元件制造方法以及元件制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉以及用于制造有机半导体元件等元件的元件制造方法以及元件制造装置。
【背景技术】
[0002]为了防止杂质混入元件中，制造有机半导体元件或者无机半导体元件等元件的工序一般情况下在真空环境下实施。例如，作为用于在基材上形成阴极电极、阳极电极或者半导体层的方法，使用溅射法或者蒸镀法等在真空环境下实施的成膜技术。真空环境是通过使用真空栗等耗费规定的时间对元件制造装置的内部进行脱气而实现的。
[0003]但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外还实施各种工序。其中，以往也存在在大气压下实施的工序。另一方面，为了实现真空环境，如上所述需要规定的时间。因此，在元件的制造工序除了包含在真空环境下实施的成膜工序之外还包含在大气压下实施的工序的情况下，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。因此，期望在比大气压低压的环境下实施元件的各制造工序。由此，能够降低得到1个元件所需要的时间以及成本。
[0004]作为成膜工序以外的工序，能够列举出例如专利文献1所述的那样的去除位于辅助电极上的有机半导体层的去除工序。辅助电极是在设于有机半导体层上的电极为薄膜状的共用电极的情况下，为了对产生于共用电极的电压下降根据位置而不同的情况进行抑制而设置的。即，通过使共用电极与辅助电极在各种位置连接，能够降低共用电极中的电压下降。另一方面，由于有机半导体层一般情况下遍以及基材的整个区域而设置，因此为了将共用电极与辅助电极连接，需要实施去除辅助电极上的有机半导体层的上述的去除工序。
[0005]作为去除辅助电极上的有机半导体层的方法，公知有对有机半导体层照射激光等光的方法。在这种情况下，由于构成有机半导体层的有机半导体材料因磨蚀而飞散，因此优选为了防止因飞散的有机半导体材料造成的污染而通过某些部件覆盖基材。例如在专利文献1中，提案如下方法:首先，在真空环境下将对置基材叠合到基材上来构成叠合基材，接下来，在维持对置基材与基材之间的空间为真空氛围的状态下将叠合基材取出到大气中，此后，对有机半导体层照射激光。在这种情况下，能够基于真空氛围与大气之间的压差使对置基材与基材牢固地紧贴，由此，能够可靠地防止因飞散的有机半导体材料造成的污染。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特许第4340982号公报
【发明内容】
[0009]但是，对有机半导体层照射激光的工序一般情况下是对基材上的多个辅助电极上的有机半导体层的各个依次实施的。例如，使朝向基材引导激光的光学系统或者基材的任意一方相对于另一方移动，并且对辅助电极上的有机半导体层依次照射激光。因此，不仅可以防止有机半导体材料飞散，不需要通过对置基材在整个区域内覆盖基材，只要至少通过对置基材覆盖基材中的被激光照射的部分即可。另一方面，在如专利文献1中记载的发明那样利用真空氛围与大气之间的压差的情况下，基材在整个区域内被对置基材覆盖。这导致装置结构变得过于复杂。此外，在专利文献1中记载的发明中，对元件制造装置的内部进行脱气以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。
[0010]本发明是考虑这一点而完成的，其目的在于提供能够高效地覆盖基材中的被激光照射的部分的元件制造方法以及元件制造装置。
[0011]本发明是一种元件制造方法，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造方法包含:准备中间制品的工序，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；准备具有第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面的盖材并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧的工序；以及使用与所述盖材的所述第2面抵接的密封机构将所述盖材的所述第1面的一部分推抵于所述中间制品的一部分，使所述中间制品的一部分紧贴在所述盖材的所述第1面上的密封工序，所述密封机构具有隔开间隔排列的一对张挂部件，在所述密封工序中，所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分紧贴在所述中间制品的一部分上。
[0012]在本发明的元件制造方法中，可以是:所述密封机构的所述一对张挂部件包含一对辊，在所述密封工序中，所述盖材中的张挂于所述一对辊之间的部分紧贴在所述中间制品的一部分上。
[0013]本发明的元件制造方法可以还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分照射光。在这种情况下，可以是:在所述照射工序中，光透过所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分到达所述中间制品。此外，可以是:在所述照射工序中，从所述中间制品的所述基材侧朝向张挂于所述一对张挂部件之间的所述盖材照射光。
[0014]本发明的元件制造方法可以还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分照射光，在所述照射工序中，光被光学系统引导而透过所述盖材到达所述中间制品，其中，该光学系统相对于所述一对辊的旋转被固定。
[0015]在本发明的元件制造方法中，可以是:所述密封机构还具有设于所述一对张挂部件与所述盖材之间的中间膜，所述中间膜由具有比构成所述盖材的材料高的弹性系数的材料构成。
[0016]在本发明的元件制造方法中，可以是:所述盖材包含:第1膜和第2膜；以及密封部件，该密封部件夹在所述第1膜与所述第2膜之间而使所述第1膜与所述第2膜之间的空间相对于外部密封，在所述第1膜与所述第2膜之间的空间封入有气体，所述密封工序是在具有比大气压低的压力的环境下实施的。
[0017]在本发明的元件制造方法中，可以是:所述元件包含:所述基材、设于所述基材上的多个第1电极、设于所述第1电极之间的辅助电极以及所述突起部、设于所述第1电极上的有机半导体层以及设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上的第2电极，所述中间制品包含:所述基材、设于所述基材上的多个所述第1电极、设于所述第1电极之间的所述辅助电极以及所述突起部、以及设于所述第1电极上以及所述辅助电极上的所述有机半导体层，在所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分紧贴在所述中间制品的一部分上的期间，将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。
[0018]本发明是一种元件制造装置，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造装置包含:支承机构，其支承中间制品，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；盖材供给机构，其供给具有第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面的盖材以使得所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧；以及密封机构，其通过与所述盖材的所述第2面抵接来将所述盖材的所述第1面的一部分推抵于所述中间制品的一部分，使所述中间制品的一部分紧贴在所述盖材的所述第1面上，所述密封机构具有一对张挂部件，所述一对张挂部件以使得所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分紧贴在所述中间制品的一部分上的方式隔开间隔排列。
[0019]在本发明的元件制造装置中，可以是:所述密封机构的所述一对张挂部件包含一对辊，所述盖材中的张挂于所述一对辊之间的部分紧贴在所述中间制品的一部分上。
[0020]本发明的元件制造装置可以还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分照射光。在这种情况下，可以是:光透过所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分到达所述中间制品。此外，可以是:从所述中间制品的所述基材侧朝向张挂于所述一对张挂部件之间的所述盖材照射光。
[0021]本发明的元件制造装置可以还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的张挂于所述一对张挂部件之间的部分照射光，所述照射机构具有光学系统，该光学系统以使得光透过所述盖材到达所述中间制品的方式引导光，所述光学系统相对于所述一对辊的旋转被固定。
[0022]在本发明的元件制造装置中，可以是:所述密封机构还具有设于所述一对张挂部件与所述盖材之间的中间膜，所述中间膜由具有比构成所述盖材的材料高的弹性系数的材料构成。
[0023]根据本发明，能够使用简单的结构的装置高效地覆盖基材。
【附图说明】
[0024]图1是示出本发明的实施方式的有机半导体元件的纵剖视图。
[0025]图2A是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的一例的俯视图。
[0026]图2B是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的其他例子的俯视图。
[0027]图2C是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。
[0028]图2D是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。
[0029]图3是示出本发明的实施方式的元件制造装置的图。
[0030]图4的(a)?(g)是示出本发明的实施方式的元件制造方法的图。
[0031]图5是示出用于去除辅助电极上的有机半导体层的中间制品处理装置的图。
[0032]图6是示出通过使用图5所示的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的情形的图。
[0033]图7的(a)?(g)是示出在本发明的实施方式的变形例中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
[0034]图8的(a)、(b)是示出为了将蒸镀用材料蒸镀到基材上而利用中间制品处理装置的例子的图。
[0035]图9是示出中间制品处理装置的平台的一个变形例的图。
[0036]图10是示出盖材的一个变形例的图。
[0037]图11是示出通过图10所示的盖材覆盖中间制品的情形的图。
[0038]图12是示出密封机构具有中间膜的例子的图。
[0039]图13的(a)、(b)是示出在能够朝向中间制品移动的一对张挂部件上张挂有盖材的例子的图。
[0040]图14的(a)、(b)是示出光从基材侧朝向有机半导体层照射的例子的图。
【具体实施方式】
[0041]以下，参照图1至图6对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书中添加的附图中，为了便于图示以及理解的容易性，根据实物的比例尺以及纵横的尺寸比等适当变更并放大比例尺以及纵横的尺寸比等。
[0042]首先根据图1对本实施方式的有机半导体元件40的层结构进行说明。这里作为有机半导体元件40的一例，对顶部发光型的有机EL元件进行说明。
[0043]有机半导体元件
[0044]如图1所示，有机半导体元件40具备:基材41 ;多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上；以及第2电极46，其设于有机半导体层45上以及辅助电极43上。
[0045]有机半导体层45至少包含通过有机化合物中的电子与空穴的重新组合而发光的发光层。此外，有机半导体层45可以进一步包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层或者电子注入层等在有机EL元件中通常设置的各种层。作为有机半导体层的构成要素能够使用公知的构成要素，能够使用例如日本特开2011-9498号公报中记载的构成要素。
[0046]与各个有机半导体层45相对应地设置第1电极42。第1电极42还作为使产生在有机半导体层45上的光发生反射的反射电极而发挥功能。作为构成第1电极42的材料，能够列举出招、络、钛、铁、钴、镍、钼、铜、钽、妈、白金、金、银等金属元素的单质或者它们的
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