本发明涉及掩模版技术领域，具体为一种集成电路掩模版cr缺失的检测方法。
背景技术：
在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，需要对以半导体晶片和光掩模版为代表的各种基版进行光刻处理，这些基版还包括液晶显示器、等离子体显示器用玻璃基版、磁盘、光磁盘母版等，以下统称为掩模版。在加工时，需要使用光致抗蚀材料(光刻胶)在基版上形成集成电路和半导体器件的布局图案或者其它电路图案和数据图案。新基版以及完成曝光、显影、蚀刻、去胶等加工工艺后的基版会出现一定的cr缺失缺陷，需要对基版经行检测，从而导致机台负荷大，产能低的问题。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是克服现有的新基版以及完成曝光、显影、蚀刻、去胶等加工工艺后的基版会出现一定的cr缺失缺陷，需要对基版经行检测，从而导致机台负荷大，产能低的问题，提供一种背曝检测方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种掩模版基版cr缺失的检测方法，包括以下步骤：
1)、将掩模版涂有光刻胶玻璃面朝上，放在白光下照射；
2)、将照射完的掩模版放在显影机里显影；
3)、蚀刻机中进行蚀刻；
4)、在光学量测设备上扫描蚀刻完的掩模版。
进一步的，待检测的掩模版可以是新基版或者已去胶重新涂有光刻胶的掩模版。涂有光刻胶的掩模版在白光照射下，由于玻璃面朝上，无cr的区域光线可以穿透，进而将光线穿过的区域经行曝光，而cr区由于cr的阻挡无法经行曝光，后续再通过显影、蚀刻工艺将无cr的区域显现出来，再通过光学量测设备扫描，从而达到检测cr缺失的目的。本方法对新基板的cr缺失的检测也可适用。
本发明的掩模版背曝检测方法使用现有的工艺设备完成，无需其它支撑性设备；曝光时在白光下曝光，无需使用曝光机台和检测机台，有效地减轻了曝光机和检测机台压力，提高产能，操作简便，快捷高效。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例
一种掩模版基版cr缺失的检测方法，包括以下步骤：
1)、将掩模版涂有光刻胶玻璃面朝上，放在白光下照射；
2)、将照射完的掩模版放在显影机里显影；
3)、蚀刻机中进行蚀刻；
4)、在光学量测设备上扫描蚀刻完的掩模版。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。