用于电子束、深uv和极uv光刻胶的具有有机共配体的金属过氧化合物的制作方法

用于电子束、深uv和极uv光刻胶的具有有机共配体的金属过氧化合物的制作方法
【专利摘要】公开了一种具有式(3)结构的组合物：[C']k[Ta(O2)x(L')y](3)，其中，x为1至4的整数，y为1至4的整数，Ta(O2)x(L')y具有0至-3的电荷，C'为具有+1至+3的电荷的反离子，k为0至3的整数，L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组的供电子官能团。该组合物具有作为高分辨率光刻胶的用途。
【专利说明】用于电子束、深UV和极UV光刻胶的具有有机共配体的金属 过氧化合物

【技术领域】
[0001] 本发明总体涉及光刻图案化方法和半导体制造的领域。更具体地，本发明涉及与 过氧和有机官能团配位的无机材料在光刻光刻胶工艺中的使用。本发明还涉及金属氧化物 的光刻图案化。

【背景技术】
[0002] 极紫外线（EUV)光刻法的实施迫使必须开发出能够以低于16nm的空间分辨率进 行的相容性光刻胶。目前，正在设法使传统的化学放大型（CA)光刻胶满足下一代装置所 需的分辨率、感光速度和特征粗糙度（被称为线边缘粗糙度或LER)的规格（Anderson，C. N. ;Baclea_An，L _Μ· ；Denham, P. ；George, S. ；Goldberg, K. A. ； Jones, M. S. ；Smith, S. S.； Wallow，T.I. ;Montgomery，M.W· ;Naulleau，P.，Proc.SPIE 7969,79690R(2011))?由于出 现在这些聚合物光刻胶中的酸催化反应而造成的固有的图像模糊限制了小特征尺寸的分 辨率，对于电子束（e_束）光刻法，这已经是多年来已知的事实。尽管CA光刻胶被设计用 于高敏感度，但它们在EUV曝光下会劣化，这部分是因为它们典型的元素组成（主要为C，还 有少量的〇、F、S)使光刻胶在13. 5nm的波长下太过通透，因此降低敏感度。CA光刻胶还遭 受在小特征尺寸下的粗糙度问题，并且实验已经表明当感光速度降低时LER增加，这部分 是因为酸催化工艺的特性。由于CA光刻胶的缺点和问题，在半导体工业中就需要开发新型 的高性能光刻胶。无机光刻胶有望成为这种高性能光刻胶。
[0003] 先前，已经报道了将基于钨以及与铌、钛和/或钽混合的钨的过氧多元 酸的无机光刻胶用作用于图案化的辐射敏感材料（Kudo et. al，US5061599, 1991 ; H. Okamoto, Τ. Iwayanagi, Κ. Mochi ji, H. Umezaki, T. Kudo, Applied Physics LetterS，49(5)，298-300, 1986)。这些材料在用深UV、x射线和电子束辐射源来图案化双 层配置的大特征时是有效的。近来，通过投射EUV曝光使用具有过氧配位剂的阳离子铪金 属氧硫酸盐（HfSOx)材料来成像15-nm半节距（HP)显示出令人印象深刻的性能（Keszler et al, US20110045406, 2011 and J. K. Stowers, A. Telecky, M. Kocsis, B. L. Clark, D. A. Keszler, A. Grenville, C. N. Anderson, P. P. Naulleau, Proc. SPIE, 7969, 796915, 2011) 〇 该体系证明了非CA光刻胶的最佳性能并且该系统具有接近可行的EUV光刻胶需要的感光 速度。
[0004] 具有过氧配位剂的铪金属氧硫酸盐材料具有几个实际的缺陷。首先，该材料排除 了高度腐蚀性的硫酸/过氧化氢混合物，因此其显示出具有储藏寿命稳定性的显著问题。 第二，这些材料难以被表征，配合物混合物没有明确的途径去改性其结构以提高性能。第 三，它们必须在高达25重量百分比（wt% )的超高浓度四甲基氢氧化铵（TMAH)溶液中形 成。这表示显然会存在毒理学问题。最后，尽管仍在开发，但并不清楚这些类别的材料最终 是否能够完全满足EUV所需的在例如敏感度和线边缘粗糙度方面的性能要求。
[0005] 因此，需要具有用于EUV光刻的更合意的性能的无机化合物，这些性能包括但不 限于在合适的浇铸溶剂中的溶解度、在合适的显影液中的溶解度、对EUV的高敏感度以及 与膜形成和/或曝光后的热处理的相容性。


【发明内容】

[0006] 因此，公开了式（3)的物质组合物：
[0007] [C，]k[Ta(02)x(L，） y] (3)，
[0008] 其中，
[0009] X为1至4的整数，
[0010] y为1至4的整数，
[0011] 1&(02)!￡0；\具有0至-3的电荷，
[0012] C'为具有+1至+3的电荷的反离子，
[0013] k为0至3的整数，
[0014] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且
[0015] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团。
[0016] 还公开的是一种包含上述组合物的光刻胶组合物，其中，该光刻胶组合物适用于 电子束光刻法、X射线光刻法和/或利用具有在l〇nm和400nm之间的波长的紫外线辐射源 的光刻法。
[0017] 还公开的是一种光刻胶组合物，其包含：
[0018] 溶剂；和
[0019] 具有根据式（1)的结构的过氧配合物：
[0020] [C，]k[M，w(02) x(L，）y0u] (1)，
[0021] 其中，
[0022] w 为 1 或 2，
[0023] X为1至4的整数，
[0024] y为1至4的整数，
[0025] u 为 0 或 1，
[0026] M' w (02) x (L'）yOu 具有 0 至-3 的电荷，
[0027] C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子，
[0028] k为0至3的整数，
[0029] M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构 成的组的金属离子，
[0030] M'具有+1至+6的氧化态，
[0031] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且
[0032] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团。
[0033] 公开了一种方法，所述方法包括：
[0034] i)提供光刻胶组合物，其包含：
[0035] 溶剂；以及
[0036] 具有根据式（1)的结构的过氧配合物：
[0037] [C，]k[M，w(02) x(L，）y0u] (1)，
[0038] 其中，
[0039] w 为 1 或 2，
[0040] X为1至4的整数，
[0041] y为1至4的整数，
[0042] u 为 0 或 1，
[0043] M' w (02) x (L'）y0u 具有 0 至-3 的电荷，
[0044] C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子，
[0045] k为0至3的整数，
[0046] M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构 成的组的金属离子，
[0047] M'具有+1至+6的氧化态，
[0048] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且
[0049] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团；
[0050] ii)将所述光刻胶组合物设置在基板的表面上并去除所述溶剂，从而形成设置在 基板上的光刻胶层；
[0051] iii)使所述光刻胶层对选自由电子束、X-射线和紫外线（UV)辐射构成的组的辐 射成像曝光；以及
[0052] iv)在水性和/或有机显影剂中使曝光过的光刻胶层显影，从而形成包括设置在 基板上的图案化的光刻胶层的分层结构，图案化的光刻胶层包括包含曝光过的光刻胶的形 貌特征。
[0053] 还公开了一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：
[0054] 金属盐，其包含选自由钛（IV)、铌（V)和钽（V)构成的组的金属离子；
[0055] 有机羧酸，相对于所述金属离子的摩尔数，为0. 5至3. 0摩尔当量；
[0056] 过氧化氢，相对于所述金属离子的摩尔数，为1.0至10. 0摩尔当量；以及
[0057] 溶剂。
[0058] 本领域技术人员从下文的详细说明、附图和所附权利要求书中会领会和理解本发 明的上述和其他特征和优势。

【专利附图】

【附图说明】
[0059] 图1A至图1E为显示形成多层结构的方法的层示意图，所述多层结构包括包含曝 光过的光刻胶组合物的形貌图案化的层。使用所公开的过氧配合物来制备所述光刻胶组合 物。
[0060] 图2为多层结构的层示意图，所述多层结构包括形貌图案化的层，所述形貌图案 化的层包含设置在两层基板上的曝光过的光刻胶组合物。使用公开的过氧配合物制备所述 光刻胶组合物。
[0061] 图3为显示一系列对比度曲线（以埃为单位的厚度作为以mj/cm2为单位的剂量 的函数）的图，这些曲线是使用在示例1中制备的光刻胶组合物给予不同的施加后烘焙 (PAB) 193nm曝光而获得的。每个膜进行100°C的曝光后烘焙（PEB)60秒并在水中显影30 秒。所得负性图案包括曝光过的光刻胶。
[0062] 图4为显示使用13. 5nm下的EUV曝光和以下处理条件获得的对比度曲线的图，所 述处理条件为：使用在示例1中制备的光刻胶组合物，130°C下PAB和PEB 60秒，以及30秒 水显影。
[0063] 图5为使用示例1制备的光刻胶组合物和以下曝光/处理条件获得的线性图案的 扫描电子显微镜（SEM)图像，所述曝光/处理条件为：193nm下曝光（150mJ/cm 2)，145°C下 PAB和PEB 60秒，以及水显影30秒。
[0064] 图6为显示一系列对比度曲线（以埃为单位的厚度作为以mj/cm2为单位的剂量 的函数）的图，这些曲线是使用在示例2中制备的光刻胶组合物在13. 5nm下EUV曝光和以 下处理条件下获得的，所述处理条件为：150°C下PAB 300秒，在PAB之后进行20秒水冲洗， 在150°C下PEB 60秒，以及在0. 26N TMAH中显影60秒。
[0065] 图7A至图7C为使用在示例2中制备的光刻胶组合物和以下曝光/处理条件获得 的l8nm半节距（HP)(图7A)、l9nm HP (图7B)和2〇nm HP (图7C)线性图案的SEM图像，所 述曝光/处理条件为：EUV曝光（13. 5nm，37. 8mJ/cm2)，在150°C下PAB 300秒，在PAB之后 进行20秒水冲洗，在150°C下PEB 60秒，以及在0. 26N TMAH中显影60秒。
[0066] 图8为在193nm下使用干涉光刻（10. lmj/cm2)和以下处理条件用示例2的光刻 胶组合物获得的50nm HP线性图案的SEM图像，所述处理条件为：在150°C下PAB 300秒， 在150°C下PEB 60秒，以及在0. 26N TMAH中显影60秒。
[0067] 图9A至图9C分别为使用193nm(18mJ/cm2)光刻法和以下处理条件用示例2的 光刻胶组合物获得的130nm线间距（L/S)图案（S卩，L/S是指线和间距具有相同的宽度）、 140nm L/S和150nm L/S的SEM图像，所述处理条件为：在150°C下PAB 300秒，在150°C下 PEB 60秒，以及在0· 26N TMAH中显影60秒。
[0068] 图10A至图10B分别为使用电子束（e-束）光刻法和以下条件用示例2的光刻胶 组合物获得的30nm HP和40nm HP的线性图案的SEM图像，所述条件为：曝光1500微库仑 /cm2,150°C下 PAB 300 秒，150°C下 PEB 60 秒，以及在 0· 26N TMAH 中显影 60 秒。
[0069] 图11为示例2中的化合物的漫反射FTIR(在KBr中）光谱。
[0070] 图12为显示使用EUV曝光13. 5nm和以下处理条件用示例3的光刻胶组合物获得 的对比度曲线（以埃为单位的厚度作为以mj/cm2为单位的剂量的函数）的图，所述处理条 件为：在120°C下PAB 60秒，在120°C下PEB 60秒，以及在水中显影30秒。
[0071] 图13为显示使用EUV曝光13. 5nm和以下处理条件用示例4的光刻胶组合物获得 的对比度曲线（以埃为单位的厚度作为以mj/cm2为单位的剂量的函数）的图，所述处理条 件为：在160°C下PAB 60秒，在160°C下PEB 60秒，以及在水中显影30秒。
[0072] 图14为使用在193nm下的干涉光刻法（4. OmJ/cm2)和以下处理条件用示例5的光 刻胶组合物获得的50nm半节距线性图案的SEM，所述处理条件为：在150°C下PAB 300秒， 在150°C下PEB 60秒，以及在0. 26N TMAH中显影60秒。

【具体实施方式】
[0073] 本发明是基于这样的发现，S卩，包含有机共配体的金属过氧配合物具有光刻工艺 所需的优良性能。包含过氧配合物的光刻胶组合物能从水性溶液被流延成为高质量的膜以 形成薄的均勻的光刻胶层。可以使用电子束、X射线和/或波长范围在400nm至10nm、200nm 至20nm，优选121nm至5nm (极紫外线（EUV)波长）内的紫外线福射来进行光刻胶层的成像 曝光。在实施方式中，使用13. 5nm的波长的EUV进行曝光。光刻胶层的曝光区域在显影剂 中变得比非曝光区域（即，光刻胶层是负性工作的）更不易溶解。曝光过的光刻胶层的显 影可以使用标准的水溶性碱性显影剂（例如，0.26N四甲基氢氧化铵（TMAH)溶液）或仅用 水来进行。得到的凹凸图案包含由曝光的光刻胶构成的特征。该凹凸图像可通过已知技术 转移至下层基板。
[0074] 所述金属过氧配合物包含比基于碳和硅的聚合物更易吸收EUV的元素，例如 Ta(B. L. Henke, E. M. Gullikson, and J. C. Davis. Atomic Data and Nuclear Data Tables Vol. 54, 181-342(1993))。有机共配体能够调节性能参数（例如，敏感度和分辨率）和处理 参数（例如，稳定性、成膜性、沉积和显影条件）。例如，由于[NH 4]3[Ta(02)4]易于结晶，因此 难以从溶液流延成为薄膜。加入1当量作为共配体的草酸就产生能从水溶液流延的材料。
[0075] 所述过氧配合物包含：具有1至6价的金属离子M'，具有2价的过氧配体（(V2,在 本文中在下面的式中写作〇 2)，具有2价的任选的氧化配体（(V2,在本文中在下面的式中写 作〇)，以及至少一个具有〇至-4的电荷和0至6价的有机配体L'。
[0076] 在实施方式中，所述过氧配合物具有根据式（1)的结构：
[0077] [C，]k[M，w(02) x(L，）y0u] (1)，
[0078] 其中，
[0079] w 为 1 或 2，
[0080] X为1至4的整数，
[0081] y为1至4的整数，
[0082] u 为 0 或 1，
[0083] [M' w (02) x (L'）y0u]具有 0 至-3 的电荷，
[0084] C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子，
[0085] k为0至3的整数，
[0086] M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构 成的组的金属离子，
[0087] M'具有+1至+6的氧化态，
[0088] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，以及
[0089] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团。这里，羧化物包含RCCV官能团而醇化物包含RCT官能团，其中，R包含至 少一个碳。胺包括伯胺、仲胺和/或叔胺。
[0090] 包含羧化物离子和/或醇化物离子的有机配体的非限制性实例包括：乳酸、乙醇 酸、柠檬酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、吡啶-2-羧酸、吡嗪-2-羧酸、吡啶-2,6-二羧酸、亚氨 基二乙酸、乙二胺二乙酸、氮三乙酸、喹啉醇的去质子形式以及其组合。
[0091] 包含胺的有机配体的非限制性实例包括：上述胺、苯胺、吡啶、二吡啶、乙二胺、氨 基吡啶、邻二氮杂菲及其组合。
[0092] 包含氧化胺的有机配体的非限制性实例包括：N-氧化吡啶、甲基吡啶-N-氧化物 及其组合。
[0093] 膦有机配体的非限制性实例为三苯基膦。
[0094] 氧化膦有机配体的非限制性实例为三苯基氧膦。
[0095] 氧化胂有机配体的非限制性实例为三苯基氧胂。
[0096] 所述过氧配合物的结晶形式可可选地进一步包含1至10个水合的水分子。
[0097] 式（1)的非限制性过氧配合物包括：[NH4]4[Ta2(02) 2(C3H403)40]、 [NH4]4[Ta2(02)2(C 2H203)40]和[NH4] 4[Nb2(02)2(C3H 403)40]。所述过氧配合物可以组合使用。 没有显示在不同配体和反离子上的电荷。
[0098] 更具体的过氧配合物包括一个金属中心并具有式（2)的结构：
[0099] [C']k[M，（02)x(L'） y] (2)，
[0100] 其中，
[0101] X为1至4的整数，
[0102] y为1至4的整数，
[0103] [M'（02) x (L'）y]具有 0 至-3 的电荷，
[0104] C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子，
[0105] k为0至3的整数，
[0106] M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构 成的组的金属离子，
[0107] M'具有+1至+6的氧化态，
[0108] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，以及
[0109] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团。
[0110] 在一个实施方式中，式⑵中的M'为钽（V) (+5氧化态的钽），C'为铵（NH4+，在式 中也写成不带电荷的NH4)，以及L'选自由草酸根（C 2(V2,两个酸基均为去质子化的，在式中 也写成c2o4)、丙二酸根（c 3h2o,，两个酸基均为去质子化的，在式中也写成c3h2o 4)、苹果酸 根（c4H3(V3,两个酸基和羟基均为去质子化的，在式中也写成c 4h3o5)、乳酸根（c3H4(V 2,两个 酸基均为去质子化的，在式中也写成C3H403)、乙醇酸根（C 2H2(V2,酸基和羟基为去质子化的， 在式中也写成c2H 2o3)以及其组合构成的组。
[0111] 更加具体的过氧配合物具有式（3)的结构：
[0112] [C，]k[Ta(02)x(L，） y] (3)，
[0113] 其中，
[0114] X为1至4的整数，
[0115] y为1至4的整数，
[0116] [Ta(02)x(L'）y]具有 0 至-3 的电荷，
[0117] C'为具有+1至+3的电荷的反离子，
[0118] k为0至3的整数，
[0119] L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，以及
[0120] L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组 的供电子官能团。在一个实施方式中，X为3，y为1，以及k为3。在另一个实施方式中，L' 包含选自由羧化物和/或醇化物构成的组的官能团。在另一个实施方式中，L'为选自由草 酸根（c2(V 2)、乳酸根（c3H4(V2)、乙醇酸根（c2H 2(V2)及其组合构成的组的二价阴离子。在另 一个实施方式中，C'为铵（nh4+)。
[0121] 式⑵和/或式（3)的过氧配合物的非限制性实例包括：[NH4]3[Ta(0 2)3(C204)]和 [Ti(02) 2(C204)]。所述过氧配合物可以组合使用。未显示在不同配体和反离子上的电荷。
[0122] 图1A至图1E的层示意图显示了利用包含至少一种过氧配合物和溶剂的光刻胶组 合物形成光刻图案化的层状结构的方法。将光刻胶组合物设置在基板10的表面12上（图 1A)，接着去除溶剂以形成结构20的光刻胶层22 (图1B)。在曝光前可以在合适的时间和温 度条件下用可选的施加后烘焙（PAB)和/或可选的溶剂冲洗来处理光刻胶层22。光刻胶 层22的图案式曝光优选使用EUV和/或电子束进行，从而得到结构30的经曝光的光刻胶 层32 (图1C)。光刻胶层32由经曝光的光刻胶34的区域和非曝光的光刻胶36的区域构 成。在显影前可以在合适的时间和温度条件下用可选的曝光后烘焙（PEB)和/或可选的溶 剂冲洗来处理光刻胶层32。曝光的光刻胶34比非曝光的光刻胶36在显影剂中更不易溶 解。因此，水法显影通过去除非曝光的光刻胶36来提供负性图像。PAB、PEB和/或溶剂冲 洗能够增加曝光和非曝光的光刻胶在特定显影剂中溶解度的差异。在显影剂中的显影形成 了包括图案化的光刻胶层42的层状结构40 (图1D)。图案化的光刻胶层42为包含由经曝 光的光刻胶34构成的光刻胶特征44的形貌凹凸图案。光刻胶特征44设置在基板10的表 面46上并具有顶表面48和侧壁50。基板表面52接触空气。通过已知方法（例如，氧离子 蚀刻）图案化的光刻胶层42的形貌凹凸图案能被转移至基板10,接着去除光刻胶特征44， 得到结构60 (图1E)。结构60包括基板10内的转移的形貌图案62,结构60的特征66包 括基板10的地表面64、侧壁表面68和顶表面70。
[0123] 光刻胶层可在曝光、PAB和/或PEB前后用溶剂（例如，水、包括水/醇混合物的 水溶液以及有机溶剂）冲洗以去除多余的配体或促进部分凝结。通常，在PAB后进行冲洗。 可以在室温或接近室温（例如，l〇°C至50°C )下进行冲洗1秒钟至1小时的一段时间。
[0124] 可选择地，可以用水蒸气和/或醇蒸汽，在室温下或者在高温下处理显影前的光 刻胶层和/或显影后的光刻胶层，时间范围为1分钟至5小时。可以在曝光和PEB后进行 这种处理，例如，促进附加的交联或者改善金属氧化物基质的官能团分布。
[0125] 术语"基板"是指结构中在其上设置光刻胶层的所有底层。基板可具有堆叠布置 的一层或多层。在多层结构中，紧邻光刻胶层下面并与光刻胶层接触的层为基板的最上层， 其也被成为光刻胶层的底层。除非另外指明，术语"表面"或"底面"是指其上设置光刻胶 层的基板表面。作为非限制性实例，光刻胶层可设置在硅片或金属箔的表面上，或者，更具 体地，设置在其中减反射层（ARC)为最上层的多层结构的减反射层的表面上。在该实例中， ARC层也是光刻胶层的底层。在另一个实例中，ARC层具有附接至顶表面的聚合物刷层。在 该实例中，聚合物刷层也是光刻胶层的底层。
[0126] 术语"设置"是指一个层与另一个层的表面相接触。"设置"和"施加"是指形成与 另一个层的表面相接触的层，除非特别指明，对于所采用的方法只要其不会不利地影响设 置或施加的层的所需性能（例如，均匀性和厚度）就不对其进行限定。
[0127] 术语"流延"是指通过将溶解在溶剂中的材料的溶液设置在另一层的表面上然后 去除溶剂来形成该材料的层。
[0128] 在本文中，"正性"光刻胶为在辐射下曝光时在特定显影剂中变得更易溶解的光刻 胶，通常是通过曝光引发了非交联的化学反应。
[0129] "负性"光刻胶在辐射下曝光时在特定显影剂中变得更不易溶解，通常是因为通过 曝光引发了交联反应或一些其他的化学变化，这降低了光刻胶在显影剂中的溶解度。本申 请中的光刻胶为负性的。
[0130] "负性显影"是指在显影过程中去除光刻胶层的非曝光区域。"正性显影"是指在 显影过程中去除光刻胶层的曝光区域。
[0131] 应理解的是在某些情况下（例如，在形成密集的高分辨率图案时），所有的光刻胶 层可以接收某些剂量的辐射曝光。"非曝光的光刻胶"是指与曝光前的光刻胶（包括已经用 可选的烘焙和/或可选的冲洗处理过的曝光前的光刻胶）相比接收的剂量不足以改变光刻 胶在特定显影剂中的溶解度。"曝光的光刻胶"与曝光前的光刻胶相比已经接收了足够的曝 光以改变光刻胶在特定显影剂中的溶解度。
[0132] 除非另外指明，在涉及光刻胶层的化学成分、反应性、溶解度和/或表面性能时， 应理解的是这样的涉及内容仅针对光刻胶层而不是基板或基板表面。同样，除非另外指明， 当涉及基板表面或基板层的化学成分、化学反应性、溶解度和/或表面性能时，这样的涉及 内容仅针对基板表面或基板层而不是光刻胶层。
[0133] 不受理论的约束，本文中的光刻胶组合物被认为是通过交联和/或极性转换机制 而起作用的，交联和/或极性转换机制是曝光引发的由过氧配合物在膜流延时的化学变化 产生的结果。可选的烘焙（PAB和/或PEB)处理和/或可选的冲洗处理能够增加曝光的光 刻胶与非曝光的光刻胶相比的溶解度差异。曝光的光刻胶的溶解度降低可由结构的形态改 变（例如过氧配合物的晶相到无定形相的转变）和/或过氧配合物的化学结构的改变（例 如化学交联和/或有机配体从过氧配合物的缺失）造成。PAB和/或PEB可被用于促进光 刻胶组合物的交联化学作用和/或去除反应副产物。
[0134] "极性改变"是指影响相对溶解度而无交联的改变的化学成分。极性改变的程度可 通过比较曝光的光刻胶与非曝光的光刻胶在特定显影剂中的溶解度来测量。在光刻胶层中 "引发极性改变"是指对光刻胶层进行包括曝光、曝光后烘焙（PEB)和/或可选的冲洗的处 理，这些处理改变光刻胶层的化学成分以使经处理的光刻胶与未经处理的光刻胶相比在特 定显影剂中具有不同的溶解度。
[0135] 可选的施加后烘焙（PAB)处理通常在50°C至250°C的温度下进行1秒钟至1小时、 优选1秒钟至10分钟的一段时间。可将PAB用于干燥膜的多余溶剂、去除不需要或多余的 有机配体，和/或部分地交联光刻胶层。经热处理的干膜通常会具有0. 01微米至10微米 的厚度，这取决于后续的辐射源和所需的用途。
[0136] 可选的曝光后烘焙（PEB)可在50°C至300°C的温度下进行1秒钟至1小时，优选 1秒钟至10分钟。
[0137] 图案化的光刻胶层也可以进行显影后处理，例如，将过氧配合物凝结成无定形金 属氧化物和/或引发结晶，从而提高抗蚀刻性。显影后处理可为光化学的、热的、化学的或 其组合。作为实例，图案化的光刻胶层可用二次辐射来进行二次曝光，从而形成经处理的图 案化的光刻胶层。二次曝光可以用单波长的二次辐射或合适波长（宽带）的二次辐射的组 合来进行，只要曝光能有效地引发经处理的图案化的光刻胶层的所需响应。二次曝光处理 可以是整片曝光。整片曝光可以是单次的常规全区域曝光或者是常规全区域曝光的组合。 曝光处理也可以是通过采用发光源的数字写入装置输出的扫描曝光。二次曝光之后可以是 热处理以化学性地放大在经处理的图案化的光刻胶层内化学官能团的形成。例如，整片曝 光会从之前未反应的光生酸剂（PAG)释放酸，这些酸在后续加热时催化额外的酸敏感性羧 酸酯、芳香性缩醛/缩酮和/或碳酸酯，从而增加经处理的图案化的光刻胶层中的羧酸基和 酚基的浓度。在充分极性改变的情况下，经处理的图案化的光刻胶层可变得既在低极性溶 剂（例如，苯甲醚）中不溶也在更具极性的有机溶剂中不溶，而在水性碱性显影剂和/或第 二有机溶剂中保持溶解，而不使光刻胶交联。
[0138] 显影后热处理可进一步调节溶剂相容性、光刻胶材料的化学结构和/或图案化的 光刻胶层的抗蚀刻性。热处理可以在50°C至600°C、50°C至300°C或者50°C至200°C的温度 下进行1秒钟至1天的一段时间。例如，当制备图案化的金属氧化物膜时，可使用高温下的 硬性烘焙来将光刻胶凝结成无定形的金属氧化物或引发结晶。
[0139] 化学处理可包括，例如，使图案化的光刻胶层与挥发性路易斯酸的蒸汽接触，路易 斯酸例如为盐酸、硫酸、硝酸或磺酸。在各种类型的处理中，光刻胶的化学变化优选均匀地 分布全部经处理的光刻胶，而不仅仅是分布在光刻胶的表面。显影后化学处理可引起基板 的显露表面内的化学变化，在去除光刻胶特征后产生基板的化学性图案化的表面。
[0140] 蚀刻包括在半导体装置的制造中应用的任何普通的蚀刻技术，例如干法蚀刻，如 等离子体蚀刻、离子束蚀刻或使用选择性溶剂的湿法蚀刻。通常，采用干法蚀刻工艺用于在 50nm以下的尺寸蚀刻。
[0141] 基板，并且更具体地，基板的表面，可包含无机或有机材料，例如金属、碳或聚合 物。更具体地，基板可包含任何半导体材料，包括，例如， InAs、InP以及其他III-V族或II-VI复合半导体。基板还可以包括层状半导体，例如Si/ SiGe，或者在绝缘体上的半导体（SOI)。特别地，基板可包含含Si半导体材料（即，包含Si 的半导体材料），例如，二氧化硅、氮化硅和石英。半导体材料可为掺杂的、非掺杂的或者其 内既包含掺杂区域也包含非掺杂区域。
[0142] 为了进一步说明多层基板，在图2的结构70中复制了图1D的结构40,除了图2的 基板72具有两层，底层74和中间层76。基板72的底层74可为，例如，硅片。中间层76可 为，例如，ARC层。在此实例中，表面78为与空气接触的ARC层的表面，而光刻胶特征44设 置在ARC表面80上。
[0143] 光刻胶组合物。
[0144] 所述光刻胶组合物包含过氧配合物、溶剂和可选地选择的添加剂，所述添加剂不 会不利地影响光刻胶层的例如可显影性和/或抗蚀刻性的所需性能。示例性的可选的添加 剂包括通过提高交联效率或者通过增加在曝光时出现的极性改变而起到改善感光速度作 用的材料。例如，可使用光敏剂来提高带来更高交联密度的过氧配合物的配体缺失的效率。 更高的交联效率也可以通过应用添加剂来实现，所述添加剂起到催化与曝光时发生的其他 交联平行出现的缩聚反应的作用。这种类型的添加剂的实例包括光生酸剂和光生碱剂。所 述可选的添加剂可以单独使用或组合使用。
[0145] 示例性的溶剂包括水和水溶液,水溶液包括过氧化氢水溶液、酸的水溶液、碱的水 溶液、盐的水溶液和有机溶剂混合物的水溶液。所述光刻胶组合物可包含有机溶剂以溶解 其他成分，从而使过氧配合物能被均匀地设置在基板的表面上而提供无缺陷的涂层。用于 流延光刻胶组合物的有机溶剂包括：醇、醚、醇醚、亚烷基二醇单烷基酯、芳香烃、酮、酯及其 组合。具体的示例性流延溶剂包括二氧化碳、乳酸乙酯、乙酸丁酯、2-乙氧基乙醇、Y - 丁内 酯、环戊酮、环己酮、甲基溶纤剂、乙氧基丙酸乙酯（EEP)、EEP和γ-丁内酯（GBL)的组合、 丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA)以及它们的混合物。
[0146] 光生酸剂（PAG)能够在对辐射曝光时释放或产生酸。化学光生酸剂（PAG)的实 例包括，但不限于，磺酸盐、鎗盐、芳香族重氮盐、硫鎗盐、二芳基碘鎗盐、N-羟基酰胺的磺酸 酯、N-羟基亚胺的磺酸酯及其组合。
[0147] 光生碱剂（PBG)在对辐射曝光时产生碱。光生碱剂包括二硫代氨基甲酸季铵盐、 α -氨基酮、如二苯甲酮肟环己烷二脲的含肟-脲分子、铵四有机硼酸盐、N-(2-硝基苄氧羰 基）环胺及其组合。
[0148] 所述光刻胶组合物可包含表面活性剂。表面活性剂可用于改善涂覆均匀性，并可 包括离子、非离子、单体、寡聚和聚合的种类，或者其组合。可用的表面活性剂的实例包括： 含氟表面活性剂，例如可购自明尼苏达州圣保罗的3Μ公司的FLU0RAD系列，以及含硅氧烷 的表面活性剂，例如可购自Dow Chemical.的SILWET系列。·
[0149] 所述光刻胶组合物可包含感光剂。感光剂包括：多环芳烃，例如芘、茈、双（4-羟 基-2, 3, 5-二甲基苯基）轻基苯基甲烧、1，4-双[I-(3, 5- _甲基_4-轻基苯基）异丙 基]苯、2,4_双（3,5_二甲基-4-羟基苯基甲基）-6-甲基苯酚、双（4-羟基-3,5-二甲基苯 基） _2-轻基苯基甲烧、双（4-轻基-2,5- _甲基苯基）_2-轻基苯基甲烧、双（4-轻基-3， 5-二甲基苯基）-3,4_二羟基苯基甲烷、1-[1-(4_羟基苯基）异丙基]-4-[l，l-双（4-羟 基苯基）乙基苯、1-[1-(3-甲基-4-羟基苯基）异丙基]-4-[l，l-双（3-甲基1-4-羟基 苯基）乙基]苯、2,6-双[1-(2,4-二羟基苯基）异丙基]-4-甲基苯酚、4,6-双[1-(4-羟 基苯基）异丙基]间苯二酚、4,6-双（3, 5-二甲氧基-4-羟基苯基甲基）焦掊酚、4,6-双 (3,5_二甲基-4-羟基苯基甲基）焦掊酚、2,6_双（3-甲基-4,6-二羟基苯基甲基）-4-甲 基苯酚、2,6-双（2, 3,4-三羟基苯基甲基）-4-甲基苯酚、1，1_双（4-羟基苯基）环己烷及 其组合。
[0150] 具有不同碱度的很多不同的化合物可被用作稳定剂和酸扩散控制添加剂。它们 可包括：含氮化合物，例如脂肪族伯胺、仲胺和叔胺；环胺，例如哌啶、嘧啶、吗啉；芳香族杂 环，例如吡啶、嘧啶、嘌呤；亚胺，例如二氮杂双环i^一碳烯；胍；亚胺；酰胺等。也可以使用 铵盐，其包括烷氧基的铵盐、伯、仲、叔以及季烷基-和芳基铵盐，烷氧基包括羟基、酚基、碳 酸根、芳基和烷基磺酸根、磺酰胺基等。也可以采用其他的阳离子含氮化合物，包括吡啶盐 和其他杂环含氮化合物与如包括羟基、酚基、碳酸根、芳基和烷基磺酸根、磺酰胺基的烷氧 基的阴离子的盐等。在实施方式中，光刻胶组合物包含用于水溶液中过氧配合物的作为稳 定剂的过氧化氢。
[0151] 基于不包括溶剂的光刻胶组合物的总重量（即，光刻胶组合物的总固体重量），所 述光刻胶组合物可包含约lwt%至约30wt% (重量百分比）、更具体地约2wt%至约15wt% 的量的过氧配合物。
[0152] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约0. 5wt%至约20wt%、 更具体地约0. 5wt%至约10wt%的量的光生酸剂。
[0153] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约0. Olwt%至约20wt%、 更具体地约〇. lwt%至约l〇wt%的量的光生碱剂。
[0154] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约O.OOlwt %至约 0. lwt%的量的表面活性剂。
[0155] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约70wt%至约99wt%、更 具体地约85wt%至约98wt%的量的溶剂。
[0156] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约0. lwt%至约30wt%、 更具体地约〇. lwt%至约20wt%的量的感光剂。
[0157] 基于光刻胶组合物的总固体重量，光刻胶组合物可包含约0. lwt%至约30wt%、 更具体地约0. lwt%至约20wt%的量的稳定剂。在实施方式中，稳定剂为过氧化氢。
[0158] 通常，基于光刻胶组合物的总固体重量，所有常用添加剂的总和小于20wt%，优选 小于5wt %。在实施方式中，光刻胶组合物包含：含有选自由钛（IV)、铌（V)或钽（V)构成 的组的金属离子的金属盐；相对于金属离子的摩尔数的〇. 5至3. 0摩尔当量的量的有机羧 酸；相对于金属离子的摩尔数的1. 〇至10. 〇摩尔当量的量的过氧化氢；以及溶剂。在另一 个实施方式中，相对于金属离子的摩尔数，有机羧酸以〇. 75至1. 5摩尔当量存在。在另一 个实施方式中，相对于金属离子的摩尔数，有机羧酸以〇. 9至1. 1摩尔当量存在。
[0159] 光刻胶层可以通过以下工艺来形成，例如旋涂法（也称为旋转涂布法）、喷涂法、 浸涂法、刮刀涂布法、辊涂法等，根据本发明的方法这些工艺可以单独使用或以它们的组合 使用。更具体地，光刻胶在合适溶剂中的溶液被旋涂到基板的表面上，接着去除溶剂来制备 光刻胶层。
[0160] 一般而言，光刻胶层可具有100至100000埃（0. 01至10微米）、更具体地200至 5000埃以及更加具体地200至3000埃的厚度。
[0161] 图案化的光刻胶层的光刻胶特征可具有10至10000埃、100至3000埃或者更具体 地200至1500埃的高度。
[0162] 光刻胶层可以50°C至300°C、更具体地50°C至250°C的温度下以称作施加后烘焙 来加热1秒钟至1小时、更加具体地10秒钟至10分钟的一段时间。
[0163] 光刻胶层的图案式曝光可以使用不同类型的辐射来实现，这些辐射包括波长为 450nm至300nm的紫外线（UV)福射、波长为300nm至120nm的深紫外线（DUV)福射、波长 为120nm至8nm的极紫外线（EUV)福射、电子束（e-束）福射、X-射线福射、上述福射的组 合以及其他合适的辐射源。实例包括193nmArF准分子辐射源、EUV辐射源或电子束。DUV 和EUV曝光采用特定的掩模来在负性光刻胶层内产生图案。电子束光刻法直接对光刻胶刻 写图案。示例性辐射源包括单波长和/或窄带辐射源、用于EUV的Sn等离子体源、特定的 汞发射线、激光和离子束发射器。对于不太严格的条件，可以使用宽带的多波长源。更具体 地，福射波长选自由 436nm、405nm、365nm、334nm、313nm、254nm、248nm、193nm、157nm、126nm 和13. 5nm构成的组。更加具体地，福射的波长选自由248nm、193nm、157nm和13. 5nm构成 的组。进一步具体地，用于图案式曝光的福射波长可为193nm或13. 5nm。
[0164] 图案式曝光可以在干性条件下进行，也可以在浸渍条件下、特别是在利用透镜元 件和晶片之间的高折射率液体的浸渍条件下进行。浸渍液包括水和其他高折射率液体，例 如癸烷和各种氟化溶剂。更具体地，图案式曝光可通过193nm水-浸渍光刻法来完成。为 了适应通过193nm水-浸渍光刻法的图案化，在曝光之间可以通过浸渍光刻法来将保护性 上涂层施加在光刻胶的表面。例如，可以使用硅烷基化或另一种适合的技术来改善膜相对 于浸渍液的润湿性能。优选地，上涂层是碱可溶的并且在光刻胶显影步骤的过程中被碱性 光刻胶显影剂去除。或者，光刻胶可包含控制涂覆的光刻胶的表面性能并限制光刻胶组合 物提取进入浸渍液的表面活性成分。
[0165] 显影剂可包含水和/或有机溶剂。图案式曝光的光刻胶层优选用水或碱性水溶液 显影剂来显影。图案化的光刻胶层可以通过用显影剂水溶液选择性地去除非曝光的光刻胶 来形成。图案化的光刻胶层被设置在基板的第一表面上。基板的第二表面可基本上没有残 余的光刻胶设置其上，或者没有残余的光刻胶设置其上。
[0166] 用于显影剂的示例性有机溶剂包括：苯甲醚、乙二醇、丙二醇和4-甲基-2-戊醇、 乙酸正丁酯以及它们的混合物。显影剂还可包含超临界流体，例如液化甲烷、液化乙烷、液 化丙烷或液化二氧化碳。为了改善显影剂的各种性能，包含超临界流体的非碱性显影剂可 进一步包含另外的成分，这些成分包括有机溶剂、表面活性剂和盐。
[0167] 晶片可以被重新加工。重新加工晶片可以发生在，例如，显影后检查在光刻胶图案 中探测到不能接收的缺陷（例如，未对准）。在晶片被蚀刻之前，可以使用例如0.26N TMAH 或稀释的过氧化氢来溶剂剥脱晶片以去除光刻胶，否则会有不可逆的改变。然后，可对晶片 再进行光刻胶图案生成工艺。
[0168] 本发明还涉及使用组合物溶液来成像和形成图案化的金属氧化物膜。在这种情况 下，可使用在高温下的硬性烘焙来将材料凝结成无定形金属氧化物或引发结晶。
[0169] 还公开的是使用上述方法形成的层状结构。在一个实施方式中，所述层状结构为 半导体装置。所述半导体装置包括：基板，其包括减反射表面；和显影的图案化的光刻胶 层，其包含设置在减反射表面的第一区域上的辐射曝光的光刻胶。图案化的光刻胶层可以 是形貌凹凸图案的形式，该图案包括，例如，通过选择性去除非曝光光刻胶而产生的开口的 图案。
[0170] 在集成电路的制造中，电路图案可以在光刻胶显影之后通过用例如金属材料的导 电材料使用如蒸发、溅射、电镀、化学气相沉积或激光诱导沉积的已知技术来在曝光区域内 形成电路图案。在制造电路的过程中可以通过类似方式来沉积电介质材料。在用于制造掺 杂或η-掺杂的电路晶体管的过程中，可将如硼、磷或砷的无机离子注入基板中。应理解的 是本发明不限于任何特定的光刻技术或装置结构。
[0171] 上述过氧配合物和方法允许光刻胶特征的宽度为1至1000nm、l至500nm、l至 300nm、l至200nm、l至150nm或者更具体地1至100nm。
[0172] 通过以下示例来进一步解释说明过氧配合物和方法。
[0173] 示例
[0174] 在表1中列出了下面的示例中使用的材料。.
[0175] 表 1
[0176]

【权利要求】
1. 一种式（3)的物质组合物： [C']k[Ta(02)x(L'）y] (3)， 其中， X为1至4的整数， y为1至4的整数， Ta(02)x(L'）y具有0至-3的电荷， C'为具有+1至+3的电荷的反离子， k为0至3的整数， L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且 L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组的供 电子官能团。
2. 根据权利要求1所述的组合物，其中X为3, y为1，并且k为3。
3. 根据权利要求1所述的组合物，其中L'包含选自由羧化物和醇化物构成的组的官能 团。
4. 根据权利要求1所述的组合物，其中L'为选自由草酸根（C2(V2)、乳酸根（C3H 4(V2)、 乙醇酸根（C2H2(V2)及其组合构成的组的二价阴离子。
5. 根据权利要求1所述的组合物，其中C'为铵根（M〇。
6. 根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物为[NH4]3[Ta(02) 3(C204)]。
7. 根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物进一步包含1至10个水合的水分 子。
8. -种包含如根据权利要求1所述的组合物的光刻胶组合物，其中所述光刻胶组合物 适用于电子束光刻法、X-射线光刻法和/或利用波长在l〇nm至400nm之间的紫外线辐射 源的光刻法。
9. 一种光刻胶组合物，包含： 溶剂；以及 具有根据式（1)的结构的过氧配合物： [C，]k[M，w(02)x(L，）y0 u] (1)， 其中， w为1或2, X为1至4的整数， y为1至4的整数， u为0或1, M' w (〇2) x a'）y0u具有0至-3的电荷， C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子， k为0至3的整数， M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构成的 组的金属离子， M'具有+1至+6的氧化态， L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且 L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组的供 电子官能团。
10. 根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其中M'选自由Ta、Ti、Nb及其组合构成的 组。
11. 根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其中u为0并且w为1。
12. 根据权利要求11所述的光刻胶组合物，其中M'为Ta。
13. 根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述过氧配合物选自由以下项构成的 组： [NHJ4[Ta2 (02) 2 (C3H403) 40]，其中 C3H403 为乳酸根（C3H403_2)， [NHJ4[Ta2 (02) 2 (C2H203) 40]，其中 C2H203 为乙醇酸根（C2H203_2)， [NHJ4[Nb2 (02) 2 (C3H403) 40]，其中 C3H403 为乳酸根（C3H403_2)， [NHJ 3 [Ta (02) 3 (C204)]，其中 C204 为草酸根（C204_2)， [NHJ2 [Ti (02) 2 (C204)]，其中 C204 为草酸根（C204_2)，以及 其组合。
14. 根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述溶剂为水。
15. 根据权利要求9所述的光刻胶组合物，进一步包含过氧化氢。
16. -种方法，包括： i) 提供一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含： 溶剂；以及 具有根据式（1)的结构的过氧配合物： [C，]k[M，w(02)x(L，）y0 u] (1)， 其中， w为1或2, X为1至4的整数， y为1至4的整数， u为0或1, M' w (〇2) x a'）yOu具有0至-3的电荷， C'为具有+1至+3的电荷的任选反离子， k为0至3的整数， M' 为选自由 Ta、Nb、V、Mo、Co、Zn、Sb、Fe、W、Zr、Hf、Sn、Pb、Cr、Re、Ti 及其组合构成的 组的金属离子， M'具有+1至+6的氧化态， L'为具有0至-4的电荷的氧化稳定有机配体，并且 L'包含选自由羧化物、醇化物、胺、氧化胺、膦、氧化膦、氧化胂及其组合构成的组的供 电子官能团； ii) 将所述光刻胶组合物设置在基板的表面上并去除所述溶剂，从而形成设置在所述 基板上的光刻胶层； iii) 使所述光刻胶层对选自由电子束、X-射线和紫外线（UV)辐射构成的组的辐射成 像曝光；以及 iv)在水性和/或有机显影剂中使曝光过的光刻胶层显影，从而形成包括设置在所述 基板上的图案化的光刻胶层的分层结构，所述图案化的光刻胶层包括包含曝光过的光刻胶 的形貌特征。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中所述光刻胶组合物的所述溶剂为水。
18. 根据权利要求16所述的方法，其中所述光刻胶组合物进一步包含过氧化物。
19. 根据权利要求16所述的方法，其中所述显影剂包含水和碱。
20. 根据权利要求16所述的方法，其中使用波长在10nm与200nm之间的紫外线辐射源 来对所述光刻胶层进行成像曝光。
21. 根据权利要求16所述的方法，其中使用波长为13. 5nm的紫外线辐射源来对所述光 刻胶层进行成像曝光。
22. 根据权利要求16所述的方法，其中所述方法进一步包括在所述曝光之前对所设置 的光刻胶层进行烘焙。
23. 根据权利要求16所述的方法，其中所述方法进一步包括在所述显影之前对所设置 的光刻胶层进行烘焙。
24. 根据权利要求16所述的方法，其中所述方法进一步包括将所述图案化的光刻胶层 的特征的图案转移至所述基板。
25. 根据权利要求24所述的方法，其中所述方法进一步包括在将所述图案化的光刻胶 层的特征转移至所述基板之前对所述图案化的光刻胶层进行烘焙。
26. -种光刻胶组合物，包含： 金属盐，其包含选自由钛（IV)、铌（V)和钽（V)构成的组的金属离子； 有机羧酸，相对于所述金属离子的摩尔数，为〇. 5至3. 0摩尔当量； 过氧化氢，相对于所述金属离子的摩尔数，为1. 〇至10. 〇摩尔当量；以及 溶剂。
27. 根据权利要求26所述的光刻胶组合物，其中相对于所述金属离子的摩尔数，所述 有机羧酸以〇. 75至1. 5摩尔当量存在。
28. 根据权利要求26所述的光刻胶组合物，其中相对于所述金属离子的摩尔数，所述 有机羧酸以〇. 9至1. 1摩尔当量存在。
【文档编号】G03F7/004GK104145217SQ201380011075
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年2月12日 优先权日:2012年2月27日
【发明者】J·D·巴斯, L·K·森德伯格, G·M·沃尔拉夫, R·D·米勒, 金昊彻, 宋庆 申请人:国际商业机器公司