用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置与流程

本发明涉及用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置，所述方法和装置基于具有预定结构的掩模的空间像。

背景技术：

为了生产半导体，硅晶片涂覆有光敏胶(其被称为抗蚀剂)。待设置在晶片上的结构形成在掩模(光掩模或掩模母版)上，并借助于光刻扫描机通过曝光作为图像投射到抗蚀剂的光敏层中。使用显微镜来检查掩模的缺陷。这些显微镜设计为使得所记录的空间像与通过扫描机在晶片上产生的图像的精度相当。这些显微镜也称为掩模检查显微镜。使用掩模检查显微镜允许掩模被检查(掩模复查)，而不需要执行晶片的曝光来检查掩模。

掩模检查显微镜用于记录掩模的区域的空间像。为了调研掩模结构的行为，可以基于预定的结构来仿真掩模的空间像。用于空间像的仿真的相对应的计算机程序是已知的。

为了从掩模的空间像获得在晶片上获得的预期结构，必须仿真抗蚀剂、光敏层的对比度增强效果。这通过固定强度阈值(以下简称为阈值)并将该阈值应用于空间像从而以简单的方式实现。阈值可以被指定为空间像的最大强度值的比例。该方法在下文中称为阈值法。

这里所讨论的阈值在很好的近似上是剂量的度量。如果掩模在扫描机中用于曝光晶片，则曝光中的照明强度(剂量)适配为使得在抗蚀剂中绘示为图案的结构对应于公差极限内的预定尺寸。

在曝光抗蚀剂时执行的操作及其后续的显影可以以高精度被仿真。除了阈值或剂量以外，为此目的还预定了描述所使用的抗蚀剂的多个参数。这些参数则在从空间像确定晶片结构时则被考虑。这样的计算机程序是已知的，并且被称为抗蚀剂模拟器，该方法被称为抗蚀剂模拟。这样的方法例如在德国公开文件de19757696中公开。

为了从空间像确定晶片结构，必须预定阈值或剂量。到目前为止，为此已经任意地选择了阈值。当选择该阈值时，不知道其是否将导致期望的结构。

当检查掩模时，还应当确定待绘示为图案的结构相对于晶片的曝光期间的参数(例如散焦、曝光中的照射强度、以及剂量)的波动的稳定性。公差范围也称为工艺窗口，在该公差范围内，在晶片曝光期间相关的所有参数可能变化，但晶片结构仍在预定的规格内。用于确定与剂量和散焦相关的工艺窗口的快速且容易的方法是有利的。

技术实现要素：

因此，本发明的目标是提供一种方法，其使得可以确定晶片结构，而避免所提到的缺点。

根据本发明，通过用于基于预定的掩模结构生成晶片结构的光刻工艺的仿真的方法实现此目标，所述方法包括以下步骤：

-提供掩模的包含掩模结构的区域的空间像，

-预定强度范围，

-对于强度范围内的不同阈值的确定辅助晶片结构或可能的晶片结构，

-对于辅助晶片结构或可能的晶片结构中的每一个确定结构元件的数量，

-确定稳定性范围，其由来自用于确定辅助晶片结构或可能的晶片结构的各种阈值的连续阈值组成，辅助晶片结构或可能的晶片结构的结构元件的数量保持不变或在预定范围内，

-基于空间像和稳定性范围内的阈值确定晶片结构。

本文的术语晶片结构用于图示为晶片的抗蚀剂中的图像的任意结构，或该处产生的结构，或在显影抗蚀剂之后和蚀刻晶片的表面之后已经产生的结构。

本文的术语辅助晶片结构或可能的晶片结构用于晶片结构，其在此说明书中被计算或仿真，并且在每个情况下产生作为仿真方法的结果的阈值。对仿真所选的阈值与实际光致抗蚀剂的行为越不同，辅助晶片结构或可能的晶片结构与实际曝光的偏差也将越大。在最适当的阈值或目标阈值处，实际晶片结构可以产生为辅助晶片结构或可能的晶片结构中的一个。然而不一定是这种情况。

掩模的区域可以对应于用于记录空间像的显微镜的像场。

空间像可以描述为二维强度分布。强度的预定范围可以包括空间像中出现的全部强度。如果空间像的强度值指明为空间像的最大强度值的比例，强度的预定范围可以预定为从0至100％。还可以预定受限的范围，例如10％至90％。在从0至100％的强度的范围内，可以预定多个阈值，例如50、40或30。

空间像可以为成像的最佳焦平面的空间像。还可以确定与最佳焦平面有一定距离的空间像。对于聚焦叠层(也称为z-叠层或图像叠层)中的每一个图像，可以确定晶片结构。这使得能够以容易的方式确定相对于聚焦与最佳聚焦的偏差的掩模的区域的工艺窗口。

在每个情况下，范围内的预定阈值可以具有相同间隔。取决于结构元件的数量的变化，强度值的间隔也可以变化。在结构元件的数量依赖于各自的强度值较强变化的情况下，则选择强度值的较小的间隔。

掩模的结构元件为晶片结构或辅助晶片结构或可能的晶片结构的相连区域。关于掩模的各区域，所述区域可以称为透明或反射或非透射或吸收的。通常，具有反射区域的掩模用于在极紫外(euv)范围中的波长操作的微光刻设备。另一方面，透明掩模通常用在波长大于150nm处，特别是在193nm处。掩模的透明或反射或非透射或吸收区域与晶片上对应的区域的强度通常没有直接关系。当使用提高分辨率的方法时尤其是这种情况，比如当使用opc方法(opc代表opticalproximitycorrection，光学临近校正)或smo方法(smo代表sourcemaskoptimization，源掩模优化)时。然而，对于描述晶片结构，采用术语“透明的”(透过的)用于高强度的区域，即用于“曝光的区域”，并且采用术语“非透射”(不透明)用于低强度的区域，即“未曝光的区域”。本说明书中使用了这些术语。

结构元件被认为是相连的透明或反射或非透射或吸收区域。结构元件的数量可以确定为透明或反射以及非透射或吸收结构元件的总和。结构元件的数量还可以确定为透明或反射结构元件的数量或确定为非透射或吸收结构特征的数量。

结构元件的性质称为结构特征。结构特征的示例为色调(tone)、轮廓(contour)、宽度、临界尺寸以及纵横比。本领域技术人员知晓存在许多其他结构特征，并且可以用于描述结构元件。

结构类型是结构元件的分类，并且可以由结构特征限定。如果结构元件或结构元件的组具有预定结构特征，此结构元件或此组结构元件分配为结构类型。可以预定的结构类型的示例为端到端(end-to-end)、接触孔和线和间隔(space)。其他结构类型为本领域技术人员已知。

此方式具有的优点为，可以在不预定阈值的情况下确定掩模的晶片结构。在此情况下，确定阈值的范围，所述阈值的范围良好近似地表现晶片结构的变化对于由扫描仪、剂量引起的曝光的强度的变化的依赖性。这使得能够以容易的方式关于剂量确定掩模的区域的工艺窗口。

在本发明其他配置中，方法包括以下步骤：

将在稳定性范围中间的目标阈值确定为阈值。

目的通常是确定目标阈值，对于其，确定的晶片结构关于强度或剂量中的波动具有最大可能的不变性。从稳定性范围的最大和最小的阈值，可以容易地确定强度范围的中间。

在其他方式中，可以通过其他标准确定目标阈值。如果，例如，稳定性范围包括具有不同数量的结构元件的辅助晶片结构或可能的晶片结构，可以将结构元件的数量的变化最小的阈值选为目标阈值。

此方式具有的优点是，容易确定导致关于剂量的波动具有高不变性的晶片结构的阈值。

在本发明的其他配置中，通过由显微镜记录来确定空间像。

大体上重现扫描仪的成像行为的掩模检查显微镜可以用于此方式。从而，使用发射与扫描仪相同的照明辐射的光源。这可以是波长193nm或13.5nm的光。

在本发明的其他配置中，从对于掩模的区域的结构的预定仿真空间像。

此方式具有的优点是，首先可以在不使用显微镜的情况下快速而容易地确定掩模的空间像。空间像的仿真的方法为已知的。

尤其是在smo掩模的情况下或在可具有opc结构的掩模的情况下，从而可以快速地确定晶片上预期的结构。

在本发明的其他配置中，晶片结构或辅助晶片结构或可能的晶片结构的从空间像的确定包括基于阈值或目标阈值将空间像细分为第一区域和第二区域。

在本发明的其他配置中，如果空间像的强度值大于阈值或目标阈值，将空间像的位置分配给第一区域，而如果强度值小于阈值，则将空间像的位置分配给第二区域。

前述两种方式具有的优点是，可以进行晶片结构的快速和容易的确定和可视化。晶片结构可以例如表现为二色图像。在此情况下，第一区域可以表现为第一色彩，而第二区域为第二色彩。

在本发明的其他配置中，第一区域的透明或反射结构元件形成为阈值高于预定阈值或目标阈值的相连区域，而非透射或吸收结构元件形成为阈值低于预定阈值或目标阈值的相连区域。

还可以相反的方式进行结构元件到第一区域和第二区域的分配。

在本发明的其他配置中，方法包括以下步骤：

-基于空间像和目标阈值从晶片的光敏层的曝光和显影的仿真确定晶片结构。

此方式具有的优点是，以提高的精确度确定晶片结构。可以从由仿真获得的晶片结构确定第一区域和第二区域。在变型中，此方式可以包括其他步骤：蚀刻曝光的晶片表面的操作的仿真。如上面解释的，此方式也可称为抗蚀剂仿真。

在本发明的其他配置中，方法包括以下步骤：

-修剪空间像的周边区域，切割边缘被选择为，沿所述切割边缘所述强度的波动在预定范围内，此步骤在确定结构元件的数量之前进行。

将要调研的掩模的区域的周边可能为随机选择的。那么，有可能的是，周边区域中的结构元件已经被切掉或打破。当确定结构元件的数量时，这些不完整的结构元件可能篡改结果。前述的方式使得当确定结构元件的数量时，可以不考虑这些不完整的结构元件。

空间像可以围绕外围切割到尺寸，并且可以修剪单独边缘或单独边缘的一部分。

可以沿空间像的边缘确定强度分布。对于预定宽度的周边区域进行此确定。对于周边区域内的强度分布中的每一个，确定为强度波动的和不完整结构元件的数量的标准的特征的变量。

强度的标准偏差或强度和或强度的直方图或强度分布的熵可以确定为特征变量。

在方法的变型中，可以修剪空间像用于辅助晶片结构或可能的晶片结构的确定，未修剪的空间像用作晶片结构的表现的空间像。则修剪的空间像可以称为辅助空间像。

在本发明的其他配置中，对于至少50或40或30个不同阈值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构。

在本发明的其他配置中，对于掩模结构确定多个稳定性范围。

可能存在结构具有多个稳定性范围的情况。这可能由掩模的预定结构的性质造成，或者由掩模的结构上的缺陷造成。可以对于稳定性范围中的每一个确定晶片结构和目标阈值。

可以通过进一步调研确定稳定性范围或目标阈值中的哪个是优选的那一个。

在本发明的其他配置中，从多个稳定性范围确定优选的稳定性范围，将其中晶片结构具有最大数量的或预定数量的结构元件或包括强度的最大范围的稳定性范围选为优选的稳定性范围

此方式使得当存在多个稳定性范围时，可确定晶片结构。

在本发明的其他配置中，方法包括以下步骤：

-从多个稳定性范围确定优选的稳定性范围，将其中最接近于透明结构区域的数量与非透射结构区域的数量的预定比例或大于或小于该比例的稳定性范围选为优选的稳定性范围。

此方式具有的优点是，可以容易地确定所需的稳定性范围。

在其他变型中，透明结构元件的数量与透明结构元件和非透射结构元件的总和的数量的预定比例形成为标准。

在其他变型中，非透射结构元件的数量与透明结构元件和非透射结构元件的总和的数量的预定比例形成为标准。

在本发明的其他配置中，对于至少两个稳定性范围，确定结构元件中的至少一个的结构类型，将所确定的结构类型对应于预定结构类型的稳定性范围选为优选的稳定性范围。

结构类型可以由结构特征限定。如果结构元件或结构元件的组具有预定结构特征，此结构元件或此组结构元件分配为一结构类型。结构特征的示例为色调(tone)、轮廓(contour)、宽度、临界尺寸以及纵横比。结构类型的示例为“端到端”(end-to-end)、“接触孔”以及“线和间隔”。

可以预定的结构类型的示例为端到端(end-to-end)、接触孔和线和间隔。可以通过参数(比如色调(tone)、轮廓(contour)、宽度、临界尺寸或纵横比)的值或值的范围预定结构类型。示例在表1中给出。其他结构类型为本领域技术人员已知。

此方式具有的优点是，能够以高确定性来确定优选的稳定性范围。还可以确定多个结构类型且验证一致。那么，优选的稳定性范围为其中全部确定的结构类型为如预定的稳定性范围或其中最大数量的结构类型如预定的稳定性范围。

此方式的变型中，当对于辅助晶片结构或可能的晶片结构确定结构元件的数量时，可仅考虑一个预定结构类型或结构类型的选择。

本发明还包括一种确定用于掩模结构的确定的阈值的方法，包括以下步骤：

-提供掩模结构的空间像，

-预定强度范围，

-预定强度范围内的不同阈值，

-对于阈值中的每一个，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构，

-对于辅助晶片结构或可能的晶片结构中的每一个，确定结构特征的数量，

-从强度范围的阈值确定连续阈值的稳定性范围，对于所述稳定性范围，辅助晶片结构或可能的晶片结构的结构元件的数量落在预定范围内或保持不变，

-将阈值确定作为稳定性范围内的阈值。

此方法的优点和其他配置遵从上面所进行的陈述。

本发明还包括用于确定掩模的晶片结构的显微镜，具有：

-光源和用于照明掩模的照明光学单元，

-用于将掩模的图像投射到探测器上的成像光学单元，

-用于从探测器读出空间像的计算单元，计算单元编程为执行根据前述的方法。

不言而喻，本发明的上述和下面将要进一步解释的特征不仅能在所描述的组合中使用，并且也可以在其他组合中或单独使用，而不背离本发明的范围。

附图说明

基于一些所选的示例性实施例并参考附图，在下面更详细地描述和解释了本发明。图中：

图1：示出了显微镜的构造的示意性表现；

图2：示出了用于确定晶片结构的方法的流程图；

图3：示出了将要调研的掩模的区域的示例；

图4：示出了来自图3的具有标记的周边区域的掩模的区域的空间像的示例；

图5：示出了来自图3的在一个边缘处修剪的掩模的区域的空间像的表现；

图6：示出了来自图5的修剪的边缘的强度分布的表现；

图7：示出了结构元件的数量随所用的阈值的强度的变化的表现；

图8：示出了来自图4的空间像的第一可能的晶片结构的表现；

图9：示出了来自图4的空间像的第二可能的晶片结构的表现。

具体实施方式

基于图1来解释适于掩模的调研的显微镜1的构造。显微镜1具有掩模保持器10(也称为台)，在其上搁置待成像的掩模5。掩模保持器10在掩模平面中可移动，掩模平面也称为x-y平面。显微镜1还具有形成为ccd芯片(电荷耦合装置)的检测器20。光源25通过具有光瞳面35的照明光学单元30来照射掩模5。可以通过布置在光瞳面35中的光瞳滤波器以及偏振器36来设定照明设定。照明辐射具有193nm的波长。当使用检测器20记录掩模5的空间像时，使用适合于该结构的照明设定和偏振设定。

在检测器20的平面中通过具有光轴2的成像光学单元15来生成掩模5的空间像。通过移动掩模保持器10，掩模5待成像的区域被引入到显微镜1的光线的路径中。为了聚焦，成像光学单元15沿着光轴2在垂直于x-y平面的方向(称为z方向)上移动。空间像由形成为计算机的计算单元40读出。空间像首先采用计算机的主存储器中的数据记录或数据结构的形式。其可以在计算机的硬盘上存储为图形文件。数据结构或图形文件是二维的矩阵(也称为阵列)，其由像素组成。像素的强度由从0到255的数值表示。掩模5上的像场是正方形的，边长为10μm。掩模5的记录的部分结构的切口由像场确定。

为了记录照明光学单元30的光瞳面35中的强度分布的空间像，伯特朗透镜(bertrandlens)16通过由计算单元40控制的驱动器17引入到显微镜1的光线的路径中。空间像被存储在计算单元40的存储器中，作为具有恒定分辨率的第一矩阵。

为了记录聚焦叠层或z叠层，图像被记录在最佳焦平面中，且另外的图像被记录在在z方向上距离最佳焦平面一定距离的平行平面中。图像被记录在最佳焦平面上方和下方。

显微镜(例如描述的显微镜1)用于光刻中的掩模的调研，作为掩模检查显微镜或作为位置测量装置。

未示出的另一显微镜以13.5nm的波长操作。其用于所谓的euv掩模的调研。

为了空间像的评估，使用由mathworks公司出售的程序matlab。

通过由显微镜1记录空间像、或通过由计算单元40对从预定的掩模结构获取的空间像的仿真来进行空间像的确定。

空间像的强度被归一化，且在归一化之后，被指定为百分比或者在0和1之间的范围中的值。强度的测量的值im是相对于没有结构的掩模的空间像的强度iclear确定的，即利用照明辐射的最大透射率，即i＝im/iclear。

在方法的第一可选步骤中，修剪周边区域。执行修剪以使得避免仅部分地存在于图像中的结构的影响。这些将窜改(falsify)结构元件的数量。

沿着空间像的边缘来确定强度分布。针对预定宽度的周边区域进行该确定。区域的宽度可以例如是10个像素、或者20或50个像素。在该范围内，针对每行像素确定强度分布。强度分布采用一维矩阵或一维阵列的形式。因此，确定了彼此平行的强度分布。在一个变型中，为了确定强度分布，通过形成相应值的平均值来组合多个平行强度分布。针对每个强度分布，确定用于不完全结构元件的数量的标准的特征变量。

例如，可以将下列变量确定为特征变量：强度分布的强度的标准偏差、强度分布的所有强度的总和、强度分布的强度的直方图、强度分布的熵或其标准偏差。

为了确定直方图，针对强度分布内的所有可能的强度值，计数相同幅度的所有强度值。结果被绘制为相对于强度值的幅度而发生的强度值的数量。matlab程序的函数imhist(i)＝[counts，binlocations]用于该方法。在这种情况下，返回计数中的相应的强度值的数量以及binlocations中的相关联的强度值。i是强度分布。

强度分布的熵根据公式由直方图确定：e＝-sum(counts*log2(counts))。这对应于matlab函数熵(i)。

从空间像的周边开始，随后在所确定的每个强度分布的区域内确定特征变量(例如熵)。从所有的强度分布中，确定具有最低熵值的强度分布。该强度分布被确立为切割边缘(cuttingedge)。以这种方式为空间像的所有四个周边确定切割边缘。

移除位于切割边缘之外的空间像的区域。在该方法的变型中，首先创建与空间像相同的辅助空间像，并且修剪该辅助空间像。辅助空间像随后被用于进一步的评估，而未修剪的空间像作为用于表示晶片结构的基础。

在该方法的另一步骤中，预定强度范围，在该强度范围内确定晶片结构的稳定性范围。

强度范围可以选自空间像的强度的0至100％，根据结构类型，也可以选择较小的范围。也可以排除强度值的范围。

选择的强度范围被划分为相同大小的间隔。对于如此确定的每个阈值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构。对于每个辅助晶片结构或可能的晶片结构，确定结构元件的数量。在该方法的变型中，强度值的间隔也可以根据结构元件的数量的变化而变化。当根据强度值而存在结构元件的数量的更强变化时，则选择强度值的更小的间隔。

用于确定晶片结构的方法之一(阈值法或抗蚀剂仿真)用于晶片结构、或辅助晶片结构、或可能的晶片结构的确定。

在阈值法的情况下，空间像的强度值大于阈值的空间像的位置被分配给第一区域，而如果强度值小于相应的阈值，则空间像的位置被分配给第二区域。等于阈值的强度值可以分配给第一区域或第二区域。

将阈值应用于空间像，使得强度值低于阈值的区域被标记为“不透射”，并且强度值高于阈值的区域被标记为“透明的”。在反射掩模的情况下，基于强度值将区域标记为“吸收的”和“反射的”。因此，将强度值分配给第一区域和第二区域。随后可以例如通过由标记为透明或反射的掩模的区域的“白色”，以及标记为不透射或吸收的掩模的区域的“黑色”，来图形地表示晶片结构。“黑色”和“白色”标记也可以以相反的方式使用。这取决于在晶片上使用的光敏漆(抗蚀剂)的类型。可以使用正性抗蚀剂或负性抗蚀剂，使暴露于具有高于阈值的强度的照明辐射的区域被蚀刻掉，或暴露于具有低于阈值的强度的照明辐射的区域被蚀刻掉。其他区域被分别地保留。

用于抗蚀剂仿真的合适的方法例如在已经引用的德国公开文件de19757696中公开。通过该方法来执行强度值到第一区域和第二区域的分配。如上所述来执行图形表示和进一步的评估。

在该方法的另外的步骤中，针对每个辅助晶片结构或可能的晶片结构，确定结构元件的数量。

确定每个辅助晶片结构或可能的晶片结构的透明或非透射的结构元件的相邻的第一区域和第二区域。这由所提到的matlab程序的函数bwlabel、bwlabeln和bwconncomp来执行。

为了评估稳定性，确定结构元件的数量。可以将不同的变量确定为要考虑的结构元件的数量。可以确定所有的透明和非透射的结构元件的总和。可以确定所有的透明的结构元件的总和或所有的非透射的结构元件的总和。在确定总和时，仅考虑预定尺寸的结构元件。可以仅考虑低于或高于预定尺寸的结构元件。

在该方法的变型中，仅计数具有预定的(多个)结构类型的结构元件。

通过使用来自synopsis公司的设计软件cats来执行晶片结构的结构元件的结构类型的分配。

预定了以结构特征为特征的结构类型。结构特征被分配例如“非透射”或“透明”的性质、或测量的变量的范围的值。这些性质或值的范围是为结构类型预定的标称值或容许公差范围。在表1中给出了结构类型、结构特征、以及可能的值和值的范围的示例。

表1

给出了相应的技术术语，还在括号中给出了cats设计环境中的术语。数值是示例。

结构元件的结构类型由cats软件自动确定。在该程序中，实现相对应的图像处理和分析算法。

形成相关数据记录的决策准则被预定用于结构类型的自动确定。该决策准则可以具有层级结构。可以为结构特征预定决策节点。在决策节点，预定结构特征(例如色调)，并且根据结构特征的值来做出关于至少两个替代路径的决定。在示例中，对于色调结构特征的值“非透射”，直接分配端到端结构类型。如果色调结构特征具有值“透明”，则在下一步骤中检查结构特征“纵横比”。在那里预定阈值。如果该值低于阈值，则分配线和间隔结构类型；如果该值高于阈值，则分配接触孔结构类型。

在该方法的另一步骤中，确定稳定性范围。稳定性范围是强度范围，在该范围内结构不变化或变化很小。从阈值和结构元件的相应数量确定范围，在该范围内，结构元件的数量保持恒定，或处于预定范围内，或者在预定的偏差内从平均值变化。

可以从稳定性范围确定目标阈值。目标阈值是稳定性范围中间的阈值。目标阈值不必是已经在稳定性范围的确定中使用的阈值。已知的插值方法也可以用于确定。

通过阈值法或通过抗蚀剂仿真从空间像和目标阈值来确定待仿真的晶片结构。当辅助晶片结构或可能的晶片结构由相应的单独的阈值产生时，计算具有目标阈值的晶片结构，从而尽可能地描述实际曝光操作的结果。随后，该晶片结构可以用于后续的分析中，例如在针对缺陷的掩模的检查中。随后，这些可以显示在计算单元的监视器上，也可以通过电子邮件发送。

可能获得多个稳定性范围作为分析的结果。基于以下条件中的一个或多个，可以从多个稳定性范围中确定优选的稳定性范围：

-最大稳定性范围。

-具有最大数量的结构特征的稳定性范围。该数量可以由上述方法获得。

-包括预定的结构类型、或者包括或不包括多个预定的结构类型的稳定性范围。如上所述地执行结构元件的结构类型的确定。

-最接近透明结构区域的数量和非透射结构区域的数量的预定比率、或者大于该比率或小于该比率的稳定性范围。

可以针对优选的稳定性范围和相关联的目标阈值来确定并显示晶片结构。

下面基于示例解释该方法。待调研的掩模的区域是棋盘图案101，如图3中的平面图所示。通过由显微镜1记录，该掩模的空间像102被创建在最佳焦平面中。空间像102也可以由计算单元仿真。空间像102在图4中示出，各种强度值被示为灰度值。空间像由四个边缘102a、102b、102c和102d限定。边缘的修剪由掩模的一个边缘102d的示例来解释。预定了具有空间像102的边缘102的长度103b的区域103。其在空间像102上以预定的宽度103a延伸。待修剪的空间像的边缘102d和区域103的较长边缘103b在此重合。

在区域103内，在掩模边缘102d的方向上确定强度分布。在此，强度分布由沿着掩模边缘的一行像素组成。针对每个强度分布计算熵。由此确定的熵对自掩模边缘的强度分布的距离的相关性在图6中示出。在该示例中，可以看到熵的清楚的最小值。空间像在沿着熵的第一最小值的边缘处被修剪。切割边缘平行于空间像的边缘102d。在图5中示出了在具有切割边缘102e的边缘102处被修剪的空间像。

空间像的其他三个边缘以相同的方式被修剪。

针对在0和100％之间的等间隔的50个强度值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构。

针对每个辅助晶片结构或可能的晶片结构，确定结构元件的数量。在该示例中，计数所有的结构元件，而无论它们的性质。这里特别关键的是50％的阈值。在这种情况下，获得棋盘图案。具有高于阈值的强度的区域(即透明区域)在精确的四个点处与四个最近的透明区域接触。由于结构元件是相邻的透明区域，所以将正好获得一个结构元件作为数量。当阈值中存在轻微变化时，一些透明区域不再能够通过角部连接到相邻的区域。因此，结构元件的数量会发生很大变化。因此，在此示例中，特别是50％的阈值的选择是非常不稳定的。

在阈值从0％、50％和100％偏离足够多的情况下，相邻的区域的数量不再变化。确定结构元件的连续区域，在该区域内结构元件的数量保持不变。结果显示两个相同大小的稳定性范围。在图7中，相对于阈值的强度绘制结构特征的数量。该图示出了两个相同大小的稳定性范围。目标阈值被绘示为垂直线110、111。在一种情况下，当存在不同的阈值时，由非透明区域或多或少地定界的透明结构元件的数量是恒定的，在另一种情况下，当存在不同的阈值时，由透明区域或多或少地定界的非透明结构元件的数量是恒定的。

在图8中示出了第一稳定性范围内的第一目标阈值的可能的晶片结构115。

在图9中示出了第二稳定性范围内的第二目标阈值的可能的晶片结构116。

在接下来的步骤中，可以基于预定的结构类型来选择晶片结构。“接触孔”被预定为结构类型。这允许从第一目标阈值和第二目标阈值中选择合适的阈值。