专利名称：相位差元件及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种相位差元件及其制造方法，且特别是有关于一种利用电场诱导方式形成的相位差元件及其制造方法。
背景技术：
传统上，提供三维(3D)显示功能的显示器包括显示面板及3D显示板。显示面板例如是液晶显示面板。3D显示板例如是由图案化相位差板及1/4波片所组成。光线经过图案化相位差板及1/4波片后以左旋偏振光及右旋偏振光出光,左旋偏振光及右旋偏振光进入左偏光镜片及右偏光镜片，以让观看者接收到一立体影像。一般而言，制造图案化相位差板的过程中，是采用光配向方式或蚀刻方式于配向 膜上形成多个沟槽。具有双折射特性的分子形成于沟槽内，借以使通过的光其相位发生变化。然而，光配向方式及蚀刻方式皆属破坏式方式，故会有浪费材料及废料处理问题。特别是蚀刻方式，其对环境的破坏相当大。在环保意识日益抬头的趋势下，业界开始寻求相对较洁净且非破坏式的制造过程。
发明内容
本发明是有关于一种相位差元件及其制造方法，其较环保且属于非破坏式的制造方法。根据本发明的一实施例，提出一种相位差元件。相位差元件包括多个第一类液晶分子及数个第二类液晶分子。该些第一类液晶分子是已聚合并以一第一角度排列。该些第二类液晶分子是已聚合并以一第二角度排列。根据本发明的另一实施例，提出一种相位差元件的制造方法。制造方法包括以下步骤。形成多个类液晶分子于一基板上；施加一第一电场引导该些类液晶分子以一第一角度排列；以及聚合该些类液晶分子。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式
作详细说明，其中图I绘示依照本发明一实施例的相位差元件的制造方法流程图。图2A至2D绘示依照本发明一实施例的相位差元件的制造示意图。图3绘示依照本发明另一实施例的相位差元件的制造示意图。图4绘示依照本发明又一实施例的相位差元件的制造示意图。图5绘示依照本发明又一实施例的相位差元件的示意图。主要元件符号说明100、200、300 :相位差元件
110:基板111 :基材Illu :上表面112:电极112a:第一电极112b:第二电极112c:第三电极
120 :类液晶分子120a :第一类液晶分子120b :第二类液晶分子222 :脱膜层Al :第一角度A2 :第二角度A3 :角度L :光线El :第一电场E2:第二电场R1、R2:分布区域
具体实施例方式请参照图I及图2A图2D，图I绘示依照本发明一实施例的相位差元件的制造方法流程图，图2A至图2D绘示依照本发明一实施例的相位差元件的制造示意图。首先，如图2A所示，于步骤S102中，形成多个类液晶分子120 (图2A以层结构表示)于基板Iio上。该些类液晶分子120包括数个第一类液晶分子120a (绘示于图2C)及数个第二类液晶分子120b (绘示于图2C)。基材111例如是金属基板、塑料基板、硅基板或FFS基板。形成类液晶分子120的方法例如是涂布方法,如印刷(printing)、旋涂(spinning)或喷涂(Ink jet) ο一种类液晶分子120的分子式例如是
权利要求
1.一种相位差元件的制造方法,包括 形成多个第一类液晶分子于一基板上； 施加一第一电场引导所述第一类液晶分子以一第一角度排列；以及 聚合所述第一类液晶分子。
2.如权利要求I所述的制造方法，更包括 形成多个第二类液晶分子于该基板上； 施加一第二电场引导所述第二类液晶分子以一第二角度排列；以及 聚合所述第二类液晶分子。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述电极包括多个第一电极及多个第二电极；该第一电场透过所述第一电极引导所述第一类液晶分子，该第二电场透过所述第二电极引导所述第二类液晶分子。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间夹一角度。
5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，聚合所述第一类液晶分子及聚合所述第二类液晶分子是以光照或加热完成。
6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，以该第一电场引导所述第一类液晶分子的该步骤与以该第二电场引导所述第二类液晶分子的该步骤系整合于同一制程完成，其中该第一电场与该第二电场是同时产生；于聚合所述第一类液晶分子的该步骤及聚合所述第二类液晶分子的该步骤是整合于同一制程完成。
7.如权利要求I所述的制造方法，更包括 提供一基板，该基板包括一基材及数个电极，所述电极配置于该基材中，该第一电场是经由所述电极引导所述第一类液晶分子。
8.如权利要求7所述的制造方法，更包括 形成一脱膜层于该基板上；以及 于形成所述第一类液晶分子于该基板的该步骤中，所述第一类液晶分子形成于该脱膜层上。
9.如权利要求8所述的制造方法，更包括 分离所述第一类液晶分子与该基板，其中该脱膜层是保留在该基板上。
10.如权利要求8所述的制造方法，更包括 分离所述第一类液晶分子与该基板，其中该脱膜层是保留在所述第一类液晶分子上。
11.如权利要求I所述的制造方法，更包括 移除该基板。
12.—种相位差元件,包括 多个第一类液晶分子，所述第一类液晶分子是已聚合并以一第一角度排列；以及 多个第二类液晶分子，所述第二类液晶分子是已聚合并以一第二角度排列。
13.如权利要求12所述的相位差元件，更包括一基板，该基板包括 一基材；以及 多个电极，系配置于该基材中； 其中，所述第一类液晶分子及所述第二类液晶分子形成于该基板上。
14.如权利要求13所述的相位差元件，其特征在于，该基材具有一上表面，所述电极配置于该基材的该上表面上。
15.如权利要求13所述的相位差元件，其特征在于，所述电极包括多个第一电极及多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间夹一角度。
16.如权利要求12所述的相位差元件，更包括 一脱膜层，所述第一类液晶分子及所述第二类液晶分子形成于该脱膜层上。
17.如权利要求13所述的相位差元件，其特征在于，该基材是金属基板、塑料基板、玻璃基板或硅基板。
18.如权利要求13所述的相位差元件，其特征在于，该基材是透光基材。
19.如权利要求13所述的相位差元件，其特征在于，该基材是非透光基材。
全文摘要
本发明提供一种相位差元件及其制造方法。制造方法包括以下步骤。首先，形成多个类液晶分子于基板上。然后，施加第一电场引导类液晶分子以一角度排列。然后，聚合类液晶分子。相比传统的蚀刻或激光雕刻制程，本发明的方法较环保且属于非破坏式的制造方法。
文档编号G02F1/1335GK102841398SQ20111018462
公开日2012年12月26日 申请日期2011年6月23日 优先权日2011年6月23日
发明者李汉郎, 欧耀仁 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美电子股份有限公司