显示装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置。

背景技术：

液晶显示(lcd)装置(其是最广泛使用的平板显示装置之一)施加电压到电极从而使液晶层中的液晶分子重新排列并因此调整透过其的光的量。lcd装置可以包括诸如像素电极和公共电极的场产生电极，并且还可以包括液晶层。lcd装置通过施加电压到场产生电极而产生电场，并通过使用该电场控制液晶层中的液晶分子的排列而显示图像。

在lcd装置中，像素电极和公共电极中的至少之一包括多个切口和由切口限定的多个分支电极。

在如上所述的其中两个不同类型的场产生电极提供在lcd装置中的情形下，需要不同的光掩模来形成两个不同类型的场产生电极。

此外，lcd装置另外需要用于在基板上形成栅线和数据线以及用于形成连接到栅线、数据线和像素电极的薄膜晶体管(tft)的多个光掩模。因此，lcd装置的制造成本增加。同时，tft可能由于从其下面提供的光(例如从背光单元提供的光)而引起泄漏电流，在这种情况下，lcd装置的显示品质会变差。

技术实现要素：

本公开的示范性实施方式提供一种能够防止其制造成本增加的显示装置。

本公开的示范性实施方式还提供一种能够防止泄漏电流在薄膜晶体管(tft)中产生的显示装置。

然而，本公开的示范性实施方式不限于这里阐述的那些。通过参照以下给出的本公开的详细描述，对于本公开所属的领域的普通技术人员，本公开的以上和其它的示范性实施方式将变得更加明显。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种显示装置。该显示装置包括：基底；栅导体，直接设置在基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在栅导体上并包括交叠栅导体的交叠部分以及连接到交叠部分、不交叠栅导体并与基底间隔开的非交叠部分；以及半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极，其中栅绝缘层的边缘比栅导体的边缘和半导体图案的边缘进一步突出。

在显示装置中，栅绝缘层的边缘的形状可以与栅导体的边缘的形状基本上相同。

在显示装置中，栅导体的边缘可以比半导体图案的边缘进一步突出。

在显示装置中，半导体图案的边缘的形状可以与栅电极的边缘的形状基本上相同。

在显示装置中，半导体图案可以与由同一半导体层形成的其它部件隔离。

在显示装置中，半导体图案可以交叠栅导体。

显示装置还可以包括：数据导体，设置在基底上并包括与栅线绝缘的数据线、连接到数据线和半导体图案的源电极、以及连接到半导体图案并与源电极间隔开的漏电极；其中漏电极包括第一部分以及连接到第一部分并设置在栅绝缘层上的第二部分，该第一部分设置在基底上，不交叠栅绝缘层，并与栅电极间隔开且空间提供在第一部分与栅电极之间。

在显示装置中，第一部分可以直接设置在基底上。

在显示装置中，第二部分可以包括第一子部分和第二子部分，第一子部分交叠非交叠部分并且不交叠栅电极和半导体图案，第二子部分连接到第一子部分，交叠该交叠部分和栅电极，并且不交叠半导体图案。

在显示装置中，第二部分还可以包括第三子部分，第三子部分连接到第二子部分并交叠栅电极、交叠部分和半导体图案。

显示装置还可以包括：第一钝化层，设置在源电极、漏电极和半导体图案上；第一电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在第二钝化层上。

在显示装置中，第二电极的厚度可以大于第一电极的厚度。

在显示装置中，第一钝化层可以包括暴露漏电极的部分的接触孔；第一电极可以包括交叠接触孔的电极开口；第二钝化层可以包括交叠电极开口的钝化开口；第二电极可以通过接触孔、电极开口和钝化开口连接到漏电极；并且钝化开口的尺寸可以小于电极开口的尺寸。

显示装置还可以包括：有机层，设置在第一钝化层和第二钝化层之间；其中第一电极设置在有机层上，接触孔形成在第一钝化层和有机层中。

在显示装置中，数据导体还可以包括设置在基底上的栅信号传输焊盘部分；栅导体还可以包括直接设置在基底上并连接到栅线的栅焊盘部分；以及栅信号传输焊盘部分和栅焊盘部分可以经由连接构件电连接。

在显示装置中，栅绝缘层和第一钝化层可以包括暴露栅焊盘部分的第一焊盘接触孔；第一钝化层可以包括暴露栅信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔；以及连接构件可以经由第一焊盘接触孔连接到栅焊盘部分并且可以经由第二焊盘接触孔连接到栅信号传输焊盘部分。

在显示装置中，连接构件可以包括与第一电极相同的材料。

显示装置还可以包括：绝缘构件，设置在连接构件上并包括与第二钝化层相同的材料，其中绝缘构件的边缘比连接构件的边缘进一步突出。

在显示装置中，数据导体还可以包括设置在基底上并连接到数据线的数据焊盘部分；第一钝化层可以包括暴露数据焊盘部分的第三焊盘接触孔；连接到数据焊盘部分的接触辅助构件可以设置在第一钝化层上。

在显示装置中，接触辅助构件可以包括与第二电极相同的材料。

根据本公开的另一示范性实施方式，提供一种显示装置。该显示装置包括：基底；栅电极，直接设置在基底上；栅绝缘层，设置在栅电极上；半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极；源电极，连接到半导体图案；以及漏电极，连接到半导体图案并与源电极和栅电极间隔开，其中漏电极包括第一部分和第二部分，第一部分设置在基底上，不交叠栅绝缘层并与栅电极间隔开且空间提供在第一部分与栅电极之间，第二部分连接到第一部分并设置在栅绝缘层上。

在显示装置中，第一部分可以直接设置在基底上。

在显示装置中，第二部分可以包括第一子部分和第二子部分，第一子部分交叠非交叠部分并且不交叠栅电极和半导体图案，第二子部分连接到第一子部分，交叠该交叠部分和栅电极，并且不交叠半导体图案。

在显示装置中，第二部分还可以包括第三子部分，第三子部分连接到第二子部分并交叠栅电极、交叠部分和半导体图案。

在显示装置中，栅电极的边缘可以比半导体图案的边缘进一步突出。

在显示装置中，半导体图案的边缘的形状可以与栅电极的边缘的形状基本上相同。

在显示装置中，半导体图案可以与由同一半导体层形成的其它部件隔离。

在显示装置中，半导体图案可以交叠栅电极。

根据示范性实施方式，可以提供一种能够防止其制造成本增加的显示装置。

此外，可以提供一种能够防止泄漏电流在tft中产生的显示装置。

其它的特征和方面将从以下的详细描述、附图和权利要求变得明显。

附图说明

图1是根据本公开的一示范性实施方式的显示装置的示意性布局图。

图2是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线a-a'截取的截面图。

图3是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线b-b'截取的截面图。

图4是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线c-c'截取的截面图。

图5是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线d-d'截取的截面图。

图6是示出根据图1的示范性实施方式的显示装置的薄膜晶体管(tft)的放大图。

图7是图6中示出的tft的沿图6的线aa-aa'截取的截面图。

图8是示出图6的区域p的放大截面图。

图9是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的布局图。

图10是沿图9的线a-a'截取的截面图。

图11是沿图9的线b-b'截取的截面图。

图12是沿图9的线c-c'截取的截面图。

图13是沿图9的线d-d'截取的截面图。

图14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32和33是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的步骤的截面图，具体地，用于形成图9、10、11、12和13中示出的结构的步骤的截面图。

图34是进一步示出制造图1的示范性实施方式的显示装置的方法的布局图，具体地，在图9中示出的步骤之后的步骤的布局图。

图35是沿图34的线a-a'截取的截面图。

图36是沿图34的线b-b'截取的截面图。

图37是沿图34的线c-c'截取的截面图。

图38是沿图34的线d-d'截取的截面图。

图39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57和58是进一步示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的截面图，具体地，用于形成图34、35、36、37、38、39中示出的结构的步骤的截面图。

图59、60、61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77和78是进一步示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的截面图，具体地，在图55、56、57和58中示出的步骤之后的步骤的截面图。

图79是示出在根据图1的示范性实施方式的显示装置的制造中使用的光掩模以及使用该光掩模形成的元件的示意图。

具体实施方式

通过参照实施方式的以下详细说明和附图，本发明构思的特征以及实现它们的方法可以被更容易地理解。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将透彻和完整，并将充分地传达本发明构思的构思至本领域技术人员，本发明构思将仅由权利要求限定。同样的附图标记在整个说明书中指代同样的元件。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的而不意在限制本发明构思。当在这里使用时，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解，术语“包含”和/或“包含……的”，当在本说明书中使用时，表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是并不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。

将理解，当称一元件或层“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或联接到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，可以没有居间元件或层存在。当在这里使用时，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。

将理解，尽管在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区别开。因此，以下论述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而没有背离本发明构思的教导。

为了描述的方便，这里可以使用空间关系术语诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……之上”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解，除了图中所描绘的取向之外，空间关系术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将会取向“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示范性术语“在……下面”能够涵盖之上和之下两种取向。装置可以另外地取向(旋转90度或在其它取向)，这里使用的空间关系描述符被相应地解释。

除非另外地限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本申请所属的领域内的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，术语(诸如通用词典中定义的那些)应当被解释为具有与相关技术和本说明书的背景中的含义一致的含义，而将不被解释为理想化或过度形式化的含义，除非这里明确地如此定义。

同样的参考标记在整个说明书中用于指示同样的或类似的元件。

在下文将以平面-线切换(pls)型显示装置作为示例描述本公开的示范性实施方式，但是本公开不限于此。也就是说，本公开还可以应用于包括在本公开的权利要求中阐述的元件的各种其它显示装置，诸如垂直配向(va)模式显示装置、图案化垂直配向(pva)模式显示装置、平面内切换(ips)显示装置、边缘场切换(ffs)显示装置、扭转向列(tn)显示装置和电控制双折射(ecb)显示装置。

此外，在下文将以具有公共电极在底部的构造的显示装置作为示例来描述本公开的示范性实施方式，但是本公开不限于此。也就是说，本公开也可以应用于具有公共电极在顶部的构造的显示装置，只要显示装置包括在本公开的权利要求中阐述的元件。

在下文将参照附图描述本公开的示范性实施方式。

图1是根据本公开的一示范性实施方式的显示装置的示意性布局图，图2是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线a-a'截取的截面图，图3是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线b-b'截取的截面图，图4是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线c-c'截取的截面图，图5是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线d-d'截取的截面图。

参照图1至图5，显示装置1可以包括第一显示基板10、面对第一显示基板10的第二显示基板20以及设置在第一显示基板10和第二显示基板20之间的液晶层30。

在下文将描述第一显示基板10。

第一基底110可以包括绝缘基板。例如，第一基底110可以包括玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。第一基底110可以包括具有高耐热性的聚合物或塑料。在一些示范性实施方式中，第一基底110可以是柔性的。也就是说，第一基底110可以是可通过转动、折叠或弯曲而可变形的柔性的绝缘基板。第一基底110可以具有其中绝缘层沉积在绝缘基板上的结构。

栅导体(121、124和127)可以设置在第一基底110上。栅导体(121、124和127)可以直接设置在第一基底110上。

栅导体(121、124和127)可以包括栅线121和栅电极124并且还可以包括栅焊盘部分127。栅线121可以传输栅信号并可以基本上在一个方向(例如水平方向)上延伸。栅电极124可以从栅线121突出并可以连接到栅线121。栅焊盘部分127，其连接到另一层或外部驱动电路并传输栅信号到栅线121，可以连接到栅线121。栅导体(121、124和127)可以包括不透明金属材料例如铝(al)或基于铝的金属诸如al合金、银(ag)或基于ag的金属诸如ag合金、铜(cu)或基于cu的金属诸如cu合金、钼(mo)或基于mo的金属诸如mo合金、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)或钛(ti)。栅导体(121、124和127)可以具有单层结构或可以具有由具有不同物理性能的至少两个导电层组成的多层结构。

空间(s1、s2和s3)可以存在于栅导体(121、124和127)周围。例如，第一空间s1可以存在于栅电极124周围，第二空间s2可以存在于栅线121周围，第三空间s3可以存在于栅焊盘部分127周围。

栅绝缘层140可以设置在栅导体(121、124和127)上。栅绝缘层140可以由绝缘材料形成。例如，栅绝缘层140可以由硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)或硅氮氧化物(sioxny)形成。栅绝缘层140可以具有单层结构或可以具有由具有不同物理性能的至少两个有机层组成的多层结构。

在一些示范性实施方式中，栅绝缘层140可以不接触第一基底110。更具体地，栅绝缘层140可以包括交叠栅导体(121、124和127)的交叠部分和不交叠栅导体(121、124和127)的非交叠部分，栅绝缘层140的非交叠部分可以与第一基底110间隔开并且栅导体(121、124和127)提供在两者之间。栅绝缘层140的非交叠部分可以与第一基底110间隔开并且空间(s1、s2和s3)提供在两者之间。

栅绝缘层140的平面形状可以与栅导体(121、124和127)的平面形状基本上相同。如在这里使用的表述“栅绝缘层140和栅导体(121、124和127)具有基本上相同的平面形状”表示栅绝缘层140的边缘的形状与栅导体(121、124和127)的边缘的形状基本上相同。

在俯视图中，栅绝缘层140的面积可以大于栅导体(121、124和127)的面积，并且栅绝缘层140的边缘可以突出到栅导体(121、124和127)的边缘之外。例如，当从显示装置1上方观看时，栅绝缘层140的边缘可以比栅导体(121、124和127)的边缘进一步延伸。

半导体图案154可以设置在栅绝缘层140上。半导体图案154可以交叠栅电极124。在一些示范性实施方式中，半导体图案154可以完全地交叠栅电极124。也就是说，在俯视图中，半导体图案154的边缘可以定位得比栅电极124的边缘更向内。半导体图案154可以与同一层中的其它部件隔离，(也就是，与在制造工艺期间由同一层形成的其它部件隔离，即，半导体图案154与其它部件由同一原材料层诸如半导体层形成，半导体图案154与所述其它部件隔离)，并形成为交叠栅电极124，但是不交叠栅线121和栅焊盘部分127，尽管本公开不限于此。在一些其它示范性实施方式中，半导体图案154的至少部分可以设置在栅线121上同时半导体图案154交叠栅线121。半导体图案154可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

数据导体(171、173、175、177和179)，其包括漏电极175和具有源电极173的数据线171，可以设置在第一基底110和栅绝缘层140上。

数据线171可以包括数据焊盘部分179，数据焊盘部分179被提供用于连接数据线171到另一层或外部驱动电路。数据线171可以传输数据信号并可以在与栅线121延伸的方向交叉的方向(例如竖直方向)上延伸以交叉栅线121。在一些示范性实施方式中，数据线171可以被周期性地弯曲以改善透射率。

源电极173可以是数据线171的部分并可以设置在与数据线171相同的线上。

漏电极175可以面对源电极173。漏电极175可以包括基本上平行于源电极173延伸的杆部分和提供在杆部分的相反侧的扩大部分。漏电极175和源电极173可以在半导体图案154上彼此间隔开，半导体图案154的部分可以在漏电极175和源电极173之间暴露。

数据导体(171、173、175、177、179)可以由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金形成，并可以具有多层结构，该多层结构由难熔金属形成的下层(未示出)和形成在下层上的低电阻的上层组成，但是本公开不限于此。

栅电极124、源电极173和漏电极175可以与半导体层154一起形成薄膜晶体管(tft)tr。

由于显示装置1包括设置在与数据线171相同的线上的源电极173以及平行于数据线171延伸的漏电极175，所以由显示装置1内部的数据导体(171、173、175、177、179)占据的面积可以相对减小。因此，可以改善显示装置1的开口率。然而，本公开不限于这里阐述的源电极173和漏电极175的形状。也就是说，源电极173和漏电极175的形状可以改变。

显示装置1的tfttr将在下面参照图6至8详细描述。

图6是示出根据图1的示范性实施方式的显示装置的tft的放大图，图7是图6中示出的tft的沿图6的线aa-aa'截取的截面图，图8是示出图7的区域p的放大截面图。

参照图1、2和6至8，在俯视图中，栅绝缘层140的边缘140e可以比整个栅电极124的除了连接到栅线121的部分之外的边缘124e进一步突出，整个栅电极124可以交叠栅绝缘层140。

栅绝缘层140可以包括交叠栅电极124的交叠部分143和不交叠栅电极124的非交叠部分141，非交叠部分141可以与第一基底110间隔开，并且第一空间s1提供在两者之间。

半导体图案154可以设置在栅绝缘层140上，具体地，设置在栅绝缘层140的交叠部分143上。在俯视图中，半导体图案154的边缘154e可以定位得比栅绝缘层140的边缘140e更向内。换句话说，栅绝缘层140的边缘140e可以比半导体图案154的边缘154e进一步突出，但是本公开不限于此。此外，在俯视图中，半导体图案154的边缘154e可以定位得比栅电极124的边缘124e更向内。换句话说，栅电极124的边缘124e可以比半导体图案154的边缘154e进一步突出，但是本公开不限于此。也就是说，或者，在俯视图中，半导体图案154的边缘154e可以设置在与栅电极124的边缘124e相同的线上。

半导体图案154可以与由同一层形成的其它部件隔离，半导体图案154的平面形状可以与栅电极124的平面形状基本上相同。半导体图案154的面积可以与栅电极124的面积相同或小于栅电极124的面积。由于半导体图案154的边缘154e不突出到栅电极124的边缘124e之外，所以整个半导体图案154可以位于栅电极124上。因此，栅电极124可以阻挡或反射从第一基底110下面入射到半导体图案154上的光(例如，从背光单元入射的光)并因而可以防止泄漏电流在tfttr中产生。也就是说，栅电极124可以用作光阻挡层。

接触半导体图案154的源电极173和漏电极175可以设置在栅绝缘层140上。

源电极173可以是数据线171的部分，并可以与第一基底110间隔开，栅绝缘层140提供在两者之间，但是本公开不限于此。也就是说，或者，源电极173的至少部分可以接触第一基底110。

在俯视图中，漏电极175可以包括不交叠栅绝缘层140的第一部分1751和连接到第一部分1751并且交叠栅绝缘层140的第二部分1753。

第一部分1751可以设置在与栅电极124相同的层上。例如，像栅电极124一样，第一部分1751可以直接设置在第一基底110上并可以接触第一基底110。此外，第一部分1751可以与栅电极124间隔开，且第一空间s1提供在两者之间。也就是说，漏电极175和栅电极124可以彼此间隔开并且第一空间s1提供在两者之间，因此可以彼此不接触。

连接到第一部分1751的第二部分1753可以接触半导体图案154。第二部分1753可以包括连接到第一部分1751的第一子部分1753a、连接到第一子部分1753a的第二子部分1753b以及连接到第二子部分1753b的第三子部分1753c。第一子部分1753a可以连接到第一部分1751并可以交叠栅绝缘层140的非交叠部分141。更具体地，第一子部分1753a可以不交叠栅电极124，但是交叠栅电极124周围的第一空间s1。第二子部分1753b可以交叠栅电极124以及栅绝缘层140的交叠部分143，但是不交叠半导体图案154。第三子部分1753c可以交叠栅电极124、栅绝缘层140的交叠部分143和半导体图案154。

如上所述，栅绝缘层140的边缘140e比栅电极124的边缘124e进一步突出。因此，第一空间s1形成在栅电极124周围。因此，栅电极124和漏电极175彼此不连接，类似地，栅电极124和源电极173彼此不连接。

此外，如上所述，栅电极124和半导体图案154可以具有基本上相同的平面形状，栅绝缘层140和栅导体(121、124和127)可以具有基本上相同的平面形状。因此，栅导体(121、124和127)、栅绝缘层140和半导体层154可以使用单个光掩模形成，因此，可以防止显示装置1的制造成本的增加。

再次参照图1至5，栅信号传输焊盘部分177，其由与数据线171相同的层形成，可以设置在栅焊盘部分127附近。栅信号传输焊盘部分177可以电连接到栅焊盘部分127，从栅驱动器传输到栅信号传输焊盘部分177的栅信号可以通过栅焊盘部分127被提供到栅线121。

数据导体(171、173、175、177和179)可以由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金形成，并可以具有多层结构，该多层结构由难熔金属形成的下层(未示出)和形成在下层上的低电阻的上层组成，但是本公开不限于此。也就是说，数据导体(171、173、175、177和179)可以由除了这里阐述的那些之外的各种金属或导体形成。

第一钝化层181可以设置在第一基底110和tfttr上。第一钝化层181可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。例如，第一钝化层181可以由sinx、siox或sioxny形成。第一钝化层181可以具有单层结构或可以具有由具有不同物理性能的至少两个有机层组成的多层结构。

第一钝化层181可以在不提供栅导体(121、124和127)和数据导体(171、173、175、177和179)的区域中接触第一基底110。换句话说，第一钝化层181可以具有设置在与栅导体(121、124和127)相同的层上的部分。

第一钝化层181可以与栅导体(121、124和127)间隔开。例如，栅电极124可以与第一钝化层181在源电极173附近间隔开且第一空间s1提供在两者之间，栅线121可以与第一钝化层181间隔开并且第二空间s2提供在两者之间，栅焊盘部分127可以与第一钝化层181间隔开并且第三空间s3提供在两者之间。

有机层183可以设置在第一钝化层181上。在一些示范性实施方式中，有机层183可以平坦化第一钝化层181的顶部。有机层183可以由有机材料形成。在一些示范性实施方式中，有机层183可以由感光的有机材料形成。

有机层183可以设置在显示图像的显示区域中。在一些示范性实施方式中，有机层183还可以设置在提供数据焊盘部分179的区域中。此外，在一些示范性实施方式中，有机层183可以不设置在提供栅焊盘部分127和栅信号传输焊盘部分177的区域中。然而，本公开不限于这些示范性实施方式。也就是说，在一些其它的示范性实施方式中，有机层183可以不设置在提供数据焊盘部分179的区域中，或者可以设置在提供栅焊盘部分127和栅信号传输焊盘部分177的区域中。

在一些其它的示范性实施方式中，可以不提供有机层183。在一些其它的示范性实施方式中，有机层183可以是滤色器，在这样的情况下，另一层可以进一步提供在有机层183上。例如，为了防止滤色器的颜料被引入液晶层30中，覆盖层可以进一步提供在是滤色器的有机层183上。覆盖层可以由绝缘材料诸如sinx形成。

有机层183和第一钝化层181可以具有暴露漏电极175的部分的接触孔ch1。此外，第一钝化层181和栅绝缘层140可以具有暴露栅焊盘部分127的第一焊盘接触孔ch2a，第一钝化层181可以具有暴露栅信号传输焊盘部分177的第二焊盘接触孔ch2b。此外，有机层183和第一钝化层181可以具有暴露数据焊盘部分179的第三焊盘接触孔ch2c。

第一电极270可以设置在有机层183上。在一些示范性实施方式中，第一电极270可以是公共电极。第一电极270可以以平面形状形成在第一基底110的整个表面上并可以接收具有预定大小的公共电压。在一些示范性实施方式中，第一电极270可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可以是铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟锡锌氧化物(itzo)或al掺杂的锌氧化物(azo)。

第一电极270可以具有电极开口270h，电极开口270h形成在对应于漏电极175的部分的区域中，具体地，形成在对应于接触孔ch1的区域中。也就是说，电极开口270h可以交叠接触孔ch1。空间sc可以形成在接触孔ch1周围。

连接构件96可以设置在暴露栅焊盘部分127的第一焊盘接触孔ch2a和暴露栅信号传输焊盘部分177的第二焊盘接触孔ch2b上。

连接构件96可以连接由第一焊盘接触孔ch2a暴露的栅焊盘部分127和由第二焊盘接触孔ch2b暴露的栅信号传输焊盘部分177。被传输到栅信号传输焊盘部分177的栅信号可以通过连接构件96被提供到栅焊盘部分127并因而可以被提供到连接到栅焊盘部分127的栅线121。

在一些示范性实施方式中，连接构件96和第一电极270可以使用相同的材料同时形成在相同的层上。例如，像第一电极270一样，连接构件96可以由透明导电材料诸如ito或izo形成。然而，本公开不限于这些示范性实施方式。也就是，在一些其它的示范性实施方式中，连接构件96和将在后面描述的第二电极191可以使用相同的材料形成在相同的层上。

第二钝化层185可以设置在第一电极270上。第二钝化层185可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。

第二钝化层185可以具有形成在漏电极175附近的区域中的钝化开口185h。钝化开口185h可以交叠接触孔ch1和电极开口270h。

第一电极270和第二钝化层185可以具有基本上相同的平面形状。例如，在俯视图中(或如从显示装置1上方观看的)，第一电极270的边缘270e可以与第二钝化层185的边缘185e基本上重合。

在俯视图中，第一电极270的电极开口270h的尺寸和宽度可以大于第二钝化层185的钝化开口185h的尺寸和宽度。

第二钝化层185的边缘185e可以比第一电极270的边缘270e进一步突出。更具体地，如从显示装置1上方观看的，第二钝化层185的边缘185e可以比第一电极270的边缘270e进一步延伸。

钝化图案196可以设置在连接构件96上。钝化图案196和第二钝化层185可以使用相同的材料形成在相同的层上。连接构件96和钝化图案196可以具有基本上相同的平面形状。例如，在俯视图中(或如从显示装置1上方观看的)，连接构件96的边缘96e的形状可以与钝化图案196的边缘196e的形状基本上相同。

钝化图案196的边缘196e可以比连接构件96的边缘96e进一步突出。更具体地，如从显示装置1上方观看的，钝化图案196的边缘196e可以比连接构件96的边缘96e进一步延伸。

第二钝化层185和第一电极270可以设置在提供多个像素的显示区域中，但是不设置在栅焊盘部分127和数据焊盘部分179周围的区域中。

如上所述，第一电极270和设置在第一电极270上的第二钝化层185可以具有基本上相同的平面形状。因此，第二钝化层185和第一电极270可以使用单个光掩模同时形成。

第二电极191可以设置在第二钝化层185上。第二电极191可以具有基本上平行于数据线171的弯曲边缘的弯曲边缘。第二电极191可以包括多个切口91和由切口91限定的多个分支电极192。

第二电极191可以包括朝向漏电极175延伸的延伸部分193。第二电极191的延伸部分193可以经由接触孔ch1、电极开口270h和钝化开口185h物理地和电地连接到漏电极175并可以从漏电极175接收数据电压。

接触辅助构件97可以设置在由第三焊盘接触孔ch2c暴露的数据焊盘部分179上。接触辅助构件97可以辅助并保护数据焊盘部分179与外部装置之间的接合。

第二电极191和接触辅助构件97可以由透明导电材料诸如ito、izo、itzo或azo形成。第二电极191的厚度可以大于第一电极270的厚度，类似地，连接构件96的厚度可以大于接触辅助构件97的厚度。例如，第二电极191的第二厚度t2可以是第一电极270的第一厚度t1的大约两倍大。例如，第二电极191和接触辅助构件97可以具有大约的厚度。

如上所述，第一电极270的电极开口270h的尺寸和宽度可以大于第二钝化层185的钝化开口185h的尺寸和宽度。第二钝化层185的边缘185e可以比第一电极270的边缘270e进一步突出。因此，可以防止第二电极191在第二钝化层185上的部分连接到第一电极270在第二钝化层185下面的部分。

由于第二电极191的第二厚度t2大于第一电极270的第一厚度t1，所以可以防止第二电极191由于第一电极270的电极开口270h和第二钝化层185的钝化开口185h之间的高度差而断开。

尽管没有在图1至5中示出，但是第一配向层可以设置在第二电极191上和第二钝化层185的没有用第二电极191覆盖的部分上。第一配向层可以由有机材料诸如聚酰亚胺形成，但是本公开不限于此。在一些示范性实施方式中，第一配向层可以是水平配向层并可以在均一方向上被摩擦。第一配向层可以包括光反应材料并可以被光致配向。

在下文将描述第二显示基板20。

第二基底210可以包括绝缘基板。例如，第二基底210可以包括玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。第二基底210可以包括具有高耐热性的聚合物或塑料。在一些示范性实施方式中，第二基底210可以是柔性的。

光阻挡构件220可以设置在第二基底210上。光阻挡构件220也被称为黑矩阵并防止光泄漏。

多个滤色器230可以设置在第二基底210上。外涂层250可以形成在滤色器230和光阻挡构件220上。外涂层250可以由绝缘材料诸如有机绝缘材料形成，可以防止滤色器230被暴露，并可以提供平坦表面。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些其它的示范性实施方式，可以不提供外涂层250。

尽管没有在图1至5中示出，但是第二配向层可以设置在外涂层250上。第二配向层可以由有机材料诸如聚酰亚胺形成，但是本公开不限于此。在一些示范性实施方式中，第二配向层可以是水平配向层并可以在均一方向上被摩擦。第二配向层可以包括光反应材料并可以被光致配向。

液晶层30可以包括具有正介电各向异性的向列液晶材料。液晶层30中的液晶分子可以配向为使得它们的长轴平行于第一显示基板10和第二显示基板20。

第二电极191可以从漏电极175接收数据电压，第一电极270可以从设置在显示区域外部的公共电压施加部分接收均一的公共电压。

第一电极270和第二电极191，其是场产生电极，产生电场，因此，设置在第一显示基板10和第二显示基板20之间的液晶层30中的液晶分子可以在平行于电场的方向的方向上旋转。于是，穿过液晶层30的光的偏振可以取决于液晶层30中的液晶分子的旋转方向而改变。

根据本示范性实施方式，第二钝化层185和第一电极270可以使用单个光掩模同时形成。此外，栅导体(121、124和127)、栅绝缘层140和半导体图案154可以使用单个光掩模同时形成。因此，可以防止显示装置1的制造成本的增加。此外，由于栅电极124能够阻挡从半导体图案154下面入射到其上的光，所以可以防止泄漏电流在tfttr中产生。

在下文将参照图1至5和9至78描述制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法。在图1至5和9至78中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将省略其详细说明。

图9是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的布局图，图10是沿图9的线a-a'截取的截面图，图11是沿图9的线b-b'截取的截面图，图12是沿图9的线c-c'截取的截面图，图13是沿图9的线d-d'截取的截面图，图14至33是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的步骤的截面图，具体地，示出用于形成图9至13中示出的结构的步骤的截面图。

参照图9至13，栅导体(121、124和127)、栅绝缘层140和半导体图案154形成在第一基底110上。

如上所述，包括栅线121、栅电极124和栅焊盘部分127的栅导体(121、124和127)可以直接形成在第一基底110上，空间(s1、s2和s3)可以形成在栅导体(121、124和127)周围。

栅绝缘层140可以形成在栅导体(121、124和127)上并可以包括交叠栅导体(121、124和127)的交叠部分143和不交叠栅导体(121、124和127)的非交叠部分141。非交叠部分141可以与第一基底110间隔开且空间(s1、s2和s3)提供在两者之间。栅绝缘层140的边缘140e可以比栅导体(121、124和127)的边缘进一步突出。例如，栅绝缘层140的边缘140e可以突出超过栅电极(121、124和127)的除了连接到栅线121的部分之外的边缘(即，栅电极124的边缘124e、栅线121的边缘121e和栅焊盘部分127的边缘127e)达第一距离x1一样多。也就是说，非交叠部分141的宽度可以与第一距离x1相同。

整个半导体图案154可以形成在栅绝缘层140和栅电极124上。半导体图案154的边缘154e可以定位得比栅绝缘层140的边缘140e更向内。半导体图案154的边缘154e可以设置在与栅电极124的边缘124e相同的线上或可以定位得比栅电极124的边缘124e更向内。换句话说，栅电极124的边缘124e和半导体图案154的边缘154e之间的第二距离x2可以为零或更大。

在下文将参照图14至33描述同时形成栅导体(121、124和127)、栅绝缘层140和半导体图案154的方法。

参照图14至17，第一导电层120y使用不透明的金属材料形成在第一基底110上，绝缘层140y使用绝缘材料形成在第一导电层120y上。半导体层150y使用半导体材料形成在绝缘层140y上。

此后，第一感光层沉积在半导体层150y上并使用光掩模诸如多色调掩模(诸如半色调掩模)经受曝光，从而形成具有第一厚度ha的第一感光层图案711、具有小于第一厚度ha的第二厚度hb的第二感光层图案713以及具有小于第一厚度ha的第二厚度hb的第三感光层图案715。第一感光层图案711可以形成在将形成栅电极的区域中，第二感光层图案713可以形成在将形成栅线的区域中，第三感光层图案715可以形成在将形成栅焊盘部分的区域中。

此后，参照图18至21，半导体层150y和绝缘层140y使用第一感光层图案711、第二感光层图案713和第三感光层图案715作为蚀刻掩模被顺序地干蚀刻。因而，第一半导体层图案150a形成在第一感光层图案711下面，第二半导体层图案150b形成在第二感光层图案713下面，第三半导体层图案150c形成在第三感光层图案715下面。栅绝缘层140形成在第一半导体层图案150a、第二半导体层图案150b和第三半导体层图案150c下面。

此后，参照图22至25，第一导电层120y通过使用第一感光层图案711、第二感光层图案713和第三感光层图案715作为蚀刻掩模的湿蚀刻被过蚀刻，从而形成栅导体(121、124和127)。通过过蚀刻第一导电层120y，栅导体(121、124和127)的边缘，具体地，栅线121的边缘121e、栅电极124的边缘124e和栅焊盘部分127的边缘127e，可以定位得比栅绝缘层140的边缘140e更向内达第一距离x1一样多。此外，通过过蚀刻第一导电层120y，空间(s1、s2和s3)可以形成在栅导体(121、124和127)周围。

此后，参照图26至29，第二感光层图案713和第三感光层图案715通过进行灰化工艺除去。作为去除第二感光层图案713和第三感光层图案715的结果，第二半导体层图案150b和第三半导体层图案150c被暴露。

如上所述，第一感光层图案711可以比第二感光层图案713和第三感光层图案715厚。因此，在第二感光层图案713和第三感光层图案715的去除期间，第一感光层图案713可以变成具有比第一感光层图案713小的厚度和宽度的第四感光层图案711a。第四感光层图案711a的第三厚度hc可以小于第一感光层图案711的第一厚度ha。第四感光层图案711a的宽度w1可以与栅电极124的宽度w2相同或小于栅电极124的宽度w2。因此，第一半导体层图案150a的部分可以被暴露而没有被第四感光层图案711a覆盖。

此后，参照图30至33，第二半导体层图案150b、第三半导体层图案150c和第一感光层图案150a的没有被第四感光层图案711a覆盖的部分使用第四感光层图案711a作为蚀刻掩模被蚀刻。对第二半导体层图案150b、第三半导体层图案150c和第一感光层图案150a的没有被第四感光层图案711a覆盖的部分的蚀刻可以使用干蚀刻进行。

作为以上参照图14至33描述的步骤的结果，可以制造图9至13中示出的结构。

图34是进一步示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的布局图，具体地，在图9中示出的步骤之后的步骤的布局图，图35是沿图34的线a-a'截取的截面图，图36是沿图34的线b-b'截取的截面图，图37是沿图34的线c-c'截取的截面图，图38是沿图34的线d-d'截取的截面图，图39至58是进一步示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的截面图，具体地，用于形成图34至39中示出的结构的步骤的截面图。

参照图34至38，在制造图9至13中示出的结构之后，形成数据导体(171、173、175、177和179)，第一钝化层181形成在第一基底110的整个表面上以及在数据导体(171、173、175、177和179)上，有机层183形成在第一钝化层181上。如上所述，有机层183可以不形成在提供栅信号传输焊盘部分177和栅焊盘部分127的区域中。

有机层183和第一钝化层181可以具有暴露漏电极175的接触孔ch1和暴露数据焊盘部分179的第三焊盘接触孔ch2c，第一钝化层181和栅绝缘层140可以具有暴露栅焊盘部分127的第一焊盘接触孔ch2a，第一钝化层181可以具有暴露栅信号传输焊盘部分177的第二焊盘接触孔ch2b。

在下文将参照图39至58描述形成数据导体(171、173、175、177和179)、第一钝化层181、有机层183、接触孔ch1、第一焊盘接触孔ch2a、第二焊盘接触孔ch2b和第三焊盘接触孔ch2c的方法。

参照图39至41，第二导电层170y形成在第一基底110的整个表面上以覆盖栅绝缘层140和半导体图案154。第二导电层170y可以由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金形成，并可以具有多层结构，该多层结构由难熔金属形成的下层(未示出)和形成在下层上的低电阻的上层组成，但是本公开不限于此。

如上所述，空间(s1、s2和s3)提供在栅导体(121、124和127)周围，栅绝缘层140的边缘140e比栅导体(121、124和127)的边缘进一步突出。因此，第二导电层170y不连接到栅导体(121、124和127)。

此后，第二感光层形成在第二导电层170y上并且然后使用光掩模经受曝光和显影，从而形成第五感光层图案731、第六感光层图案733和第七感光层图案735。

第五感光层图案731可以包括第一部分731a和第二部分731b，第一部分731a对应于将形成源电极和数据线的区域，第二部分731b对应于将形成漏电极的区域。第六感光层图案733形成在对应于栅信号传输焊盘部分的区域中，第七感光层图案735形成在对应于数据焊盘部分的区域中。

此后，参照图43至46，第二导电层170y使用第五感光层图案731、第六感光层图案733和第七感光层图案735作为蚀刻掩模被蚀刻。此后，第五感光层图案731、第六感光层图案733和第七感光层图案735被除去。结果，包括源电极173和漏电极175的tfttr以及数据线171形成在第五感光层图案731下面，栅信号传输焊盘部分177形成在第六感光层图案733下面，数据焊盘部分179形成在第七感光层图案735下面。

此后，参照图47至50，绝缘材料被施加到第一基底110的整个表面上，从而形成第一钝化层181。此后，感光的有机材料层形成在第一钝化层181上，然后使用光掩模诸如多色调掩模(例如半色调掩模)经受曝光和显影，从而形成具有第四厚度hd的第一有机材料层83a和具有小于第四厚度hd的第五厚度he的第二有机材料层83b。第一有机材料层83a可以形成在对应于显示区域的区域中以及在对应于数据焊盘部分179的区域中。第二有机材料层83b可以形成在提供栅焊盘部分127和栅信号传输焊盘部分177的区域中。

对应于将形成接触孔的区域的第一开口c1和对应于将形成第三焊盘接触孔的区域的第四开口c2c形成在第一有机材料层83a中，对应于将形成第一焊盘接触孔的区域的第二开口c2a和对应于将形成第二焊盘接触孔的区域的第三开口c2b形成在第二有机材料层83b中。

此后，参照图51至54，第一钝化层181和栅绝缘层140使用第一有机材料层83a和第二有机材料层83b作为蚀刻掩模被蚀刻。结果，暴露漏电极175的部分的接触孔ch1、暴露栅信号传输焊盘部分177的部分的第二焊盘接触孔ch2b以及暴露数据焊盘部分179的部分的第三焊盘接触孔ch2c形成在第一钝化层181中。此外，暴露栅焊盘部分127的部分的第一焊盘接触孔ch2a形成在栅绝缘层140和第一钝化层181中。

此后，参照图55至58，第二有机材料层83b使用灰化工艺除去。在第二有机材料层83b的去除期间，第一有机材料层83a的部分也可以被除去。如上所述，第一有机材料层83a的第四厚度hd大于第二有机材料层83b的第五厚度he。因此，在第二有机材料层83b的去除期间，具有第四厚度hd的第一有机材料层83a可以变薄，结果，可以形成具有小于第四厚度hd的第六厚度hf的有机层183。

图59至78是进一步示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的截面图，具体地，在图55至58中示出的步骤之后的步骤的截面图。

参照图59至62，第三导电层270y使用透明导电材料形成在第一基底110的整个表面上和有机层183上，第二钝化层185形成在第三导电层270y上。第三导电层270y的至少部分可以分别设置在接触孔ch1、第一焊盘接触孔ch2a、第二焊盘接触孔ch2b和第三焊盘接触孔ch2c中。

此后，第三感光层形成在第二钝化层185上并且然后使用光掩模经受曝光和显影，从而形成第八感光层图案751、第九感光层图案753和第十感光层图案755。

第八感光层图案751形成在对应于显示区域的区域中，但是不形成在对应于接触孔ch1的区域中。换句话说，第八感光层图案751可以不形成在将形成电极开口的区域和将形成钝化开口的区域中。第九感光层图案753可以形成在将形成连接构件的区域中。第十感光层图案755形成在对应于数据焊盘部分179的区域中和周围，但是不形成在对应于第三焊盘接触孔ch2c的区域中。换句话说，第十感光层图案755可以不形成在将形成接触辅助构件的区域中。

此后，参照图63至66，第二钝化层185使用第八感光层图案751、第九感光层图案753和第十感光层图案755作为蚀刻掩模被干蚀刻。结果，第二钝化层185的钝化开口185h可以形成在没有被第八感光层图案751覆盖的接触孔ch1周围，钝化图案196可以形成在两者均被第九感光层图案753覆盖的栅焊盘部分127和栅信号传输焊盘部分177上。类似地，第二钝化层185的没有被第十感光层图案755覆盖的部分，即，第二钝化层185的在第三焊盘接触孔ch2c周围的部分，可以被除去。

此后，参照图67至70，第三导电层270y通过使用第八感光层图案751、第九感光层图案753和第十感光层图案755作为蚀刻掩模的湿蚀刻被过蚀刻，从而形成第一电极270和连接构件96。此后，第八感光层图案751、第九感光层图案753和第十感光层图案755被除去。

第三导电层270y的被第八感光层图案751覆盖的部分变成第一电极270，第三导电层270y的在接触孔ch1周围没有被第八感光层图案751覆盖的部分被除去。连接构件96形成在第三导电层270y的被第九感光层图案753覆盖的部分中。第三导电层270y的在第三焊盘接触孔ch2c周围没有被第十感光层图案755覆盖的部分被除去。

作为第三导电层270y的过蚀刻的结果，第一电极270的边缘270e可以定位得比第二钝化层185的边缘185e更向内达第三距离x3一样多。类似地，连接构件96的边缘96e可以定位得比钝化图案196的边缘196e更向内，连接构件96的边缘96e和钝化图案196的边缘196e之间的距离可以是第三距离x3。此外，作为第三导电层270y的过蚀刻的结果，第一电极270的电极开口270h的尺寸和宽度可以大于第二钝化层185的钝化开口185h的尺寸和宽度，空间sc可以形成在钝化开口185h周围。

此后，参照图71至74，第四导电层190y使用透明导电材料形成在第二钝化层185上和第一基底110的整个表面上。第四导电层190y的部分可以设置在接触孔ch1中并因而可以接触漏电极175，第四导电层190y的部分可以设置在第三焊盘接触孔ch2c中并因而可以接触数据焊盘部分179。第四导电层190y的第二厚度t2可以大于第一电极270的第一厚度t1。第二厚度t2可以是第一厚度t1的大约两倍大。因此，可以防止第四导电层190y由于第一电极270的电极开口270h和第二钝化层185的钝化开口185h之间的高度差而断开。

第一电极270的电极开口270h的尺寸和宽度可以大于第二钝化层185的钝化开口185h的尺寸和宽度。第二钝化层185的边缘185e可以比第一电极270的边缘270e进一步突出。因此，设置在第二钝化层185上的第四导电层190y可以不连接到形成在第二钝化层185下面的第一电极270。也就是说，第一电极270和第四导电层190y可以彼此间隔开并且第二钝化层185提供在两者之间，并可以不连接到彼此。

此后，第四感光层形成在第四导电层190y上并且然后使用光掩模经受曝光和显影，从而形成第十一感光层图案771和第十二感光层图案773。第十一感光层图案771可以形成在对应于第二电极的区域中，第十二感光层图案773可以形成在对应于接触辅助构件的区域中。

此后，参照图75至78，第二电极191和接触辅助构件97通过使用第十一感光层图案771和第十二感光层图案773作为蚀刻掩模蚀刻第四导电层190y而形成。此后，第十一感光层图案771和第十二感光层图案773被除去，从而获得图1至5的第一显示基板10。

此后，第二显示基板20被形成，液晶层30注入在第一显示基板10和第二显示基板20之间，从而获得图1至5的显示装置1。

图79是显示根据图1的示范性实施方式的显示装置的制造中特定光掩模的使用以及使用该光掩模形成的元件的图。

参照图1和79，在显示装置1的制造期间，光掩模m1用于形成栅导体(121、124和127)和半导体图案154，光掩模m2用于形成数据导体(171、173、175、177和179)。此外，有机层183、接触孔ch1、第一焊盘接触孔ch2a、第二焊盘接触孔ch2b和第三焊盘接触孔ch2c使用光掩模m3形成。此外，第一电极270、第一电极270的电极开口270h和连接构件96使用光掩模m4形成，第二电极191和接触辅助构件97使用光掩模m5形成。

也就是说，显示装置1可以使用总共五个光掩模制造，因此，可以防止显示装置1的制造成本的增加。

此外，由于整个半导体图案154形成在栅导体(121、124和127)上，所以可以防止由背光单元提供的光被引入半导体图案154中，因此，可以防止泄漏电流在tfttr中产生。

而且，可以防止第二电极191和第一电极270连接到彼此，并且可以防止第二电极191在显示装置1的存在高度差的部分中断开。

然而，本发明构思的效果不限于这里阐述的效果。通过参照权利要求书，本发明构思的以上和其它效果对于本发明构思所属的领域内的普通技术人员将变得更加明显。

尽管已经参照本发明构思的示范性实施方式具体示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种变化而没有背离由权利要求书限定的本发明构思的精神和范围。示范性实施方式应当仅以描述性的含义理解，而不是为了限制的目的。

本申请要求于2016年6月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0072992号的优先权，其公开通过引用整体地结合于此。