专利名称：一种接触式掩膜版的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体光刻工艺设备，尤其涉及一种具有较长使用寿命、耐磨损的接触式掩膜版器件。
背景技术：
在目前半导体器件生产过程中，有一部分光刻工艺使用的是接触式曝光法，此种曝光方式需要掩膜版和硅片直接接触。如图1和图2所示，在正常工作时，需要将硅片2放置在掩膜版1之上，通过移动硅片2来对准。只有当对准完成后方可进行曝光。但在对准过程中，硅片表面很容易导致掩膜版被划伤损坏，在重复利用少数几次后便需要更换掩膜版， 这样造成曝光光刻成本升高，同时由于无法及时检查出划伤，也会进一步影响产品的质量。
发明内容鉴于上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的是提出一种接触式掩膜版，解决接触式曝光对掩膜版的损伤从而导致成本增加以及对产品质量的影响问题。本实用新型的上述目的，其实现方式是一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特征在于所述掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。实施本实用新型的技术方案，其优点在于相对使用普通掩膜版可以有效延长掩膜版使用寿命十倍以上，且成本增加少于三分之一。
图1是俯视情况下硅片与掩膜版的叠合示意图；图2是现有技术采用普通掩膜版进行曝光工艺的侧视示意图；图3是采用本实用新型接触式掩膜版进行曝光工艺的侧视示意图。
具体实施方式
以下便结合实施例附图，对本实用新型的具体实施方式
作进一步的详述，以使本实用新型技术方案更易于理解、掌握。本实用新型为了解决接触式曝光时硅片对掩膜版的损伤从而导致成本增加以及对产品曝光质量的影响问题，通过对已经制成的掩膜版贴上一层PET为原材的保护膜或者气相沉积一层金刚石(Diamond coating)的方式，镀上一层透光性以及硬度极高的保护膜， 从而延长掩膜版寿命。为达到上述目的及效果，具体来看如图3所示，本实用新型技术方案为在普通掩膜版1上与硅片2相对的一面设置透光性的硬膜涂层3。该硬膜涂层需要满足两个性能要求，其一即为其透光性应满足不影响曝光光刻效果，其二即为其硬质强度需满足相对硅片粗糙表面的耐磨性，不容易被硅片划伤。通过以上技术改进，掩膜版很好地得到了硬膜涂层的保护，相对使用普通掩膜版可以有效延长其使用寿命十倍以上，且成本增加少于三分之一。
权利要求1. 一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特征在于 所述掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。
专利摘要本实用新型揭示了一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特别之处为该掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。该硬膜涂层的厚度没有特定限制，仅作透光性及耐磨损性两方面要求。实施本实用新型的技术方案，其优点在于相对使用普通掩膜版可以有效延长掩膜版使用寿命十倍以上，且成本增加少于三分之一。
文档编号G03F1/48GK202230297SQ20112034132
公开日2012年5月23日 申请日期2011年9月13日 优先权日2011年9月13日
发明者刘勇, 刘明, 南京, 罗强 申请人:康可电子(无锡)有限公司