一种阵列基板、其驱动方法、液晶显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示装置，尤其涉及一种阵列基板、其驱动方法、液晶显示面板及显示装置。

背景技术：

液晶显示器一般包括对盒的上基板和下基板，以及填充在上基板和下基板之间的液晶分子层。在显示画面时，由于加载在各像素的像素电极上的驱动电压和公共电极上的公共电极电压之间形成电场，而液晶分子在电场作用下会发生偏转，偏转程度不同，导致透过率不同，从而实现画面显示。

但是，由于液晶分子具有粘滞效应，因此液晶分子偏转至预期状态会有一个时间过程，即响应时间，特别是在低温环境下，液晶分子的响应时间会比较长，从而导致像素充电率不足，进而影响液晶显示器的显示品质。

因此，如何减小液晶分子的响应时间是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供的一种阵列基板、其驱动方法、液晶显示面板及显示装置，通过在像素电极与控制线之间设置补偿电容，来实现改变电极电压，从而解决了现有技术中存在因液晶特性导致低温时液晶响应速度变慢的问题，从而提高液晶显示质量。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个像素电极；还包括：

与各所述像素电极一一对应的补偿电容；

与各所述补偿电容对应连接的控制线；

与各所述控制线连接的控制电路，所述控制电路用于通过所述控制线在各所述像素电极充电后，向与各所述像素电极对应的补偿电容施加预设时长的、且与各所述像素电极上的电压极性相同的电压。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电容包括相互绝缘且相对设置的第一电极和第二电极，其中所述第二电极与对应的像素电极相连，所述第一电极与对应的控制线相连；或者

所述补偿电容包括与所述像素电极相对设置的第一电极，所述第一电极与所述像素电极形成电容结构。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：与各行所述像素电极对应连接的栅线。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，一条所述控制线对应连接一行所述像素电极所对应的各所述补偿电容。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，一条所述控制线对应连接一个所述补偿电容。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述栅线与所述控制线同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：与各列像素电极对应连接的数据线；

当所述补偿电容仅包括第一电极时，所述第一电极与所述数据线同层设置。

相应地，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括上述任一种所述的阵列基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括液晶显示面板。

相应地，本发明实施例还提供了一种所述的阵列基板的驱动方法，包括：

依次对各行所述像素电极进行充电；

在每一行所述像素电极充电后，控制电路通过与该行像素电极对应的控制线向与该行像素电极对应的补偿电容施加预设时长的、且与该行像素电极上的电压极性相同的电压。

本发明实施例提供的上述阵列基板、其驱动方法、液晶显示面板及显示装置，包括衬底基板、像素电极、补偿电容、控制线和控制电路。当各像素电极充电后，像素电极处于浮接状态，而控制电路向补偿电容施加了与像素电极上的电压极性相同的电压，根据电容电荷守恒原理，补偿电容两端的电压差压要保持为像素电极充电时的状态，因此控制电路向补偿电容一端施加电压时会使补偿电容另一端的电压发生相同的改变，从而使像素电极的电压幅度增大，当该阵列基板应用于液晶显示面板时，像素电极的电压幅度增大会使控制液晶分子翻转的电场增强，从而减小液晶分子的响应时间。因此本发明实施例提供的上述阵列基板可以解决现有技术中存在的在低温时液晶响应速度变慢的问题，从而提高液晶显示质量。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之四；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的驱动方法流程图；

图6为本发明实施例提供的阵列基板的时序控制图；

图7为本发明实施例提供的阵列基板的时序控制效果图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1至图3所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上呈矩阵排列的多个像素电极02；还包括：

与各像素电极02一一对应的补偿电容03；

与各补偿电容03对应连接的控制线04；

与各控制线04连接的控制电路05，控制电路05用于通过控制线04在各像素电极02充电后，向与各像素电极02对应的补偿电容03施加预设时长的、且与各像素电极02上的电压极性相同的电压。

本发明实施例提供的上述阵列基板，包括衬底基板、像素电极、补偿电容、控制线和控制电路。当各像素电极充电后，像素电极处于浮接状态，而控制电路向补偿电容施加了与像素电极上的电压极性相同的电压，根据电容电荷守恒原理，补偿电容两端的电压差压要保持为像素电极充电时的状态，因此控制电路向补偿电容一端施加电压时会使补偿电容另一端的电压发生相同的改变，从而使像素电极的电压幅度增大，当该阵列基板应用于液晶显示面板时，像素电极的电压幅度增大会使控制液晶分子翻转的电场增强，从而减小液晶分子的响应时间。因此本发明实施例提供的上述阵列基板可以解决现有技术中存在的在低温时液晶响应速度变慢的问题，从而提高液晶显示质量。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，补偿电容03包括相互绝缘且相对设置的第一电极031和第二电极032，其中第二电极032与对应的像素电极02相连，第一电极031与对应的控制线04(图中未画出)相连；或者

如图3所示，补偿电容03包括与像素电极02相对设置的第一电极，第一电极与像素电极02形成电容结构。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，还包括：与各行像素电极02对应连接的栅线gate1、gate2、gate3、…。

在具体实施时，为了减少衬底基板上的布线数量，以提高开口率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，一条控制线04对应连接一行像素电极02所对应的各补偿电容03。当然，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，也可以是一条控制线04对应连接一个补偿电容03，在此不作限定。

较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，栅线与控制线同层设置，在此不作限定。当栅线与控制线同层设置时，可以在制备时，仅改变构图图案，不用单独增加形成控制线的刻蚀工艺，在形成栅线的同时形成控制线，从而可以降低工艺成本。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，还包括：与各列像素电极02对应连接的数据线data1、data2、data3、…。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，当补偿电容仅包括第一电极时，第一电极与数据线同层设置，这样可以降低工艺成本，在此不作限定。

进一步地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，当补偿电容仅包括第一电极时，第一电极的材料可以为透明导电材料，也可以为金属材料，在此不作限定。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一电极的材料为透明导电材料，这样可以避免较小像素开口率。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，理论上其预设时长大于零、小于等于对应的像素电极充电完毕到下一次充电前。但是预设时长太长，液晶翻转后保持的时间就比较长，从而会破会液晶的翻转性能；预设时长太短，在低温环境下由不能有效提高液晶的翻转速度，因此在具体实施时，根据实际情况决定预设时间的长度。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，预设时长小于像素电极的充电时长，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，还包括与各数据线data1、data2、data3、…连接的源极驱动器06，与各栅线gate1、gate2、gate3、…连接的栅极驱动器07，与源极驱动器06、栅极驱动器07以及控制电路05连接的时序控制器08。

进一步地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，控制电路和栅极驱动器可以设置在衬底基板的同一侧，在此不作限定。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，控制电路和栅极驱动器可以集成在同一芯片中，在此不作限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的驱动方法，如图5所示，包括：

S501、依次对各行所述像素电极进行充电；

S502、在每一行所述像素电极充电后，控制电路通过与该行像素电极对应的控制线向与该行像素电极对应的补偿电容施加预设时长的、且与该行像素电极上的电压极性相同的电压。

本发明实施例提供的上述驱动方法中，由于在每一行所述像素电极充电后，控制电路通过与该行像素电极对应的控制线向与该行像素电极对应的补偿电容施加预设时长的、且与该行像素电极上的电压极性相同的电压。控制电路向补偿电容一端施加电压时会使补偿电容另一端的电压发生相同的改变，从而使像素电极的电压幅度增大，当应用于液晶显示面板时，像素电极的电压幅度增大会使控制液晶分子翻转的电场增强，从而减小液晶分子的响应时间。因此本发明实施例提供的上述阵列基板可以解决现有技术中存在的在低温时液晶响应速度变慢的问题，从而提高液晶显示质量。

下面以图7所示的阵列基板为例结合时序图详细说明本发明实施例提供的上述驱动方法。如图6所示，在T1阶段，仅有第一条栅线gate1的电位被拉高，各数据线data1、data2、data3、…向第一行像素电极02提供极性为正的电压，第一行像素电极02进行充电，具体第一行像素电极02上电压的极性分布如图7所示；

在t2阶段，第一条栅线gate1的电位被拉低，控制电路向第一条控制线04_1提供极性为正的电压信号；

在T2阶段，仅有第二条栅线gate2的电位被拉高，各数据线data1、data2、data3、…向第二行像素电极02提供极性为负的电压，第二行像素电极02进行充电，具体第一行像素电极02上电压的极性分布如图7所示；

在t3阶段，第二条栅线gate2的电位被拉低，控制电路向第二条控制线04_2提供极性为负的电压信号；

在T3阶段，仅有第三条栅线gate3的电位被拉高，各数据线data1、data2、data3、…向第三行像素电极02提供极性为正的电压，第三行像素电极02进行充电，具体第一行像素电极02上电压的极性分布如图7所示；

在t4阶段，第三条栅线gate3的电位被拉低，控制电路向第三条控制线04_3提供极性为正的电压信号。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。由于该液晶显示面板的解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该液晶显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述阵列基板，包括衬底基板、像素电极、补偿电容、控制线和控制电路。当各像素电极充电后，像素电极处于浮接状态，而控制电路向补偿电容施加了与像素电极上的电压极性相同的电压，根据电容电荷守恒原理，补偿电容两端的电压差压要保持为像素电极充电时的状态，因此控制电路向补偿电容一端施加电压时会使补偿电容另一端的电压发生相同的改变，从而使像素电极的电压幅度增大，当该阵列基板应用于液晶显示面板时，像素电极的电压幅度增大会使控制液晶分子翻转的电场增强，从而减小液晶分子的响应时间。因此本发明实施例提供的上述阵列基板可以解决现有技术中存在的在低温时液晶响应速度变慢的问题，从而提高液晶显示质量。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。