电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置的制作方法

本发明涉及一种电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置。

背景技术：

电子照相图像形成装置使高速、高质量打印成为可能，因此应用于诸如复印机和激光打印机的图像形成装置中。图像形成装置中使用的电子照相感光体的主流为含有有机感光材料的有机感光体。例如，在所述有机感光体的一般生产中，在诸如铝基底的导电基底上形成底涂层(也称为“中间层”)，然后在所述底涂层上形成感光层。

例如，在用于生产导电基底的已知方法的示例中，对通过挤压和后续的拉拔生产的圆筒管的外周表面进行机械加工以调整其厚度和表面粗糙度。

已知有一种以低生产成本大量生产薄金属容器的冲压加工方法，在该方法中将放置在模具(阴模)上的金属块通过冲击打孔的方式形成为圆筒。去除通过冲压生产的圆筒产品的边缘表面，使得能够以低成本生产可以在电子照相感光体中使用的导电基底(也称为“冲压管”或“ip管”)。

或者，能够仅通过挤压和诸如冷拔的后续拉拔生产另一种可以在电子照相感光体中使用的导电基底(也称为“拉拔管”或“ed管”)。

例如，在日本专利文献特开2010-032756号公报中公开了一种技术，其中将通过挤压生产的导电基底的表面存在的凹陷控制为在纵向上呈线性形状以生产高精度导电基底。

在日本专利文献特开2013-205479号公报中公开了一种技术，其中将圆筒导电基底的表面存在的宽度为400μm以下、深度为8μm以下的凹陷的数量控制在预定范围内，以防止发生图像质量缺陷。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种电子照相感光体，其包括：导电基底、底涂层以及感光层，并且与使用不满足条件(a)的导电基底的情况、使用由条件(b)定义的角频率ωmax为25.0rad以上的底涂层的情况或者使用由条件(c)定义的体积电阻率为7.0×10⁷ω以下的情况相比，可以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷的发生。

根据本发明的第一方面，提供一种电子照相感光体，其包括：导电基底，其满足条件(a)；底涂层，其满足条件(b)和条件(c)，设置在所述导电基底上，并且含有金属氧化物颗粒；以及感光层，其设置在所述底涂层上，其中，

所述条件(a)至条件(c)如下：

条件(a)：在通过激光显微镜观察所述导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且所述凹陷的深度为15μm以下；

条件(b)：在对所述底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax在2.0rad至25.0rad的范围内；以及

条件(c)：通过所述底涂层的所述科尔-科尔图分析获得的体积电阻率在7.0×10⁷ω至1.0×10⁹ω的范围内。

根据本发明的第二方面，所述最大凹陷的宽度为380μm以下。

根据本发明的第三方面，所述最大凹陷的宽度为355μm以下。

根据本发明的第四方面，所述最大凹陷的宽度为12μm以上。

根据本发明的第五方面，所述最大凹陷的深度为14μm以下。

根据本发明的第六方面，所述最大凹陷的深度为12μm以下。

根据本发明的第七方面，所述最大凹陷的深度为3μm以上。

根据本发明的第八方面，所述角频率ωmax在2.0rad至15.0rad的范围内。

根据本发明的第九方面，所述角频率ωmax在2.0rad至14.0rad的范围内。

根据本发明的第十方面，所述体积电阻率在7.0×10⁷ω至2.0×10⁸ω的范围内。

根据本发明的第十一方面，所述体积电阻率在7.0×10⁷ω至1.0×10⁸ω的范围内。

根据本发明的第十二方面，所述底涂层含有化合物，该化合物具有带羟基并且由通式(1a)表示的蒽醌结构，

(式中，r¹¹表示具有1至10个碳原子的烷氧基或者具有6至30个碳原子的取代或未取代芳基，并且n表示1至8之间的整数)。

根据本发明的第十三方面，提供一种处理盒，其包括：根据第一方面至第十二方面中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述处理盒可拆卸地安装到图像形成装置上。

根据本发明的第十四方面，提供一种图像形成装置，其包括：根据第一方面至第十二方面中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，其用于对所述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其用于在所述已充电的电子照相感光体的所述表面上形成静电潜像；显影单元，其用于使用含有调色剂的显影剂对所述电子照相感光体的所述表面上的所述静电潜像进行显影以形成调色剂图像；以及转印单元，其用于将所述调色剂图像转印到记录介质的表面。

本发明的第一至第十二方面提供一种电子照相感光体，其包括：导电基底、底涂层以及感光层，并且与使用不满足条件(a)的导电基底的情况、使用由条件(b)定义的角频率ωmax为25.0rad以上的底涂层的情况或者使用由条件(c)定义的体积电阻率为7.0×10⁷ω以下的情况相比，可以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷的发生。

本发明的第十三和第十四方面分别提供一种处理盒和图像形成装置，其具备包括导电基底、底涂层以及感光层的电子照相感光体，并且与使用包括不满足条件(a)的导电基底的电子照相感光体情况、使用包括由条件(b)定义的角频率ωmax为25.0rad以上的底涂层的电子照相感光体的情况或者使用包括由条件(c)定义的体积电阻率为7.0×10⁷ω以下的电子照相感光体的情况相比，可以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷的发生。

附图说明

将基于下列附图详细说明本发明的示例性实施例，其中：

图1示例性地示出包括电阻器和电容器的并联电路；

图2是示出科尔-科尔图分析的概念图；

图3是部分示出根据第一示例性实施例的电子照相感光体的分层结构的示意性横截面图；

图4是部分示出根据第一示例性实施例的电子照相感光体的分层结构的另一个示例的示意性横截面图；

图5是部分示出根据第一示例性实施例的电子照相感光体的分层结构的另一个示例的示意性横截面图；

图6示意性地示出根据第二示例性实施例的图像形成装置的结构；以及

图7示意性地示出根据第二示例性实施例的另一种图像形成装置的结构。

具体实施方式

下面参照附图与示例性实施例对本发明作进一步详细说明。

电子照相感光体

根据第一示例性实施例的电子照相感光体(也称为“感光体”)包括：导电基底，其满足以下条件(a)；底涂层，其满足以下条件(b)和条件(c)，设置在导电基底上，并且含有金属氧化物颗粒；以及感光层，其设置在底涂层上。

条件(a)：在通过激光显微镜观察导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且凹陷的深度为15μm以下。

条件(b)：在对底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax在2.0rad至25.0rad的范围内。

条件(c)：通过底涂层的科尔-科尔图分析获得的体积电阻率在7.0×10⁷ω至1.0×10⁹ω的范围内。

第一示例性实施例的感光体包括满足条件(a)的导电基底以及满足条件(b)和条件(c)并且含有金属氧化物颗粒的底涂层，该感光体使得可以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷的发生。

通常，采用上述ip管或ed管作为导电基底某些情况下在导电基底的表面的特定部分会形成各种大小的凹陷，并且凹陷的数量取决于个别情况。在具有凹陷的这种导电基底的外周表面形成感光层或另一层以生产感光体并且在图像形成装置中使用该感光体以形成调色剂图像的情况下，导电基底的表面存在的凹陷在某些情况下会导致发生白斑图像质量缺陷。白斑的发生容易导致输出图像的质量降低。

在使用ed管或ip管作为导电基底的情况下，不容易防止由其表面存在的凹陷导致的白斑图像质量缺陷。

认为在感光体中使用这种其表面形成有凹陷的导电基底由以下机制发生因凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

在所谓的电子照相过程的充电步骤中，充电使得电场聚集在导电基底的表面存在的凹陷部分的边缘处，因此凹陷部分的充电容易变得不均匀。这种不均匀的充电使由图像曝光所衰减的电势发生不均匀。由此，不均匀的曝光电势导致发生白斑图像质量缺陷。换句话说，认为白斑图像质量缺陷的发生归因于导电基底的表面存在的凹陷。

含有金属氧化物颗粒的底涂层用于防止正电荷从导电基底流入感光层中；但是，认为底涂层中的正电荷的高迁移率使得流入的正电荷难以减少，并且容易导致充电步骤中电场在导电基底的表面存在的凹陷部分的边缘处聚集。

针对这样的情况，在第一示例性实施例的感光体中组合使用满足条件(a)的导电基底以及满足条件(b)和条件(c)并且含有金属氧化物颗粒的底涂层。这样，使得正电荷在底涂层中的移动得到了适当的控制，从而可以减少电场在导电基底的表面存在的凹陷部分的边缘处的聚集。对其机制仍在研究中，并且假设如下。

下面，对条件(a)作详细说明。

当最大凹陷的宽度和深度在条件(a)定义的上述范围内时，导电基底的表面不容易存在宽度和深度过大的凹陷。因此，可以轻松地降低由于凹陷本身的形状而在凹陷部分的边缘产生的电场的聚集的影响。

下面，对条件(b)作详细说明。

当对底涂层进行科尔-科尔图分析中的复数阻抗分量(下述阻抗z的虚分量z”)为最大的角频率ωmax为25.0rad以下时，相对于由条件(a)定义的凹陷的宽度和深度底涂层中的正电荷不容易移动。

正电荷在底涂层中容易移动的程度可以基于阻抗z的虚分量z”为最大的角频率ωmax进行估计，详情将在稍后描述。具体地，当角频率ωmax较小时，电荷相对于科尔-科尔图分析中施加的交流电压的移动速度变慢，这意味着底涂层中的正电荷不容易移动。

因此，将角频率ωmax调整至25.0rad以下以使得底涂层中的正电荷不容易移动。但是，基于避免图像密度降低的观点，角频率ωmax的下限为2rad。

下面，对条件(c)作详细说明。

当通过底涂层的科尔-科尔图分析获得的体积电阻率较大时，底涂层中的正电荷和负电荷本身不容易移动。具体地，在条件(c)中，将底涂层的体积电阻率调整为7.0×10⁷ω以上以控制底涂层中的正电荷和负电荷不容易移动。但是，基于避免图像密度降低的观点，体积电阻率的上限为1.0×10⁹ω。

因此，在第一示例性实施例的感光体中，组合使用满足条件(a)的导电基底以及满足条件(b)和条件(c)并且含有金属氧化物颗粒的底涂层，使得底涂层中的正电荷不容易移动(也就是说，适当地控制了底涂层中的正电荷的移动)；从而，减少了正电荷从导电基底到感光层的移动。因此，减少了充电步骤中电场在导电基底的表面存在的凹陷的边缘处的聚集，从而凹陷部分的不均匀充电不容易发生。因而，减少了由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

下面，对在科尔-科尔图分析中提供最大复数阻抗分量(阻抗z的虚分量z”)的角频率ωmax进行说明。

例如，通常，对作为电子照相感光体的各层的导电有机薄膜的等效电路应用包括电阻器(电阻：r，以下对应于第一示例性实施例中的体积电阻率)和电容器(电容：c)的并联电路。科尔-科尔图分析可以作为分析和计算并联电路中的电阻r和电容c的技术，在该并联电路中电阻r和电容c不明确。

在科尔-科尔图分析中，电极连接到电阻r和电容c不明确的并联电路(例如，导电有机薄膜)的两端，在改变电极的频率的同时在电极之间施加交流电压，并且分析施加的电压与获得的电流之间的相位关系。此技术使得可以确定并联电路的电阻r和电容c。

下面，对测量和分析原理进行说明。

当给出图1所示的并联电路(包括电阻器(电阻：r)和电容器(电容：c)的并联电路)时，并联电路的阻抗z由表达式(i)定义。在表达式中，i表示虚数，而ω表示对并联电路施加的电压的角频率(rad)。

1/z＝1/r+iωc表达式(i)

接着，按照以下方式将表达式(i)改写为表达式(ii)。

z＝r/(1+ω²r²c²)-i[ωr²c/(1+ω²r²c²)]表达式(ii)

当利用实数分量z'和虚分量z”表达阻抗z时，阻抗z由表达式(iii)定义。

z＝z'+iz”表达式(iii)

此外，实数分量z'和虚分量z”分别由表达式(iv)和表达式(v)定义。

z'＝r/(1+ω²r²c²)表达式(iv)

z”＝ωr²c/(1+ω²r²c²)表达式(v)

当删除表达式(iv)和表达式(v)中的ω时，最终获得表达式(vi)。

(z'-r/2)²+z”²＝(r/2)²表达式(vi)

当虚分量z”在纵坐标上而实数分量z'在横坐标上以给出图2所示的概念图时，表达式(vi)表明实数分量z'和虚分量z”为具有坐标中心(r/2,0)的半圆形。虚分量z”最大的点的角频率为ωmax(rad)，并且该ωmax为电容分量最大的点。

因此，在改变电阻r和电容c不明确的并联电路的频率的同时对该并联电路施加交流电压的情况下，可以根据获得的电流与施加的电压的绝对值之间的相位差绘制图2所示的图形。接着，可以根据此图形计算电阻r、角频率ωmax和电容c。

在第一示例性实施例的感光体中，基于这个图形将角频率ωmax和电阻r(与第一示例性实施例中的体积电阻率相对应)调整到上述范围内以适当地控制底涂层中的正电荷的移动。

下面，参照附图对第一示例性实施例的电子照相感光体作进一步详细说明。

图3是示出第一示例性实施例的电子照相感光体的示例的示意性横截面图。图4和图5分别是示出第一示例性实施例的电子照相感光体的另一个示例的示意性横截面图。

图3所示的电子照相感光体7a为所谓的功能分离型感光体(分层感光体)，并且包括：导电基底4；底涂层1，其形成于导电基底4上；以及电荷产生层2、电荷输送层3和保护层5，其按顺序地设置以覆在导电基底4和底涂层1上面。在电子照相感光体7a中，电荷产生层2和电荷输送层3构成感光层。

图4所示的电子照相感光体7b为功能分离型感光体，其中电荷产生层2和电荷输送层3如同在图3所示的电子照相感光体7a中一样按功能分离。

图4所示的电子照相感光体7b包括：导电基底4；底涂层1，其形成于导电基底4上；以及电荷输送层3、电荷产生层2和保护层5，其按顺序地设置以覆在导电基底4和底涂层1上面。在电子照相感光体7b中，电荷产生层2和电荷输送层3构成感光层。

在图5所示的电子照相感光体7c中，电荷产生材料和电荷输送材料在单层(单层感光层6)中使用。图5所示的电子照相感光体7c包括：导电基底4；底涂层1，其形成于导电基底4上；以及单层感光层6和保护层5，其按顺序地设置以覆在导电基底4和底涂层1上面。

在图3、图4和图5分别所示的电子照相感光体7a、电子照相感光体7b和电子照相感光体7c中，保护层5为最远离导电基底4设置的最外层。

下面，将图3所示的电子照相感光体7a的各个部分作为代表性示例进行说明。为了方便起见，省去参考符号。

导电基底

导电基底的示例包括金属板、金属鼓(金属圆筒)以及金属带，它们含有金属(例如铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金和铂)或合金(例如不锈钢)。导电基底的其他示例包括纸张、树脂薄膜以及带，它们中的每个具备通过涂敷、沉积或层压导电化合物(例如导电聚合物和氧化铟)、金属(例如铝、钯和金)或合金形成的涂布薄膜。这里，术语“导电”指体积电阻率小于10¹³ωcm。

具体地，优选使用金属圆筒。金属圆筒可以为通过冲压形成的冲压管(ip管)或通过拉拔形成的拉拔管(ed管)。特别是在采用ip管作为金属圆筒的情况下，优选使用主要含有铝的金属圆筒。术语“主要含有”指金属圆筒中的铝含量大于50重量％。

在第一示例性实施例的感光体中，导电基底满足条件(a)。

条件(a)：在通过激光显微镜观察导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且凹陷的深度为15μm以下。

由条件(a)定义的最大凹陷的宽度和深度可以在以下范围内，以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

根据条件(a)的最大凹陷的宽度

最大凹陷的宽度为400μm以下，优选为380μm以下，更优选为355μm以下。其下限可以为12μm。

根据条件(a)的最大凹陷的深度

最大凹陷的深度为15μm以下，优选为14μm以下，更优选为12μm以下。其下限可以为3μm。

最大凹陷的宽度和深度的测量

可以按照以下方式测量最大凹陷的宽度。

使用光学显微镜确定导电基底的轴向上的以下区域：直径为6mm、中心距离导电基底的一端50mm的区域；直径为6mm、中心距离导电基底的另一端50mm的区域；以及直径为6mm并且位于这两个区域之间的导电基底的中心的区域。接着，确定另外三组这样的三个区域，使得四组这样的区域在导电基底的周向上彼此间隔90°。换句话说，在导电基底的表面确定轴向上的3个区域和周向上的4个区域，即总共有12个区域。

接着，使用激光显微镜(型号ols1100，由olympuscorporation(奥林巴斯株式会社生产))观察这12个区域存在的凹陷(凹陷部分)的表面以形成其图像，然后确定凹陷的宽度。由条件(a)定义的最大凹陷的宽度为所观察凹陷的宽度中的最大值。

按照以下方式测量最大凹陷的深度。

使用激光显微镜观察12个区域内存在的凹陷的横截面以形成其图像，然后测量各个凹陷的深度。由条件(a)定义的最大凹陷的深度为所观察凹陷的深度中的最大值。

凹陷在其横截面内的形状的示例包括(但不限于)诸如椭圆形的圆形、诸如菱形和矩形的多边形以及无定形形状。

可以采用任何技术生产满足条件(a)的导电基底；例如，通过诸如冲压或拉拔的已知技术形成导电基底，并且通过，例如蚀刻、阳极氧化、粗磨、无心研磨、喷射(例如喷砂)或湿式珩磨对导电基底的表面进行加工。

特别是在通过冲压生产导电基底的情况下，用于生产导电基底的金属块，即待加工材料(以下称为“金属块”)的表面事先被破坏(形成凹陷部分)，从而生产满足条件(a)的导电基底。

不特别限制导电基底的厚度。在导电基底为ip管的情况下，厚度优选在0.25mm至0.8mm的范围内，更优选在0.4mm至0.7mm的范围内，进一步优选在0.4mm至0.5mm的范围内。

在导电基底为ed管的情况下，厚度优选在0.25mm至0.8mm的范围内，更优选在0.4mm至0.7mm的范围内，进一步优选在0.4mm至0.5mm的范围内。

导电基底可任选地使用酸性处理液进行处理或者进行勃母石处理。

使用酸性处理液进行处理的示例如下。制备含有磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理液。例如，酸性处理液中磷酸、铬酸和氢氟酸的数量分别在10重量％至11重量％、3重量％至5重量％以及0.5重量％至2重量％的范围内；所有酸的总浓度优选为13.5重量％至18重量％。例如，处理温度优选为42℃至48℃。涂布薄膜的厚度优选为0.3μm至15μm。

例如，勃母石处理包含在90℃至100℃的温度范围的纯水中浸入5至60分钟，或者与90℃至120℃的温度范围的加热蒸汽接触5至60分钟。涂布薄膜的厚度优选为0.1μm至5μm。使用不易溶解涂布薄膜的电解质液，例如己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸酯、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐进一步可任选地对涂布薄膜进行阳极氧化处理。

底涂层

在第一示例性实施例的感光体中，底涂层含有金属氧化物颗粒。底涂层的示例为含有金属氧化物颗粒和粘合剂树脂的层。第一示例性实施例中使用的底涂层满足上述条件(b)和条件(c)。

条件(b)：在对底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax在2.0rad至25.0rad的范围内。

条件(c)：通过底涂层的科尔-科尔图分析获得的体积电阻率在7.0×10⁷ω至1.0×10⁹ω的范围内。

由条件(b)定义的角频率ωmax(也简称为“角频率ωmax”)和由条件(c)定义的体积电阻率(也简称为"体积电阻率")可以在下述范围内，以减少由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

根据条件(b)的角频率ωmax

角频率ωmax优选在2.0rad至25.0rad的范围内，更优选在2.0rad至15.0rad的范围内，进一步优选在2.0rad至14.0rad的范围内。

在25.0rad以下的角频率ωmax下，正电荷不容易在底涂层中移动，因此在充电步骤中容易减少电场在导电基底的表面存在的凹陷的边缘处的聚集。从而，不容易产生由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

在2.0rad以上的角频率ωmax下，非常难以控制正电荷在底涂层中的移动，因此长期使用后电荷不容易在底涂层中累积。由此，确保了曝光后用于形成图像的电势，从而减少了图像密度的降低。

根据条件(c)的体积电阻率

体积电阻率在7.0×10⁷ω至1.0×10⁹ω的范围内，优选在7.0×10⁷ω至2.0×10⁸ω的范围内，更优选在7.0×10⁷ω至1.0×10⁸ω的范围内。

在1.0×10⁹ω以下的体积电阻率下，非常难以控制正电荷和负电荷在底涂层中的移动，因此长期使用后电荷不容易在底涂层中累积。由此，确保了曝光后用于形成图像的电势，从而减少了图像密度的降低。

在7.0×10⁷ω以上的体积电阻率下，正电荷和负电荷不容易在底涂层中移动，因此容易在充电步骤中减少电场在导电基底的表面存在的凹陷的边缘处的聚集。从而，不容易产生由导电基底的表面存在的凹陷引起的白斑图像质量缺陷。

角频率ωmax和体积电阻率的测量

按照以下方式测量角频率ωmax和体积电阻率。

在测量过程中，使用作为电源的si1287型电化学接口(由东阳特克尼卡株式会社(toyocorporation生产))、作为电流放大器的solartron1296型介质面(由东阳特克尼卡株式会社生产)、作为安培计的solartronsi1260型阻抗/增益相位分析仪(由东阳特克尼卡株式会社生产)以及作为测量软件的3.0.1版solartron材料研究与测试软件(由英国输力强分析公司(solartronanalytical)生产)。

在1mhz至1mhz的范围内从高频率侧开始，在作为阴极的导电基底(例如铝基底)与作为阳极的金电极之间施加1vp-p的交流电压以测量交流阻抗。

根据测量结果，利用zview3.1c版分析软件(由美国斯克莱布诺联合公司(scribnerassociatesinc.)生产)进行科尔-科尔图分析。具体地，形成具有所获得阻抗z的实数分量z'和虚分量z”的两条轴的图形，并且采用作为(0,0)的坐标点(z',z”)与虚分量z”最大的点之间的值进行半圆形拟合以确定复数阻抗分量(阻抗z的虚分量z”)最大的角频率ωmax。另外，根据所获得的具有两条轴的图形确定体积电阻率和电容c。

如果可以进行相同的测量，则可以使用其它设备。下面，在示例中对角频率ωmax和体积电阻率的具体测量进行说明。

通过以下方式确定将进行测量的感光体中的角频率ωmax和体积电阻率。

制备待测量的感光体。例如，接着，使用诸如丙酮、四氢呋喃、甲醇或乙醇的溶剂去除涂布在底涂层上的诸如电荷产生层和电荷输送层的感光层以使底涂层露出。通过真空沉积或溅射在露出的底涂层上形成金属电极以获得测量样品。使用上述测量设备对测量样品进行测量以确定角频率ωmax和体积电阻率。

例如，在第一示例性实施例的感光体中，可以通过调整金属氧化物颗粒的粒度分布来控制角频率ωmax和体积电阻率。

在金属氧化物颗粒的粒度分布较大的情况下，金属氧化物颗粒之间的间距分布也较大。另外，金属氧化物颗粒之间的间距内存在的有机材料，例如粘合剂容易使得对科尔-科尔图分析中的交流电压的响应速度较慢。这意味着，底涂层中的正电荷不容易移动。因此，角频率ωmax往往较小，并且体积电阻率往往较大。

例如，在通过形成其中分散有金属氧化物颗粒的底涂层形成涂布液的涂布薄膜来形成底涂层的情况下，底涂层的薄膜中金属氧化物颗粒的一次颗粒可能与作为一次颗粒的凝聚物的二次颗粒共同存在。金属氧化物颗粒的二次颗粒的直径大于一次颗粒的直径，并且存在二次颗粒容易导致形成电荷通过其移动的通道。在金属氧化物颗粒的二次颗粒导致底涂层中的电荷产生过多的移动的情况下，不容易减少电荷向感光层中的移动。同时，在过多地分散颗粒并且底涂层中的金属氧化物颗粒的一次颗粒的数量增加的情况下，电荷不容易移动，导致容易降低图像密度。因此，通过调整粒度分布可以适当地控制正电荷在底涂层中的移动；换句话说，在第一示例性实施例中，控制底涂层中的正电荷使其不容易移动。从而，可以将角频率ωmax和体积电阻率控制在上述范围内。

用于调整金属氧化物颗粒的粒度分布的技术的示例为涉及使用底涂层形成涂布液的技术，该底涂层形成涂布液为作为含有第一金属氧化物颗粒的第一底涂层形成涂布液的分散液x(例如稍后将在示例中进行描述的分散液a)与作为含有第二金属氧化物颗粒的第二底涂层形成涂布液的分散液y(例如稍后将在示例中进行描述的分散液b)的混合物。

分散液x中的第一金属氧化物颗粒的直径小于分散液y中的第二金属氧化物颗粒的直径。

金属氧化物颗粒的粒度分布的具体调整的示例如下。在用于分散底涂层形成涂布液的金属氧化物颗粒的步骤中，在金属氧化物颗粒的固体含量浓度已知的底涂层形成涂布液中长时间进行分散以制备分散液x。接着，制备与分散液x相同固体含量浓度的底涂层形成涂布液，并且进行比分散液x的制备过程中的分散时间更短的分散(例如分散时间为分散液x的制备过程中的分散时间的一半)以制备分散液y。

通过进行长时间分散来制备分散液x使得分散液x中的金属氧化物颗粒的直径较小。由于分散液y的制备过程中的分散时间比分散液x的制备过程中的分散时间短，因此分散液y中的金属氧化物颗粒的直径大于分散液y中的金属氧化物颗粒的直径。

将分散液x和分散液y相互混合，接着控制由表达式(r)定义的金属氧化物颗粒的固体含量的重量比r(％)以调整金属氧化物颗粒的粒度分布。通过控制重量比r可以将角频率ωmax和体积电阻率控制在上述范围内。

r＝{x/(x+y)}×100表达式(r)

在表达式(r)中，x表示分散液x中的金属氧化物颗粒的固体含量(重量份)，并且y表示分散液y中的金属氧化物颗粒的固体含量(重量份)。

在上述示例中，分散液y的制备过程中的分散时间为分散液x的制备过程中的分散时间的一半；然而，如果可以将角频率ωmax和体积电阻率控制在上述范围内，则不特别限定分散液x与分散液y之间的分散时间差。对分散液x中的金属氧化物颗粒的固体含量与分散液y中的金属氧化物颗粒的固体含量相同的情况进行了描述；然而，同样不具体限定固体含量。

对金属氧化物颗粒的直径较小的底涂层形成涂布液与金属氧化物颗粒的直径较大的底涂层形成涂布液相互混合的技术进行了描述；然而，也可以采用另一种技术。

金属氧化物颗粒的示例包括粉体电阻(体积电阻率)在10²ωcm至10¹¹ωcm的范围内的金属氧化物颗粒。

具有这种电阻的金属氧化物颗粒的具体示例包括诸如氧化锡颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒和氧化锆颗粒的金属氧化物颗粒；具体地，优选氧化锌颗粒。

例如，金属氧化物颗粒的由bet方法测量的比表面积优选为10m²/g以上。

例如，金属氧化物颗粒的体积平均粒径优选为50nm至2000nm(更优选为60nm至1000nm)。

例如，相对于粘合剂树脂含量，金属氧化物颗粒含量优选在10重量％至80重量％的范围内，更优选在40重量％至80重量％的范围内。

金属氧化物颗粒可任选地进行表面处理。两种或两种以上表面处理或粒径不同的金属氧化物颗粒可以组合使用。

待使用的表面处理剂的示例包括硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝基偶联剂以及表面活性剂。具体地，优选硅烷偶联剂，更优选具有氨基的硅烷偶联剂。

具有氨基的硅烷偶联剂的示例包括但不限于3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷以及n,n-双(2-羟乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷。

两种或两种以上的硅烷偶联剂可以组合使用；例如，具有氨基的硅烷偶联剂可以与另一种硅烷偶联剂组合使用。所述另一种硅烷偶联剂的示例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-双(2-羟乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅烷。

可以采用使用表面处理剂的任何已知的表面处理，也可以进行干法和湿法。

例如，与金属氧化物颗粒含量相比，待使用的表面处理剂的数量优选为0.5重量％至10重量％。

除金属氧化物颗粒以外，底涂层还可以含有电子接受化合物(受体化合物)以提高电学性能和载体阻挡性能的长期稳定性。

电子接受化合物的示例包括电子输送材料，例如，诸如氯醌和溴苯胺的醌系化合物；四氰基对苯醌二甲烷化合物；诸如2,4,7-三硝基芴酮以及2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮化合物；诸如2-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑、2,5-双(4-萘基)-1,3,4-恶二唑以及2,5-双(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-恶二唑的恶二唑化合物；氧杂蒽酮化合物；噻吩化合物；以及诸如3,3',5,5'-四叔丁基-4,4'-联苯醌的联苯醌化合物。

具体地，电子接受化合物优选为具有蒽醌结构的化合物。具有蒽醌结构的化合物的优选示例包括羟基蒽醌化合物、氨基蒽醌化合物以及氨基羟基蒽醌化合物。其具体示例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽绛酚以及羟基茜草素。

具有带羟基的蒽醌结构的化合物

在具有蒽醌结构的化合物中，为控制底涂层中的正电荷的移动，可以特别地使用具有带羟基的蒽醌结构的化合物。具有带羟基的蒽醌结构的化合物为蒽醌结构中的芳香环的至少一个氢原子已经被羟基取代的化合物；具体地，优选由通式(1)表示的化合物或者由通式(2)表示的化合物，更优选由通式(1)表示的化合物。

在通式(1)中，n1和n2各自独立地表示0至4之间的整数。然而，n1和n2中的至少任一个表示1至4之间的整数(换句话说，n1和n2不同时表示0)。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。r¹和r²各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基、具有1至10个碳原子的烷氧基或者具有6至30个碳原子的取代或未取代芳基。

在通式(2)中，n1、n2、n3以及n4各自独立地表示0至3之间的整数。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。n1和n2中的至少任一个表示1至3之间的整数(换句话说，n1和n2不同时表示0)。n3和n4中的至少任一个表示1至3之间的整数(换句话说，n3和n4不同时表示0)。r表示2至10之间的整数。r¹和r²各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或者具有1至10个碳原子的烷氧基。

在通式(1)和通式(2)中，具有1至10个碳原子并且由r¹和r²表示的烷基可以为直链或支链；并且其示例包括甲基、乙基、丙基以及异丙基。具有1至10个碳原子的烷基优选为具有1至8个碳原子的烷基，更优选为具有1至6个碳原子的烷基。

具有1至10个碳原子并且由r¹和r²表示的烷氧基可以为直链或支链；并且其示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基以及辛氧基。具有1至10个碳原子的烷氧基优选为具有1至8个碳原子的烷氧基，更优选为具有1至6个碳原子的烷氧基。

在通式(1)中，具有6至30个碳原子并且由r¹和r²表示的未取代芳基的示例包括苯基、通过去除烷基苯中的一个氢原子形成的基团(例如苄基、甲苯基、二甲苯基以及异亚丙基丙酮)；萘基；以及通过去除烷基取代萘中的一个氢原子形成的基团。

在通式(1)中，具有6至30个碳原子并且由r¹和r²表示的取代芳基的取代基的示例包括具有1至6个碳原子烷基(例如甲基、乙基以及丙基)；上述具有6至30个碳原子的芳基；上述具有1至10个碳原子的烷氧基；卤素原子(例如氟原子、氯原子以及溴原子)；硝基；酰胺基；羟基；酯基；醚基；以及醛基。

在由通式(1)表示的化合物中，为控制底涂层中的正电荷的移动，可以特别地使用由通式(1a)表示的化合物中的任何一种。

在通式(1a)中，r¹¹表示具有1至10个碳原子的烷氧基或者具有6至30个碳原子的取代或未取代芳基。n表示1至8之间的整数。

在通式(1a)中，具有1至10个碳原子并且由r¹¹表示的烷氧基的含义与通式(1)中具有1至10个碳原子并且由r¹和r²表示的烷氧基的含义相同，并且它们的优选范围也相同。

在通式(1a)中，具有6至30个碳原子并且由r¹¹表示的未取代芳基的含义与通式(1)中具有6至30个碳原子并且由r¹和r²表示的未取代芳基的含义相同。

在通式(1a)中，具有6至30个碳原子并且由r¹¹表示的取代芳基中的取代基的含义与通式(1)中具有6至30个碳原子并且由r¹和r²表示的取代芳基中的取代基的含义相同。

在通式(1a)中，n优选为1至7之间的整数，更优选为2至5之间的整数。

下面，对电子接受化合物的具体示例进行说明；然而，电子接受化合物不限于此。

化合物的以下具体示例中的每一个指“示例性化合物”；例如，下述化合物(1-1)指“示例性化合物(1-1)”。

在以下示例性化合物中，“me”指甲基；“et”指乙基；“bu”指正丁基；“c5h11”指正戊基；“c6h13”指正己基；“c7h15”指正庚基；“c8h17”指正辛基；“c9h19”指正壬基；以及“c10h21”指正癸基。

电子接受化合物可以以与金属氧化物颗粒一起分散的状态或者以附着在金属氧化物颗粒的表面的状态包含在底涂层中。

例如，通过干法或湿法可以使电子接受化合物附着在金属氧化物颗粒的表面。

例如，在干法中，利用具有大剪切力的混合器或其他装置对金属氧化物颗粒进行搅拌，并且向其滴加或者连同干燥空气或氮气喷涂电子接受化合物本身或溶解到有机溶剂中的电子接受化合物，使得电子接受化合物附着在金属氧化物颗粒的表面。电子接受化合物的滴加或喷涂可以在不高于溶剂的沸点的温度下进行。在滴加或喷涂电子接受化合物之后，可以在100℃以上进行烘干。烘干可以在任何温度下进行任何时间，只要可以获得电子照相性能。

例如，在湿法中，通过使用搅拌、超声波、砂磨机、磨碎机或球磨机的技术使金属氧化物颗粒分散到溶剂中；向其添加电子接受化合物，接着进行搅拌或分散；并且去除溶剂，使得电子接受化合物附着在金属氧化物颗粒的表面。例如，通过过滤或蒸馏去除溶剂。去除溶剂之后，可以在100℃以上对所得产品进行烘干。烘干可以在任何温度下进行任何时间，只要可以获得电子照相性能。在湿法中，金属氧化物颗粒中含有的水可以在添加电子接受化合物之前去除；去除技术的示例包括在溶剂中搅拌以及加热以去除水的技术或者通过与溶剂共沸去除水的技术。

附着电子接受化合物可以在通过使用表面处理剂对金属氧化物颗粒进行表面处理之前、之后或同时进行。

例如，相对于金属氧化物颗粒的含量，电子接受化合物的数量优选在0.01重量％至20重量％的范围内，更优选在0.01重量％至10重量％的范围内。

用于形成底涂层的粘合剂树脂的示例包括诸如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-顺丁烯二酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮醇酸树脂、尿素树脂、酚醛树脂、苯酚甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂的已知聚合物化合物；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；以及诸如硅烷偶联剂的已知材料。

用于形成底涂层的粘合剂树脂的其他示例包括具有电荷输送基的电荷输送树脂以及导电树脂(例如，聚苯胺)。

用于形成底涂层的粘合剂树脂优选不溶于用于形成上层的溶剂。具体地，优选的树脂为诸如尿素树脂、酚醛树脂、苯酚甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂的热固性树脂；以及通过固化剂和选自由聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇树脂和聚乙烯醇缩醛树脂组成的组中的至少一种树脂之间的反应而获得的树脂。

在这些粘合剂树脂中的两种或两种以上组合使用的情况下，适当地确定混合比。

底涂层可以含有改善电气性能、环境稳定性和图像质量的各种添加剂。

添加剂的示例包括诸如电子输送颜料(例如稠合多环颜料和偶氮颜料)、锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物和硅烷偶联剂的已知材料。尽管硅烷偶联剂按照上面讨论的方式在金属氧化物颗粒的表面处理中使用，它还可以作为添加剂添加到底涂层中。

作为添加剂使用的硅烷偶联剂的示例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-双(2-羟乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基甲硅烷.

锆螯合物的示例包括丁氧基锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮丁氧基锆、乙酰乙酸乙酯丁氧基锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、磷酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁氧基锆、硬脂酸丁氧基锆以及异硬脂酸丁氧基锆。

钛螯合物的示例包括钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚物、钛酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、亚辛基乙醇酸钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸钛乙酯、三乙醇胺合钛以及多羟基硬脂酸钛。

铝螯合物的示例包括异丙醇铝、单丁氧基二异丙醇铝、丁酸铝、二乙酰乙酸乙酯二异丙醇铝以及三(乙酰乙酸乙酯)铝。

这些添加剂可以单独使用，或者作为多种化合物的混合物或缩聚物使用。

底涂层可以具有35以上的维氏硬度。

为抑制莫尔条纹，底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)可以调整到曝光用激光器的波长λ的1/4n(n表示上层的折射率)至1/2的范围内。

例如，可以在底涂层中添加树脂颗粒等以调整表面粗糙度。树脂颗粒的示例包括硅酮树脂颗粒以及交联聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒。可以将底涂层的表面抛光以调整表面粗糙度。抛光技术的示例包括皮革抛光、喷砂、湿珩磨以及研磨。

底涂层可以通过任何已知的技术形成，只要角频率ωmax和体积电阻率可以控制在上述范围内；例如，将上述成分添加到溶剂中制备用于形成底涂层的涂布液，涂敷涂布液以形成涂布薄膜，并对涂布薄膜进行干燥，以及加热(如果需要)。

用于形成底涂层的涂布液的示例优选为上述底涂层形成涂布液。具体地，可以是作为含有第一金属氧化物颗粒的第一底涂层形成涂布液的分散液x与作为含有第二金属氧化物颗粒的第二底涂层形成涂布液的分散液y的混合物的底涂层形成涂布液，其中第一金属氧化物颗粒的直径小于第二金属氧化物颗粒的直径。

制备用于形成底涂层的涂布液的溶剂的示例包括诸如醇溶剂、芳烃溶剂、卤代烃溶剂、酮溶剂、酮醇溶剂、醚溶剂以及酯溶剂的已知有机溶剂。

所述溶剂的具体示例包括诸如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、醋酸正丁酯、二氧六环、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯的通常的有机溶剂。

在制备用于形成底涂层的涂布液的过程中分散金属氧化物颗粒的技术的示例包括已知的技术，其中使用辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨机或油漆搅拌器。

将用于形成底涂层的涂布液涂敷到导电基底上的技术的示例包括通常的技术，例如刮刀涂布技术、线棒涂布技术、喷涂技术、浸渍涂布技术、珠涂布技术、气刀涂布技术以及幕式涂布技术。

例如，底涂层的厚度优选调整为15μm以上，更优选为20μm至50μm，进一步优选为20μm至35μm以容易将通过科尔-科尔图确定的体积电阻率控制在上述范围内。

中间层

虽然附图中未示出，可以在底涂层和感光层之间进一步设置中间层。

中间层的示例为含有树脂的层。用于形成中间层的树脂的示例包括诸如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-顺丁烯二酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮醇酸树脂、苯酚甲醛树脂以及三聚氰胺树脂的已知聚合物。

中间层可以是含有有机金属化合物的层。用于形成中间层的有机金属化合物的示例包括含有诸如锆原子、钛原子、铝原子、锰原子或硅原子的金属原子的有机金属化合物。

这些用于形成中间层化合物可以单独使用，或者作为多种化合物的混合物或缩聚物使用。

具体地，中间层优选为含有有机金属化合物的层，该有机金属化合物含有锆原子或硅原子。

中间层可以通过任何已知的技术形成；例如，将上述成分添加到溶剂中制备用于形成中间层的涂布液，涂敷涂布液以形成涂布薄膜，并对涂布薄膜进行干燥，以及加热(如果需要)。

涂敷用于形成中间层的涂布液的技术的示例包括通常的技术，例如浸渍涂布技术、上推涂布技术、线棒涂布技术、喷涂技术、刮刀涂布技术、气刀涂布技术以及幕式涂布技术。

例如，中间层的厚度优选调整为0.1μm至3μm。中间层还可以作为底涂层。

电荷产生层

电荷产生层的示例为含有电荷产生材料以及粘合剂树脂的层。电荷产生层可以是电荷产生材料的沉积层。电荷产生材料的沉积层适用于诸如发光二极管(led)或有机电致发光(el)图像阵列的非相干光源作为光源的情况。

电荷产生材料的示例包括诸如双偶氮颜料和三偶氮颜料的偶氮颜料；诸如二溴蒽嵌蒽醌的稠环芳香族颜料；苝颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；以及三方晶系硒。

具体地，为了使用波长在近红外区域内的激光进行曝光优选金属酞菁颜料和无金属酞菁颜料作为电荷产生材料。其具体示例包括羟基镓酞菁；氯化镓酞菁；二氯化锡酞菁；以及氧钛酞菁。

为了使用波长在近紫外光区域内的激光进行曝光，电荷产生材料优选为诸如二溴蒽嵌蒽醌、硫靛颜料、四氮杂卟啉化合物、氧化锌、三方晶系硒或双偶氮颜料的稠环芳香族颜料。

上述电荷产生材料还可以在使用诸如led或有机el图像阵列的非相干光源的情况下使用，该非相干光源的发射中心波长为450nm至780nm；然而，当感光层的厚度为20μm以下以提高分辨率时，感光层中的场强增加，从而容易产生由于基底的电荷注入导致的带电减少，即容易产生被称为黑斑的图像缺陷。此现象在使用诸如三方晶系硒或酞菁颜料的电荷产生材料时较明显，该电荷产生材料是p型半导体并且容易产生暗电流。

相比之下，当使用诸如稠环芳香族颜料、苝颜料或偶氮颜料的n型半导体作为电荷产生材料时，尽管厚度较小，不容易产生暗电流并且产生的被称为黑斑的图像缺陷。

为区分n型电荷产生材料，通过常用的飞行时间技术分析流经的光电电流的极性，并且容易将电子(并非孔)作为载体而流动的材料确定为n型电荷产生材料。

用于形成电荷产生层的粘合剂树脂选自各种绝缘树脂，还可以选自诸如聚(n-乙烯咔唑)、聚乙烯蒽、聚乙烯芘和聚硅烷的有机光电导聚合物。

粘合剂树脂的示例包括聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(例如由双酚和芳香族二价羧酸制成的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯吡啶树脂、纤维素树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂以及聚乙烯吡咯烷酮树脂。这里，术语“绝缘”表示体积电阻率为10¹³ωcm以上。

这些粘合剂树脂可以单独或组合使用。

电荷产生材料与粘合剂树脂的重量混合比优选为10:1至1:10。

电荷产生层可以含有其它已知的添加剂。

电荷产生层可以通过任何已知的技术形成；例如，将上述成分添加到溶剂中制备用于形成电荷产生层的涂布液，涂敷涂布液以形成涂布薄膜，并且对涂布薄膜进行干燥，以及加热(如果需要)。电荷产生层还可以通过电荷产生材料的沉积形成。具体地，通过沉积形成电荷产生层尤其适用于使用稠环芳族颜料或苝颜料作为电荷产生材料的情况。

制备用于形成电荷产生层的涂布液的溶剂的示例包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、醋酸正丁酯、二氧六环、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯。这些溶剂可以单独或组合使用。

例如，使用诸如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机或卧式砂磨机的介质分散器，或者使用诸如搅拌器、超声波分散器、辊磨机和高压均质器的无介质分散器将颗粒(例如，电荷产生材料)分散到用于形成电荷产生层的涂布液中。高压均质器的示例包括在高压下通过液-液碰撞或液-壁碰撞将分散液分散的碰撞型均质器，或者在高压下使分散液流经窄通道将分散液分散的贯通型均质器。

在进行分散时，将用于形成电荷产生层的涂布液中的电荷产生材料的平均粒径控制为0.5μm以下，优选为0.3μm以下，更优选为0.15μm以下是有效的。

将用于形成电荷产生层的涂布液涂敷到底涂层(或中间层)上的技术的示例包括诸如刮刀涂布技术、线棒涂布技术、喷涂技术、浸渍涂布技术、珠涂布技术、气刀涂布技术以及幕式涂布技术的通常的技术。

例如，电荷产生层的厚度优选调整为0.1μm至5.0μm，更优选为0.2μm至2.0μm。

电荷输送层

电荷输送层的示例为含有电荷输送材料以及粘合剂树脂的层。电荷输送层可以为含有电荷输送聚合材料的层。

电荷输送材料的示例包括诸如对苯醌、氯醌、四溴对苯醌和蒽醌的醌类化合物；四氰基醌二甲烷类化合物；诸如2,4,7-三硝基芴酮的芴酮化合物；氧杂蒽酮类化合物；二苯甲酮类化合物；氰基乙烯基化合物；以及乙烯基化合物。电荷输送材料的另一个示例包括诸如三芳基胺类化合物、联苯胺类化合物、芳基烷烃类化合物、芳基取代的乙烯类化合物、芪类化合物、蒽类化合物以及腙类化合物的空穴传输化合物。这些电荷输送材料为非限制性示例，并且可以单独或组合使用。

从电荷迁移性的角度，电荷输送材料优选为由结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物中的任何一种或者是由结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物中的任何一种。

在结构式(a-1)中，ar^t1、ar^t2以及ar^t3各自独立地表示取代或未取代的芳基、-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)或-c6h4-ch＝ch-ch＝c(r^t7)(r^t8)。r^t4、r^t5、r^t6、r^t7以及r^t8各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。

这些基团中的每一个的取代基的示例包括卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基以及具有1至5个碳原子的烷氧基。取代基的另一个示例为被具有1至3个碳原子的烷基取代的取代氨基。

在结构式(a-2)中，r^t91以及r^t92各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基或者具有1至5个碳原子的烷氧基。r^t101、r^t102、r^t111以及r^t112各自独立地表示卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、被具有1或2个碳原子的烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-c(r^t12)＝c(r^t13)(r^t14)或-ch＝ch-ch＝c(r^t15)(r^t16)。r^t12、r^t13、r^t14、r^t15以及r^t16各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。tm1、tm2、tn1以及tn2各自独立地表示0至2之间的整数。

这些基团中的每一个的取代基的示例包括卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基以及具有1至5个碳原子的烷氧基。取代基的另一个示例为被具有1至3个碳原子的烷基取代的取代氨基。

在由结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物以及由结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物中，从电荷移动性的角度，优选具有“-c6h4-ch＝ch-ch＝c(r^t7)(r^t8)”的三芳基胺衍生物以及具有“-ch＝ch-ch＝c(r^t15)(r^t16)”的联苯胺衍生物。

聚合物电荷输送材料的示例包括具有电荷输送能力的已知材料，例如聚(n-乙烯基咔唑)和聚硅烷。具体地，尤其优选聚酯类聚合物电荷输送材料。聚合物电荷输送材料可以单独使用或者与粘合剂树脂组合使用。

电荷输送材料中使用的粘合剂树脂的示例包括聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯-马来酸酐共聚物、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚(n-乙烯基咔唑)树脂以及聚硅烷。在这些粘合剂树脂中，尤其优选聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂作为粘合剂树脂。这些粘合剂树脂单独或组合使用。

电荷输送材料与粘合剂树脂的重量混合比优选为10:1至1:5。

电荷输送层还可以含有已知的添加剂。

电荷输送层可以通过任何已知的技术形成；例如，将上述成分添加到溶剂中制备用于形成电荷输送层的涂布液，涂敷涂布液以形成涂布薄膜，并且对涂布薄膜进行干燥，以及加热(如果需要)。

制备用于形成电荷输送层的涂布液的溶剂的示例包括通常的有机溶剂，例如，诸如苯、甲苯、二甲苯和氯苯的芳香烃；诸如丙酮和2-丁酮的酮；诸如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷的卤代脂肪族烃；以及诸如四氢呋喃和乙醚的环状或直链醚。这些溶剂单独或组合使用。

对电荷产生层涂敷用于形成电荷输送层的涂布液的技术的示例包括通常的技术，例如刮刀涂布技术、线棒涂布技术、喷涂技术、浸渍涂布技术、珠涂布技术、气刀涂布技术以及幕式涂布技术。

例如，电荷输送层的厚度优选调整为5μm至50μm，更优选为10μm至30μm。

保护层

保护层可任选地形成于感光层上。例如，形成保护层以防止感光层在充电过程中发生化学变化并提高感光层的机械强度。

因此，保护层可以是固化薄膜(交联薄膜)的层。每一层的示例包括以下层(1)和层(2)。

(1)由含有一个分子具有反应基团和电荷输送骨架的含反应基团电荷输送材料的组合物制成的固化薄膜的层(换句话说，含有含反应基团电荷输送材料的聚合物或交联产物的层)

(2)由含有非反应性电荷输送材料和不具有电荷输送骨架但具有反应基团的含反应基团非电荷输送材料的组合物制成的固化薄膜的层(换句话说，含有非反应性电荷输送材料和含反应基团非电荷输送材料的聚合物或交联产物的层)

含反应基团电荷输送材料的反应基团的示例包括已知的反应基团，例如链可聚合基团、环氧基、-oh、-or(其中r表示烷基)、-nh2、-sh、-cooh以及-sir^q13-qn(or^q2)qn(其中r^q1表示氢原子、烷基或者取代或未取代芳基；r^q2表示氢原子、烷基或者三烷基甲硅烷基；并且qn表示1至3之间的整数)。

可以采用任何链可聚合基团，只要该基团为可以实现自由基聚合的官能团；例如，可以采用至少含有一个具有碳双键的基团的官能团。其具体示例包括含有选自乙烯基、乙烯醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的任何一种的基团。在这些基团中，可以采用含有选自乙烯基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的任何一种的基团优选作为链可聚合基团，因为这些基团具有极好的反应性。

含反应基团电荷输送材料的电荷输送骨架并未特别受限，只要其结构为电子照相感光体领域中的已知结构。这种结构的示例包括衍生自诸如三芳基胺类化合物、联苯胺类化合物和腙类化合物的含氮空穴传输化合物并且与氮原子共轭的骨架。具体地，优选三芳基胺骨架。

具有反应基团和电荷输送骨架的含反应基团电荷输送材料、非反应性电荷输送材料以及含反应基团非电荷输送材料可以选自已知的材料。

保护层还可以进一步含有已知的添加剂。

保护层可以通过任何已知的技术形成；例如，将上述成分添加到溶剂中制备用于形成保护层的涂布液，涂敷涂布液以形成涂布薄膜，并且对涂布薄膜进行干燥，以及加热(如果需要)。

制备用于形成保护层的涂布液的溶剂的示例包括诸如甲苯和二甲苯的芳香烃类溶剂；诸如甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮的酮类溶剂；诸如乙酸乙酯和乙酸丁酯的酯类溶剂；诸如四氢呋喃和二恶烷的醚类溶剂；诸如乙二醇单甲醚的溶纤剂类溶剂；以及诸如异丙醇和丁醇的醇类溶剂。这些溶剂单独或组合使用。

用于形成保护层的涂布液可以为无溶剂涂布液。

对感光层(例如电荷输送层)涂敷用于形成保护层的涂布液的技术的示例包括通常的技术，例如浸渍涂布技术、上推涂布技术、线棒涂布技术、喷涂技术、刮刀涂布技术、气刀涂布技术以及幕式涂布技术。

例如，保护层的厚度优选调整为1μm至20μm，更优选为2μm至10μm。

单层型感光层

例如，单层型感光层(电荷产生/电荷输送层)为含有电荷产生材料和电荷输送材料，并且还可以含有粘合剂树脂和另一种已知的添加剂的层。这些材料与用于形成电荷产生层和电荷输送层的材料相同。

相对于总固体含量，单层感光层中含有的电荷产生材料的数量优选为10重量％至85重量％，更优选为20重量％至50重量％。相对于总固体含量，单层感光层中含有的电荷输送材料的数量优选为5重量％至50重量％。

单层感光层通过与用于形成电荷产生层和电荷输送层的技术相同的技术形成。

例如，单层感光层的厚度优选为5μm至50μm，更优选为10μm至40μm。

图像形成装置(以及处理盒)

根据第二示例性实施例的图像形成装置包括：电子照相感光体；充电单元，其对电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其在已充电的电子照相感光体的表面形成静电潜像；显影单元，其通过使用含有调色剂的显影剂将电子照相感光体表面的静电潜像显影以形成调色剂图像；以及转印单元，其将调色剂图像转印到记录介质的表面。电子照相感光体为根据第一示例性实施例的电子照相感光体。

根据第二示例性实施例的图像形成装置可以是以下已知的图像形成装置中的任何一种：配有定影单元的装置，该定影单元将转印到记录介质表面的调色剂图像定影；直接转印型装置，其将电子照相感光体的表面形成的调色剂图像直接转印到记录介质上；中间转印型装置，其将电子照相感光体的表面形成的调色剂图像转印到中间转印体的表面(一次转印)，接着将中间转印体表面的调色剂图像转印到记录介质的表面(二次转印)；配有清洁单元的装置，该清洁单元在调色剂图像转印之后以及电子照相感光体被充电之前清洁电子照相感光体的表面；配有擦除单元的装置，该擦除单元在调色剂图像转印之后以及电子照相感光体被充电之前对电子照相感光体的表面照射消除电荷的光；以及配有电子照相感光体加热元件的装置，该电子照相感光体加热元件对电子照相感光体进行加热以降低相对温度。

例如，在中间转印型装置中，转印单元包括调色剂图像将转印到其表面的中间转印体；将电子照相感光体表面形成的调色剂图像一次转印到中间转印体的表面的一次转印单元；以及将转印到中间转印体表面的调色剂图像二次转印到记录介质表面的二次转印单元。

根据第二示例性实施例的图像形成装置可以是干式显影型图像形成装置或湿式显影型图像形成装置(使用液体显影剂进行显影)。

例如，在根据第二示例性实施例的图像形成装置的结构中，配有电子照相感光体的部分可以为可拆卸地连接到图像形成装置(处理盒)上的盒的形式。处理盒的优选示例为包括根据第一示例性实施例的电子照相感光体的处理盒。除电子照相感光体以外，处理盒还可以包括选自由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元以及转印单元组成的组中的至少一种。

下面，对根据第二示例性实施例的图像形成装置的示例进行说明；然而，根据第二示例性实施例的图像形成装置并不限于此。对附图中所示的部件进行说明，并且省略其它部件的说明。

图6示意性地示出根据第二示例性实施例的图像形成装置的结构的示例。

如图6所示，根据第二示例性实施例的图像形成装置100包括处理盒300，该处理盒300包括电子照相感光体7、曝光装置9(静电潜像形成单元的示例)、转印装置40(一次转印装置)以及中间转印体50。在图像形成装置100中，曝光装置9配置成：曝光装置9可以通过处理盒300中的开口向电子照相感光体7照射光。转印装置40配置成：转印装置40面对电子照相感光体7，而中间转印体50在它们之间。中间转印体50配置成使得中间转印元件50的一部分与电子照相感光体7相接触。尽管附图中未示出，还提供将中间转印体50上的调色剂图像转印到记录介质(例如，纸张)上的二次转印装置。在这种情况下，中间转印体50、转印装置40(一次转印装置)以及二次转印装置(附图中未示出)与转印单元的示例相对应。

在图6所示的处理盒300中，外壳一体地容纳电子照相感光体7、充电装置8(充电单元的示例)、显影装置11(显影单元的示例)以及清洁装置13(清洁单元的示例)。清洁装置13具备清洁刮刀131(清洁元件的示例)，并且清洁刮刀131设置成与电子照相感光体7的表面相接触。清洁元件无需为清洁刮刀131的形式，还可以是导电或绝缘纤维元件；这种纤维元件可以单独使用或者与清洁刮刀131组合使用。

图6中的图像形成装置的示例包括向电子照相感光体7的表面供应润滑剂14的纤维元件132(辊形)，以及辅助清洁的纤维元件133(平面刷形)，并且这些零部件可根据需要而设置。

下面，对根据第二示例性实施例的图像形成装置的各个部件进行说明。

充电装置

充电装置8的示例包括接触型充电器，其使用导电或半导电充电辊、充电刷、充电薄膜、充电橡胶刮刀和充电管。还可以使用任何其他已知的充电器，例如非接触型辊充电器以及使用电晕放电的格栅电晕管或电晕管充电器。

曝光装置

曝光装置9的示例包括光学系统，其通过来自半导体激光器、led或液晶光闸的呈预期图像的形状的光照亮电子照相感光体7的表面。光源的波长在电子照相感光体的光谱灵敏度区域以内。来自半导体激光器的光通常是震荡波长接近780nm的近红外光。然而，光的波长不限于此；也可以使用震荡波长为600nm的激光或者震荡波长在400nm至450nm的范围内的蓝色激光。也可以使用能够输出多个波束的表面发射型激光源形成彩色图像。

显影装置

显影装置11的示例为使用显影剂以接触或非接触方式进行显影的通用显影装置。显影装置11并未特别受限，只要具备上述功能，并且选择适用于预期用途的结构。显影装置11的示例为已知的显影装置，该已知的显影装置具有以下功能：使用刷子或辊使单组分或双组分显影剂附着在电子照相体7上。具体地，优选包括将显影剂保持在其表面的显影辊的显影装置。

显影装置11中使用的显影剂可以是由调色剂单独组成的单组份显影剂或者可以是由调色剂和载体组成的双组份显影剂。显影剂可以是磁性的或非磁性的。可以使用任何已知的显影剂。

清洁装置

清洁装置13为使用清洁刮刀131的清洁刮刀型清洁装置。

清洁装置13还可以具备除清洁刮刀型以外的结构；具体地，可以采用毛刷清洁，或者同时进行显影和清洁。

转印装置

转印装置40的示例包括已知的转印充电器，例如接触型转印充电器，其具备带、辊、薄膜或橡胶刮刀，并且采用使用电晕放电的非接触型转印充电器，例如格栅电晕管转印充电器和电晕管转印充电器。

中间转印体

例如，中间转印体50为含有半导电的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯或橡胶的带形(中间转印带)。中间转印体还可以是除带形以外的形状，例如鼓形。

图7示意性地示出根据第二示例性实施例的图像形成装置的结构的另一个示例。

图7所示的图像形成装置120为配有四个处理盒300的串联型多色图像形成装置。在图像形成装置120中，四个处理盒300并列设置在中间转印体50上，并且一个电子照相感光体用于一种颜色。除串联型以外，图像形成装置120还具有与图像形成装置100相同的结构。

第二示例性实施例的图像形成装置100的结构不限于上述结构。例如，在沿电子照相感光体7旋转方向的转印装置40的下游侧且在沿电子照相感光体旋转方向的清洁装置13的上游侧，可以在电子照相感光体7周围设置第一电荷中和装置，其使残余调色剂的极性相同以便于去除剩余调色剂。此外，可以在沿电子照相感光体7旋转方向的清洁装置13的下游侧且在沿电子照相感光体旋转方向的充电装置8的上游侧设置第二电荷中和装置，其中和电子照相感光体7表面的电荷。

第二示例性实施例的图像形成装置100的结构不限于上述结构，还可以是已知的结构；例如，可以采用直接转印系统，其将电子照相感光体7上形成的调色剂图像直接转印到记录介质上。

示例

下面，参照不限制本发明范围的示例对本发明的示例性实施例作进一步详细说明。在以下描述中，术语“份”和“％”表示重量份和重量％，除非另有规定。术语“wt％”指重量％。

底涂层形成分散液a的制备

将100重量份的氧化锌颗粒(商标名：mz-300，由帝国化工公司(taycacorporation)生产)、10重量份作为硅烷偶联剂的n-β(氨乙基)γ-氨丙基三乙氧基硅烷(10重量％的甲苯溶液)以及200重量份的甲苯进行混合。接着，搅拌混合物并回流2小时。甲苯在10mmhg的减压下蒸馏掉，并且在135℃下对所得产物进行2小时的烘干以实现表面处理。

接着，将33重量份的表面处理的氧化锌颗粒与6重量份的封端异氰酸酯(商标名：sumidur3175，由住化拜耳氨酯公司(sumitomobayerurethaneco.,ltd.)生产)以及25重量份的甲基乙基酮进行混合，并将混合物分散30分钟。接着，将5重量份的缩丁醛树脂(商标名：s-lecbm-1，由积水化学工业公司(sekisuichemicalco.,ltd.)生产)、1重量份的由通式(x)表示的化合物{具有含羟基的蒽醌结构并且与示例性化合物(1-9)相对应的化合物}、3重量份的硅球(商标名：tospearl120，由迈图高新材料公司(momentiveperformancematerialsinc.)生产)以及0.01重量份的流平剂，即硅油(商标名：sh29pa，由道康宁东丽公司(dowcorningtoraysiliconeco.,ltd.)生产)加入混合物中。使用砂磨机将所得混合物分散8小时，以获得底涂层形成分散液(也称为“分散液”)a。

底涂层形成分散液b的制备

分散液b的制备方式与分散液a的制备方式相同，只是使用砂磨机进行分散的时间改为4小时。

底涂层形成分散液c的制备

分散液c的制备方式与分散液a的制备方式相同，只是氧化锌颗粒的数量改为30重量份。

底涂层形成分散液d的制备

分散液d的制备方式与分散液a的制备方式相同，只是氧化锌颗粒的数量变为30重量份并且使用砂磨机进行分散的时间变为4小时。

示例1

底涂层的形成

将通过冲压制造并且直径为30mm、长度为252.9mm且厚度为0.50mm的铝基底(ip管)作为导电基底进行制备。

接着，将24重量份的分散液a和76重量份的分散液b彼此混合以制备底涂层形成涂布液。

通过浸渍涂布将底涂层形成涂布液涂敷于铝基底上，接着在180℃下干燥和固化30分钟以形成厚度为23.5μm的底涂层。

电荷产生层的形成

将18重量份作为电荷产生材料的羟基镓酞菁颜料、16重量份作为粘合剂树脂的氯乙烯-醋酸乙烯共聚物树脂(商标名：vmch，由日本尤尼卡公司(nipponunicarcompanylimited)生产))以及100重量份的醋酸正丁酯进行混合。将该混合物放入容量为100ml的玻璃瓶中，并以50％的填充率向其中添加直径为1.0mm的玻璃珠。将内容物混合，然后使用油漆搅拌器将内容物分散2.5小时以制备用于形成电荷产生层的涂布液。通过浸渍涂布将用于形成电荷产生层的涂布液涂敷于以上述方式形成的底涂层上，接着在100℃下干燥5分钟以形成厚度为0.20μm的电荷产生层。

电荷输送层的形成

将2重量份由通式(a-1a)表示的化合物、2重量份由通式(a-2a)表示的化合物以及6重量份的双酚z聚碳酸酯树脂(分子量为40,000)加入并溶解到60重量份的四氢呋喃中，从而制造用于形成电荷输送层的涂布液。通过浸渍涂布将用于形成电荷输送层的涂布液涂敷于以上述方式形成的电荷产生层上，接着在150℃下干燥30分钟以形成厚度为26μm的电荷输送层。通过这些处理，制造了感光体。

示例2至示例20

感光体按照示例1中的方式制造，只是铝基底的类型、分散液的类型和数量以及底涂层的厚度改为如表1所示。

比较示例1至比较示例20

感光体按照示例1中的方式制造，只是铝基底的类型、分散液的类型和数量以及底涂层的厚度改为如表2所示。

评价

最大凹陷的宽度和深度的测量{条件(a)}

在各个示例的感光体的制造过程中，在形成底涂层之前使用激光显微镜观察铝基底的表面存在的凹陷，并以上述方式测量最大凹陷的宽度和深度。记录凹陷的位置，使得在铝基底上形成底涂层之前可以识别凹陷。表1和表2示出最大凹陷的宽度和深度测量结果。

角频率ωmax{条件(b)}和体积电阻率{条件(c)}的测量

在各个示例的感光体的制造过程中，使用具备底涂层的铝基底确定给出最大复数阻抗分量(阻抗z的虚分量z”)的体积电阻率和角频率ωmax。

通过离子溅射沿轴向在铝基底的底涂层的中心形成直径为6毫米、厚度为300埃的圆形金属电极。接着，以上述方式确定底涂层的角频率ωmax和体积电阻率。在下列条件下进行测量。表1和表2示出测量结果。

测量条件

施加的直流电压：0v

施加的交流电压：1.0v

扫描频率：1.0mhz至1.0mhz

测量步骤数：5pts/decade

图像质量的评价

示例中制造的电子照相感光体各自安装到电子照相图像形成装置(docuprintp450d，由富士施乐公司(fujixeroxco.ltd.)生产)上以评价图像质量。

输出一张以30％的图像密度在其整个区域上形成半色调图像的a4纸，以评价与铝基底(导电基底)的表面具有最大宽度和最大深度的凹陷的记录位置相对应的位置发生的图像质量缺陷(白斑)；此外，还对整个区域上形成的图像的图像密度进行评价(初始图像质量的评价)。接着，连续输出10,000张以30％的图像密度在其整个区域上形成半色调图像的a4纸，以同样的方式评价第10,000张纸上形成的图像的图像密度(输出10,000张纸之后的图像质量的评价)。

对纸张的整个区域形成的图像的图像质量缺陷(白斑)和图像密度通过目视进行评价。图像质量缺陷(白斑)以g0至g5的六个等级进行评价；“g”后面的数字越小，评价结果越好{具体地，评价结果由g0至g5逐渐变差，例如g0(良好)>g1>g2>g3>g4>g5(不良)}。在图像质量缺陷(白斑)的评价中，g3以上的等级可以接受。

在具有最大宽度的凹陷与具有最大深度的凹陷不同时，比较两种凹陷的位置上产生的结果，并采用较差的结果。表1和表2示出评价结果。

在图像质量缺陷(白斑)的评价标准

g0：没有观察到图像质量缺陷

g1：几乎没有观察到图像质量缺陷

g2：观察到轻微的图像质量缺陷

g3：观察到一些图像质量缺陷

g4：观察到明显的图像质量缺陷

g5：观察到大量明显的图像质量缺陷

这些结果表明，在图像质量的评价中，示例的结果优于比较示例。

为了进行图示和说明，以上对本发明的示例性实施例进行了描述。其目的并不在于全面详尽地描述本发明或将本发明限定于所公开的具体形式。很显然，对本技术领域的技术人员而言，可以做出许多修改以及变形。本实施例的选择和描述，其目的在于以最佳方式解释本发明的原理及其实际应用，从而使得本技术领域的其他熟练技术人员能够理解本发明的各种实施例，并做出适合特定用途的各种变形。本发明的范围由与本说明书一起提交的权利要求书及其等同物限定。