电极、阵列基板及显示面板的制作方法

文档序号:20187320发布日期:2020-03-27 19:15阅读:217来源:国知局
本发明涉及液晶显示领域,更具体涉及一种电极、阵列基板及显示面板。
背景技术
::超高级超维场转换(hads)液晶显示模式作为薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft-lcd)显示技术中的一种,具有高开口率、宽视角以及高透光率的显著优势,在笔记本(nb)、平板电脑(tablet)和移动手机(mobile)等场景下得到广泛应用。传统的hads液晶显示模式包括两个电极,对两电极施加电压,通过两电极之间的电场驱动其中的液晶(lc)偏转,从而实现画面的显示。上述两个电极一般采用氧化铟锡导电玻璃,如图1所示,其中一个电极1为块状电极,另一块电极2为与面状电极对应的镂空电极,这种结构会在第一电极与第二电极的镂空区域的交错处出现电场紊乱,造成相应区域的液晶转动异常,从而引发按压痕迹残留(tracemura),并且会降低显示面板(panel)的透光率。技术实现要素:(一)要解决的技术问题本发明要解决的技术问题是如何设置电极以避免在两块电极交错处出现电场紊乱,引发液晶转动异常。(二)技术方案为了解决上述技术问题,本发明提供了一种电极,包括第一电极和与所述第一电极对应的第二电极,所述第一电极为面状电极,所述第二电极为镂空电极;所述第二电极包括多个镂空区域以及两个相邻镂空区域之间的条状子电极;所述第一电极的边缘沿所述条状子电极长度方向设置有缺口,所述缺口的位置与所述条状子电极位置相对应。优选地,所述缺口的投影与所述第二电极的边缘的镂空区域部分重叠。优选地,所述缺口是多个,多个所述缺口设置在与每两个相邻镂空区域之间的条状子电极对应的位置。优选地,所述缺口的宽度为所述条状子电极的宽度的30%~250%。优选地,所述缺口的宽度为所述条状子电极的宽度的50%~150%。优选地,所述缺口的深度小于所述条状子电极的深度。优选地,所述缺口与所述第一电极的边缘之间形成条状电极,所述条状电极的形状与所述条状子电极的形状一致。优选地,所述条状电极的宽度为所述条状子电极的宽度的30%~120%。一种阵列基板,所述阵列基板包括上述电极。一种显示面板,包括上述阵列基板。(三)有益效果本发明提供了一种电极、阵列基板及显示面板,本发明的电极包括第一电极和与第一电极对应的第二电极,其中第一电极为面状电极,第二电极为镂空电极;第二电极包括多个镂空区域以及两个相邻镂空区域之间的条状子电极,本发明在第一电极的边缘沿条状子电极长度方向设置有缺口,并且该缺口的位置与条状子电极位置相对应。通过该缺口的设置改善了缺口周边的第一电极和第二电极之间的电场,即改善了第一电极与第二电极边缘的镂空区域的交错处的电场,从而减小了缺口周边液晶转动异常区域,降低了按压痕迹残留发生几率,提升了用上述电极制作的阵列基板和显示面板的透光率。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中hads液晶显示模式的电极结构示意图;图2是本发明的一个较佳实施例一的电极的结构示意图;图3a是现有技术中hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像;图3b是利用本发明的一个较佳实施例一的电极基制作的hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像;图4是本发明的另一个较佳实施例二的电极的结构示意图;图5是利用本发明的另一个较佳实施例二的电极基制作的hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像。具体实施方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一:一种电极,如图2所示,包括第一电极1和与第一电极1对应的第二电极2,第一电极1为面状电极,第二电极2为镂空电极;第二电极包括多个镂空区域以及两个相邻镂空区域之间的条状子电极3;第一电极1的边缘沿条状子电极3长度方向设置有缺口4,缺口4的位置与条状子电极3位置相对应。其中,缺口4的宽度为条状子电极3的宽度的30%~250%,本实施例中将缺口4的宽度设置为条状子电极3的宽度的50%~100%。上述电极通过在第一电极1的边缘与条状子电极3位置相对应的区域设置缺口4,能够改变缺口4周边(即第一电极与第二电极边缘的镂空区域交错边缘处)的第一电极1和第二电极2之间的电场,从而可以减小缺口4周边液晶转动异常区域,降低按压痕迹残留发生几率,从而提升用上述电极制作的阵列基板和显示面板的透光率。进一步地,如图2所示,缺口4的投影与第二电极2的边缘的镂空区域部分重叠,从而可以进一步改善了缺口4周边的第一电极与第二电极之间的电场,避免由于第一电极与第二电极边缘的镂空区域交错边缘处的电场紊乱造成的液晶偏转异常。进一步地,如图2所示,缺口4的深度小于条状子电极3的深度并且缺口4与第一电极1的边缘之间形成条状电极5,条状电极5的形状与条状子电极3的形状一致。优选地,条状电极5的宽度为条状子电极3的宽度的30%~120%。对条状电极5的形状和宽度的设计,可以改变缺口4周边位置处的电场,从而进一步改善缺口4周边的第一电极与第二电极之间的电场。图3a是现有技术中hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像,图3b是利用本发明的一个较佳实施例一的电极基制作的hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像,对比图3a和图3b可知利用本实施例的电极可以有效减小因液晶取向紊乱而形成的暗区,降低tracemura发生几率,提升以该电极制作的panel的透光率。实施例二:如图4所示,本实施例的电极与实施例一的电极不同之处在于,本实施例的电极包括多个缺口4,多个缺口4设置在与每两个相邻镂空区域之间的条状子电极3对应的位置。其中,第一电极1的边缘的缺口4与实施例一的缺口相同。其中,缺口4的宽度为条状子电极3的宽度的30%~250%,本实施例中将缺口4的的宽度设置为条状子电极3的宽度的50%~150%。本实施例设置的多个缺口能够改善改变各个缺口4周边(即第一电极与第二电极边缘的镂空区域交错边缘处)的电场,从而可以减小了各个缺口4周边液晶转动异常区域,降低按压痕迹残留发生几率,提升用上述电极制作的阵列基板和显示面板的透光率。图5是利用本发明的另一个较佳实施例二的电极基制作的hads液晶显示器在白态时像素边缘的显示图像,对比图3a和图5可知利用本实施例的电极可以有效减小因液晶取向紊乱而形成的暗区,降低tracemura发生几率,提升以该电极制作的panel的透光率。上述实施例一和实施例二通过对第一电极边缘处进行电极修饰,即形成缺口以及由缺口形成的条状电极,改善了修饰位置处第一电极和第二电极之间的电场,减小液晶lc转动异常区域,降低tracemura发生几率。本发明还公开了一种阵列基板,该阵列基板包括实施例一或实施例二的电极。同时本发明还公开了一种显示面板,该显示面板包括上述阵列基板。上述阵列基板和显示面板相比于现有的阵列基板和显示面板,有效减少了液晶偏转异常区域,降低tracemura发生几率,提升了透光率。以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。当前第1页1 2 3 当前第1页1 2 3 
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