专利名称：引线结构以及具有此引线结构的显示面板的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种引线结构以及具有此引线结构的显示面板。
背景技术：
一般来说，液晶显示器中的液晶显示面板是由像素阵列基板、彩色滤光阵列基板和夹于两基板之间的液晶层所构成。在像素阵列基板中，还会在非显示区设置引线，以使像素阵列与驱动芯片之间电性连接。为了搭配驱动芯片的接点，设置在像素阵列与驱动芯片之间的引线会排列成扇形形式(fan-out)的引线结构。随着窄边框(slim border)显示面板的发展，已经有越来越多的研究是着重于降低上述扇形引线结构的尺寸。基于工艺极限以及避免相邻两条引线产生短路的考虑等等因素，已经有人提出将扇形引线结构中的相邻的引线分别制作在两层的金属层中。然而，此种扇形引线结构的缺点是，在显示面板的制造过程的中位于上层金属层的引线相较于位于下层金属层的引线较容易遭到外力损害。如此一来，将影响显示面板的良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种引线结构以及具有此引线结构的显示面板，其可避免传统扇形引线结构所存在的缺点，即位于上层金属层的引线相较于位于下层金属层的引线较容易遭到损害。本发明提出一种显示面板，此显示面板具有显示区以及非显示区，且显示面板包括像素阵列、至少一驱动元件、多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线以及第二绝缘层。 像素阵列位于显示区中，且驱动元件位于非显示区中。第一引线位于非显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件。第一绝缘层覆盖第一引线，且第一绝缘层中具有多个沟槽。第二引线位该显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件，其中第二引线与第一引线交替设置， 且第二引线位于第一绝缘层的沟槽内。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及第二引线，其中第二引线上方的第二绝缘层的高度小于第一引线上方的第二绝缘层的高度。其中，更包括一覆盖层，位于该些第二引线上方的该第二绝缘层上。其中，更包括多个保护结构，位于每一第二引线与邻近的第一引线之间。其中，该些保护结构的高度大于该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度。其中，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。其中，每一条第一引线包括一第一直线部；以及一第一斜线部，其与该第一直线部直接连接在一起；每一条第二引线包括一第二直线部；以及一第二斜线部，其与该第二直线部直接连接在一起，其中每一第一引线的该第一直线部与邻近的第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一第一引线的该第一斜线部与邻近的第二引线的该第二斜线部之间的一
第二间距。
其中，该些第二引线的该些第二直线部设置于该第一绝缘层的该些沟槽内，且该些第二引线的该些第二斜线部设置于该第一绝缘层上。其中，该第一间距介于10 20微米，且该第二间距介于1. 5 6微米。其中，更包括多个保护结构，位于每一第二引线的该第二直线部与邻近的第一引线的该第一直线部之间。其中，该些保护结构的高度大于该些第二引线的该些第二直线部的高度。其中，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。本发明提出一种引线结构，其包括多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线以及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖第一引线，且第一绝缘层中具有多个沟槽。第二引线与第一引线交替设置，且第二引线位于第一绝缘层的沟槽内。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及第二引线，其中第二引线上方的第二绝缘层的高度小于第一引线上方的第二绝缘层的高度。其中，更包括一覆盖层，位于该些第二引线上方的该第二绝缘层上。其中，更包括多个保护结构，位于每一第二引线与邻近的第一引线之间。其中，该些保护结构的高度大于该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度。其中，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。其中，每一条第一引线包括一第一直线部；以及一第一斜线部，其与该第一直线部直接连接在一起；每一条第二引线包括一第二直线部；以及一第二斜线部，其与该第二直线部直接连接在一起，其中每一第一引线的该第一直线部与邻近的第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一第一引线的该第一斜线部与邻近的第二引线的该第二斜线部之间的一
第二间距。其中，该些第二引线的该些第二直线部设置于该第一绝缘层的该些沟槽内，且该些第二引线的该些第二斜线部设置于该第一绝缘层上。其中，该第一间距介于10 20微米，且该第二间距介于1. 5 6微米。其中，更包括多个保护结构，位于每一第二引线的该第二直线部与邻近的第一引线的该第一直线部之间。其中，该些保护结构的高度大于该些第二引线的该些第二直线部的高度。其中，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。基于上述，本发明的第二引线是位于第一绝缘层的沟槽内，因而可使得二引线上方的第二绝缘层的高度小于第一引线上方的第二绝缘层的高度。换言之，虽然第二引线无法如同第一引线一样被第一绝缘层以及第二绝缘层两膜层所覆盖，但因为二引线上方的第二绝缘层的高度小于第一引线上方的第二绝缘层的高度，因此可使得第二引线较不容易被损伤。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1是根据本发明一实施例的显示面板的上视示意图。图2是图1的引线结构的局部上视示意图。图3A是沿着图2的剖面线1-1’的剖面示意图。图;3B是沿着图2的剖面线11-11’的剖面示意图。图4是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图5是根据另一实施例的引线结构的局部上视示意图。图6是沿着图5的剖面线III-III’的剖面示意图。图7是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图8是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图9是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图10是根据本发明另一实施例的显示面板的上视示意图,其中，附图标记AR 像素阵列SLl SLn 扫描线DLl DLn 数据线P 像素结构T 主动元件PE:像素电极DR、DR1、DR2 驱动装置A 显示区B:非显示区Ll--1 --Ll--n第--引线
L2--1 --L2--ηA-Ap — 弟—二引线
Sl--1 --Sl--η第--直线部
S2--1 --S2--ηA-Ap — 弟—二直线部
01--1 --01--η第--斜线部
02--1 --02--ηA-Ap — : 一二斜线部D1、D2:间隙Hl H3:高度100 基板102:第一绝缘层104 沟槽106 第二绝缘层108 覆盖层200 保护结构M1、M2:导电层202:中间层204 覆盖层
具体实施例方式图1是根据本发明一实施例的显示面板的上视示意图。图2是图1的引线结构的局部上视示意图。图3A是沿着图2的剖面线1-1’的剖面示意图。图:3B是沿着图2的剖面线11-11’的剖面示意图。请同时参照图1、图2、图3A以及图:3B，本实施例的显示面板包括显示区A以及于显示区A的周围非显示区B。此显示面板包括像素阵列AR、至少一驱动元件DR、多条第一引线Ll-I Ll-n、第一绝缘层102、多条第二引线L2-1 L2_n以及第二绝缘层106。像素阵列AR位于显示区A中。据本实施例，上述像素阵列AR包括多条扫描线 SLl SLru多条数据线DLl DLn以及多个像素结构P。扫描线SLl SLn与数据线DLl DLn交错设置，且扫描线SLl SLn与数据线 DLl DLn之间夹有绝缘层。换言之，扫描线SLl SLn的延伸方向与数据线DLl DLn 的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SLl SLn的延伸方向与数据线DLl DLn的延伸方向垂直。基于导电性的考虑，扫描线SLl SLn与数据线DLl DLn —般是使用金属材料。 然，本发明不限于此，根据其它实施例，扫描线SLl SLn与数据线DLl DLn也可以使用其它导电材料。例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、 或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导材料的堆栈层。另外，像素结构P包括主动元件T以及像素电极PE。主动元件T可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管，其包括栅极、通道、源极以及漏极。主动元件T 与对应的一条扫描线SLl SLn及对应的一条数据线DLl DLn电性连接。另外，主动元件T与像素电极PE电性连接。驱动装置DR位于非显示区B中。驱动装置DR可以提供像素阵列AR特定的驱动讯号，以控制像素阵列AR显示特定的影像。在本实施例中，驱动装置DR是设置在显示区A 的其中一侧边处，然，本发明不限于此。根据其它实施例，驱动装置亦可以设置在显示区A 的其中二侧边处或是设置在显示区A的四周等等。第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2_l L2_n是位于非显示区B中，且第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n电性连接像素阵列AR与驱动装置DR。在此，第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n分别与对应的扫描线SLl SLn以及数据线DLl DLn电性连接。换言之，透过第一引线Ll-I Ll_n以及第二引线L2-1 L2_n的设置，便能使驱动装置DR的驱动讯号传递到像素阵列AR中。此外，第一引线Ll-I Ll-n 以及第二引线L2-1 L2-n彼此交替，换言之，第一引线以及第二引线的排列方是由右往左依序是第一引线L1-1、第二引线L2-1、第一引线L1-2、第二引线L2-2、……、第一引线Ll_n、 第二引线L2-n。类似地，基于导电性的考虑，第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n — 般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其它实施例，第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2-n也可以使用其它导电材料。例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导材料的堆栈层。 此外，第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n的线宽各自约为3 6微米。其中，第一引线Ll-I Ll-n的线宽依照设计的需求可选择性地与第二引线L2-1 L2_n的线宽实质上相同或不同。
根据本实施例，如图2所示，第一引线Ll-I Ll-n包括第一直线部Sl-I Sl-n 以及与第一直线部Sl-I Sl-n连接的第一斜线部01-1 01-n。换言之，第一引线Ll-I 包含第一直线部Sl-I以及第一斜线部01-1，第一引线L1-2包含第一直线部S1-2以及第一斜线部01-2，且第一引线Ll-n包含第一直线部Sl-n以及第一斜线部01_n。而上述的第一直线部Sl-I Sl-n的延伸方向与第一斜线部01-1 01-n的延伸方向不平行。也就是， 第一直线部Sl-I Sl-n的延伸方向与第一斜线部01-1 01-n的延伸方向之间的夹角不等于0度或是180度。另外，第一直线部Sl-I Sl-n的线宽与第一斜线部01_1 01_n 的线宽大致相等，但本发明不限于此。类似地，第二引线L2-1 L2-n包括第二直线部S2-1 S2_n以及与该第二直线部 S2-1 S2-n连接的第二斜线部02-1 02_n。换言之，第二引线L2-1包含第二直线部S2-1 以及第二斜线部02-1，第二引线L2-2包含第二直线部S2-2以及第二斜线部02_2，且第二引线L2-n包含第二直线部S2-n以及第二斜线部02_n。而上述的第二直线部S2-1 S2_n 的延伸方向与第二斜线部02-1 02-n的延伸方向不平行。也就是，第二直线部S2-1 S2-n的延伸方向与第二斜线部02-1 02-n的延伸方向之间的夹角不等于0度或是180 度。另外，第二直线部S2-1 S2-n的线宽与第二斜线部02-1 02_n的线宽大致相等，但本发明不限于此。在本实施例中，上述的第一引线Ll-I Ll-n的第一直线部Sl-I Sl_n以及第二引线L2-1 L2-n的第二直线部S2-1 S2_n彼此平行设置，且第一引线L1-1 Ll_n 的第一直线部Sl-I Sl-n以及第二引线L2-1 L2_n的第二直线部S2-1 S2_n是往驱动元件DR延伸并与驱动元件DR电性连接。上述的第一引线Ll-I Ll-n的第一斜线部
01-1 01-n以及第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部02_1 02_n彼此平行设置，且第一引线Ll-I Ll-n的第一斜线部01-1 01_n以及第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部
02-1 02-n是往像素阵列AR延伸并与像素阵列AR电性连接。特别是，每一第一引线Ll-I Ll-n的第一直线部Sl-I Sl_n与邻近的第二引线L2-1 L2-n的第二直线部S2-1 S2_n之间具有第一间距Dl。举例来说，第一直线部 Sl-I与第二直线部S2-1之间的间距为D1。另外，每一第一引线Ll-I Ll_n的第一斜线部01-1 01-n与邻近的第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部02_1 02_n之间具有第二间距D2。举例来说，第一斜线部01-1与第二斜线部02-1之间的间距为D2。上述的第一间距Dl实质上大于第二间距D2。举例来说，第一间距Dl约为10 20微米，且第二间距D2 约为1.5 6微米。因此，第一引线Ll-I Ll-n的第一直线部Sl-I Sl_n与第二引线L2-1 L2_n 的第二直线部S2-1 S2-n之间的排列较为宽松，而第一引线Ll-I Ll_n的第一斜线部 01-1 01-n与第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部02_1 02_n之间的排列较为紧密。特别是，如图3A所示，第一引线Ll-I Ll-n是位于基板100上，且第一绝缘层 102覆盖第一引线Ll-I Ll-n。第一绝缘层102的材料可包含无机材料(例如氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。另外，第一绝缘层102中具有多个沟槽104。根据本实施例，沟槽104的底部是暴露出基板100。但，本发明不限于此，根据其它实施例，沟槽104也可以不贯穿第一绝缘层
8102。第二引线L2-1 L2-n则分别设置在第一绝缘层102的沟槽104内。倘若沟槽 104的底部暴露出基板100，那么第二引线L2-1 L2-n是直接与基板100的表面接触。倘若沟槽104并未贯穿第一绝缘层102，那么第二引线L2-1 L2-n是与沟槽104内的第一绝缘层102接触。再者，第二绝缘层106覆盖第一绝缘层102以及第二引线L2-1 L2_n。类似地， 第二绝缘层106的材料可包含无机材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。承上所述，虽然第一引线Ll-I Ll-n是被第一绝缘层102以及第二绝缘层106 两膜层所覆盖而有两层绝缘层的保护，而第二引线L2-1 L2-n仅被第二绝缘层106所覆盖。但是，因第二引线L2-1 L2-n是设置在第一绝缘层102的沟槽104内，因此第二引线 L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2实质上小于第一引线Ll-I Ll_n上方的第二绝缘层106的高度HI。换言之，虽然第二引线L2-1 L2-n无法被两层绝缘层覆盖，但因为二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度实质上小于第一引线Ll-I Ll_n 上方的第二绝缘层106的高度，因此当有外力冲击所述引线结构时，第一引线Ll-I Ll-n 上方的第二绝缘层106将首先受到此外力的冲击。如此一来，可使得第二引线L2-1 L2-n 较不容易直接受到损伤。值得一提的是，在本实施例中，由于第二间距D2设计得较小，为了避免第一引线 Ll-I Ll-n的第一斜线部01-1 01_n与邻近的第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部 02-1 02-n产生短路，本实施例是将第二引线L2-1 L2_n的第二直线部S2-1 S2_n设置在沟槽104内。换言之，第一绝缘层102的沟槽104是形成在对应第二引线L2-1 L2_n 的第二直线部S2-1 S2-n所在的处，如图3A所示。而第二引线L2-1 L2_n的第二斜线部02-1 02-n则是设置于第一绝缘层102的表面上，如图所示。然而，根据其它实施例，倘若第一引线Ll-I Ll-n的第一斜线部01_1 01_n与邻近的第二引线L2-1 L2-n的第二斜线部02_1 02_n之间的第二间距D2足够大，以使第一斜线部01-1 Ol-η与邻近的第二斜线部02-1 02_n之间不会产生短路，那么第二引线L2-1 L2-n的第二直线部S2-1 S2_n以及第二斜线部02_1 02_n也可都设置在沟槽104内。换言之，第一绝缘层102的沟槽104是形成在对应整个第二引线L2-1 L2_n 所在的处。图4是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图4的引线结构与上述图3A 相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。在图4的实施例中，此引线结构更包括覆盖层108，其是设置于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106上。覆盖层 108可为金属材料、金属氧化物材料、绝缘材料或是其它的合适的材料。在第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106上设置覆盖层108可以进一步保护第二引线L2-1 L2_n免于遭到外力的伤害。值得一提的是，在本实施例中，是以第二引线L2-1 L2-n的第二直线部S2-1 S2-n设置在沟槽104内，且覆盖层108是设置在第二引线L2-1 L2_n的第二直线部 S2-1 S2-n上方的第二绝缘层106上为例。但是，本发明不限于此。根据其它实施例，若第二引线L2-1 L2-n的第二直线部S2-1 S2_n以及第二斜线部02_1 02_n都是设置在第一绝缘层102的沟槽104内，那么覆盖层108也可以对应设置在第二引线L2-1 L2_n 的第二直线部S2-1 S2-n以及第二斜线部02-1 02_n上方的第二绝缘层106上。图5是根据另一实施例的引线结构的局部上视示意图。图6是沿着图5的剖面线 III-Iir的剖面示意图。请参照图5及图6，本实施例的引线结构与上述图2的引线结构相似，第一引线Ll-I Ll-n包括第一直线部Sl-I Sl_n以及与第一直线部Sl-I Sl_n 连接的第一斜线部01-1 01-n，类似地，第二引线L2-1 L2_n包括第二直线部S2-1 S2-n以及与该第二直线部S2-1 S2-n连接的第二斜线部02_1 02_n，相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。在图5及图6的实施例中，此引线结构更包括多个保护结构200，其位于每一条第二引线L2-1 L2-n与邻近的第一引线Ll-I Ll_n之间。举例来说，在第二引线L2-1与第一引线Ll-I之间设置有保护结构200，且在第二引线L2-1与第一引线L1-2之间也设置有保护结构200。特别是，保护结构200的高度H3实质上大于第二引线L2-1 L2_n上方的第二绝缘层106的高度H2。根据本实施例，保护结构200是由多层膜层堆栈而成。所述多层膜层可为金属材料、绝缘材料、半导体材料、金属氧化物材料等等，其主要是根据显示面板的像素阵列AR的工艺以及其所采用的材料有关。以图6的实施例为例，所述保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102以及第二绝缘层106堆栈而成。导电图案Ml例如是金属材料，其可为与第一引线Ll-I Ll-n相同的材料。承上所述，由于保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102以及第二绝缘层 106堆栈而成，而第二引线L2-1 L2-n上方仅覆盖第二绝缘层106，因此保护结构200的高度H3实质上高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2。而由于保护结构200的高度H3实质上高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2，因此当所述引线结构遭到外力的冲击时，保护结构200将首先面临所述外力的冲击，因而可以保护第二引线L2-1 L2-n免于遭到伤害。值得一提的是，倘若保护结构200的多层膜层的最上一层为绝缘材料，可避免保护结构200造成两侧的引线产生短路。然，本发明不限于此，倘若保护结构200与两侧的引线之间的距离足够大，保护结构200的最上一层也不一定要采用绝缘材料。此外，在本实施例中，保护结构200是设置在每一第二引线L2-1 L2_n的第二直线部S2-1 S2-n与邻近的第一引线Ll-I Ll-η的第一直线部S1-1 Sl-η之间。举例来说，保护结构200是设置在第二引线L2-1的第二直线部S2-1与第一引线Ll-I的第一直线部Sl-I之间，且保护结构200也是设置在第二引线L2-1的第二直线部S2-1与第一引线 L1-2的第一直线部S1-2之间。而且，保护结构200的高度大于第二引线L2-1 L2_n的第二直线部S2-1 S2-n的高度。然而，本发明不限于此。根据其它实施例，倘若第一引线Ll-I Ll-n的第一斜线部01_1 01_n与邻近的第二引线L2-1 L2-n的第二斜线部02_1 02_n之间的第二间距D2足够大，那么保护结构200也可进一步设置在第二引线L2-1 L2-n的第二斜线部02_1 02_n与邻近的第一引线Ll-I Ll-n的第一斜线部01-1 Ol-η之间。图7是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图7，本实施例的引线结构与上述图6的引线结构相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。在图 7的实施例中，保护结构200是由第一绝缘层102、导电图案M2以及第二绝缘层106堆栈而成。导电图案M2例如是金属材料，其可为与第二引线L2-1 L2-n相同的材料。由于保护结构200是由第一绝缘层102、导电图案M2以及第二绝缘层106堆栈而成，而第二引线L2-1 L2-n上方仅覆盖第二绝缘层106，因此保护结构200的高度H3高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2。而由于保护结构200的高度 H3高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2，因此当所述引线结构遭到外力的冲击时，保护结构200将首先面临所述外力的冲击，因而可以保护第二引线L2-1 L2-n免于遭到伤害。图8是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图8，本实施例的引线结构与上述图6的引线结构相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。在图8的实施例中，保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2 以及第二绝缘层106堆栈而成。上述的导电图案Ml例如是金属材料，其可为与第一引线 Ll-I Ll-n相同的材料。中间层202例如是半导体材料，其可为非晶硅、多晶硅、微晶硅、 经过掺杂的硅材料。导电图案M2例如是金属材料，其可为与第二引线L2-1 L2-n相同的材料。由于保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2以及第二绝缘层106堆栈而成，而第二引线L2-1 L2-n上方仅覆盖第二绝缘层106，因此保护结构200的高度H3明显高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度H2。 而由于保护结构200的高度H3高于第二引线L2-1 L2-n上方的第二绝缘层106的高度 H2，因此当所述引线结构遭到外力的冲击时，保护结构200将首先面临所述外力的冲击，因而可以保护第二引线L2-1 L2-n免于遭到伤害。图9是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图9，本实施例的引线结构与上述图6的引线结构相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。在图 9的实施例中，保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2、第二绝缘层106以及覆盖层204堆栈而成。上述的导电图案Ml例如是金属材料，其可为与第一引线Ll-I Ll-n相同的材料。中间层202例如是半导体材料，其可为非晶硅、多晶硅、 微晶硅、经过掺杂的硅材料。导电图案M2例如是金属材料，其可为与第二引线L2-1 L2-n 相同的材料。覆盖层204例如是金属氧化物材料或是绝缘材料。由于保护结构200是由导电图案Ml、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2、第二绝缘层106以及覆盖层204堆栈而成，而第二引线L2-1 L2_n上方仅覆盖第二绝缘层 106，因此保护结构200的高度H3明显高于第二引线L2-1 L2_n上方的第二绝缘层106 的高度H2。而由于保护结构200的高度H3高于第二引线L2-1 L2_n上方的第二绝缘层 106的高度H2，因此当所述引线结构遭到外力的冲击时，保护结构200将首先面临所述外力的冲击，因而可以保护第二引线L2-1 L2-n免于遭到伤害。在上述图1的实施例中，驱动装置DR是设置在显示区A的其中一侧边处，且扫描线SLl SLn以及数据线DLl DLn都是电性连接至此驱动装置DR。而以下的实施例的显示面板中，驱动装置是设置在显示区A的其中二侧边处，且扫描线SLl SLn以及数据线 DLl DLn是各自电性连接至对应的驱动装置。图10是根据本发明另一实施例的显示面板的上视示意图。在此实施例中，与上述图1的实施例相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。请参照图10，在本实施例
11中，驱动装置DR1、DR2位于显示区A两侧边的非显示区B中，且驱动装置DR1、DR2可以提供像素阵列AR特定的驱动讯号，以控制DR1、DR2显示特定的影像。另外，第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n是位于非显示区B中，且第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n电性连接像素阵列AR与驱动装置DR1、 DR2。类似地，透过第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2_n的设置，便能使驱动装置DR1、DR2的驱动讯号传递到像素阵列AR中。此外，第一引线Ll-I Ll_n以及第二引线L2-1 L2-n彼此交替，换言之，第一引线以及第二引线的排列方是由右往左依序是第一引线L1-1、第二引线L2-1、第一引线L1-2、第二引线L2-2……。特别是，在图10的显示面板中的引线结构(包含第一引线Ll-I Ll-n以及第二引线L2-1 L2-n)可以采用上述图2至图9中的任一种实施例所述的引线结构。综合以上所述，本发明的第二引线是位于第一绝缘层的沟槽内，因而可使得二引线上方的第二绝缘层的高度实质上小于第一引线上方的第二绝缘层的高度。换言之，虽然第二引线无法如同第一引线一样被第一绝缘层以及第二绝缘层两膜层所覆盖，但因为二引线上方的第二绝缘层的高度实质上小于第一引线上方的第二绝缘层的高度，因此可使得第二引线较不容易被损伤。此外，若是在第二引线与邻近的第一引线之间设置保护结构，此保护结构可以进一步保护第二引线免于遭到外力的伤害。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种显示面板，具有一显示区以及一非显示区，其特征在于，该显示面板包括 一像素阵列，位于该显示区中；至少一驱动元件，位于该非显示区中；多条第一引线，位于该非显示区中且电性连接该像素阵列与该驱动元件， 一第一绝缘层，覆盖该些第一引线，且该第一绝缘层中具有多个沟槽； 多条第二引线，位于该非显示区中且电性连接该像素阵列与该驱动元件，其中该些第二引线与该些第一引线交替设置，且该些第二引线位于该第一绝缘层的该些沟槽内；一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层以及该些第二引线，其中该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度小于该些第一引线上方的该第二绝缘层的高度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括一覆盖层，位于该些第二引线上方的该第二绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括多个保护结构，位于每一第二引线与邻近的第一引线之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该些保护结构的高度大于该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于， 每一条第一引线包括一第一直线部；以及一第一斜线部，其与该第一直线部直接连接在一起； 每一条第二引线包括 一第二直线部；以及一第二斜线部，其与该第二直线部直接连接在一起，其中每一第一引线的该第一直线部与邻近的第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一第一引线的该第一斜线部与邻近的第二引线的该第二斜线部之间的一第二间距。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该些第二引线的该些第二直线部设置于该第一绝缘层的该些沟槽内，且该些第二引线的该些第二斜线部设置于该第一绝缘层上。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该第一间距介于10 20微米，且该第二间距介于1.5 6微米。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，更包括多个保护结构，位于每一第二引线的该第二直线部与邻近的第一引线的该第一直线部之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该些保护结构的高度大于该些第二引线的该些第二直线部的高度。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。
12.—种引线结构，其特征在于，包括多条第一引线；一第一绝缘层，覆盖该些第一引线，且该第一绝缘层中具有多个沟槽；多条第二引线，该些第二引线与该些第一引线交替设置，且该些第二引线位于该第一绝缘层的该些沟槽内；一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层以及该些第二引线，其中该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度小于该些第一引线上方的该第二绝缘层的高度。
13.根据权利要求12所述的引线结构，其特征在于，更包括一覆盖层，位于该些第二引线上方的该第二绝缘层上。
14.根据权利要求12所述的引线结构，其特征在于，更包括多个保护结构，位于每一第二引线与邻近的第一引线之间。
15.根据权利要求14所述的引线结构，其特征在于，该些保护结构的高度大于该些第二引线上方的该第二绝缘层的高度。
16.根据权利要求14所述的引线结构，其特征在于，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。
17.根据权利要求12所述的引线结构，其特征在于，每一条第一引线包括一第一直线部；以及一第一斜线部，其与该第一直线部直接连接在一起；每一条第二引线包括一第二直线部；以及一第二斜线部，其与该第二直线部直接连接在一起，其中每一第一引线的该第一直线部与邻近的第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一第一引线的该第一斜线部与邻近的第二引线的该第二斜线部之间的一第二间距。
18.根据权利要求17所述的引线结构，其特征在于，该些第二引线的该些第二直线部设置于该第一绝缘层的该些沟槽内，且该些第二引线的该些第二斜线部设置于该第一绝缘层上。
19.根据权利要求17所述的引线结构，其特征在于，该第一间距介于10 20微米，且该第二间距介于1.5 6微米。
20.根据权利要求17所述的引线结构，其特征在于，更包括多个保护结构，位于每一第二引线的该第二直线部与邻近的第一引线的该第一直线部之间。
21.根据权利要求20所述的引线结构，其特征在于，该些保护结构的高度大于该些第二引线的该些第二直线部的高度。
22.根据权利要求20所述的引线结构，其特征在于，该些保护结构是由多层膜层堆栈而成，且该些膜层的最上一层为一绝缘材料。
全文摘要
一种引线结构以及具有此引线结构的显示面板，此显示面板具有显示区以及非显示区，且显示面板包括像素阵列、至少一驱动元件、多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线以及第二绝缘层。像素阵列位于显示区中，且驱动元件位于非显示区中。第一引线位于非显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件。第一绝缘层覆盖第一引线，且第一绝缘层中具有多个沟槽。第二引线位该显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件，其中第二引线与第一引线交替设置，且第二引线位于第一绝缘层的沟槽内。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及第二引线，其中第二引线上方的第二绝缘层的高度小于第一引线上方的第二绝缘层的高度。
文档编号G02F1/1345GK102243403SQ201110184699
公开日2011年11月16日 申请日期2011年6月28日 优先权日2011年5月5日
发明者李维欣, 蒋珮泠, 陈建利 申请人:友达光电股份有限公司