1.一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，所述光刻设备包括衬底台，所述方法包括：
获得剂量测量，所述剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中所述剂量测量能够用来计算曝光过程期间由所述光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及
使用所述剂量测量来控制所述曝光过程，以便补偿与所述曝光过程期间由所述物体吸收的所述IR辐射相关联的曝光误差。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述物体是在所述曝光过程期间被曝光的衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述物体是所述衬底台。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述物体是投影系统的反射镜，所述投影系统将用于所述曝光过程的辐射的图案化束投影到衬底上。
5.根据权利要求4所述的方法，其中控制所述曝光过程的步骤包括基于所述剂量测量来控制加热器，其中所述加热器被配置成加热所述反射镜。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中获得所述剂量测量的步骤由IR传感器执行，所述IR传感器被定位在所述衬底台的外围部分处。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述剂量测量指示具有在从大约1μm至大约10.6μm的范围内的波长的IR辐射的剂量。
8.根据任一前述权利要求所述的方法，包括获得吸收率测量，所述吸收率测量指示所述物体的对于所述IR辐射的吸收率。
9.根据任一权利要求8所述的方法，其中获得所述吸收率测量的步骤包括获得指示由所述物体反射的IR辐射的测量。
10.根据权利要求8至9中的任一项所述的方法，其中获得所述吸收率测量的步骤由除执行所述曝光过程的所述光刻设备以外的测量设备执行。
11.根据任一前述权利要求所述的方法，包括计算由所述物体吸收的所述IR辐射对所述物体的变形、所述曝光过程的重叠误差、所述物体的温度和聚焦误差中的一个或多个的影响。
12.根据任一前述权利要求所述的方法，其中：
所述光刻设备包括调节系统，所述调节系统被配置成借助于调节流体来控制所述衬底台的温度；并且
获得所述剂量测量的步骤通过获得指示所述调节流体的温度改变的温度改变测量来执行。
13.一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，所述光刻设备包括衬底台和调节系统，所述调节系统被配置成借助于调节流体来控制所述衬底台的温度，所述方法包括：
获得指示所述调节流体的温度改变的温度改变测量，其中所述温度改变测量能够用来计算曝光过程期间被曝光的衬底处的热负荷；以及
使用所述温度改变测量来控制所述曝光过程，以便补偿与所述曝光过程期间所述衬底处的所述热负荷相关联的曝光误差。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述光刻设备包括：
照射系统，被配置成发射辐射束；
投影系统，通过介于中间的空间与所述衬底台分开，其中所述投影系统被配置成将赋予所述辐射束的图案投影到所述衬底上，其中所述图案是用于所述辐射束的EUV辐射的；
中空部分，位于所述介于中间的空间中并且处于所述辐射的路径周围；以及
气体鼓风机，用于利用气流来冲洗所述中空部分的内侧；
其中当所述照射系统不发射所述辐射束时获得所述温度改变测量，使得所述温度改变测量能够用来计算由所述气体鼓风机引起的在所述衬底处的所述热负荷。
15.根据权利要求13至14中的任一项所述的方法，其中所述光刻设备包括：
照射系统，被配置成发射辐射束；
图案形成装置，被配置成将图案赋予所述辐射束，其中所述图案是用于所述辐射束的EUV辐射的；以及
投影系统，被配置成将由所述图案形成装置赋予所述辐射束的所述图案投影到所述衬底上；
其中所述图案形成装置被配置成防止所述辐射束的基本上所有EUV辐射到达所述投影系统，使得所述图案是空白的，并且所述温度改变测量能够用来计算由所述辐射束的IR辐射引起的在所述衬底处的所述热负荷。
16.根据权利要求15所述的方法，包括：
当所述衬底台支撑着对于所述辐射束的IR辐射具有已知的反射率的工具衬底时，获得指示所述调节流体的温度改变的参考温度测量；
当所述衬底台支撑着对于所述辐射束的所述IR辐射具有未知的反射率的曝光衬底时，获得所述温度改变测量；
将所述参考温度测量与所述温度改变测量进行比较，以便能够计算出所述衬底对于所述辐射束的所述IR辐射的反射率；以及
使用所述曝光衬底的所述反射率来控制所述曝光过程，以便补偿与所述曝光过程期间所述衬底处的所述热负荷相关联的曝光误差。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的方法，其中所述光刻设备包括：
照射系统，被配置成发射辐射束；
图案形成装置，被配置成将图案赋予所述辐射束，其中所述图案是用于所述辐射束的EUV辐射的；以及
掩蔽装置，被配置成限定在由所述辐射束照射的所述图案形成装置上的照射区域；
其中当所述掩蔽装置被配置成防止基本上所有所述辐射束到达所述图案形成装置时获得所述温度改变测量，使得所述温度改变测量能够用来计算由所述掩蔽装置所反射的IR辐射引起的在所述衬底处的所述热负荷。
18.根据权利要求13至17中的任一项所述的方法，其中所述光刻设备包括：
照射系统，被配置成发射辐射束；
图案形成装置，被配置成将图案赋予所述辐射束，其中所述图案是用于所述辐射束的EUV辐射的；以及
投影系统，被配置成将由所述图案形成装置赋予所述辐射束的所述图案投影到所述衬底上；
其中所述图案形成装置被配置成允许所述辐射束的预定百分比的所述EUV辐射达到所述投影系统，使得所述温度改变测量能够用来计算由所述辐射束的EUV辐射引起的在所述衬底处的所述热负荷。
19.根据任一前述权利要求所述的方法，其中控制所述曝光过程的步骤包括基于所述剂量测量来控制所述衬底台相对于用于所述曝光过程的辐射的图案化束的位置。
20.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述曝光误差包括所述物体的变形、所述曝光过程的重叠误差、所述物体的温度和聚焦误差中的一个或多个。
21.一种使用光刻设备的器件制造方法，其中使用任一前述权利要求所述的方法来补偿与所述曝光过程中由所述物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。
22.一种用于光刻设备的衬底台，其中所述衬底台被配置成支撑衬底并且包括IR传感器，所述IR传感器被配置成获得剂量测量，所述剂量测量指示入射在所述衬底台上的IR辐射的剂量。
23.一种光刻设备，包括根据权利要求22所述的衬底台。
24.一种用于光刻设备的控制系统，所述光刻设备包括衬底台，所述控制系统包括：
剂量测量模块，被配置成获得剂量测量，所述剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中所述剂量测量能够用来计算曝光过程期间由所述光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及
补偿模块，被配置成使用所述剂量测量来控制所述曝光过程，以便补偿与所述曝光过程期间由所述物体吸收的所述IR辐射相关联的曝光误差。
25.一种用于光刻设备的控制系统，所述光刻设备包括衬底台和调节系统，所述调节系统被配置成借助于调节流体来控制所述衬底台的温度，所述控制系统包括：
温度改变测量模块，被配置成获得指示所述调节流体的温度改变的温度改变测量，其中所述温度改变测量能够用来计算曝光过程期间被曝光的衬底处的热负荷；以及
补偿模块，被配置成使用所述温度改变测量来控制所述曝光过程，以便补偿与所述曝光过程期间所述衬底处的所述热负荷相关联的曝光误差。
26.一种光刻设备，包括根据权利要求24至25中的任一项所述的控制系统。
27.一种用于测量用于光刻设备的曝光衬底的反射率的方法，所述光刻设备包括被配置成发射辐射束的照射系统、衬底台以及被配置成借助于调节流体来控制所述衬底台的温度的调节系统，所述方法包括：
当所述衬底台支撑着对于所述辐射束的IR辐射具有已知的反射率的工具衬底时，获得指示所述调节流体的温度改变的第一温度改变测量；
当所述衬底台支撑着曝光衬底时，获得指示所述调节流体的温度改变的第二温度改变测量；以及
从所述第一温度改变测量、所述第二温度改变测量和所述已知的反射率计算出所述曝光衬底对于所述辐射束的IR辐射的所述反射率。
28.一种用于测量用于光刻设备的EUV辐射的剂量的方法，所述光刻设备包括被配置成发射辐射束的照射系统、衬底台以及被配置成借助于调节流体来控制所述衬底台的温度的调节系统，所述方法包括：
当所述光刻设备包括第一参考图案形成装置时，获得指示所述调节流体的温度改变的第一温度改变测量，所述第一参考图案形成装置被配置成允许所述辐射束的第一参考百分比的EUV辐射到达所述衬底；
当所述光刻设备包括第二参考图案形成装置时，获得指示所述调节流体的温度改变的第二温度改变测量，所述第二参考图案形成装置被配置成允许所述辐射束的第二参考百分比的所述EUV辐射到达所述衬底；以及
从所述第一温度改变测量、所述第二温度改变测量、所述第一参考百分比和所述第二参考百分比计算出所述辐射束中的被允许到达所述衬底的每百分比的EUV辐射的EUV辐射的剂量。