专利名称：阵列基板和液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
背景技术：
高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching ；简称AD_SDS) 通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。AD-SDS型阵列基板是上述液晶显示面板的重要部件。图1为现有技术中AD-SDS 型阵列基板的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，如图1和图2所示，该AD-SDS型阵列基板包括衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线12和数据线13，栅线12和数据线13 限定的像素区域内形成有第一电极14、第二电极15和薄膜晶体管16。其中，第一电极14 位于衬底基板11之上，第一电极14上形成有栅极绝缘层17和钝化层18，第二电极15位于第一电极14上方的钝化层18之上，并且第二电极15为设置有通孔19的平面结构，第一电极14为一平面结构，通孔19的形状为条状。其中，第一电极14为公共电极时，第二电极 15为像素电极；第一电极14为像素电极时，第二电极15为公共电极。现有技术中，由于AD-SDS型阵列基板中第一电极为一平面结构，因此第二电极和第一电极的重叠面积较大，这导致了 AD-SDS型阵列基板的存储电容增加，从而增大了液晶显示面板的充放电时间。
实用新型内容本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示面板，用以减少液晶显示面板的充放电时间。为实现上述目的，本实用新型提供一种阵列基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，所述第一电极上开设有结构孔。进一步地，所述结构孔位于所述第二电极的下方。进一步地，所述结构孔的宽度小于所述第二电极的宽度。进一步地，所述第二电极和所述第一电极重叠部分的宽度包括0. 2微米至2. 0微米。进一步地，所述结构孔的形状为条状。进一步地，所述第二电极为设置有通孔的平面结构。进一步地，该阵列基板还包括形成于所述第二电极之上的保护层，所述第一电极位于所述保护层之上。[0013]进一步地，所述保护层包括栅极绝缘层和/或钝化层。进一步地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。为实现上述目的，本实用新型还提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层。本实用新型具有以下有益效果本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板的技术方案中，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、 薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实用新型中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了 AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。
图1为现有技术中AD-SDS型阵列基板的结构示意图；图2为图1中A-A向剖视图；图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；图4为图3中B-B向剖视图；图5为本实用新型实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；图6为图5中C-C向剖视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，
以下结合附图对本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板进行详细描述。图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3中B-B 向剖视图，如图3和图4所示，该阵列基板包括衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线 12和数据线13，栅线12和数据线13限定的像素区域内形成有第一电极14、薄膜晶体管16 和与第一电极14形成多维电场的第二电极15，第一电极14上开设有结构孔20。本实施例中，优选地，结构孔20位于第二电极15的下方。其中，结构孔20的宽度小于第二电极15的宽度。本实施例中，第二电极15和第一电极14重叠部分的宽度d包括0.2微米至2.0 微米。本实施例中，结构孔20的形状为条状。在实际应用中，结构孔19的形状还可以采用其它任意形状，此处不再一一列举。为清楚表示出结构孔20的形状，图1中以虚线框的形式表示出一个位于衬底基板11之上保护层之下的结构孔。本实施例中，第二电极15为设置有通孔19的平面结构。其中，通孔19的形状为条状。本实施例中，该阵列基板还包括形成于第二电极15之上的保护层，此时，第一电极14位于保护层之上。具体地，保护层可包括栅极绝缘层17和钝化层18。其中，第一电极14位于衬底基板11之上，栅极绝缘层17位于第一电极14之上，钝化层18位于栅极绝缘层17之上，第二电极15位于钝化层18之上。 进一步地，形成于第二电极15之上的保护层还可包括栅极绝缘层17或钝化层18， 即位于像素区域内的保护层可包括栅极绝缘层17或钝化层18。当在形成第二电极15之前，将像素区域内位于栅极绝缘层17之上的钝化层18去除掉，而后再在栅极绝缘层17之上形成第二电极15，此时，保护层仅包括栅极绝缘层17 ；当在形成钝化层18之前，将像素区域内的栅极绝缘层17去除掉，而后再在像素区域内形成钝化层18以及在钝化层18上形成第二电极15，此时，保护层仅包括钝化层18。本实施例中，第二电极15通过位于薄膜晶体管16上方的过孔21与薄膜晶体管16 的漏极161连接，具体地，第二电极15填充于过孔21中，从而实现与薄膜晶体管16的漏极 161连接。则此时，第一电极14为公共电极，第二电极15为像素电极。本实施例提供的阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实施例中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了 AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。由于本实施例的技术方案可以减少液晶显示面板的充放电时间，因此本实施例可以适当减小薄膜晶体管的尺寸以实现提高液晶显示面板的开口率。图5为本实用新型实施例二提供的一种AD-SDS阵列基板的结构示意图，图6为图 5中C-C向剖视图，如图5和图6所示，本实施例中的阵列基板与上述实施例一的区别在于 本实施例中的第一电极14通过过孔21与薄膜晶体管16的漏极161连接，其中过孔21位于第一电极14之上。本实施例中可通过连接电极22将第一电极14和薄膜晶体管16的漏极161连接，具体地连接电极22填充于过孔21中，从而实现将第一电极14和薄膜晶体管 16的漏极161连接。则此时，第一电极14为像素电极，第二电极15为公共电极。本实用新型实施例三还提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层。其中，阵列基板可采用上述实施例一或实施例二中的阵列基板，此处不再具体描述。本实施例提供的液晶显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线， 栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实施例中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了 AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。由于本实施例的技术方案可以减少液晶显示面板的充放电时间，因此本实施例可以适当减小薄膜晶体管的尺寸以实现提高液晶显示面板的开口率。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，其特征在于，所述第一电极上开设有结构孔。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔位于所述第二电极的下方。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔的宽度小于所述第二电极的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极和所述第一电极重叠部分的宽度包括0. 2微米至2. 0微米。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔的形状为条状。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为设置有通孔的平面结构。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成于所述第二电极之上的保护层，所述第一电极位于所述保护层之上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括栅极绝缘层和/或钝化层。
9.根据权利要求1至8任一所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层；所述阵列基板采用上述权利要求1至9任一所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板和液晶显示面板。该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，所述第一电极上开设有结构孔。本实用新型中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。
文档编号G02F1/1362GK202159215SQ201120275768
公开日2012年3月7日 申请日期2011年8月1日 优先权日2011年8月1日
发明者李岩, 李文兵, 王强涛, 马新利 申请人:京东方科技集团股份有限公司