显示装置及电子设备的制作方法

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显示装置及电子设备的制作方法

本发明涉及显示装置及电子设备。



背景技术:

具有电荷的粒子在分散剂中移动的电泳显示装置得到广泛应用。由于电泳显示装置的画面闪烁较少,用作阅览电子书籍的显示装置等。在专利文献1中公开了该电泳显示装置。根据其可知,电泳显示装置具备设置有电极的一对基板。而且,设置有铺满胶囊的电泳片,该胶囊内置有电极间包含白色带电粒子及黑色带电粒子的分散剂。基板之间夹设的电泳片通过粘接膜固定于基板。

在胶囊内,白色带电粒子带(-)电,黑色带电粒子带(+)电。然后,通过向设置在相对的基板的电极施加电压,一电极吸引黑色带电粒子,另一电极吸引白色带电粒子。接着,通过更换电极的电压,黑色带电粒子和白色带电粒子的位置交换。

在基板一侧设置像素电极,像素电极成为一个像素。然后,通过按照每个像素控制黑色带电粒子及白色带电粒子的位置,能够显示预定的图形。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-204376号公报



技术实现要素:

发明要解决的技术问题

将电泳动片设置在基板上时,借助粘接膜粘接。此时,存在基板和粘接膜之间进入空气成为气泡的情况。而且,观察显示图案时能看到气泡,因此,干扰观看显示图案。因此,期待在基板和粘接膜之间难以存在气泡的显示装置。

解决技术问题的技术手段

本发明是为了解决上述技术问题而完成的,可以通过以下方式或适用例来实现。

[适用例1]

本适用例提供一种显示装置,其特征在于,具备:基板;第一像素电极及第二像素电极,设置在所述基板上;粘接膜,设置在所述第一像素电极及所述第二像素电极上;以及通道,位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间,并向所述粘接膜的外周开口而供气体通过。

根据本适用例,显示装置具备基板,在基板上设置有第一像素电极及第二像素电极。而且,在第一像素电极及第二像素电极上设置有粘接膜。并且,在第一像素电极和第二像素电极之间设置有向粘接膜的外周开口而供气体通过的通道。

在显示装置中设置有粘接膜。通过重叠于粘接膜设置相应于电压而显示颜色变化的部件,显示装置能够电控制显示图案。当在基板上设置粘接膜时,存在基板和粘接膜之间残留气泡的情况。此时,由于光在粘接膜和气泡之间反射,难以看到显示图案。本显示装置在第一像素电极和第二像素电极之间具有通道,通道向基板的外周开口。因此,当基板和粘接膜之间残留气泡时,通过向气泡施加压力,能够使气泡内的气体通过通道,向基板的外周移动。其结果,能够得到在第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间难以存在气泡的显示装置。

[适用例2]

在上述适用例的显示装置中,其特征在于,所述显示装置具备沿着所述通道设置的凸部。

根据本适用例,凸部设置在基板和粘接膜之间,沿着通道设置凸部。凸部在基板和粘接膜之间形成空间,连接该空间成为通道。而且,当向基板的厚度方向按压显示装置时,凸部抑制空间被挤压。因此,当向基板的厚度方向按压显示装置时,能够维持通道。

[适用例3]

在上述适用例的显示装置中,其特征在于,所述凸部在所述基板的厚度方向上的高度等于或低于所述第一像素电极及所述第二像素电极的高度。

根据本适用例,凸部的高度设置为等于或低于第一像素电极及第二像素电极的高度。当凸部的高度高于第一像素电极及第二像素电极的高度时,第一像素电极或第二像素电极可能与粘接膜分离。此时,由于第一像素电极或第二像素电极与黏着膜之间形成气泡,难以看到显示图案。在本显示装置中,由于凸部的高度低于第一像素电极及第二像素电极的高度,能够抑制第一像素电极或第二像素电极与粘接膜分离。其结果,能够抑制在第一像素电极或第二像素电极与粘接膜之间形成气泡。

[适用例4]

在上述适用例的显示装置中,其特征在于,所述第一像素电极及所述第二像素电极具备基础凸部以及位于所述基础凸部上的导电膜,所述凸部和所述基础凸部从所述基板的高度相同。

根据本适用例,第一像素电极及第二像素电极具备基础凸部,在基础凸部上设置有导电膜。而且,凸部和基础凸部从基板的高度相同。此时,基板的厚度方向上的第一像素电极及第二像素电极的高度能够可靠地高于凸部。

[适用例5]

在上述适用例的显示装置中,其特征在于,所述凸部和所述基础凸部为相同材质。

根据本适用例,凸部和基础凸部为相同材质。此时,能够通过相同工序设置凸部和基础凸部。因此,与通过不同工序制造基础凸部和凸部时相比,能够高生产率地制造显示装置。

[适用例6]

本适用例提供一种电子设备,其特征在于,具备显示装置以及用于驱动所述显示装置的驱动装置,所述显示装置为上文所述的显示装置。

根据本适用例,在电子设备中,驱动装置驱动显示装置。而且,显示装置成为不易在显示图案上形成气泡的装置。因此,电子设备成为具备难以在显示图案形成气泡的显示装置的装置。

[适用例7]

本适用例提供一种显示装置的制造方法,其特征在于,具有在基板上设置凸部的工序以及在基板上设置第一像素电极及第二像素电极的工序,所述凸部位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间。

根据本适用例,在基板上设置有凸部、第一像素电极及第二像素电极。凸部位于第一像素电极和第二像素电极之间。在第一像素电极及第二像素电极上设置有粘接膜。由于第一像素电极和第二像素电极之间设置有凸部,因此,粘接膜与凸部粘接,抑制粘接膜与基板粘接。因此,在第一像素电极和第二像素电极之间形成有供气体通过的通道。而且,当气体进入到第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间时,也能容易地使气体向通道移动。其结果,能够容易地得到在第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间难以形成气泡的显示装置。

[适用例8]

本适用例提供一种显示装置的制造方法,其特征在于,具有:在基板上设置第一基础凸部、第二基础凸部及凸部的工序;在所述第一基础凸部上设置第一像素电极,在所述第二基础凸部上设置第二像素电极的工序;以及在所述第一像素电极及所述第二像素电极上设置粘接膜的工序,所述凸部位于所述第一基础凸部和所述第二基础凸部之间,并为相同高度。

根据本适用例,在基板上设置有第一基础凸部、第二基础凸部及凸部。而且,在第一基础凸部上设置第一像素电极,在第二基础凸部上设置第二像素电极。凸部位于第一基础凸部和第二基础凸部之间。因此,凸部位于第一像素电极和第二像素电极之间。而且,凸部的高度低于第一像素电极及第二像素电极。

在第一像素电极及第二像素电极上设置有粘接膜。由于第一像素电极及第二像素电极高于凸部,因此,粘接膜与第一像素电极及第二像素电极紧贴。而且,能够使得第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间难以进入气体。而且,在第一像素电极和第二像素电极之间设置有凸部。由此,粘接膜与凸部粘接,因此抑制粘接膜与基板粘接。因而,在第一像素电极和第二像素电极之间形成供气体通过的通道。而且,当气体进入到第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间时,也能容易地使气体向通道移动。其结果,能够容易地得到在第一像素电极及第二像素电极与粘接膜之间难以形成气泡的显示装置。

能够通过相同工序设置凸部和基础凸部。因此,与通过不同工序制造凸部和基础凸部时相比,能够高生产率地制造显示装置。

附图说明

图1是示出第一实施方式的电泳显示装置的结构的平截面示意图。

图2是示出电泳显示装置的结构的侧截面示意图。

图3是示出元件基板的结构的俯视示意图。

图4是示出元件基板的结构的主要部分俯视示意图。

图5是示出像素电极及凸部的结构的主要部分侧截面示意图。

图6是示出像素电极及凸部的结构的主要部分侧截面示意图。

图7是电泳显示装置的制造方法的流程图。

图8是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图9是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图10是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图11是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图12是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图13是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图14是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图15是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图16是用于说明第二实施方式的电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图17是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图18是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图19是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图20是用于说明第三实施方式的电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图21是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图22是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图23是示出第四实施方式的元件基板的结构的主要部分侧截面示意图。

图24是电泳显示装置的制造方法的流程图。

图25是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图26是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图27是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图28是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图29是示出第五实施方式的元件基板的结构的主要部分侧截面示意图。

图30是电泳显示装置的制造方法的流程图。

图31是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图32是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图33是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图34是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图35是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。

图36是示出第六实施方式的电子书的结构的简要立体图。

图37是示出手表的结构的简要立体图。

图38是示出比较例的电泳显示装置的结构的平截面示意图。

图39是示出比较例的像素电极的结构的主要部分侧截面示意图。

附图标记说明

1···作为显示装置的电泳显示装置、2···作为基板的元件基板、3···驱动电路、4···端子、5···像素电极、5a···第一像素电极、5b···第二像素电极、6···作为粘接膜的第一粘接膜、7···微胶囊、7a···分散剂、7b···黑色粒子、7c···白色粒子、8···第二粘接膜、9···共用电极、10···透明基板、11···电泳片、12···导通部、13···框部、14···保护基板、15···第三粘接膜、16···凸部、17···通道、18···气泡、21···基材、22···元件层、22m···层间绝缘膜、23···开关元件、23e···半导体膜、23f···栅极绝缘膜、23g···栅极电极、23h···源极区域、23j···漏极区域、23k···沟道形成区域、23n···源极区域、23p···漏极电极、24···第一绝缘膜、25···第二绝缘膜、26···像素电极配线、27···贯通电极、30···第二绝缘膜、31···电泳显示装置、33···树脂膜、34···凸部、35···第一绝缘膜、36···电泳显示装置、33···树脂膜、34···凸部、35···第一绝缘膜、36···电泳显示装置、55···电泳显示装置、56···元件基板、57···第一绝缘膜、58···像素电极、58a···第一像素电极、58b···第二像素电极、59···基础凸部、59b···第一基础凸部、59c···第二基础凸部、60···第二绝缘膜、61···电极膜、61a···第一电极膜、61b···第二电极膜、62···贯通电极、65···电泳显示装置、66···凸部、67···像素电极、67a···第一像素电极、67b···第二像素电极、68···基础凸部、68b···第一基础凸部、68c···第二基础凸部、69···第二绝缘膜、70···贯通电极、71···作为导电膜的电极膜、71a···第一像素电极、71b···第二像素电极、83···作为电子设备的电子书、84···壳体、85···铰链、86···盖部、87···操作按钮、88···显示部、89···控制部、90···作为驱动装置的驱动部、93···作为电子设备的手表、94···壳体、95···带、96···操作按钮、97···作为显示装置的显示部、98···控制部、99···作为驱动装置的驱动部。

具体实施方式

在本实施方式中,按照附图说明电泳显示装置以及制造该电泳显示装置的特征性例子。另外,由于将各附图中的各部件设为在各附图上可识别程度的大小,因此,对每个部件采用不同比例尺进行图示。

(第一实施方式)

根据图1~图6对第一实施方式的电泳显示装置进行说明。图1是示出电泳显示装置的结构的平截面示意图,图2是示出电泳显示装置的结构的侧截面示意图。图1是沿图2的B-B线的截面图,图2是沿图1的A-A线的截面图。

如图1及图2所示,作为显示装置的电泳显示装置1具备作为基板的元件基板2。在元件基板2上呈矩阵状设置有TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)等未图示的开关元件。并且,在元件基板2上设置有驱动开关元件的驱动电路3。然后,沿着元件基板2的一边排列设置端子4,在端子4上设置未图示的柔性线缆。然后,通过柔性线缆,从外部设备输送用于控制电泳显示装置1的控制信号、数据信号。

元件基板2具备基材,在基材上设置有开关元件、配线。基材是具有例如30μm~500μm左右厚度的板状部件。作为基材的构成材料,可以举出例如玻璃基板、石英基板、硅基板、砷化镓基板等无机基板,由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜树脂(PES)、芳族聚酯(液晶聚合物)等构成的塑料基板等。在本实施方式中,例如使用玻璃基板作为基材的材质。

在元件基板2上,在与开关元件相对的位置设置有像素电极5。与开关元件同样地,像素电极5呈矩阵状排列。

将元件基板2的厚度方向作为Z方向,将排列像素电极5的方向作为X方向及Y方向。X方向及Y方向是元件基板2的两个边延伸的方向。而且,驱动电路3是位于元件基板2的-Y方向侧并在X方向上长的形状。

在像素电极5上设置有用作粘接膜第一粘接膜6,在第一粘接膜6上设置有微胶囊7。微胶囊7是从Z方向观察的形状为圆形,微胶囊7的直径为30μm到100μm。微胶囊7是从X方向及Y方向观察的形状大致为圆形。微胶囊7是密闭的容器,分散剂7a、黑色粒子7b、白色粒子7c封装于微胶囊7的内部。黑色粒子7b和白色粒子7c中的一者带正电,另一者带负电。

关于分散剂7a,能够使用水或乙醇类溶剂,各种酯类、酮类、脂肪烃、脂环烃、芳烃、卤代烃、羧酸盐或其他各种油类等。而且,关于分散剂7a,除单独使用这些材质之外,也能够与这些混合物配合表面活性剂等来使用。

关于黑色粒子7b,能够使用由碳黑、苯胺黑、氮氧化钛等黑色颜料形成的粒子、高分子、胶体。关于白色粒子7c,能够使用二氧化钛等白色颜料。在上述颜料中,也可以根据需要添加由电解质、表面活性剂、金属皂、树脂、橡胶、油脂、清漆、复合物等粒子构成的电荷控制剂、钛偶联剂、铝偶联剂、硅偶联剂等分散剂、润滑剂、稳定剂等。通过添加这些添加材料,反应性良好地使黑色粒子7b及白色粒子7c移动,能够长期稳定地工作。

除黑色粒子7b及白色粒子7c之外,也能够使用单偶氮的偶氮类颜料、异吲哚啉酮等黄色颜料、喹吖啶酮红等红色颜料、酞菁蓝等蓝色颜料、酞菁绿等绿色颜料等的一种或两种以上。

在图中,为了易于看图,像素电极5和微胶囊7相对配置。像素电极5和微胶囊7也可以非一对一相对。也可以对于像素电极5不规则地配置微胶囊7。相对于像素电极5,微胶囊7小并数量多时比大并数量少时更能够显示平滑的线。

在微胶囊7上依次重叠设置有第二粘接膜8、共用电极9、透明基板10。然后,由第一粘接膜6、微胶囊7、第二粘接膜8、共用电极9及透明板10构成电泳片11。像素电极5的材质是具有导电性的材质即可,没有特别地限制,除铜、铝、镍、金、银、ITO(氧化铟锡)之外,能够使用在铜箔上层叠镍膜、金膜的物质,在铝箔上层叠镍膜、金膜的物质。在本实施方式中,例如,像素电极5构成为在层叠铝和铜的配线上设置金膜。

共用电极9为透明导电膜即可,没有特别地限定。例如,关于共用电极9,能够使用MgAg、IGO(Indium-gallium oxdie:铟镓氧化物)、ITO(Indium Tin Oxide:氧化锡铟)、ICO(Indium-cerium oxide:氧化铟铈)、IZO(铟锌氧化物)等。在本实施方式中,例如使用ITO作为共用电极9。

透明基板10的材质是具有透光性、强度及绝缘性即可,没有特别地限定。透明基板10的材质能够使用玻璃或丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜树脂(PES)、聚碳酸酯(PC)等透光性高的材料。在透明基板10的+Z方向侧的面上配置有未图示的防湿片等。

第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材质是能够粘接所夹的各部件并具有绝缘性的材质即可,没有特别地限定。例如,第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材质能够使用聚氨酯、聚脲、聚脲-聚氨酯、尿素-甲醛树脂、三聚氰胺-甲醛树脂、聚酰胺、聚酯、聚磺酰胺等。除此之外,例如第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材质能够使用聚碳酸酯、多亚硫酸盐、环氧树脂、聚丙烯酸酯等丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸脂、聚乙酸乙烯酯、明胶、苯酚树脂、乙烯基树脂等。在本实施方式中,例如,第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材质使用紫外线固化型的丙烯酸树脂、环氧树脂。

共用电极9及透明基板10比第一粘接膜6及第二粘接膜8更向-X方向突出。而且,在共用电极9及透明基板10突出的位置,元件基板2和共用电极9之间设置有导通部12。通过导通部12向共用电极9施加电压。

在元件基板2上围着电泳片11设置有框部13,在框部13的+Z方向侧设置有保护基板14。并且,电泳片11和保护基板14通过第三粘接膜15粘接。框部13位于比电泳片11靠外侧处,并设置在元件基板2上。框部13被保护基板14和元件基板2夹着。框部13例如通过丙烯酸类树脂、PET等有机材料构成。成为分别紧贴于保护基板14及元件基板2的周缘部并且分别固定周缘部的状态。这些各部件既可以通过激光熔融固定,也可以粘接固定。

保护基板14设置在电泳显示装置1的视觉识别侧。保护基板14的板材适用透光性强、平坦性优异、不易损伤的材料,能够使用丙烯酸类板材、强化玻璃等。第二粘接膜8及第三粘接膜15优选使用透明度高的光学粘接剂。

图3是示出元件基板的结构的俯视示意图,是从图1中除去微胶囊7及第一粘接膜6的图。图4是示出元件基板的结构的主要部分俯视示意图。在图3及图4中,将沿Y方向排列的像素电极5列的一列中像素电极5作为第一像素电极5a。并且,将位于第一像素电极5a旁边的像素电极5作为第二像素电极5b。

此时,第一像素电极5a和第二像素电极5b之间设置有在Y方向上延伸的凸部16。凸部16延伸到第一粘接膜6的外周。凸部16位于各列的像素电极5之间。并且,凸部16也位于+X方向侧端部的列的像素电极5的+X方向侧。并且,凸部16也位于-X方向侧端部的列的像素电极5的-X方向侧。X方向上的凸部16两侧形成有供用作气体的空气通过的通道17。通道17沿着凸部16,在第一粘接膜6的外周开口。

图5及图6是示出像素电极及凸部的结构的主要部分侧截面示意图。如图5及图6所示,在像素电极5及凸部16上设置有第一粘接膜6。在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间没有凸部16时,第一粘接膜6在元件基板2侧下垂,第一粘接膜6埋设于第一像素电极5a和第二像素电极5b之间。因此,第一像素电极5a和第二像素电极5b之间不再有空气通过的空间。

与第一像素电极5a和第二像素电极5b之间的X方向的距离相比,第一像素电极5a和凸部16之间的距离短。因此,在第一像素电极5a和凸部16之间,第一粘接膜6难以向元件基板2侧下垂。而且,在第一像素电极5a和凸部16之间形成供空气通过的通道17。同样地,与第一像素电极5a和第二像素电极5b之间的距离相比,第二像素电极5b和凸部16之间的距离短。因此,在第二像素电极5b和凸部16之间,第一粘接膜6难以向元件基板2侧下垂。而且,在与第二像素电极5b之间也形成供空气通过的通道17。

图38是示出比较例的电泳显示装置的结构的平截面示意图。如图38所示,当将第一粘接膜6设置在元件基板2上时,存在像素电极5和第一粘接膜6之间残留气泡18的情况。此时,由于光在第一粘接膜6和气泡之间反射,因此,难以看到显示图案。电泳显示装置1在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间具有通道17,通道17向第一粘接膜6的外周开口。因此,当在像素电极5和第一粘接膜6之间残留气泡18时,按压元件基板2和电泳片11。然后,通过向气泡18施加压力,能够使气泡内的气体穿过通道17,向第一粘接膜6的外周移动。其结果,能够容易地制成在像素电极5和第一粘接膜6之间难以存在气泡18的电泳显示装置1。

图39是示出比较例的像素电极的结构的主要部分侧截面示意图。如图39所示,当向第一粘接膜6施加压力时,第一粘接膜6变形。当在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间没有凸部16时,第一粘接膜6进入第一像素电极5a和第二像素电极5b之间。由此,由于第一像素电极5a和第二像素电极5b之间无法形成空间,因此不能形成通道17。

返回图5及图6,在电泳显示装置1中,在元件基板2和第一粘接膜6之间设置有凸部16,凸部16沿着通道17设置。凸部16在元件基板2和第一粘接膜6之间形成空间。而且,当向元件基板2的厚度方向按压电泳显示装置1时,凸部16抑制通道17被挤压。因此,当向元件基板2的厚度方向按压电泳显示装置1时,能够维持通道17。

将像素电极5的Z方向的高度作为电极高度5c。并且,将凸部16的Z方向的高度作为凸部高度16a。凸部高度16a设定为等于或低于电极高度5c的高度。当凸部高度16a高于电极高度5c时,存在像素电极5和第一粘接膜6分离的可能性。此时,由于像素电极5和第一粘接膜6之间形成气泡18,难以看到显示图案。在电泳显示装置1中,由于凸部高度16a低于电极高度5c,因此能够抑制像素电极5和第一粘接膜6分离。其结果,能够抑制在像素电极5与第一粘接膜6之间形成气泡18。

接着,通过图7~图15对上述电泳显示装置1的制造方法进行说明。图7是电泳显示装置的制造方法的流程图,图8~图15是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。在图7的流程图中,步骤S1是下电极配线设置工序。该工序是设置从元件基板2通往像素电极5的配线的工序。接着,转移至步骤S2。步骤S2是凸部设置工序。该工序是在元件基板2上设置凸部16的工序。接着,转移至步骤S3。步骤S3是像素电极设置工序。该工序是在元件基板2上设置像素电极5的工序。接着,转移至步骤S4。步骤S4是泳动片设置工序。该工序是在元件基板2上设置电泳片11的工序。接着,转移至步骤S5。步骤S5是基板组装工序。该工序是组装元件基板2和保护基板14的工序。通过以上的工序,制成电泳显示装置1。

接着,使用图8~图15,与图7所示的步骤对应地详细说明制造方法。

图8及图9是对应于步骤S1的下电极配线设置工序的图。如图8所示,准备基材21。基材21使用将玻璃板研削及研磨成预定的厚度并使表面粗糙度变小的板。在基材21上形成元件层22。由于元件层22的形成方法为公知而省略详细的说明,说明概要的制造方法。元件层22的形成方法有多种而没有特别的限定。

首先,通过CVD法(chemical vapor deposition:化学气相沉积法),在基材21上形成未图示的SiO2的底绝缘膜。接着,通过CVD法等,在底绝缘膜上形成膜厚50nm左右的非结晶硅膜。通过激光结晶化法等,使该非结晶硅膜结晶化,形成多结晶硅膜。其后,通过光刻法等,形成岛状的多结晶硅膜即半导体膜23e。

接着,以覆盖半导体膜23e及底绝缘膜的方式,通过CVD法等形成膜厚100nm左右的SiO2,作为栅极绝缘膜23f。通过溅射法等,在栅极绝缘膜23f上形成膜厚500nm左右的Mo膜,通过光刻法形成岛状的栅极电极23g。通过离子注入法,将杂质离子注入到半导体膜,形成源极区域23h、漏极区域23j及沟道形成区域23k。以覆盖栅极绝缘膜23f及栅极电极23g的方式,形成膜厚800nm左右的SiO2膜,作为层间绝缘膜22m。

接下来,在层间绝缘膜22m上形成到达源极区域23h的接触孔和到达漏极区域23j的接触孔。其后,在层间绝缘膜22m上和接触孔及接触孔内,通过溅射法等形成膜厚500nm左右的Mo膜,通过光刻法进行图案化,形成源极电极23n、漏极电极23p及未图示的配线。通过半导体膜23e、栅极绝缘膜23f、栅极电极23g、源极电极23n及漏极电极23p等,构成开关元件23。

如图9所示,设置第一绝缘膜24,以覆盖层间绝缘膜22m、源极电极23n、漏极电极23p及配线。第一绝缘膜24是丙烯酸树脂等树脂膜。用旋转器或滚涂辊,将溶解树脂的溶液涂敷在元件层22上并进行干燥。接着,使用光刻法对第一绝缘膜24进行图案化,在第一绝缘膜24上形成接触孔。第一绝缘膜24的接触孔是到达漏极电极23p的孔。接着,在第一绝缘膜24上形成膜厚800nm左右的Si3N4膜,作为第二绝缘膜25。接着,使用光刻法对第二绝缘膜25进行图案化,使漏极电极23p暴露于接触孔。此外,也可以在形成第一绝缘膜24之前设置保护膜。作为保护膜的材料,也可以使用例如四氮化三硅等。由此,即便在第一绝缘膜24上存在可动离子等,也能够防止其进入该可动离子的层间绝缘膜22m、源极电极23n、漏极电极23p及配线。由此,能够防止元件的特性变化。

接下来,使用溅射法等成膜法,在第二绝缘膜25上和接触孔内形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接着,对AlCu膜进行蚀刻,形成像素电极配线26及贯通电极27。贯通电极27是设置在接触孔的电极,连接漏极电极23p和像素电极配线26。蚀刻法没有特别的限定,在本实施方式中,使用了湿蚀刻法。

在第一绝缘膜24和像素电极配线26之间设置有第二绝缘膜25。第一绝缘膜24是树脂膜,像素电极配线26是金属膜。如果在树脂膜上设置金属膜,则金属膜易于剥落。第二绝缘膜25是无机质的膜,无机质的膜与树脂膜及金属膜接合时难以剥落。因此,通过设置第二绝缘膜25,能够抑制像素电极配线26的剥落。

图10是对应于步骤S2的凸部设置工序的图。如图10所示,在步骤S2中,在第二绝缘膜25上设置凸部16。凸部16的材料具有刚性即可,没有特别地限定,在本实施方式中,例如使用丙烯酸树脂。首先,用旋转器、滚涂辊或各种印刷法在第二绝缘膜25上涂敷溶解树脂的溶液并进行干燥。接着,利用光刻法对树脂膜进行图案化,设置凸部16。

图11是对应于步骤S3的像素电极设置工序的图。如图11所示,重叠于像素电极配线26及贯通电极27,设置像素电极5。像素电极5使用无电解电镀法形成。作为像素电极5的材料,具有电镀的导电性并能够进行无电解电镀法即可,没有特别地限定。可将金、钯、镍等金属中的单个或多个金属层叠使用。在本实施方式中,例如使用金作为像素电极5的材料。此外,也可以在基材21的下表面形成保护膜。作为该保护膜的材料,能够使用四氮化三硅等。

图12~图14是对应于步骤S4的泳动片设置工序的图。如图12所示,在步骤S4中,准备电泳片11。首先,在透明基板10的单面上设置共用电极9。共用电极9是ITO膜。使用溅射法等成膜法,在透明基板10上形成膜厚100nm左右的ITO膜。接着,通过光刻法对ITO膜进行图案化,形成共用电极9。

接着,重叠于共用电极9设置第二粘接膜8。通过在未图示的第二衬纸上涂敷粘接剂并进行干燥,形成第二粘接膜8。然后,将设置有第二粘接膜8的第二衬纸设置在共用电极9上。接着,在透明基板10中,在与设置有第二粘接膜8的面相反的面设置第三粘接膜15。与第二粘接膜8同样地,通过在未图示的第三衬纸上涂敷粘接剂并进行干燥,形成第三粘接膜15。然后,将设置有第三粘接膜15的第三衬纸设置在透明基板10上。此外,将第二粘接膜8及第三粘接膜15干燥到未完全干燥而具有粘接性的程度。

接着,除去第二衬纸,露出第二粘接膜8,在第二粘接膜8上设置微胶囊7。在第二粘接膜8上撒微胶囊7,使其附着于第二粘接膜8。然后,除去未附着于第二粘接膜8的多余的微胶囊7。接下来,用预定的夹具使微胶囊7微动,对微胶囊7进行微调。

接着,重叠于微调的微胶囊7,设置第一粘接膜6。与第二粘接膜8同样地,通过在未图示的第一衬纸上涂敷粘接剂并进行干燥,形成第一粘接膜6。然后,将设置有第一粘接膜6的第一衬纸设置在微调后的微胶囊7上。

如图13所示,在元件基板2上设置导通部12。导通部12可使用导电性胶、导电性橡胶、金属片等具有导电性的部件。从第一粘接膜6除去第一衬纸,露出第一粘接膜6。然后,使第一粘接膜6接触于像素电极5。对第一粘接膜6加热并进行干燥,使第一粘接膜6固化。由此,粘接元件基板2和电泳片11。

如图14所示,将相邻列的像素电极5作为第一像素电极5a及第二像素电极5b。在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间设置有凸部16,凸部16为比像素电极5低的高度。然后,当使电泳片11和元件基板2互相按压时,由于第一粘接膜6和凸部16接触,因此第一粘接膜6不向元件基板2侧下垂。因此,在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间形成供气体通过的通道17。

能够在像素电极5和第一粘接膜6之间形成气泡。当第一粘接膜6按压于像素电极5时,气泡内的空气从通道17流出。然后,空气通过通道17,从第一粘接膜6的外周排出。其结果,能够从像素电极5与第一粘接膜6之间除去气泡。

图15是对应于步骤S5的基板组装工序的图。如图15所示,在元件基板2上设置框部13。然后,从电泳片11除去第三衬纸,露出第三粘接膜15。接着,重叠于第三粘接膜15设置保护基板14。接着,对第三粘接膜15加热并进行干燥而使其固化,使电泳片11和保护基板14彼此粘接。

如上所述,根据本实施方式,具有如下效果。

(1)根据本实施方式,在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间设置有向第一粘接膜6的外周开口而供气体通过的通道17。当将第一粘接膜6设置在元件基板2上时,有时在元件基板2和第一粘接膜6之间残留气泡18。此时,由于光在第一粘接膜6和气泡18之间反射,因此难以看见显示图案。电泳显示装置1在第一像素电极5a和第二像素电极5b之间具有通道17,通道17向第一粘接膜6的外周开口。因此,当元件基板2和第一粘接膜6之间残留气泡18时,通过向气泡18施加压力,能够使气泡18内的气体穿过通道17,向第一粘接膜6的外周移动。其结果,能够容易地制成在像素电极5和第一粘接膜6之间没有气泡18的电泳显示装置1。

(2)根据本实施方式,在元件基板2和第一粘接膜6之间设置有凸部16,凸部16沿着通道17设置。凸部16在元件基板2和第一粘接膜6之间形成空间。而且,当向元件基板2的厚度方向按压电泳显示装置1时,凸部16抑制空间被挤压。因此,当向元件基板2的厚度方向按压电泳显示装置1时,能够维持通道17。

(3)根据本实施方式,凸部高度16a设置为等于或低于电极高度5c。当凸部高度16a高于电极高度5c时,存在像素电极5和第一粘接膜6分离的可能性。此时,由于像素电极5和第一粘接膜6之间形成气泡18,难以看到显示图案。在电泳显示装置1中,由于凸部高度16a低于电极高度5c,因此能够抑制像素电极5和第一粘接膜6分离。其结果,能够抑制在像素电极5与第一粘接膜6之间形成气泡18。

(第二实施方式)

接着,关于制造电泳显示装置的一实施方式,使用图16~图19的用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图进行说明。本实施方式与第一实施方式的不同之处在于设置凸部16后设置像素电极26这一点上。另外,对于与第一实施方式相同的点,省略其说明。此外,也可以设置与第一实施方式相同的保护膜。

图16是对应于设置第一绝缘膜的工序的图。即,在本实施方式中,如图16所示,以覆盖层间绝缘膜22m、源极电极23n、漏极电极23p及配线的方式,设置第一绝缘膜24,在第一绝缘膜24形成接触孔。漏极电极23p暴露于接触孔。第一绝缘膜24的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。

图17是对应于凸部设置工序的图。如图17所示,在步骤S2中,在第一绝缘膜24上设置凸部16。凸部16的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。

图18是对应于下电极配线设置工序的图。如图18所示,在第一绝缘膜24及凸部16上形成膜厚800nm左右的Si3N4膜,作为第二绝缘膜30。接着,使用光刻法对第二绝缘膜30进行图案化,使漏极电极23p暴露于接触孔。第二绝缘膜30的设置方法与第一实施方式的第二绝缘膜25的设置方法相同,省略说明。

接着,在第二绝缘膜30上和接触孔内形成AlCu膜。接着,对AlCu膜进行蚀刻,形成像素电极配线26及贯通电极27。像素电极配线26及贯通电极27的设置方法与第一实施方式的像素电极26及贯通电极27的设置方法相同,省略说明。

图19是对应于像素电极设置工序的图。如图19所示,重叠于像素电极配线26及贯通电极27,设置像素电极5。像素电极5的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。接下来进行的步骤S4的泳动片设置工序及步骤S5的基板组装工序和第一实施方式相同,省略说明。通过以上工序制成电泳显示装置31。在电泳显示装置31中,也和第一实施方式同样地,能够抑制像素电极5和第一粘接膜6之间形成气泡18。

(第三实施方式)

接着,关于制造电泳显示装置的一实施方式,使用图20~图22的用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图进行说明。本实施方式与第二实施方式的不同之处在于,一体地设置凸部16和第一绝缘膜24这一点。另外,对于与第一及第二实施方式相同点,省略说明。另外,也可以设置与第一实施方式相同的保护膜。

图20是对应于设置第一绝缘膜及凸部的工序的图。即,在本实施方式中,如图20所示,以覆盖元件层22的方式设置树脂膜33。首先,用旋转器、滚涂辊或各种印刷法在元件层22上涂敷溶解树脂的溶液并进行干燥。接着,利用光刻法对树脂膜进行图案化,形成凸部34及第一绝缘膜35。树脂膜33的材质没有特别地限定,在本实施方式中,例如使用丙烯酸树脂。凸部34是和第一实施方式的凸部16相同的部位,第一绝缘膜35是和第一实施方式的第一绝缘膜24相同的部位。

接着,使用光刻法对第一绝缘膜35进行图案化,在第一绝缘膜35形成接触孔。使漏极电极23p暴露于接触孔。接触孔的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。

图21是对应于下电极配线设置工序的图。如图21所示,在第一绝缘膜35及凸部34上形成膜厚800nm左右的Si3N4膜,作为第二绝缘膜30。接着,使用光刻法对第二绝缘膜30进行图案化,使漏极电极23p暴露于接触孔。第二绝缘膜30的设置方法与第一实施方式的第二绝缘膜25的设置方法相同,省略说明。

接着,在第二绝缘膜30上和接触孔内形成AlCu膜。接着,对AlCu膜进行蚀刻,形成像素电极配线26及贯通电极27。像素电极配线26及贯通电极27的设置方法与第一实施方式的像素电极配线26及贯通电极27的设置方法相同,省略说明。

图22是对应于像素电极设置工序的图。如图22所示,重叠于像素电极配线26及贯通电极27,设置像素电极5。像素电极5的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。接下来进行的步骤S4的泳动片设置工序及步骤S5的基板组装工序和第一实施方式相同,省略说明。通过以上的工序制成电泳显示装置36。

如上所述,根据本实施方式,具有如下效果。

(1)根据本实施方式,第一绝缘膜35及凸部34由相同树脂膜33形成。因此,与第一绝缘膜35和凸部34由分别不同的树脂膜制造相比,能够减少设置树脂膜的工序。其结果,能够高生产率地制造电泳显示装置36。在电泳显示装置36中,也和第一实施方式同样地,能够抑制像素电极5和第一粘接膜6之间形成气泡18。

(第四实施方式)

接着,使用图23~图28对电泳显示装置的一实施方式进行说明。本实施方式与第一实施方式的不同之处在于,像素电极构成为在基础凸部上设置导通膜的这一点。另外,对于与第一实施方式相同点,省略其说明。

图23是示出元件基板的结构的主要部分侧截面示意图。如图23所示,电泳显示装置55具备元件基板56,元件基板56构成为层叠基材21、元件层22及第一绝缘膜57。第一绝缘膜57是无机质的绝缘膜,是氧化硅或氮化硅的膜。在本实施方式中,例如第一绝缘膜57的材质为SiO2。在元件基板56的第一绝缘膜57上设置有凸部16及像素电极58。凸部16设置在X方向上相邻的像素电极58之间。将X方向上相邻的像素电极58中的一者作为第一像素电极58a,将另一者作为第二像素电极58b。第一像素电极58a和第二像素电极58b为相同构造。并且,像素电极58由基础凸部59、覆盖基础凸部59设置的第二绝缘膜60以及作为覆盖第二绝缘膜60的导电膜的电极膜61构成。

将第一像素电极58a的基础凸部59作为第一基础凸部59b,将第二像素电极58b的基础凸部59作为第二基础凸部59c。将设置在第一基础凸部59b上的电极膜61作为第一电极膜61a,将设置在第二基础凸部59c上的电极膜61作为第二电极膜61b。第一绝缘膜57设置有接触孔,接触孔中设置有与漏极电极23p连接的贯通电极62。而且,贯通电极62与电极膜61连接。

当将基础凸部59的Z方向的高度作为基础凸部高度59a时,凸部高度16a和基础凸部59a为相同高度。然后,将像素电极58的高度作为电极高度58c。此时,电极高度58c是基础凸部高度59a加上第二绝缘膜60及电极膜61的厚度的高度。因此,由于电极高度58c能可靠地高于凸部高度16a,能够使得在像素电极58上难以形成气泡18。

凸部16和基础凸部59为材质相同的树脂。在本实施方式中,例如,凸部16及基础凸部59的材质为丙烯酸树脂。此时,能够通过相同工序设置凸部16和基础凸部59。因此,与通过不同工序制造基础凸部59和凸部16时相比,能够高生产率地制造电泳显示装置55。

接着,通过图24~图28对上述电泳显示装置55的制造方法进行说明。图24是电泳显示装置的制造方法的流程图,图25~图28是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。在图24的流程图中,步骤S11是绝缘膜设置工序。该工序是在元件层22上设置第一绝缘膜57的工序。接着,转移至步骤S12。步骤S12是凸部设置工序。该工序是在元件基板56上设置凸部16及基础凸部59的工序。接着,转移至步骤S13。步骤S13是像素电极设置工序。该工序是在基础凸部59上设置第二绝缘膜60及电极膜61的工序。接着,转移至步骤S4。步骤S4是泳动片设置工序。该工序是在元件基板56上设置电泳片11的工序。接着,转移至步骤S5。步骤S5是基板组装工序。该工序是组装元件基板56和保护基板14的工序。通过以上的工序制成电泳显示装置55。

接着,使用图25~图28,对应于图24所示的步骤来详细地说明制造方法。

图25是对应于步骤S11的绝缘膜设置工序的图。如图25所示,在基材21上设置元件层22。元件层22的设置方法与第一实施方式相同,省略说明。然后,在元件层22上设置第一绝缘膜57。在元件层22上使用CVD法设置SiO2膜。接着,利用光刻法对SiO2膜进行图案化,设置接触孔。形成接触孔时的蚀刻法没有特别地限定,在本实施方式中,例如使用了干蚀刻法。

图26是对应于步骤S12的凸部设置工序的图。如图26所示,在第一绝缘膜57上设置凸部16及基础凸部59。首先,用旋转器、滚涂辊或各种印刷法在第一绝缘膜57上涂敷溶解树脂的溶液并进行干燥。接着,利用光刻法对树脂膜进行图案化,设置凸部16及基础凸部59。凸部16位于第一基础凸部59b和第二基础凸部59c之间。

图27及图28是对应于步骤S13的像素电极设置工序的图。如图27所示,在第一绝缘膜57、凸部16及基础凸部59上形成膜厚800nm左右的Si3N4膜。接着,利用光刻法对Si3N4膜进行图案化,设置第二绝缘膜60。第二绝缘膜60以覆盖基础凸部59的方式设置,使接触孔的漏极电极23p露出。

如图28所示,接着,使用溅射法等成膜法,在第二绝缘膜60上和接触孔内形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接着,对AlCu膜进行蚀刻,形成电极膜61及贯通电极62。贯通电极62是设置在接触孔的电极,连接漏极电极23p和电极膜61。

在该工序中,形成像素电极58。在第一基础凸部59b上设置第二绝缘膜60及第一绝缘膜61a,得到第一像素电极58a。然后,在第二基础凸部59c上设置第二绝缘膜60及第二电极膜61b,得到第二像素电极58b。蚀刻法没有特别的限定,在本实施方式中,使用了湿蚀刻法。

接着步骤S13的像素电极设置工序,进行步骤S4的泳动片设置工序及步骤S5的基板组装工序。在步骤S4中,在第一电极膜61a及第二电极膜61b上设置第一粘接膜6。另外,步骤S4及步骤S5与第1实施方式相同,省略说明。

如上所述,根据本实施方式,具有以下效果。

(1)根据本实施方式,像素电极58具备基础凸部59,在基础凸部59上设置有电极膜61。而且,凸部16和基础凸部59从元件基板56的高度相同。此时,Z方向上的像素电极58的高度能够可靠地高于凸部16。因此,能够抑制在像素电极58与第一粘接膜6之间形成气泡18。

(2)根据本实施方式,凸部16和基础凸部59材质相同。此时,能够通过相同工序设置凸部16和基础凸部59。因此,与通过不同工序制造基础凸部59和凸部16时相比,能够高生产率地制造电泳显示装置55。

(3)根据本实施方式,设置有第一基础凸部59b、第二基础凸部59c及凸部16。然后,在第一基础凸部59b上设置第一电极膜61a,在第二基础凸部59c上设置第二电极膜61b。凸部16位于第一基础凸部59b和第二基础凸部59c之间。因此,能够使凸部16位于第一像素电极58a和第二像素电极58b之间。

(第五实施方式)

接着,使用图29~图35对电泳显示装置的一实施方式进行说明。本实施方式与第四实施方式的不同之处在于,构成为在基础凸部上的配线上通过施镀设置像素电极这一点。另外,对于与第四实施方式相同的点,省略其说明。

图29是示出元件基板的结构的主要部分侧截面示意图。如图29所示,电泳显示装置65在元件基板56的第一绝缘膜57上设置有凸部66及像素电极67。凸部66设置在X方向上相邻的像素电极67之间。将X方向上相邻的像素电极67中的一者作为第一像素电极67a,将另一者作为第二像素电极67b。第一像素电极67a和第二像素电极67b为相同结构。

而且,像素电极67由基础凸部68、第二绝缘膜69、贯通电极70及作为导电膜的电极膜71构成。第二绝缘膜69设置为覆盖基础凸部68。贯通电极70是从第二绝缘膜69上跨越漏极电极23p设置的配线。电极膜71是在基础凸部68上重叠于贯通电极70设置的电极。

第一绝缘膜57设置有接触孔,接触孔设置有与漏极电极23p连接的贯通电极62。而且,贯通电极62与贯通电极70连接。将第一像素电极67a的基础凸部68作为第一基础凸部68b,将第二像素电极67b的基础凸部68作为第二基础凸部68c。将设置在第一基础凸部68b上的电极膜71作为第一像素电极71a,将设置在第二基础凸部68c上的电极膜71作为第二像素电极71b。

将凸部66的Z方向的高度作为凸部高度66a,将基础凸部68的Z方向的高度作为基础凸部高度68a。凸部高度66a和基础凸部高度68a为相同高度。然后,将像素电极67的高度作为电极高度67c。此时,电极高度67c是基础凸部高度68a加上第二绝缘膜69、贯通电极70及电极膜71的厚度的高度。因此,由于电极高度67c可靠地高于凸部高度66a,能够使得在像素电极67上难以形成气泡18。

凸部66和基础凸部68为材质相同的树脂。在本实施方式中,例如,凸部66及基础凸部68的材质为丙烯酸树脂。此时,能够通过相同工序设置凸部66和基础凸部68。因此,与通过不同工序制造基础凸部68和凸部66时相比,能够高生产率地制造电泳显示装置65。

接着,通过图30~图35对上述电泳显示装置65的制造方法进行说明。图30是电泳显示装置的制造方法的流程图,图31~图35是用于说明电泳显示装置的制造方法的侧截面示意图。在图30的流程中,步骤S11是绝缘膜设置工序。该工序是在元件层22上设置第一绝缘膜57的工序。接着,转移至步骤S22。步骤S22是凸部设置工序。该工序是在元件基板56上设置凸部66及基础凸部68的工序。接着,转移至步骤S23。步骤S23是像素配线设置工序。该工序是在基础凸部68上设置第二绝缘膜69及贯通电极70的工序。接着,转移至步骤S24。步骤S24是像素电极设置工序。该工序是在基础凸部68上的贯通电极70上设置电极膜71的工序。接着,转移至步骤S4。步骤S4是泳动片设置工序。该工序是在元件基板56上设置电泳片11的工序。接着,转移至步骤S5。步骤S5是基板组装工序。该工序是组装元件基板56和保护基板14的工序。通过以上的工序制成电泳显示装置65。

接着,使用图31~图35,对应于图30所示的步骤来详细地说明制造方法。

图31是对应于步骤S11的绝缘膜设置工序的图。如图31所示,在基材21上设置元件层22。然后,在元件层22上设置第一绝缘膜57。元件层22及第一绝缘膜57的设置方法与第四实施方式相同,省略说明。

图32是对应于步骤S22的凸部设置工序的图。如图32所示,在第一绝缘膜57上设置凸部66及基础凸部68。首先,用旋转器、滚涂辊或各种印刷法在第一绝缘膜57上涂敷溶解树脂的溶液并进行干燥。接着,利用光刻法对树脂膜进行图案化,设置凸部66及基础凸部68。凸部66位于第一基础凸部68b和第二基础凸部68c之间。

图33及图34是对应于步骤S23的像素配线设置工序的图。如图33所示,在第一绝缘膜57、凸部66及基础凸部68上形成膜厚800nm左右的Si3N4膜。接着,利用光刻法对Si3N4膜进行图案化,设置第二绝缘膜69。第二绝缘膜69以覆盖基础凸部68的方式设置,使接触孔的漏极电极23p露出。

如图34所示,接着,使用溅射法等成膜法,在第二绝缘膜69上和接触孔内形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接着,对AlCu膜进行蚀刻,形成贯通电极70。贯通电极70是设置在接触孔的电极,是从漏极电极23p连续到基础凸部68上的配线。蚀刻法没有特别的限定,在本实施方式中,使用了湿蚀刻法。

图35是对应于步骤S24的像素电极设置工序的图。如图35所示,重叠于贯通电极70,设置电极膜71。重叠于在第一基础凸部68b上的第二绝缘膜69及贯通电极70,设置第一像素电极71a。重叠于第二基础凸部68c上的第二绝缘膜69及贯通电极70,设置第二像素电极71b。电极膜71的设置方法与第一实施方式的像素电极5的设置方法相同,省略说明。接着步骤S24,进行步骤S4的泳动片设置工序及步骤S5的基板组装工序。在步骤S4中,在第一像素电极71a及第二像素电极71b上设置第一粘接膜6。步骤S4及步骤S5与第1实施方式相同,省略说明。通过以上的工序制成电泳显示装置65。

如上所述,根据本实施方式,具有以下效果。

(1)根据本实施方式,像素电极67具备基础凸部68,在基础凸部68上设置有电极膜71。而且,凸部66和基础凸部68从元件基板56的高度相同。此时,Z方向上的像素电极67的高度能够可靠地高于凸部66。因此,能够抑制在像素电极67与第一粘接膜6之间形成气泡18。

(2)根据本实施方式,凸部66和基础凸部68材质相同。此时,能够通过相同工序设置凸部66和基础凸部68。因此,与通过不同工序制造基础凸部68和凸部66时相比,能够高生产率地制造电泳显示装置65。

(3)根据本实施方式,设置有第一基础凸部68b、第二基础凸部68c及凸部66。而且,在第一基础凸部68b上设置第二绝缘膜69、贯通电极70及第一像素电极71a,在第二基础凸部68c上设置第二绝缘膜69、贯通电极70及第二像素电极71b。凸部66位于第一基础凸部68b和第二基础凸部68c之间。因此,能够使凸部66位于第一像素电极67a和第二像素电极67b之间。

(第六实施方式)

接着,使用图36及图37对搭载电泳显示装置的电子设备的一实施方式进行说明。图36是示出电子书的结构的简要立体图,图37是示出手表的结构的简要立体图。如图36所示,作为电子设备的电子书83具备板状的壳体84。在壳体84借助铰链85设置有盖部86。并且,在壳体84设置有操作按钮87和作为显示装置的显示部88。操作者操作操作按钮87,能够操作显示部88中显示的内容。

在壳体84的内部设置有控制电子书83的控制部89和作为驱动显示部88的驱动装置的驱动部90。控制部89向驱动部90输出显示数据。驱动部90输入显示数据,驱动显示部88。然后,驱动部90使显示部88显示与显示数据对应的内容。显示部88使用电泳显示装置1、电泳显示装置31、电泳显示装置36、电泳显示装置55或电泳显示装置65的任一个。因此,电子书83能够作为在显示部88使用了在显示部88难以产生气泡18的电泳显示装置的装置。

如图37所示,作为电子设备的手表93具备板状的壳体94。在壳体94设置有带95,操作者能够将带95卷于腕部而将手表93固定于腕部。并且,在壳体94设置有操作按钮96和作为显示装置的显示部97。操作者操作操作按钮96,能够操作显示部97中显示的内容。

在壳体94的内部设置有控制手表93的控制部98和作为驱动显示部97的驱动装置的驱动部99。控制部98向驱动部99输出显示数据。驱动部99输入显示数据,驱动显示部97。然后,驱动部99使显示部97显示与显示数据对应的内容。而且,显示部97使用了电泳显示装置1、电泳显示装置31、电泳显示装置36、电泳显示装置55或电泳显示装置65的任一个。因此,手表93能够作为在显示部97使用了在显示部97难以产生气泡18的电泳显示装置的装置。

另外,本实施方式并不限定于上述实施方式,在本发明的技术思想内,本领域中具有通常知识的人可以加入各种变更或改良。变形例将在以下说明。

(变形例一)

在上述第一实施方式中,在各列的像素电极5之间设置了凸部16。也可以对于两列像素电极5,设置一列凸部16。另外,凸部16是在Y方向延伸的直线状的形状。凸部16也可以是呈阶梯状在X方向及Y方向延伸的形状。此时,像素电极5和第一粘接膜6之间的气泡18能够穿过通道17排出。

(变形例二)

在所述第一实施方式中,微胶囊7的形状为圆形。微胶囊7的形状没有特别地限定,也可以为四变形、多边形、椭圆形。能够不依赖于微胶囊7的形状而排出气泡18。

(变形例三)

在所述第一实施方式中,像素电极5的形状为四边形。像素电极5的形状没有特别地限定,也可以为多边形、圆形、椭圆形。能够不依赖于像素电极5的形状而排出气泡18。凸部16在X方向上的宽度恒定。凸部16的宽度也可以非恒定。也可以配合像素电极5的形状而使变化。此外,变形例一~变形例三的内容也能够适用于上述第二实施方式~第五实施方式。

(变形例四)

在所述第一实施方式中,设置凸部16后,设置像素电极5。也可以将顺序反过来,设置像素电极5后,设置凸部16。也可以是易于制造的工序顺序。

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