入光侧具锥体结构的导光板的制作方法

入光侧具锥体结构的导光板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种入光侧具锥体结构的导光板，其以侧面接收点光源的光线，并包括导引入光部、出光部以及沟槽。导引入光部与点光源对向设置，并包括入光面以及斜坡。入光面位于导引入光部的侧面，其截面高度相当于点光源的截面高度。斜坡位于导引入光部的上表面，其截面高度随与点光源之间的距离增加而渐变递减。斜坡表面由第一区域以及第二区域定义，其中点光源在斜坡的投影位于第二区域内。出光部上表面无缝连接斜坡。沟槽布于第一区域，而斜坡上的第二区域表面为平坦的表面。本发明弥补了现有技术中导光板的入光率不足的缺陷，能提升导光板整体出光亮度，且以导光板作为光源提供的液晶显示面板边缘的漏光问题将能有效地被改善。
【专利说明】入光侧具锥体结构的导光板

【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种导光板，特别是一种表面积在15寸以下的小尺寸导光板。

【背景技术】
[0002] 随着携带式电子产品的技术开发，相关产品的厚度也朝更轻更薄方向前进。大多 数的电子产品其显示方式仍为透过液晶显示屏幕，而液晶显示屏幕需要额外的光源。透过 导光板的设置，光源不需要与液晶显示屏幕重叠，因此可以将电子装置整体厚度作薄化。
[0003] 导光板的制造工艺，在薄型化的技术上已经超越了点光源，当表面贴合发光二极 管（surface-mount device laser emitting diode ;SMDLED)的发光表面积比导光板的厚 度还大时，导光板的入光率成了一个十分严重的课题。因此，如何能有效解决这个问题，实 属当前手机、电子书、平板计算机乃至穿戴式显示设备等产品的重要研发课题，亦成为当前 相关领域亟需改进的目标。


【发明内容】

[0004] 本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中当表面贴合发光二极管的发光 表面积比导光板的厚度还大时，导光板的入光率不足的缺陷，提供了一种入光侧具锥体结 构的导光板，其将光源设置于一侧以将光线作导引。导光板搭配渐变的沟槽使得光线可于 导光板内展开，并也导引导光板内部杂散的光线，使得杂散的光线可以受到控制。因此，当 液晶显示屏幕置于导光板上之后，由于杂散的光线受到控制，液晶显示屏幕周遭的漏光现 象能有效地改善。
[0005] 本发明是通过下述技术方案解决上述技术问题的：
[0006] -种入光侧具锥体结构的导光板，其特点是，其以侧面接收一点光源的光线，并包 括一导引入光部、一出光部以及复数个沟槽。该导引入光部与该点光源对向设置，并包括一 入光面以及一斜坡。该入光面位于该导引入光部的侧面，其截面高度相当于该点光源的截 面高度。该斜坡位于该导引入光部的上表面，其截面高度随与该点光源之间的距离增加而 渐变递减。该斜坡表面由一第一区域以及一第二区域定义，其中该点光源在该斜坡的投影 位于该第二区域内。该出光部上表面无缝连接该斜坡。该些沟槽布于该第一区域，而该斜 坡上的该第二区域表面为平坦的表面。
[0007] 较佳的，该第一区域宽度沿一第一方向渐减，其中该第一方向平行于该斜坡且自 该入光面指向该出光部，而该第二区域宽度沿该第一方向渐增。
[0008] 较佳的，该第一区域宽度沿一第一方向先渐减再渐增，其中该第一方向平行于该 斜坡且自该入光面指向该出光部，且该第二区域宽度沿该第一方向先渐增再渐减。
[0009] 较佳的，该些沟槽呈连续状分布，且每一该些沟槽的底部与相邻两顶部的夹角为 90度?120度。
[0010] 较佳的，该导引入光部的厚度为〇. 6毫米?1毫米，该出光部的厚度为0. 4毫米? 0. 6毫米，每一该些沟槽的宽度为9微米?11微米，每一该些沟槽的深度为500纳米?1500 纳米。
[0011] 较佳的，任两相邻的该些沟槽的间距为90微米?110微米，且每一该些沟槽的深 度与最大宽度的比值为1?10。
[0012] 较佳的，该导引入光部的厚度为0. 4毫米?0. 7毫米，该出光部的厚度为0. 2毫 米?0. 4毫米，每一该些沟槽的宽度为50纳米?500纳米，每一该些沟槽的深度为500纳 米?1500纳米。
[0013] 较佳的，入光侧具锥体结构的导光板还包含复数个凹槽状的取光微结构，设置于 该导光板相对于该出光面的一底面，其中每一该些凹槽状的取光微结构为深度不大于10 微米，直径为40微米?60微米的半球状凹槽，且该些凹槽状的取光微结构为自近该入光面 至远该入光面呈密度线性渐变增加分布，通过利用密度渐变方式控制取光能力。
[0014] 较佳的，入光侧具锥体结构的导光板还包含复数个凹槽状的取光微结构，设置于 该导光板相对于该出光面的一底面，其中每一该些凹槽状的取光微结构为深度3微米?10 微米，直径为40微米?60微米的半球状凹槽，且该些凹槽状的取光微结构为自近该入光面 至远该入光面呈深度线性渐变增加分布，通过利用深度渐变方式控制取光能力。
[0015] 在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实 例。
[0016] 本发明的积极效果在于：本发明的入光侧具锥体结构的导光板，搭配斜坡上所定 义的第一区域以及第二区域导引点光源的光线，使得主要光线可于第二区域展开，而杂散 光线可受到第一区域上的沟槽控制。因此，当主要光线展开后，暗区面积相对较小。而当杂 散光线受到控制后，能提升导光板整体出光亮度，且以导光板作为光源提供的液晶显示面 板边缘的漏光问题将能有效地被改善。

【专利附图】

【附图说明】
[0017] 图1为本发明的入光侧具锥体结构的导光板一实施方式的侧视示意图。
[0018] 图2为本发明的入光侧具锥体结构的导光板另一实施方式的侧视示意图。
[0019] 图3A为图1导光板的立体示意图。
[0020] 图3B为图1导光板的俯视示意图。
[0021] 图4为本发明的入光侧具锥体结构的导光板第二实施方式的俯视示意图。
[0022] 图5为图2导光板的立体示意图。
[0023] 附图标记说明
[0024] 100导光板
[0025] 102 光线
[0026] 104 第一方向
[0027] 110出光部
[0028] 112 出光面
[0029] 120导引入光部
[0030] 122 入光面
[0031] 130 斜坡
[0032] 132 第一区域
[0033] 134 第二区域
[0034] 136分隔线
[0035] 140 沟槽
[0036] 144点光源
[0037] 150 底面
[0038] 152反射片
[0039] 154取光微结构
[0040] 160延伸段
[0041] 162侧表面

【具体实施方式】
[0042] 以下将以附图及详细说明清楚说明本发明的精神，任何所属【技术领域】中具有通常 知识者在了解本发明的较佳实施方式后，当可由本发明所记载的技术，加以改变及修饰，其 并不脱离本发明的精神与范围。值得注意的是，附图仅为示意，非真实比例，具体真实比例 将在下列诸实施方式中说明。
[0043] 有鉴于习知导光板将光源设置于一侧，而导光板本体厚度比光源的发光面积更 小，部分光源光线将自导光板边缘溢出，造成入光效率低落且后续要加强对漏光现象的处 理。
[0044] 因此，本发明之一实施方式所提供的入光侧具锥体结构的导光板，其在点光源所 朝方向的斜坡上定义第一区域以及第二区域，并在单一区域布上沟槽。透过斜坡上两种区 域的渐变式的沟槽设计，点光源所出射的光线将得以于导光板内展开。而杂散的光线也同 样会受到控制，使得以导光板作为光源的液晶显示面板，同时提升出光亮且缩小暗区面积。
[0045] 根据本发明之一实施方式所提供的入光侧具锥体结构的导光板，其在入光侧面设 计有突起增厚的导引入光部。请看到图1，图1为本发明的导光板一实施方式的侧视示意 图。导光板100以侧面接收点光源144的光线102,且导光板100包含出光部110、导引入 光部120以及底面150。
[0046] 导引入光部120与点光源144为对向设置，并包含入光面122以及斜坡130。入光 面122位于导引入光部120的侧面，亦即导引入光部120以其侧面作为入光面122。入光面 122其截面高度相当于点光源144的截面高度，即同为高度H。
[0047] 斜坡130位于导引入光部120的上表面，其截面高度随与点光源144之间的距离 增加而渐变递减，使得导引入光部120大致为楔形，并使得斜坡130与水平面夹一角度Θ。
[0048] 由于点光源144有制作尺寸上的限制，例如高度为0.4毫米（mm)的表面黏着元件 发光二极管者价格较其为〇. 6毫米（mm)的表面黏着兀件发光二极管高出约50%，但导光板 100本体却可轻易被制作成厚度低于0. 4毫米（mm);因此入光面122的高度将对应点光源 144的厚度尺寸来设计。而导引入光部120则搭配斜坡130设计为楔形以对应出光部110， 以将光线102导引至较薄的出光部110内。另外，表面黏着元件发光二极管的宽度约2? 4毫米（mm)，所以附图皆仅为示意，非真实比例。
[0049] 出光部110上表面为无缝连接于斜坡130,亦即出光部110与导引入光部120为一 体成形。出光部110上表面为出光面112,点光源144所发射的光线102自入光面122进入 导光板100后，经过导引，光线102最终将从出光面112出射。值得一提的是，以图1为例， 为了让出光面112整体呈均匀出光的状态，导光板100必须设有取光机制，其通常为取光图 样（pattern)，且取光机制须随出光面112与入光面122的距离远近而有取光能力强弱的调 整设计，以实现出光面112整体呈均匀出光的目标。
[0050] 在图1中，取光机制是利用导光板100的底面150上的多个取光微结构154来调 整强弱进而实现的；然而，本发明也在一或多个实施方式中，不排除在出光面112设计多个 取光微结构154,或在斜坡130上设置沟槽并延伸至出光面112,且以控制沟槽的深浅的方 式来实现。这些控制手段将在下文做进一步说明。
[0051] 整体而言，导光板100包含凹槽状的取光微结构154,此处设在底面150但亦可设 在出光面112,且当其设置在出光面112时也可以用沟槽来取代，且以沟槽实现的方案还有 集菱镜片的导引正向出光于导光板1〇〇-身的效果。基本上，取光机制是用以破坏光线102 在导光板100的出光面112与底面150间进行的全反射，进而搭配布设于导光板100下方的 反射片152,在出光面112形成出光。拿图1来讲，我们可以说当光线102行进至底面150 时，将因为取光微结构154的存在而被导引至出光面112作出射。
[0052] 从这个角度来看，取光机制须随出光面112与入光面122的距离远近而有取光能 力强弱的调整设计，且同时又必须考虑到出光面112的中心位置与上下两侧（本领域俗称 天地线）所能接收到的光通量不同，再加上纯以沟槽实现时，沟槽本身有很强的隔光能力， 容易使出光面112的上下两侧的远光端（相对远离入光面122的一端）偏暗的现象恶化， 即使加深上下两侧远光端的槽的深度，亦无法圆满解决，徒增设计上的困难度。
[0053] 因此，考虑以沟槽实现取光机制的作法，十分依赖设计人员的经验，而无法形成有 效的说明文字；因此，本发明在诸实施方式中，仍以多个凹槽所形成的图样的设计方式来介 绍，但以沟槽实现取光机制的作法仍可搭配本发明在导引入光部120的设计而不脱本发明 的范畴。
[0054] 以下说明用凹槽状的取光微结构154构成取光图样（pattern)来实现的取光机 制。根据本发明一实施方式，凹槽状的取光微结构154为深度不大于10微米（μ m)，直径为 40微米（μ m)?60微米（μ m)的半球状凹槽。在一个小误差范围内的固定深度设计下，取 光图样（pattern)的取光能力是沿导光板100长轴设计为线性渐增的。短轴的设计则较为 复杂，此处短轴是指平行导光板100的宽度距离线段所定义的方向轴。
[0055] 从局部来看，对每一个各别点光源144而言，在近光侧，我们预期光线102在正前 方中心法线的位置最强，但我们并不预期这些光线跟其左右两侧50%光强度包络线一样被 取光图样取出，理由是我们希望越强的光线分量能够尽量传递到越远处，在传递过程中可 以不断被扩散开来，进而消弭远光侧角落暗区。从整体来看，在多个点光源144排成一列 光条（Light bar)的设计上，上述原则一样适用，其原理在于出光面112的天地线区域，只 能接受到来自一个侧面的光线，而不像其他区域，特别是中心区域，可以由两侧的光线来补 强。
[0056] 因此，由整体来看，近光侧从短轴来看，其取光能力应设计为y = ax2+k，k为常数 且a>0的曲线关系。y为取光能力，此处可采取光图样的密度来控制。但是仔细观察，x并 不是单纯的一个数据，而是根据各别点光源定义的另一个依相同理念下的设计变量，即X =bXl2+ki，其中Xl仅代表当颗点光源的50%光强度包络线内的短轴线段。
[0057] 另一种取光图样设计方案是利用其深度来控制。例如，凹槽状的取光微结构154 深度控制在3微米（μ m)?10微米（μ m)间渐变，直径仍为40微米（μ m)?60微米（μ m) 的半球状凹槽，但会在误差范围1微米（μ m)内选定一个固定数值；这些凹槽状的取光微结 构154自近入光面至远入光面呈深度线性渐变增加分布，以控制取光能力。当然，前述短轴 一元二次方程式区线变化的设计理念一并适用。
[0058] 请再看到图2,图2为2本发明的入光侧具锥体结构的导光板另一实施方式的侧视 示意图。导光板100包含出光部110、导引入光部120以及底面150,其中导引入光部120 包含斜坡130以及延伸段160。
[0059] 斜坡130位于导引入光部120的上表面，其截面高度仍保持随着与点光源144之 间的距离增加而渐变递减的关系，使得导引入光部120形状仍大致为楔形，其中斜坡130与 水平面夹Θ角。
[0060] 延伸段160由斜坡130朝入光面（请见图1)以平行出光部110的上表面方向延 伸而成，并且为一体成形。而由于延伸段160自导引入光部120延伸而出，因此导引入光部 120的入光面也平移至延伸段160的侧表面162,且点光源144位于侧表面162上。
[0061] 接着，以下将对导光板100中光线102行进方式进行说明。以图2为例，理论上来 说，当点光源144所射出的光线102从外部进入导光板100后，会在导光板100上表面以全 反射的形式朝远方传递。所以角度Θ在理想状态下，要从斜坡130的第一个转折点P1开 始推导起。第一个转折点P1之前有没有延伸段160 (例如图1为没有延伸段160,而图2为 具有延伸段160)并不影响推导结果，只是方便说明。
[0062] 首先，在第一个转折点P1位置，我们可以想象光线102同时打在平行出光面112 的延伸段160上表面的右极限点，与斜坡130表面的左极限点。
[0063] 所以，先假设光线102打在延伸段160上表面，而根据斯涅尔定律（Snell's Law) nl*sinal = n2*sina2,其中al为导光板100至空气的入射角，a2为相对al的折射角，nl 是密介质（导光板100材质）折射率，n2是疏介质折射率（此处以空气为例，即代表光线 102是从导光板100内出射到空气中），故nl/n2 = η为相对折射率，具体来看，在导光板 100的材料选择上，PC树酯折射率是1. 59,而压克力折射率是1. 42。
[0064] 因此假设若发生全反射，则a2 = 90度，并且sina2 = 1，故光线102的全反射角 度是al = sirT1 (1/n)，若不存在斜坡130,这个角度会出现在光线102反射后打在底面150 的夹角上。然而，由于斜坡130的设置，并从几何光学可知，若光线102在斜坡130发生全 反射，此时光线102的表现如同打在一个镜子上，然后镜子被偏转了 Θ角。故光线102在 底面150反射角为al+2 Θ，并全反射后打在斜坡130,因为我们要探讨光线102不会从斜坡 130出光的边界条件，且希望斜坡130 (非AA区）越短越好，所以设定反射后的光线102打 在第二个反折点上，亦即出光面112(AA区）的左极限点与斜坡130表面的右极限点，其中 出光面112的左极限点以及斜坡130表面的右极限点位置为图中的点P2,其表现又如同镜 子被偏转了 Θ角一般，且再次反射到底面150时的夹角为al+2 Θ +2 Θ。由于此后光线102 必须以全反射的方式，在出光部110的出光面112与底面150间反弹传递，故最后一个边界 条件即为 al+4 Θ〈90 度，因此 sirT1 (1/n)+4 Θ〈90,可得理想的 Θ 角为 22. 5-1/4811^(1/11), 依此计算，随选用的导光板100材料不同，Θ角约在2.8?6度之间。
[0065] 但现实面来说，若Θ角只能选用这么小的角度，则斜坡130会太长，例如导光板 100虽实务上可以做到0.4毫米（mm)，但泛用作为光源的发光二极管（LED)是0.6毫米 (mm)。因此用小角度的Θ去从〇. 4毫米（mm)的出光面112 (AA区）延伸到厚度0. 6毫米 (mm)的入光面（请见图1)或侧表面162显然不可采用。因此，必须在光利用率跟出光面 112(AA区）都尽量大的物理冲突条件下进行取舍，例如Θ角取15度，接受入光面所接收的 光在斜坡130或侧表面162有高达20%的漏光损失。
[0066] 当我们为了追求导光板100出光部110的薄，而牺牲了可利用光线总量，并在斜坡 130的相对位置上做完遮挡漏光的机制后，出光部110会出现出光量不足的状况。
[0067] 此时，本发明在一实施方式中提出修改式的沟槽设计方案，首先考虑在斜坡130 上设置沟槽的光学现象。就沟槽本身而言，其相当于是在光线指向进入后会打在斜坡130 上，但这个被击中的斜坡130又再被倾转了一个角度，即若以X-Y轴定义斜坡130的倾斜角 度，则沟槽相当于其另有一个Z轴倾斜角。这个Z轴倾斜角能够争取到较少的漏光，但是， 沟槽本身在宏观上，会使光线的展光角度内敛，而造成暗区变大；在导光板作为液晶屏幕的 背光模组的质量考虑上，暗区问题是比亮度问题更不可容忍的严重问题，因为它直接影响 使用者对画质的感受，且无法以提高光源功率的方式来调整。
[0068] 请同时参照图3A以及图3B。图3A为图1导光板的立体示意图。图3B为图1导 光板的俯视示意图。导光板100包含出光部110、导引入光部120以及沟槽140,其中导引 入光部120包含斜坡130。
[0069] 请看到图3A。斜坡130表面由第一区域132以及第二区域134所定义，且第一区 域132与第二区域134为交错排列，其中沟槽140布于斜坡130的第一区域132且沟槽140 为由两平面组成的V形的沟槽140。因此，在斜坡130表面上，第一区域132为具有起伏的 表面，而第二区域134为平坦的表面。
[0070] 请看到图3B。本实施方式中，每一个第一区域132宽度沿第一方向104渐减，其中 第一方向104平行于斜坡130且自入光面122指向出光部110,而每一个第二区域134宽度 沿第一方向104渐增。因此，第一区域132大致为由数个三角形所组成，而第二区域134大 致为由数个梯形所组成。
[0071] 除此之外，第一区域132的三角形数量以及第二区域134的梯形为对应于点光源 144数量。于斜坡130表面中，其首尾的区域皆为第一区域132,而点光源144以及第二区 域134皆位于第一区域132的间隔中。
[0072] 因此，第一区域132的三角形数量为点光源144数量加一，而第二区域134的梯形 数量与点光源144数量相同。以图3B为例，点光源144数量为四个，因此第一区域132的 三角形数量为五个，而第二区域134的梯形数量为四个。
[0073] 更进一步来说，第二区域134的梯形尺寸与位置皆与点光源144相关。第二区域 134的梯形除了数量与点光源144相同以外，其设置位置为点光源144光线出射面的正前 方，使得点光源144在斜坡130的投影位置位于第二区域134内，因而得到比较大的展光角 度。此外，第二区域134的梯形上底宽度也与点光源144宽度大致相同，其皆为宽度t。
[0074] 由上述设计理念可知，第二区域134让点光源144的主要光型仍能尽量的扩展开 来，但对次要光型以及主要光型的二次反射后的光线而言，则以第一区域132来进行引导。 接下来介绍各种沟槽的设计参数。
[0075] 根据本发明一或多个实施方式，沟槽呈连续状分布，且每一所述多个沟槽的底部 与相邻两顶部的夹角为90度?120度。
[0076] 承前所述，在本发明其他实施方式中，导引入光部的厚度为0.6毫米（mm)?1毫 米（mm)，所述出光部的厚度为0. 4毫米（mm)?0. 6毫米（mm)，每一所述多个沟槽的宽度 为9微米（μ m)?11微米（μ m),每一所述多个沟槽的深度为500纳米（nm)?1500纳米 (nm)。经实验，这一组数据搭配连续状的沟槽能有较好的出光表现，而且，连续状的沟槽更 甚至可以延续到出光面，以提升整体正向出光量。
[0077] 根据本发明一或多个实施方式，任两相邻的所述多个沟槽的间距（Pitch)为90微 米（μ m)?110微米（μ m)，且每一所述多个沟槽的深度与最大宽度的比值为1?10。 [0078] 承前所述，在本发明其他实施方式中，导引入光部的厚度为0.4毫米（mm)?0.7 毫米（mm)，所述出光部的厚度为0. 2毫米（mm)?0. 4毫米（mm)，每一所述多个沟槽的宽度 为50纳米（nm)?500纳米（nm)，每一所述多个沟槽的深度为500纳米（nm)?1500纳米 (nm)。
[0079] 沟槽可以是V沟或R沟，所谓V沟是指V形沟槽，从加工的角度来看，是以尖锐的 刀具或刀模使沟槽底部形成较尖锐的接面，而R沟即为沟槽底部形成圆弧状接面，且以圆 弧底面的曲率半径（R)定义。
[0080] 综上所述，当点光源144发出光线时，对于点光源144来说，其正前方为平坦的第 二区域134,因此点光源144所发出光线的光型可在导引入光部120内获得展开，而不会有 暗区加大的问题。另外，由于斜坡130上有宽度渐变的第一区域132,且沟槽140布于第一 区域132形成渐变的沟槽140,因此杂散的光线将受到沟槽140导引，漏光现象也受到改善。 请注意上述渐变的沟槽140所指意思为，由于沟槽140布于第一区域132上，而第一区域 132宽度沿第一方向104为渐减，因此第一区域132的每一个沟槽140长度不相同。
[0081] 另外，本发明亦在一实施方式中在斜坡130表面，其首尾的区域选择第一区域 132,以加强对光线的导引效果及抑制斜坡130上的出光量，而点光源144以及第二区域134 皆位于第一区域132的间隔中。本发明所属【技术领域】中具有通常知识者，可依实际需要，弹 性选择第一区域132、第二区域134以及点光源144的交错关系。例如，将点光源144设置 于入光面122对应于斜坡130表面中头尾的区域。
[0082] 请参照图4,图4为本发明的导光板第二实施方式的俯视示意图。本实施方式与前 一实施方式（请见图3B)的差别在于斜坡130表面上的第一区域132以及第二区域134分 布方式不相同。
[0083] 在斜坡130表面的分布上，第一区域132宽度沿第一方向104先渐减至分隔线136 后再渐增，而第二区域134宽度沿第一方向104先渐增至分隔线136后再渐减。因此，第一 区域132大致为由数个沙漏形所组成，而第二区域134大致为由数个六边形所组成。
[0084] 本实施方式中，由于分隔线136位于斜坡130中间，因此第一区域132宽度渐减与 宽度渐增的面积比例相同，而第二区域134宽度渐减与宽度渐增的面积比例也相同。本发 明所属【技术领域】中具有通常知识者，可依实际需要，弹性选择分隔线136的位置，以分别定 义第一区域132以及第二区域134的面积比例。
[0085] 当点光源144发出光线时，对于点光源144来说，其正前方仍为平坦的第二区域 134,因此点光源144所发出光线的光型可在导引入光部120获得展开，而不会有暗区加大 的问题。同样地，杂散的光线将受到沟槽140导引，漏光现象也受到改善。
[0086] 具体而言，导光板100中，布有沟槽140的第一区域132用来导引杂散的光线，而 平坦的第二区域134用来展开点光源144的光型。
[0087] 接着，沟槽的应用也可适用在导光板的导引入光部设置有延伸段的实施方式，如 图5所不，图5为图2导光板的立体不意图。导光板100包含出光部110、导引入光部120 以及沟槽140,其中导引入光部120包含斜坡130以及延伸段160。
[0088] 同样地，导引入光部120的斜坡130表面由第一区域132以及第二区域134所定 义，其中本实施方式的斜坡130以图3B的方式为例。然而，本发明所属【技术领域】中具有通 常知识者，可依实际需要弹性选择斜坡130中第一区域132以及第二区域134的分布方式， 例如以图4的方式分布。
[0089] 综上所述，本发明的入光侧具锥体结构的导光板具有由第一区域以及第二区域定 义的斜坡，且于单一区域布于沟槽，使得点光源正前方为平坦表面。因此，当点光源发出光 线时，表面布有沟槽的区域用来导引杂散的光线，而表面平坦的区域用来展开点光源的光 型，达到降低漏光以及减少暗区的效果。
[0090] 虽然本发明已以实施方式公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技 术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范 围当以权利要求书的限定为准。
【权利要求】
1. 一种入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，以侧面接收一点光源的光线，包括： 一导引入光部，与该点光源对向设置，包括： 一入光面，位于该导引入光部的侧面，其截面高度相当于该点光源的截面高度；以及 一斜坡，位于该导引入光部的上表面，其截面高度随与该点光源之间的距离增加而渐 变递减，该斜坡表面由一第一区域以及一第二区域定义，其中该点光源在该斜坡的投影位 于该第二区域内； 一出光部，其上表面无缝连接该斜坡；以及 复数个沟槽，布于该第一区域，而该斜坡上的该第二区域表面为平坦的表面。
2. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中该第一区域宽 度沿一第一方向渐减，其中该第一方向平行于该斜坡且自该入光面指向该出光部，而该第 二区域宽度沿该第一方向渐增。
3. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中该第一区域宽 度沿一第一方向先渐减再渐增，其中该第一方向平行于该斜坡且自该入光面指向该出光 部，且该第二区域宽度沿该第一方向先渐增再渐减。
4. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中该些沟槽呈连 续状分布，且每一该些沟槽的底部与相邻两顶部的夹角为90度?120度。
5. 如权利要求4所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中该导引入光部 的厚度为〇. 6毫米?1毫米，该出光部的厚度为0. 4毫米?0. 6毫米，每一该些沟槽的宽度 为9微米?11微米，每一该些沟槽的深度为500纳米?1500纳米。
6. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中任两相邻的该 些沟槽的间距为90微米?110微米，且每一该些沟槽的深度与最大宽度的比值为1?10。
7. 如权利要求6所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，其中该导引入光部 的厚度为〇. 4毫米?0. 7毫米，该出光部的厚度为0. 2毫米?0. 4毫米，每一该些沟槽的宽 度为50纳米?500纳米，每一该些沟槽的深度为500纳米?1500纳米。
8. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，还包含复数个凹槽 状的取光微结构，设置于该导光板相对于该出光面的一底面，其中每一该些凹槽状的取光 微结构为深度不大于10微米，直径为40微米?60微米的半球状凹槽，且该些凹槽状的取 光微结构为自近该入光面至远该入光面呈密度线性渐变增加分布。
9. 如权利要求1所述的入光侧具锥体结构的导光板，其特征在于，还包含复数个凹槽 状的取光微结构，设置于该导光板相对于该出光面的一底面，其中每一该些凹槽状的取光 微结构为深度3微米?10微米，直径为40微米?60微米的半球状凹槽，且该些凹槽状的 取光微结构为自近该入光面至远该入光面呈深度线性渐变增加分布。
【文档编号】G02B6/00GK104090327SQ201410364284
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】何毓哲, 廖文琪, 潘彦霖 申请人:苏州茂立光电科技有限公司