专利名称：像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器制造技术领域，尤其涉及一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。
背景技术：
如图1-图3所示，TFT产品的制作过程中，在像素ITO薄膜01完成之后，需要先利用化学气相沉积设备，在所述像素ITO薄膜01表面形成钝化层02 ;再利用干法刻蚀在所述钝化层02内形成过孔03 ;最后在所述钝化层02表面形成顶层IT004 ;其中，所述顶层IT004与所述像素ITO薄膜01电连接。但是，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02的内的过孔03处形成底切，又称逆角或倒角，造成顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种液晶显示器及其像素电极上钝化层的制作方法，以解决由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案:一种像素电极上钝化层的制作方法，包括:在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。优选的，第一功率为第二功率的50%。优选的，第一流量为第二流量的20%_40%，包括端点值。优选的，所述第一厚度为第二厚度的10%_15%，包括端点值。优选的，所述第一厚度的范围为丨00人-200人，包括端点值。 优选的，所述钝化层为氮化硅层。优选的，所述钝化层制作过程中的工艺气体包括SiH4和NH3。一种液晶显示器的制作方法，包括:采用上述任一项制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。一种上述制作方法制作的液晶显示器。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本发明实施例所提供的技术方案，采用先在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；再在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层的方法，来完成像素电极表面钝化层的制作，其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。由于第一厚度的钝化层制作过程中的功率和气体流量较小，其H+自由基的浓度较低，对像素电极中氧的俘获能力较弱，从而使得所述第一厚度的钝化层的制作过程中H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且第一厚度的钝化层阻断了后续第二厚度的钝化层制作过程中H+自由基与像素电极的接触，+使得第二厚度的钝化层制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层也较为致密，进而使得在所述钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-3为现有技术中TFT产品制作工艺里，像素电极上钝化层的制作方法的剖面结构示意图；图4-6为本发明实施例所提供的液晶显示器的制作方法的剖面结构示意图。
具体实施例方式正如背景技术部分所述，如图3所示，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02内的过孔03处形成底切，造成顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。发明人研究发现，这主要是由于在形成钝化层02的过程中，需要工艺气体SiH4、NH3在高频RF电源的作用下电离，从而产生浓度非常高的H+自由基，而高浓度的H+自由基又可俘获像素ITO薄膜01中的氧，从而使得H+减少，导致刚开始形成的氮化硅钝化层02非常疏松，进而导致在利用干法刻蚀在所述钝化层02内形成过孔03的过程中，钝化层02底部的刻蚀速率加快，大于所述钝化层02中部的刻蚀速率，形成底切，使得在所述钝化层02表面形成顶层IT004后，顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。基于上述研究的基础上，本发明实施例提供了一种像素电极上钝化层的制作方法，该方法包括以下步骤:在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。本发明还提供了一种液晶显示器及其制作方法，其中，所述液晶显示器的制作方法包括:采用上述制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。本发明实施例所提供的技术方案，采用两步法，即先在较低的第一功率下，利用较低的第一流量的工艺气体，在所述像素电极表面形成较薄的第一厚度的钝化层，然后再使用较高的第二功率和较高的第二流量的工艺气体，即现有技术中的常用工艺，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层的方法，来完成所述像素电极表面钝化层的制作。由于第一厚度的钝化层制作过程中的功率和气体流量较小，其H+自由基的浓度较低，对像素电极中氧的俘获能力较弱，从而使得所述第一厚度的钝化层的制作过程H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且第一厚度的钝化层阻断了后续第二厚度的钝化层制作过程中H+自由基与像素电极的接触，使得第二厚度的钝化层制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层也较为致密，进而使得在所述钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高了 TFT产品的良率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。下面结合图4-图6对本发明实施例所提供的像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法进行详细描述。实施例一:如图4所示，本发明实施例所提供的像素电极上钝化层的制作方法，包括:在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极11表面形成第一厚度的钝化层12 ;在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层12表面形成第二厚度的钝化层13 ;其中,所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
在本发明的一个实施例中，所述钝化层为氮化硅层，其制作过程中的工艺气体包括SiH4和NH3。下面本发明实施例以所述钝化层为氮化硅层为例，对本发明实施例所提供的制作方法进行介绍，但本发明所提供的制作方法并不仅限于此。优选的，在本发明的一个实施例中，相较于传统TFT产品工艺中像素电极上钝化层的制作方法，本发明实施例所提供的制作方法中，所述第一功率约为第二功率的50%，包括50% ;所述第一流量为第二流量的20%-40%，包括端点值；所述第一厚度为第二厚度的10%-15%，包括端点值。更优选的，在本发明的一个具体实施例中，所述第一厚度的范围为100人-200人，包括端点值。需要说明的是，本发明实施例所提供的制作方法中，第一厚度的钝化层12和第二厚度的钝化层13制作过程中的具体工艺参数，视具体的沉积设备而定，本发明对此并不做限定。由于利用低功率、低流量的工艺气体制作钝化层的过程中，H+自由基对像素电极中氧的俘获能力较弱，因此，本发明实施例所提供的制作方法采用两步法，即先使用较低的第一功率和较低第一流量的工艺气体，在所述像素电极11表面形成较薄的第一厚度的钝化层12，然后再使用较高的第二功率和较高的第二流量的工艺气体，即利用现有技术中的常用工艺，在所述第一厚度的钝化层12表面形成剩余厚度，即第二厚度的钝化层13的方法，来完成所述像素电极表面11钝化层的制作，从而使得所述第一厚度的钝化层12的制作过程中，H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且制作完成后的第一厚度的钝化层12阻断了后续第二厚度的钝化层13制作过程中，H+自由基与像素电极11的接触，使得第二厚度的钝化层13制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层13也较为致密，解决了现有技术中由于高浓度的H+自由基俘获像素ITO薄膜中的氧，导致刚开始形成的底部钝化层非常疏松，与顶部钝化层致密性不一致的问题。而且，本发明实施例所提供的制作方法中，所述钝化层的整体厚度，即第一厚度与第二厚度之和，与现有技术中制作的钝化层的厚度相同，且第一厚度的钝化层12和第二厚度的钝化层13可以实现连续制作，从而不会影响到所述钝化层的制作时间，进而既对后续制程没有影响，又不会增加生产成本。本发明实施例还提供了一种液晶显示器的制作方法，包括:如图4所示，采用上述制作方法，在像素电极11表面依次形成第一厚度的钝化层12和第二厚度的钝化层13 ；如图5所示，在所述钝化层内形成过孔14，所述过孔14完全贯穿所述第一厚度的钝化层12和第二厚度的钝化层13 ；如图6所示，在具有过孔14的钝化层表面形成顶层电极15。此外，本发明实施例还提供了一种利用上述液晶显示器的制作方法制作的液晶显示器。由于本发明实施例所提供的液晶显示器的制作方法中，所述第一厚度的钝化层12和第二厚度的钝化层13均较为致密，解决了现有技术中由于高浓度的H+自由基俘获像素ITO薄膜中的氧，导致刚开始形成的钝化层非常疏松的问题，从而使得在所述钝化层内形成过孔13的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极15与像素电极11之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高了 TFT产品的良率。
而且，由于本发明实施例所提供制作方法里，所述第一厚度的钝化层12的制作过程中，功率较小，且工艺气体的流量较小，使得H+自由基对像素电极11的侵蚀作用较小，从而改善了所述顶层电极15与像素电极11之间的接触界面，进而改善了所述顶层电极15与像素电极11之间的接触电阻。本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种像素电极上钝化层的制作方法，其特征在于，包括: 在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层； 在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层； 其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第一功率为第二功率的50%。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，第一流量为第二流量的20%-40%，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度为第二厚度的10%-15%，包括端点值。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度的范围为丨00A-200A，包括端点值。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅层。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层制作过程中的工艺气体包括SiH4和NH30
8.一种液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括: 采用权利要求1-7任一项所述的制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层； 在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层； 在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。
9.一种采用权利要求8所述制作方法制作的液晶显示器。
全文摘要
本发明实施例公开了一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。所述像素电极上钝化层的制作方法包括在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，第一功率小于第二功率；第一流量小于第二流量；第一厚度小于第二厚度，从而使得第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层均较为致密，进而使得在钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。
文档编号G02F1/136GK103117249SQ201310035128
公开日2013年5月22日 申请日期2013年1月29日 优先权日2013年1月29日
发明者阮文中, 陈建荣, 任思雨, 于春崎, 胡君文, 何基强 申请人:信利半导体有限公司