专利名称：引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，尤其涉及一种可有效避免钻刻的引线结构、液晶显示屏引线区结构和拥有该引线区结构的液晶显示屏。
背景技术：
液晶显示屏因其重量轻，厚度薄和功耗低等特点，被广泛的应用于电子产品中。与液晶显示屏显示区相连接，还设置有引线区。在引线区的玻璃基板上设置有栅极层，栅极绝缘结构，源极绝缘层和像素电极；源极绝缘层形成后，需要对其进行刻蚀，以形成过孔；刻蚀后，沉积像素电极；该像素电极与下层的栅极层连接，使显示信号可以通过栅极传输到显示区的薄膜晶体管上。在上述过程中，如图1所示，通过在刻蚀设备的腔体内吹入刻蚀气体对引线区进行刻蚀，在栅极绝缘层3底部，刻蚀气体沿栅极层5平行方向对栅极绝缘层3进行刻蚀。为提高刻蚀的均勻性，需要增加刻蚀时间，此时则会在栅极绝缘层3底部的过孔6中造成钻刻的情况，使栅极绝缘层3的底部坡度角增大。在像素电极沉积的过程中，像素电极沉积到过孔中，因所沉积的像素电极较薄，则在过孔处6像素电极1断裂，使像素电极1上的显示信号无法加载到栅极层5上，则显示信号无法传输到显示区的薄膜晶体管上，造成液晶显示器的线性不良，从而降低了液晶显示屏的良品率。
实用新型内容本实用新型的实施例提供了一种可有效避免钻刻的引线结构、液晶显示屏引线区结构和拥有该引线区结构的液晶显示屏。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极；所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。—种液晶显示屏引线区结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。本实用新型实施例提供的一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏， 通过在引线电极上沉积至少三层绝缘层，且最下方的绝缘层的致密性最大，即下层的绝缘层难以刻蚀，在增加刻蚀时间保证刻蚀均勻性和过孔坡度角平滑的情况下，避免最下层的引线绝缘层钻刻的发生，提高了引线结构和使用该种引线结构的液晶显示屏生产的良品率。
图1为背景技术中一种液晶显示屏引线区结构钻刻示意图；图2为本实用新型一种引线结构的示意图；图3为本实用新型一种液晶显示屏引线区的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型实施例一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏进行详细描述。一种引线结构，如图2所示，包括玻璃基板4 ；在该玻璃基板4上设置有引线电极 5 ；在该引线电极5上设置有绝缘结构3 ；在所述引线电极5上方的绝缘结构3上设置有过孔6 ；在该过孔6中和绝缘结构3表面设置有连接电极1，该连接电极1紧密覆盖过孔6中所露出的引线电极5;所述绝缘结构3设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。根据刻蚀的需要，可设置多层绝缘层结构3，所述绝缘结构3的整体厚度为固定值。在成膜的过程中，首先将玻璃基板4移动到第一喷溅设备的腔体中，斜置于腔体， 在该腔体另一侧，设置有靶材，通过该靶材形成引线电极5，所述引线电极5的材料为铝、 钨、铬、钽或钼中的一种。向腔体中通入惰性气体，例如氩气。此时，在腔体中玻璃基板4和靶材外侧加载高电压，使腔体中形成电场，并在玻璃基板4外侧加载磁场。在腔体中所加载的高电压作用下，氩气形成等离子体，并在电场的作用下使氩气的等离子体轰击靶材，将靶材轰击出靶材原子，并在磁场的作用下沉积于玻璃基板4上，形成引线电极5。将沉积引线电极5的玻璃基板4取出，并在该引线电极5上喷洒光刻胶；将玻璃基板4置入曝光设备中，进行曝光；曝光后，将该玻璃基板4放入显影液中进行显影，此时曝光部分的光刻胶在显影液的作用下溶解，在玻璃基板4上剩下光刻胶未曝光的部分。将玻璃基板4从显影液中取出，放置于湿法刻蚀设备中，对引线电极5进行刻蚀。 刻蚀完成后将玻璃基板4放入剥离液中，将残留的光刻胶剥离。为形成绝缘结构3，所述绝缘结构3的材料为氮化硅，在完成光刻胶的剥离后，将玻璃基板4放入第二喷溅设备的腔体中，此时玻璃基板4放置于腔体下部；将反应气体通入腔体中，如SiH3或SiH4气体和NH3气体的混合气体，当腔体中的压强达到一定值时，在玻璃基板4下侧和腔体上部加载电压；在腔体内的两极管上加载高频电压，使反应气体进行辉光放电，产生反应气体的等离子体，在电场的作用下沉积在玻璃基板4和引线电极5上，并排除反应后的气体。在第二喷溅设备的腔体内，为形成至少三层绝缘层，会进行三次沉积，三次沉积中，两极管上所加的电压各不相同，从而使反应气体的放电功率不同，即最下层的第一绝缘层32沉积时，两极管上加载的电压最低，气体放电功率最小，沉积缓慢进行，使第一绝缘层32的致密性最大；在沉积中间的第二绝缘层31时，两极管上所加载的电压高于沉积第一绝缘层32的电压，气体放电功率增大，沉积速度加快，使第二绝缘层31的致密性低于第一绝缘层32 ；在沉积最上层的第三绝缘层30时，两极管上所加载的电压高于沉积第二绝缘层31的电压，气体放电功率再次增大，沉积速度再次加快，使第三绝缘层30的致密性低于第二绝缘层31。此时，绝缘结构3上喷洒光刻胶7，并在曝光机中对光刻胶7进行曝光处理，在显影液中将光刻胶7的曝光部分溶解。为形成过孔6将玻璃基板4及上方结构放入刻蚀设备内，向该设备中通入刻蚀气体，对绝缘结构3进行刻蚀。其中当刻蚀到绝缘结构3后，最上层的绝缘层30的致密性较低，刻蚀较容易，而最下层的绝缘层32的致密性较高，较难刻蚀，为使引线电极5完成露出， 提高刻蚀的均勻性，会增加刻蚀时间。因为绝缘结构3设置有多层绝缘层，且最下层绝缘层的致密性最大，即在对绝缘结构3进行刻蚀时，上层的第三绝缘层30和第二绝缘层31较容易刻蚀，下方的绝缘层较难刻蚀，避免了所有绝缘层的致密性都比较高，从而提高了刻蚀的效率；另一方面，与引线电极5相接触的第一绝缘层32的致密性较大，在保证刻蚀的均勻性的前提下增加刻蚀时间时，避免因钻刻而使第一绝缘层32底部的坡度角过大，从而避免在沉积连接电极5时因绝缘层的坡度角过大而使连接电极5断裂。过孔6形成后，将绝缘结构3上的光刻胶剥离，并沉积连接电极1，完成引线结构的形成。所述连接电极1的材料为铟锡氧化物。与所述一种引线结构相对应，本实用新型还提供了一种液晶显示屏引线区结构。一种液晶显示屏引线区结构，如图3所示，包括玻璃基板4 ；在该玻璃基板4上设置有栅极层10 ；在该栅极层10上设置有栅极绝缘结构9 ；在该栅极绝缘结构9上设置有源极绝缘层8 ；在所述栅极层5上方的源极绝缘层8和栅极绝缘结构3上设置有过孔6 ；在该过孔6中和源极绝缘层8表面设置有像素电极7，该像素电极7紧密覆盖过孔6中所露出的栅极层5 ；所述栅极绝缘结构3设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。所述栅极层10与如图1所示的引线结构中的引线电极5作用相同；所述栅极绝缘结构9与如图1所示的引线结构中的绝缘结构3作用相同；所述像素电极7与如图1所示的引线结构中的连接电极1作用相同。所述源极绝缘层8的材料为氮化硅，该源极绝缘层8的致密度小于栅极绝缘层的致密度。在玻璃基板上已沉积栅极层10和栅极绝缘结构9后，将在所述包含三层栅极绝缘层的栅极绝缘结构9上方，沉积源极绝缘层8 ；在该源极绝缘层8沉积完成后，对源极绝缘层8和栅极绝缘结构9进行刻蚀，形成过孔6 ；将像素电极7沉积于源极绝缘层8表面和过孔6中，并使像素电极7紧密覆盖过孔6以及过孔6中的栅极层10上。与上述一种液晶显示屏引线区结构相对应，本实用新型还提供了一种液晶显示屏。[0032]一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。本实用新型实施例提供的一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏， 通过在引线电极上沉积至少三层绝缘层，且最下方的绝缘层的致密性最大，即下层的绝缘层难以刻蚀，在增加刻蚀时间保证刻蚀均勻性和过孔坡度角平滑的情况下，避免最下层的引线绝缘层钻刻的发生，提高了引线结构和使用该种引线结构的液晶显示屏生产的良品率。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极，其特征在于，所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
2.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述绝缘结构的整体厚度为固定值。
3.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述引线电极的材料为铝、钨、铬、钽或钼中的一种。
4.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述绝缘结构的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述连接电极的材料为铟锡氧化物。
6.一种液晶显示屏引线区结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层，其特征在于，所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
7.根据权利要求6所述的液晶显示屏引线区结构，其特征在于，所述源极绝缘层的材料为氮化硅。
8.一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层，其特征在于，所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
专利摘要本实用新型公开了一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，为解决现有技术中，在刻蚀形成过孔的过程中，因钻刻而造成栅极绝缘层的底部坡度角过大，使栅极层上的像素电极断裂，从而无法将显示信号加载到显示区上，降低了液晶显示屏的良品率的问题而设计。一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极；所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
文档编号G02F1/1345GK202189209SQ20112033159
公开日2012年4月11日 申请日期2011年9月5日 优先权日2011年9月5日
发明者李淳东, 李炳天, 蒋冬华 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司