的。反射镜块通过衬底台(也称为晶片台)将其移动传递给衬底。衬底台通过真空、 经由突节夹持到反射镜块(也称为编码器块)。通过在投影系统下面更快地移动衬底可以 实现光刻投影设备的更高生产量。通过更高的加速可以实现更快的移动，更高的加速可以 引起反射镜块和衬底台之间的(局部)滑动。反射镜块和衬底台之间的滑动会导致衬底移 动到与之前确定的位置不同的另一位置，因而导致错误地曝光衬底。
发明内容
本发明旨在避免反射镜块和衬底台之间的(局部)滑动。 根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，包括照射系统，其配置用于调节辐射 束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束 的横截面上赋予所述辐射束、以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬 底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分， 其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图
中相应的标记表示相应的部件，在附图中 图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2a示出传统突节的横截面； 图2b-2d示出根据本发明的突节的横截面； 图3示出根据本发明实施例的反射镜块；禾口 图4a和4b示出根据本发明另外实施例的反射镜块。 图5a和5b每一个示出设置有夹持突节的反射镜块和衬底台的垂直剖面。
具体实施例方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括照 射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的 辐射)；图案形成装置支撑结构或支持结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑图案形成装置 (例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM 相连。所述设备还包括反射镜块MB(也称为编码器块)，其设置有构造用以保持衬底(例如 涂敷有抗蚀剂的晶片)W的衬底台(也称为晶片台)WT。衬底台WT用真空夹持在反射镜块 上。突节设置在反射镜块和衬底台WT之间。反射镜块连接到配置成根据确定的参数精确 定位衬底的第二定位装置PW。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS， 其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包 括一根或多根管芯)上。 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述图案形成装置支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设 计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置 MA。所述图案形成装置支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保 持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需 要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于 所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可 以认为与更上位的术语"图案形成装置"同义。 这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在 辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图 案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的 器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。 这里使用的术语"投影系统"应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这
里使用的术语"投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系统"同义。 如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备
可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。 所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多反射镜块(和/或两个或更多的掩
模台或"掩模支撑结构")的类型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用附加的台或支撑
结构，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑结
构用于曝光。 光刻设备也可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便充满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以应用到光刻设备的其他空间，例如图案形成装置(例如，掩模)和投影系统之间的空间。浸没技术可以用于增大投影系统的数值孔径NA。这里所用的术语"浸没"并不意味着诸如衬底等结构必须浸入到液体中，而只意味着在曝光过程中液体位于投影系统和衬底之间。
参照图l，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。该源和光刻设备可以是分离的实体(例如当该源是受激准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源S0传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源S0可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。 所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为o-外部和o-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。 所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置(例如掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述反射镜块MB，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述反射镜块MB的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标
5记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所
述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中 1.在步进模式中，在将图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT和反射镜块MB或"衬底支撑结构"保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述反射镜块MB或"衬底支撑结构"沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 2.在扫描模式中，在对图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT和反射镜块MB或"衬底支撑结构"同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。反射镜块MB或"衬底支撑结构"相对于图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。 3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述反射镜块MB或"衬底支撑结构"进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述反射镜块MB或"衬底支撑结构"的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
要注意的是，如上面所述，反射镜块MB包括衬底台WT。然而，在与反射镜块的主要部分(反射镜的主要部分是不具有衬底台的反射镜块)相关地讨论衬底台时，并且不会存在混淆的风险的时候，术语"反射镜块"用来仅表示该主要部分。 为了减小反射镜块MB和衬底台之间的滑动，在本发明的一个实施例中可以在反射镜块MB和衬底台之间设置具有增大柔性的突节。由于反射镜块MB上的第二定位装置施加的加速力导致的反射镜块MB相对于衬底台的局部变形可以引起滑动。反射镜块MB的其中第二定位装置连接到衬底台的区域可能会经受第二定位装置引起的最大变形。增大柔性使得突节有可能在不滑动的情况下吸收一部分变形，这在减小反射镜块MB和衬底台之间的滑动方面具有显著的效果和优越性能。图2a公开了一种传统旋转对称突节2的横截面，其设置有与连接表面9连接的连接区域3和接触区域1。如果突节2用其连接区域3连接到反射镜块MB，衬底台将由突节2的接触区域或表面1支撑，而如果突节2用其连接区域3与衬底台WT连接，反射镜块MB将与突节2的接触表面接触。突节可以具有0. 5mm的直径和0. 15mm的高度。为了提高柔性，突节2可以设置有加长的长度(见图2b)。加长的长度可以大于大约0. 15mm，例如大约2. 3mm。这些突节的类型提供超越传统突节的优越的性能和优点。附加地，直径可以最小化。然而，当突节更长时很难将直径变得更细，因为突节会断裂。因此，对于长度大约2.3mm的突节，会选择大约1.5mm的直径。如果使用更少的突节，1. 3mm的直径也会减小突节和衬底台之间的接触压力。
图2c和2d公开了突节，其具有通过设置比突节的接触面1更小的最小连接区域3而提供额外柔性的结构。在图2c中，突节通过柱状物5连接，该柱状物具有最小连接区域，其在柱状物的整个长度上具有相同的尺寸并且等于连接区域3。如果必要，侧部7可以提供对柔性的限制。图2d中的突节的柔性还可以以相同的方式由侧部7和表面9进行限制。图2d中的突节的柔性主要由小于突节2的连接区域3的最小连接区域11来确定，而图2c中的突节的柔性在柱状物11的整个长度上被确定。具有图2c和2d中的相对大的接触表面1的优点在于，接触压力随着衬底台或反射镜块MB的表面减小而减小。
在一个实施例中，提高突节的柔性的另一种方法是使用具有提高的柔性的材料制造所述突节。例如，突节能够由具有大约90GPa杨氏模量的微晶玻璃(Zerodur )形成。材料的柔性使得可以在突节将要滑动之前吸收更多的晶片台WT的变形。
在一个实施例中，减小反射镜块MB和衬底台WT之间的滑动的另一种方式是减小由反射镜块MB上的第二定位装置施加的加速力带来的反射镜块MB的局部变形。第二定位装置的致动器与反射镜块MB连接的反射镜块MB的致动器区域AA(图3)会经受由致动器引起的最大变形。通过在反射镜块MB中、在用于夹持所述衬底台的所述夹持区域CA和其中配置用于定位反射镜块MB的致动器连接至反射镜块MB的致动器区域AA之间设置狭槽SL，由加速力引起的反射镜块MB的变形将会更小程度地达到所述夹持区域CA。由于夹持区域CA将会更少变形，滑动更不容易发生，因为作用在所述变形区域中的突节上的力和作用在所述夹持区域CA的其他突节上的力之间差值更小。图3中的狭槽SL基本上垂直于夹持区域CA的表面，但也可以制成基本上平行于夹持区域CA的表面。如果狭槽基本上垂直于夹持区域，平行于夹持区域的表面的力将不会引起夹持区域的变形，而如果狭槽基本上平行于夹持区域的表面，沿垂直于夹持区域的方向的力将不再使夹持区域变形。
在实施例中，反射镜块MB和衬底台之间的滑动还可以通过构造具有增大的刚度的反射镜块MB来进行减小。增大的刚度可以通过用具有更高刚度的材料构造反射镜块MB来实现。反射镜块MB可以由具有大约140GPa的杨氏模量的堇青石或具有大约360GPa的杨氏模量的SiSic形成。另一种可能是改善反射镜块MB的特定部分的厚度。例如，夹持区域CA可以由更厚的材料形成，以提供附加的刚度给反射镜块MB的所述部分，使得在反射镜块MB的加速过程中夹持区域CA的变形更小。 图4a和4b示出构造用于减小滑动的反射镜块MB。衬底台用真空夹持在设置在反射镜块MB的夹持区域CA中的突节上。通过设置大于反射镜块MB的夹持区域CA的衬底台WT，产生无突节的减小的夹持区域RA，在该夹持区域RA没有夹持作用发生。在图4a中，减小的夹持区域RA围绕夹持区域CA的边缘，这减小夹持区域CA的边缘周围的滑动。在图4b中，减小的区域RA靠近反射镜块MB的第二定位装置的致动器连接至反射镜块MB的致动器区域AA，这减小了靠近其中反射镜块MB的变形被最大化的致动器区域AA的滑动。
还可以通过构造反射镜块MB和衬底台WT、使得两者的变形匹配，来减小反射镜块MB和衬底台之间的滑动。因而，在反射镜块MB的高变形区域中，衬底台WT的刚度可以减小。随后，在反射镜块MB的加速过程中，反射镜块MB的变形将导致衬底台的变形。当加速停止时这种变形是可逆的，使得这种变形不会导致任何曝光误差。滑动通常不是可逆的，使得当加速停止时，衬底台和反射镜块MB相对彼此与发生滑动之前将不会在相同位置上。因而，滑动导致曝光误差。另一可选方案是在高变形区域中为突节设置增大的柔性，以便更好地在反射镜块MB的加速过程中吸收这些区域中的变形。 反射镜块MB可以构造并布置成通过设置更少数目的突节减小反射镜块MB和衬底台之间的滑动。根据现有技术，在反射镜块MB和衬底台之间可以设置一万个突节。为了最小化反射镜块MB和衬底台之间的滑动，该数目可以减小到150，这提供显著的效果。具体地，突节上的摩擦力由每个突节的夹持力乘以摩擦系数确定。夹持力由作用在衬底台的区域上的真空引起。通过在更少的突节上分布该夹持力，能够增大每个突节的夹持力和摩擦力。因而，使局部滑动的发生最小化。 突节还可以在其接触表面上设置高摩擦的涂层，或者可以改变接触粗糙度以提高摩擦。在更高接触粗糙度的情况下更不容易发生滑动。两个良好抛光表面之间的粘结也可以减小滑动。通过暂时地震动反射镜块MB也可以避免滑动。通过震动反射镜块MB，反射镜块MB与衬底台之间的接触被改善，这增大了摩擦力而减小了滑动的机会。
根据本发明的一个实施例，在反射镜块之间接触区域的中心处设置具有相对高的刚度的突节，而在接触区域的边缘设置具有相对低的刚度的突节(所谓"柔性"突节)。在接触区域的中心处的刚性突节适于吸收衬底台WT相对于反射镜块的惯量，因为在接触区域的中心处由反射镜块的变形带来的负载(机械压力)相对低。在接触区域的边缘，反射镜块的变形相对大，使得具有相对低的刚度的突节("柔性"突节)是适当的，以便确保在这些边缘不会发生滑动。根据先进的实施例，突节的刚度能够从中心到边缘逐步地增大，从中心的150%刚度(这里"刚度"指的是如在所有突节具有相同刚度的情形中使用的有关传统突节的刚度)到边缘的50%刚度。 图5a是示意地示出反射镜块MB和衬底台WT的一半的垂直剖面。这里衬底台WT设置有不同刚度的突节。这可以通过改变突节的高度来实现，通过在衬底台钻孔的方式在突节周围钻孔能够获得不同高度的突节。位于靠近边缘的突节高于位于中心接触区域的突节，但是它们具有相同的直径，使得位于中心的突节的刚度高于靠近边缘的突节的刚度。
图5b是示意地示出反射镜块MB和衬底台WT的一半的垂直剖面。在这个实施例中，衬底台WT在平面内刚性地耦合到反射镜块MB。这种耦合确保衬底台相对于反射镜块MB的惯性力将不会导致衬底台相对于反射镜块的滑动，从而确保照射衬底所需的精确度。在这种方式中，刚性衬底台WT可以减小反射镜块MB的变形。所述耦合能够通过用耦合元件填充反射镜块MB和衬底台WT之间的间隙来实现。另一种方式是使用一个刚性肋B或多个刚性肋B形式的一个或更多个耦合元件。根据图5b中的实施例，元件A和刚性肋B两者都使用。 在根据本发明的所有实施例中，可以设置具有不对称水平横截面的突节，以便实现这些突节在不同的水平方向上具有不同的刚度的效果。在这种方式中，能够最优化反射镜块和衬底台之间的匹配，使得最小化滑动的风险。 尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造特定器件(例如，集成电路)，但应当理解这里所述的光刻设备可以有制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件的其他应用，这些应用包括，但不限于集成电路、集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影 的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这 种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这 里使用的所述术语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 虽然以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例， 但应该理解的是，本发明的实施例可以有其它的应用，例如压印光刻术，并且只要情况允 许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的 图案。可以将所述图案形成装置的拓扑压印到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过 施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案 形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。 这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射 (例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和深紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm 范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。 这里使用的术语"透镜"可以认为是一个或多种类型的光学元件的组合体，包括折 射型、反射型、磁学型、电磁型和静电型光学部件。 尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述
不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的至少一 个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述的计算机程序的数据存
储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。 上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人 员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行修改。
权利要求
一种光刻设备，包括照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中，在所述反射镜块中设置狭槽。
3. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽设置于反射镜块的用于夹持所述衬底 台的夹持区域和用于将致动器连接到所述反射镜块的致动器区域之间。
4. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽沿基本上垂直于所述夹持区域的方向 设置。
5. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽沿基本上平行于所述夹持区域的方向设置。
6. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射镜块包括具有高于大约100GPa的杨氏 模量的材料。
7. 根据权利要求1所述设备，其中，突节设置在所述反射镜块和所述衬底台之间且在 所述反射镜块上的用于夹持所述衬底台的整个夹持区域上。
8. 根据权利要求7所述的设备，其中，所述夹持区域小于所述衬底台的尺寸。
9. 根据权利要求7所述的设备，其中，所述突节具有大于0. 15mm的长度。
10. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述突节具有大于2mm的长度。
11. 根据权利要求7所述的设备，其中，所述突节具有比最小连接区域大的接触表面。
12. 根据权利要求7所述的设备，其中，在与其中配置用于定位所述反射镜块的致动器 连接到所述反射镜块的致动器区域靠近的区域内的所述夹持区域上没有突节。
13. 根据权利要求7所述的设备，其中，所述突节包括柔性突节和附加突节，所述柔性 突节相对于所述附加突节具有增大的柔性，其中所述柔性突节位于与其中配置用于定位所 述反射镜块的致动器连接到所述反射镜块的致动器区域靠近的区域内，而所述附加突节位 于所述夹持区域的剩余区域内。
14. 根据权利要求7所述的设备，其中，所述突节包括粗糙的接触表面。
15. 根据权利要求7-14中任一项所述的设备，其中，设置在所述夹持区域中心的突节 具有比设置在所述夹持区域边缘处的突节的刚性更高的刚性。
16. 根据权利要求7-15中任一项所述的设备，其中，所述反射镜块和所述衬底通过连 接器元件和/或通过刚性肋在水平平面内以相对高的刚度耦合。
全文摘要
本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。如果反射镜块的加速度大且衬底台相对于反射镜块局部地滑动，会发生滑动。滑动会导致曝光误差，因为衬底的位置不再由所需的精确度来确定。
文档编号G03F9/00GK101713929SQ20091017854
公开日2010年5月26日 申请日期2009年9月27日 优先权日2008年10月7日
发明者A·A·梅尤恩迪杰克斯, A·B·杰尤恩克, E·R·鲁普斯卓, H·J·M·凡阿毕伦, J·J·奥腾斯, M·M·P·A·沃梅尤恩, M·霍本, P·斯密特斯, R·T·P·考姆彭, R·W·A·H·理纳尔斯 申请人:Asml荷兰有限公司