基板、包括基板的显示设备和制造显示设备的方法与流程

文档序号:14656889发布日期:2018-06-12 05:47阅读:129来源:国知局

本申请要求2016年12月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0163723号的优先权和权益,将该申请的全部内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思的实施例涉及基板、包括基板的显示设备和制造显示设备的方法。



背景技术:

液晶显示(LCD)设备通过控制由LCD面板中的两个电极产生的电场所驱动的液晶分子来透射光,并且可通过透射的光实现图像。另外,LCD面板包括包含液晶分子的液晶层以及设置在液晶层下面和上面的两个基板。

LCD设备可包括设置在像素区域之间的光阻挡图案,以便提高对比度。

近来,正在研究光阻挡图案的外部光反射防止功能。



技术实现要素:

本发明构思的实施例涉及基板、包括该基板的显示设备和制造显示设备的方法,该基板包括能够防止外部光被反射的光阻挡图案。

根据本发明构思的实施例的基板包括基底基板和提供在基底基板上的光阻挡图案,光阻挡图案暴露基底基板的部分。光阻挡图案包括布置在基底基板上的半透反射层、布置在半透反射层上的相位匹配层以及布置在相位匹配层上的反射金属层。相位匹配层和反射金属层具有基本相同的蚀刻率。

基板进一步包括布置在反射金属层上的透射保护层,透射保护层用于透射光并且用于保护反射金属层。

透射保护层的材料的蚀刻率与相位匹配层和反射金属层的材料的蚀刻率基本相同。

基板进一步包括布置在被光阻挡图案暴露的基底基板的部分上的滤色器。滤色器包括量子点材料。

基板进一步包括布置在基底基板和滤色器之间的第一选择透射层。第一选择透射层阻挡蓝光。

基板进一步包括覆盖滤色器的第二选择透射层。第二选择透射层反射黄光。

根据本发明构思的实施例的显示设备包括第一基板、面向第一基板的第二基板以及布置在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括基底基板和布置在基底基板的表面上的光阻挡图案,光阻挡图案暴露基底基板的部分。光阻挡图案包括布置在基底基板上的半透反射层、布置在半透反射层上的相位匹配层以及布置在相位匹配层上的反射金属层。相位匹配层和反射金属层包括具有基本相同的蚀刻率的材料。

显示设备进一步包括布置成面向第二基板的背光单元。

背光单元提供蓝光。

根据本发明构思的实施例的显示设备包括:包括多个像素区域的第一基板;第二基板,包括面向第一基板的第二基底基板和提供在第二基底基板的一个表面上的颜色实现层;布置在第一基板和第二基板之间的液晶层;以及配置为向液晶层提供光的背光单元。颜色实现层包括:布置在第二基底基板上的光阻挡图案,光阻挡图案暴露第二基底基板的像素区域;以及分别布置在第二基底基板的像素区域中以实现不同颜色的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器中的至少一个包括量子点材料以将由背光单元提供的第一颜色的光转变成与第一颜色不同的第二颜色的光。

背光单元提供蓝光。第一滤色器包括将蓝光转变成红光的量子点材料。第二滤色器包括将蓝光转变成绿光的量子点材料。第三滤色器透射蓝光。

第一基板包括第一基底基板和布置在第一基底基板上的第一驱动层,第一驱动层包括布置在第一基底基板的一个表面上的像素电极。第二基板进一步包括第二驱动层,第二驱动层被布置在颜色实现层上并且包括公共电极。

显示设备进一步包括布置在第一基底基板上的第一偏振层以及布置在颜色实现层和第二驱动层之间的第二偏振层。

第一偏振层和第二偏振层包括线栅偏振器(WGP)。

进一步,颜色实现层包括设置在第二选择透射层和第二驱动层之间的平坦化层。

根据本发明构思的实施例的制造显示设备的方法包括:提供第一基板,提供面向第一基板的第二基板,以及在第一基板和第二基板之间设置液晶层。提供第一基板和第二基板中的一个包括:在基底基板上形成暴露基底基板的部分的光阻挡图案,以及在被光阻挡图案暴露的基底基板的部分上形成滤色器。形成光阻挡图案包括:在基底基板上依次形成半透反射层、相位匹配层和反射金属层,以及同时蚀刻半透反射层、相位匹配层和反射金属层。相位匹配层和反射金属层包括具有基本相同的蚀刻率的材料。

根据本发明构思的实施例,显示设备的基板可包括防止外部光被反射的光阻挡图案。光阻挡图案具有堆叠结构。相应层的蚀刻率基本相同,并且通过进行蚀刻工艺获得的光阻挡图案的蚀刻断面(profile)可以是均匀的。另外,由于光阻挡图案的相应层的蚀刻率基本相同,相应层可被同时蚀刻。

附图说明

以下将参考附图更充分地描述示例实施例,然而,这些实施例可以以不同的形式体现,并且不应当被解释为限于这里所提出的实施例。相反,提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整,并且向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。

在图中,为了例示清楚,尺寸可能被夸大。将理解,当一要素被称为“位于两个要素之间”时,其可以是这两个要素之间的唯一要素,或者也可以存在一个或多个中间要素。贯穿全文,相同的附图标记指代相同的要素。

图1是示出根据本发明构思的实施例的显示设备的透视图;

图2是示意性地示出图1的显示设备的框图;

图3A和图3B是示意性地示出图1的显示设备的截面图;

图4A和图4B是示出在图3A和图3B的显示设备中光的传播方向的图;

图5是示出图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的显示面板的RGB像素的平面图;

图6A、图6B和图6C是沿图5的线I-I’截取的截面图;

图7是图6A的区域EA1的放大图;

图8是示出图6A、图6B和图6C的光阻挡图案的截面图;

图9是示出图6A、图6B和图6C的颜色实现层的部分截面图;以及

图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17是示出根据本发明构思的实施例的制造显示面板的方法的工艺的截面图。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更充分地描述示例实施例。

图1是示出根据本发明构思的实施例的显示设备的透视图。图2是示意性地示出图1的显示设备的框图。

参考图1和图2,显示设备可具有各种形状中的一种。例如,显示设备可以是包括直线边的闭合多边形,包括曲线边的圆形或椭圆形,或者包括直线边和曲线边的半圆形或半椭圆形。在图1中,显示设备被示出为矩形。

显示设备可包括显示面板100和背光单元200。

显示面板100可以是液晶显示(LCD)面板、电泳显示(EPD)面板、电润湿显示(EWD)面板和有机发光显示(OLED)面板中的一种。另一方面,当显示面板100为OLED面板时,由于OLED面板是自发射显示面板,因此背光单元200可被省略。下文中,为了方便起见,LCD面板被用作显示面板100。

显示面板100可包括显示区域DA和非显示区域NDA。

在显示区域DA中,像素单元PXA被提供以便图像被显示。显示区域DA可具有与显示面板100的形状对应的形状。例如,显示区域DA可以是包括直线边的多边形,包括曲线边的圆形或椭圆形,或者包括直线边和曲线边的半圆形或半椭圆形。在图1中,显示区域DA被示出为矩形。

像素单元PXA可包括连接到栅线GL1至GLn和数据线DL1至DLm的多个像素PXL。每个像素PXL可连接到栅线GL1至GLn当中对应的栅线以及数据线DL1至DLm当中对应的数据线。

非显示区域NDA可至少被提供在显示区域DA的一边。例如,非显示区域NDA可被提供在显示区域DA的外部以围绕显示区域DA。

在非显示区域NDA中,时序控制器TC、栅驱动器SDV、数据驱动器DDV和背光调节控制器BDC当中的至少一种,例如,栅驱动器SDV可被提供。数据驱动器DDV、时序控制器TC和背光调节控制器BDC可被设置在显示面板100外部。另外,数据驱动器DDV、时序控制器TC和背光调节控制器BDC可被设置在非显示区域NDA的部分中。

时序控制器TC可通过诸如低电压差分信号(LVDS)接口或最小化传输差分信号(TMDS)接口的接口接收来自外部系统(未示出)的数字视频数据R、G、B数据。另外,时序控制器TC可接收来自外部系统的垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和时钟信号Clk。时序控制器TC可生成栅控制信号GCS和数据控制信号DCS,用于通过使用上述信号分别控制栅驱动器SDV和数据驱动器DDV。

栅驱动器SDV可响应于由时序控制器TC生成的栅控制信号GCS将扫描信号供给到栅线GL1至GLn。例如,栅驱动器SDV可将扫描信号依次供给到栅线GL1至GLn。当扫描信号被依次供给到栅线GL1至GLn时,像素PXL可以以水平线为单位被选择。

或者,栅驱动器SDV可将扫描信号供给到栅线GL1至GLn当中的多条栅线。

数据驱动器DDV可响应于由时序控制器TC生成的数据控制信号DCS在每个水平时段期间将数据信号按行供给到数据线DL1至DLm。供给到数据线DL1至DLm的数据信号可被供给到由扫描信号选择的像素PXL。为此,数据驱动器DDV可与扫描信号同步地将数据信号供给到数据线DL1至DLm。

背光调节控制器BDC可确定背光单元200中提供的光源(未示出)的调节占空比。

背光单元200可被提供在显示面板100的发射表面的相反方向上,例如,显示面板100的下方。背光单元200由背光调节控制器BDC驱动并且可均匀地将光照射到显示面板100上。这里,背光单元200可以是直下式背光单元或侧光式背光单元。

图3A和图3B示意性地示出图1的显示设备的截面图。图4A和图4B是示出在图3A和图3B的显示设备中光的传播方向的图。

参考图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B,显示设备可包括显示面板100和提供在显示面板100下方的背光单元200。

显示面板100可包括第一基板110、第二基板120和液晶层LCL。

第一基板110可包括第一偏振层Pol1、第一基底基板SUB1和设置在第一基底基板SUB1上的第一驱动层DDL1。

第一基底基板SUB1包括透明绝缘材料并且可透射光。第一基底基板SUB1可以是刚性基板。例如,第一基底基板SUB1可以是玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶质玻璃基板中的一种。

另外,第一基底基板SUB1可以是柔性基板。这里,第一基底基板SUB1可以是薄膜基板和塑料基板中的一种,每种可包括聚合物有机材料。例如,第一基底基板SUB1可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素当中的至少一种。形成第一基底基板SUB1的材料可改变,并且第一基底基板SUB1可由纤维增强塑料(FRP)形成。

用于第一基底基板SUB1的材料可在制造工艺中对高处理温度具有耐性(或耐热性)。

在每个像素PXL中,第一驱动层DDL1可包括至少一个薄膜晶体管(TFT)(未示出)和连接到TFT的像素电极(未示出)。多个像素PXL作为显示图像的最小单元可被提供在像素单元PXA中。

第一偏振层Pol1使从背光单元200供给的光在特定方向上偏振,并且可将偏振光提供到液晶层LCL。

第一偏振层Pol1可被设置在第一基底基板SUB1和背光单元200之间。也就是说,第一偏振层Pol1可被设置在第一基底基板SUB1的外表面上。当第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1和背光单元200之间时,第一偏振层Pol1可包括偏振膜。

另外,第一偏振层Pol1可被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间。当第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间时,第一偏振层Pol1可包括线栅偏振器(WGP)。WGP可由彼此平行延伸的精细金属布线的规则阵列形成。WGP可执行与公共偏振器相同的功能。也就是说,在WGP中,形成WGP的材料不是通过延伸形成,而是金属布线以不超过入射光波长的间隔被设置,使得图案化可容易地被执行。WGP可通过由光刻执行的图案化容易地被形成。

当第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间时,第一基板110可包括设置在第一偏振层Pol1和第一驱动层DDL1之间的第一钝化层(未示出)。

第二基板120可面向第一基板110。第二基板120可包括第二基底基板SUB2、第二偏振层Pol2、第二驱动层DDL2和堆叠在第二基底基板SUB2的一个表面上的颜色实现层CRL。

第二基底基板SUB2可包括与第一基底基板SUB1相同的材料。

颜色实现层CRL可被设置在第二基底基板SUB2的一个表面上,例如,面向第一基板110的表面。颜色实现层CRL可包括多个滤色器和设置在相邻的滤色器之间的光阻挡图案。

滤色器可通过使用由背光单元200提供的光实现预定的颜色。例如,滤色器可具有红色、绿色、蓝色、白色、青色、品红色和黄色当中的一种颜色。滤色器中的至少一个可包括有机材料和分散到有机材料中的量子点材料。量子点材料可将由背光单元200提供的第一颜色的光转变成与第一颜色不同的第二颜色的光。

根据当前实施例,示出了滤色器被包含在颜色实现层CRL中。然而,本发明构思不限于此。例如,滤色器可与第一基板110集成。

第二偏振层Pol2可透射穿过液晶层LCL的光。与第一偏振层Pol1一样,第二偏振层Pol2可包括WGP。

根据当前实施例,如图3A、图3B、图4A和图4B所示,示出了第二偏振层Pol2被设置在颜色实现层CRL和第二驱动层DDL2之间。然而,本发明构思不限于此。例如,第二偏振层Pol2可被设置在第二基底基板SUB2的外表面上,即,在第二基底基板SUB2的两个表面当中未提供第二驱动层DDL2的表面上。

第二驱动层DDL2可被设置在第二偏振层Pol2上。第二驱动层DDL2可包括公共电极CE,公共电极CE与像素电极形成电场。这里,公共电极CE可与像素电极形成垂直电场。另一方面,第二驱动层DDL2可与第一驱动层DDL1集成。当第二驱动层DDL2与第一驱动层DDL1集成时,像素电极和公共电极CE可形成水平电场。

液晶层LCL可被设置在第一基板110和第二基板120之间。液晶层LCL的液晶分子通过由像素电极和公共电极CE形成的电场以特定方向被排列,并且可控制光的透射。因此,液晶层LCL透射由背光单元200提供的光,以便LCD面板100可实现图像。

背光单元200被设置在显示面板100的外部,并且可将光提供到液晶层LCL。背光单元200可包括导光板(未示出)、包括多个发光二极管的光源(未示出)、光学构件(未示出)和反射片(未示出)。

导光板可被设置在显示面板100的下方。导光板传导由光源发射的光,并且可在朝向显示面板100的方向上发射光。具体地,导光板可至少与显示面板100的显示区域DA重叠。

光源可将光供给到导光板的一侧表面或导光板的下表面。例如,当背光单元200是直下式背光单元时,光源可将光供给到导光板的下表面,或者当背光单元200是侧光式背光单元时,光源可将光供给到导光板的一侧表面。在光源中,多个发光二极管可被安装在印刷电路板(PCB)上。这里,发光二极管可发射相同颜色的光成分。例如,发光二极管可发射蓝色光成分。

光学构件可被设置在导光板和显示面板之间。光学构件可控制由导光板发射的光。另外,光学构件可包括依次堆叠的扩散片(未示出)、棱镜片(未示出)和保护片(未示出)。

扩散片可扩散从导光板发射的光。棱镜片可使扩散到扩散片中的光聚集在垂直于显示面板100的平面的方向上。因此,穿过棱镜片的光的大部分可垂直入射在显示面板100上。保护片可被设置在棱镜片上。保护片可保护棱镜片免遭外部冲击。

根据当前实施例,光学构件包括扩散片、棱镜片和保护片各一片。然而,本发明构思不限于此。在光学构件中,扩散片、棱镜片和保护片中的至少一种可以是多片并且可重叠地被使用,并且上述片中的一种可根据需要被省略。

反射片(未示出)可被设置在导光板和下盖板之间。反射片反射由光源发射的光中没有被提供在朝向显示面板100的方向上而泄漏的光,并且可将光的路径改变成显示面板100的方向。反射片可包括反射光的材料。因此,反射片可增加提供到显示面板100的光的量。

图5是示出图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的显示面板100的RGB像素的平面图。图6A、图6B和图6C是沿图5的线I-I’截取的截面图。图7是图6A的区域EA1的放大图。

参考图5、图6A、图6B、图6C和图7,显示面板100可包括红色像素RPXL、绿色像素GPXL和蓝色像素BPXL。另外,显示面板100可包括第一基板110、第二基板120和液晶层LCL。

第一基板110可包括第一偏振层Pol1、第一基底基板SUB1和设置在第一基底基板SUB1上的第一驱动层DDL1。

第一偏振层Pol1使由背光单元(参考图3A、图3B、图4A和图4B中的“200”)提供的光在特定方向上偏振,并且可将偏振光提供到液晶层LCL。第一偏振层Pol1可被设置在第一基底基板SUB1和背光单元200之间。另外,第一偏振层Pol1可被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间。当第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间时,第一偏振层Pol1可包括WGP。当第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1和第一驱动层DDL1之间时,第一基板110可包括设置在第一偏振层Pol1和第一驱动层DDL1之间的第一钝化层(参考图6C中的“PSL1”)。第一钝化层PSL1可使第一偏振层Pol1与第一驱动层DDL1彼此绝缘。下文中,为了方便起见,第一偏振层Pol1被示出为被设置在第一基底基板SUB1和背光单元200之间。

在像素RPXL、GPXL和BPXL中的每个中,第一驱动层DDL1可包括提供在第一基底基板SUB1上的至少一个TFT和连接到TFT的像素电极PE。

TFT可包括栅电极GE、半导体层SCL、源电极SE和漏电极DE。

下文将详细地描述TFT。

栅电极GE可被设置在第一基底基板SUB1上。栅电极GE可连接到栅线GL。例如,栅线GL的部分可突出并且可形成栅电极GE。另外,绝缘层(未示出)可被设置在栅电极GE和第一基底基板SUB1之间。

覆盖栅电极GE的栅绝缘层GI可被设置在栅电极GE上。栅绝缘层GI可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。例如,栅绝缘层GI可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

半导体层SCL可被设置在栅绝缘层GI上。另外,半导体层SCL的至少部分可与栅电极GE重叠。半导体层SCL可包括非晶硅a-Si、多晶硅p-Si和氧化物半导体当中的一种。另外,在半导体层SCL中,连接到源电极SE和漏电极DE的区域可以是源区和漏区,源区和漏区通过在非掺杂的半导体层上沉积杂质掺杂层或者向非掺杂的半导体层中掺杂杂质来被掺杂有杂质。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。这里,氧化物半导体可包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和上述金属的混合物当中的至少一种。例如,氧化物半导体可包括氧化铟镓锌(IGZO)。

源电极SE的一端可连接到与栅线GL相交的数据线DL。例如,数据线DL的部分可突出并且可形成源电极SE。源电极SE的另一端可连接到半导体层SCL的一端,例如,源区。

漏电极DE可被设置成与源电极SE隔开。漏电极DE的一端可连接到半导体层SCL的另一端,例如漏区,并且漏电极DE的另一端可连接到像素电极PE。

另一方面,以上示出了底栅结构的TFT,其中TFT的栅电极GE被布置在半导体层SCL下方。然而,本发明构思不限于此。例如,TFT可具有顶栅结构,其中栅电极GE被布置在半导体层SCL上。

第一基板110可进一步包括设置在TFT上的保护层PSV。保护层PSV覆盖TFT并且可暴露漏电极DE的另一端。

保护层PSV可包括无机保护层和有机保护层中的至少一种。例如,保护层PSV可包括覆盖TFT的无机保护层和设置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。例如,无机保护层可覆盖TFT。有机保护层可包括可透射光的有机绝缘材料。例如,有机保护层可包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂当中的至少一种。

像素电极PE可被设置在保护层PSV上。像素电极PE可连接到漏电极DE的另一端。像素电极PE可包括透明导电氧化物。例如,像素电极PE可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)当中的至少一种。

另一方面,尽管未在图中示出,像素电极PE可包括多个狭缝,以便精确控制包含在液晶层LCL中的液晶分子。

第二基板120可面向第一基板110。第二基板120可包括第二基底基板SUB2、设置在第二基底基板SUB2上的颜色实现层CRL、设置在颜色实现层CRL上的第二偏振层Pol2以及设置在第二偏振层Pol2上的第二驱动层DDL2。

第二基底基板SUB2可包括与第一基底基板SUB1相同的材料。

颜色实现层CRL可被设置在第二基底基板SUB2的一个表面上,例如,面向第一基板110的表面。颜色实现层CRL可包括:设置在第二基底基板SUB2上的相邻像素之间的区域中的光阻挡图案BM,设置在第二基底基板SUB2上以与红色像素RPXL和绿色像素GPXL对应的第一选择透射层STL1,设置在第一选择透射层STL1上的第一滤色器RCF和第二滤色器GCF,设置在第二基底基板SUB2上以与蓝色像素BPXL对应的第三滤色器WCF,至少覆盖第一滤色器RCF和第二滤色器GCF的第二选择透射层STL2,以及设置在第二选择透射层STL2上的平坦化层OC。

光阻挡图案BM可暴露第二基底基板SUB2的与红色像素RPXL、绿色像素GPXL和蓝色像素BPXL对应的区域,例如,红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。提供在第二基底基板SUB2上的光阻挡图案BM可防止穿过液晶层LCL和滤色器RCF、GCF和WCF的光成分在不同的像素中被混合,并且可防止色彩再现性恶化。另外,光阻挡图案BM可防止外部光入射在显示面板100上并且被反射。

由于背光单元200的光源是发射蓝光的发光二极管,因此第一选择透射层STL1阻挡穿过第一滤色器RCF和第二滤色器GCF的光成分当中的蓝光,并且可透射其他光成分。因此,第一选择透射层STL1可改善显示面板100的色彩再现性。

第一滤色器RCF和第二滤色器GCF可包括有机材料和分散到有机材料中的量子点材料。包含在第一滤色器RCF中的量子点材料吸收蓝光并且可将吸收的蓝光转变成红光。包含在第二滤色器GCF中的量子点材料吸收蓝光并且可将吸收的蓝光转变成绿光。因此,第一滤色器RCF和第二滤色器GCF可将从背光单元200提供的蓝光转变成红光和绿光。

第三滤色器WCF可透射由背光单元200提供的蓝光。例如,第三滤色器WCF可以是透明的蓝色或白色滤色器。

第二选择透射层STL2可至少覆盖第一滤色器RCF和第二滤色器GCF。例如,如图6B所示,第二选择透射层STL2可覆盖第一滤色器RCF和第二滤色器GCF。另外,如图6A和图6C所示,第二选择透射层STL2可覆盖第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF。

第二选择透射层STL2反射黄光并且可透射其他光成分。由于黄光是红光和绿光的混合,因此第二选择透射层STL2可反射由第一滤色器RCF和第二滤色器GCF转变的红光和绿光。另外,第二选择透射层STL2可反射入射在第三滤色器WCF上的光成分当中除蓝光以外的光成分。因此,第二选择透射层STL2可改善显示面板100的色彩再现性。

平坦化层OC可包括透明有机材料。如图6B所示,平坦化层OC可覆盖第二选择透射层STL2和第三滤色器WCF。因此,平坦化层OC可平坦化第二选择透射层STL2和第三滤色器WCF的表面。另外,如图6A和图6C所示,平坦化层OC可覆盖第二选择透射层STL2。因此,平坦化层OC可平坦化第二选择透射层STL2的表面。

第二偏振层Pol2被设置在颜色实现层CRL上并且可选择性地透射或者阻挡穿过液晶层LCL的光。与第一偏振层Pol1一样,第二偏振层Pol2可包括WGP。

第二驱动层DDL2可包括设置在第二偏振层Pol2上的第二钝化层PSL2和设置在第二钝化层PSL2上的公共电极CE。

第二钝化层PSL2可使第二偏振层Pol2与公共电极CE彼此绝缘。另外,第二钝化层PSL2可平坦化第二偏振层Pol2的表面。

公共电极CE可与像素电极PE形成电场。公共电极CE可包括透明导电氧化物。例如,公共电极CE可包括与像素电极PE相同的材料。

图8是示出图6A、图6B和图6C的光阻挡图案的截面图。

参考图8,光阻挡图案BM可被提供在第二基底基板SUB2的表面上。

光阻挡图案BM可包括:设置在第二基底基板SUB2上的半透反射层TRL,设置在半透反射层TRL上的相位匹配层PML,设置在相位匹配层PML上的反射金属层RML,以及设置在反射金属层RML上的透射保护层TPL。

半透反射层TRL反射外部光L0的部分并且可透射剩下的外部光L0。半透反射层TRL可包括具有高光吸收系数的材料。例如,半透反射层TRL可包括钛(Ti)、钼(Mo)和上述金属的合金中的至少一种。当半透反射层TRL的光吸收系数高时,外部光L0的反射率可通过半透反射层TRL降低。因此,半透反射层TRL可抑制光阻挡图案BM的外部光L0的反射率增加。

半透反射层TRL可具有数十至数百的厚度,以便透射光。例如,半透反射层TRL的厚度可具有不超过大约的厚度。当半透反射层TRL的厚度大于时,半透反射层TRL的反射率可增加。

相位匹配层PML可以是光学透明的。这里,相位匹配层PML是光学透明的意味着相位匹配层PML透射不少于大约50%(例如80%)的可见光线。相位匹配层PML可包括透明金属氧化物。透明金属氧化物可包括ITO、IZO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO当中的至少一种。另外,相位匹配层PML可包括透明有机材料。导电有机材料可包括聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸)和聚苯胺当中的至少一种。

相位匹配层PML的厚度可被控制,使得由半透反射层TRL反射的光L1与由反射金属层RML反射的光L2可产生相消干涉,并且厚度可以是数十至数百例如,相位匹配层PML的厚度可以是至

反射金属层RML可反射外部光L0中穿过半透反射层TRL和相位匹配层PML的光。

反射金属层RML可包括具有高光反射率的材料。例如,反射金属层RML可包括银(Ag)、Ag合金、铝(Al)和Al合金中的一种。

反射金属层RML可具有外部光L0中穿过半透反射层TRL和相位匹配层PML的光可被反射的厚度。例如,反射金属层RML可具有大约至的厚度。

透射保护层TPL被设置在反射金属层RML上并且可防止反射金属层RML被氧化。透射保护层TPL可透射光并且可包括与相位匹配层PML相同的材料。例如,透射保护层TPL可包括ITO、IZO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO当中的至少一种。

另一方面,相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL可包括具有基本相同的蚀刻率的材料。例如,当相位匹配层PML和透射保护层TPL包括IZO时,反射金属层RML可包括Al-镍(Ni)-镧(La)合金。

下文将描述光阻挡图案BM如何能防止外部光L0被反射。

外部光L0可通过第二基底基板SUB2被入射在光阻挡图案BM上。外部光L0穿过第二基底基板SUB2并且外部光L0的部分可从半透反射层TRL被反射。下文中,从半透反射层TRL反射的光被称为第一反射光L1。

另一方面,剩余的外部光L0可经由半透反射层TRL和相位匹配层PML被入射在反射金属层RML上。外部光L0穿过相位匹配层PML并且从反射金属层RML被反射,使得外部光L0的相位可改变。下文中,从反射金属层RML反射的光被称为第二反射光L2。

第二反射光L2的部分可从半透反射层TRL被再次反射。也就是说,第二反射光L2的部分可在半透反射层TRL和反射金属层RML之间被重复反射。由于在半透反射层TRL和反射金属层RML之间被重复反射的光的相位因相位匹配层PML而改变,因此相消干涉条件被满足,使得在半透反射层TRL和反射金属层RML之间被重复反射的光可被抵消。另外,剩余的第二反射光L2透过半透反射层TRL,可与第一反射光L1产生相消干涉,并且可被抵消。因此,入射在光阻挡图案BM上的外部光L0被分为从半透反射层TRL反射的第一反射光L1和从反射金属层RML反射的第二反射光L2,并且第一反射光L1和第二反射光L2可通过相消干涉被抵消。

图9是示出图6A、图6B和图6C的颜色实现层的部分截面图。

参考图8和图9,颜色实现层(参考图6A、图6B和图6C的“CRL”)可被设置在第二基底基板SUB2的一个表面上。颜色实现层CRL可包括光阻挡图案BM、第一选择透射层STL1、滤色器RCF或GCF、第二选择透射层STL2和平坦化层OC。

光阻挡图案BM可暴露第二基底基板SUB2的部分,并且第一选择透射层STL1可被设置在第二基底基板SUB2的被暴露的表面上。滤色器RCF或GCF可被设置在第一选择透射层STL1上,并且第二选择透射层STL2可覆盖滤色器RCF或GCF。平坦化层OC可平坦化第二选择透射层STL2的表面。

另一方面,滤色器RCF或GCF可包括有机材料和分散到有机材料中的量子点材料。例如,量子点材料吸收由背光单元(参考图3A、图3B、图4A和图4B的“200”)提供的蓝光LB,并且可将蓝光LB转变成转变光LC,转变光LC为红光或绿光。

转变光LC不在特定的方向上被发射,而是可从量子点材料在所有方向上被发射。因此,从包含量子点材料的滤色器RCF或GCF发射的转变光LC可不仅在朝向第二基底基板SUB2的方向上被发射,而且也在朝向滤色器RCF或GCF的侧表面的方向以及背向第二基底基板SUB2的方向上被发射。

在滤色器RCF和GCF的侧表面的方向以及与第二基底基板SUB2的方向相反的方向上发射的转变光LC可从第二选择透射层STL2被反射。由于第二选择透射层STL2反射黄光并且可透射其他光成分,因此第二选择透射层STL2透射由背光单元200提供的蓝光LB并且可反射转变光LC。因此,转变光LC的大部分可通过第一选择透射层STL1被发射到外部,并且包含量子点材料的滤色器RCF或GCF可改善显示设备的光效率。

另一方面,由背光单元200提供的蓝光LB中没有被提供到滤色器RCF或GCF的光可从光阻挡图案BM被反射,具体地,可从光阻挡图案BM的反射金属层RML被反射。从光阻挡图案BM反射的蓝光LB可从光阻挡图案BM下面的第二偏振层Pol2被反射。蓝光LB在光阻挡图案BM和第二偏振层Pol2之间被反射,并且可被入射在滤色器RCF或GCF上。因此,显示设备的光效率可改善。

另外,在从第二基底基板SUB2的外部入射的外部光L0中,入射在滤色器RCF或GCF上的光穿过滤色器RCF或GCF下面的液晶层(参考图3A、图3B、图4A和图4B的“LCL”)并且可被抵消。另外,在从第二基底基板SUB2的外部入射的外部光L0中,入射在光阻挡图案BM上的光可通过相消干涉被抵消。

下文将参考图10至图17描述制造图1至图9的显示面板的方法。

图10至图17是示出根据本发明构思的实施例的制造显示面板的方法的工艺的截面图。在图10至图17中,为了方便起见,示出了第一偏振层Pol1被设置在第一基底基板SUB1的外表面上,并且第二选择透射层STL2覆盖第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF。另外,在图11和图12中,为了方便起见,光阻挡图案BM被概念性地示出。

参考图10,第一基板110被提供。第一基板110包括:第一基底基板SUB1,设置在第一基底基板SUB1的一个表面上的第一偏振层Pol1,以及设置在第一基底基板SUB1的另一表面上的第一驱动层DDL1。

第一驱动层DDL1可包括提供在第一基底基板SUB1上的至少一个TFT和连接到TFT的像素电极PE。第一驱动层DDL1可通过在第一基底基板SUB1上形成TFT并形成连接到TFT的像素电极PE来制造。

下文将更详细地描述制造第一驱动层DDL1的方法。

首先,TFT被形成在第一基底基板SUB1的一个表面上。TFT可包括栅电极GE、半导体层SCL、源电极SE和漏电极DE。

TFT可以以如下方式形成。

首先,通过在第一基底基板SUB1的一个表面上沉积导电材料并进行图案化来形成栅电极GE。

在形成栅电极GE之后,形成覆盖栅电极GE的栅绝缘层GI。栅绝缘层GI可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。例如,栅绝缘层GI可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

在形成栅绝缘层GI之后,通过在栅绝缘层GI上沉积半导体材料并进行图案化来形成半导体层SCL。在半导体层SCL中,连接到源电极SE和漏电极DE的区域可以是源区和漏区,通过在非掺杂的半导体层上沉积杂质掺杂层或者向非掺杂的半导体层中注入杂质,该源区和漏区被掺杂有杂质。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。

在形成半导体层SCL之后,可通过在半导体层SCL上沉积导电材料并进行图案化来形成源电极SE和漏电极DE。

在形成TFT之后,形成覆盖TFT的保护层PSV。保护层PSV可包括无机保护层和有机保护层中的至少一种。例如,保护层PSV可包括覆盖TFT的无机保护层和设置在无机保护层上的有机保护层。

在形成保护层PSV之后,通过图案化保护层PSV来暴露漏电极DE的部分。

在图案化保护层PSV之后,在保护层PSV上形成连接到漏电极DE的像素电极PE。像素电极PE可包括透明导电氧化物。例如,像素电极PE可包括ITO、IZO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO当中的至少一种。像素电极PE可包括多个狭缝,以便精确控制包含在液晶层LCL中的液晶分子。

在形成像素电极PE之后,在第一基底基板SUB1的另一表面上形成第一偏振层Pol1。

参考图11至图15,在提供第一基板110之后,提供第二基板120。可通过依次形成设置在第二基底基板SUB2上的颜色实现层CRL、设置在颜色实现层CRL上的第二偏振层Pol2以及设置在第二偏振层Pol2上的第二驱动层DDL2来制造第二基板120。

颜色实现层CRL可被设置在第二基底基板SUB2的一个表面上,例如,面向第一基板110的表面。颜色实现层CRL可包括:第二基底基板SUB2上围绕像素的光阻挡图案BM,设置在第二基底基板SUB2上以与红色像素RPXL和绿色像素GPXL对应的第一选择透射层STL1,设置在第一选择透射层STL1上的第一滤色器RCF和第二滤色器GCF,设置在第二基底基板SUB2上以与蓝色像素BPXL对应的第三滤色器WCF,覆盖第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF的第二选择透射层STL2,以及设置在第二选择透射层STL2上的平坦化层OC。

下文将参考图11至图15更详细地描述制造颜色实现层CRL的方法。

首先,如图11所示,半透反射层TRL、设置在半透反射层TRL上的相位匹配层PML、设置在相位匹配层PML上的反射金属层RML以及设置在反射金属层RML上的透射保护层TPL依次被形成在第二基底基板SUB2上。

半透反射层TRL可包括具有高光吸收系数的材料。例如,半透反射层TRL可包括Ti、Mo和上述金属的合金中的至少一种。半透反射层TRL可具有数十至数百的厚度,以便透射光。例如,半透反射层TRL的厚度可具有不超过大约的厚度。

相位匹配层PML可包括透明金属氧化物和透明有机材料中的一种。透明金属氧化物可包括ITO、IZO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO当中的至少一种。导电有机材料可包括聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸)和聚苯胺当中的至少一种。

相位匹配层PML的厚度可被控制,使得由半透反射层TRL反射的光L1与由反射金属层RML反射的光L2可产生相消干涉并且可以是数十至数百例如,相位匹配层PML的厚度可以是至

反射金属层RML可包括具有高光反射率的材料。例如,反射金属层RML可包括Ag、Ag合金、Al和Al合金中的一种。

反射金属层RML可具有外部光L0中穿过半透反射层TRL和相位匹配层PML的光可被反射的厚度。例如,反射金属层RML可具有大约至的厚度。

透射保护层TPL被设置在反射金属层RML上并且可防止反射金属层RML被氧化。透射保护层TPL可包括与相位匹配层PML相同的材料。例如,透射保护层TPL可包括ITO、IZO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO当中的至少一种。

另一方面,相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL可关于湿刻具有基本相同的蚀刻率。例如,当相位匹配层PML和透射保护层TPL包括IZO时,反射金属层RML可包括Al-Ni-La合金,使得通过蚀刻光阻挡图案BM获得的光阻挡图案BM的蚀刻断面是均匀的。

如图12所示,暴露第二基底基板SUB2的部分的光阻挡图案BM通过同时蚀刻半透反射层TRL、相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL被形成。这里,蚀刻可通过使用湿刻工艺进行。另外,光阻挡图案BM可暴露与第二基底基板SUB2的红色像素(参考图5的“RPXL”)、绿色像素(参考图5的“GPXL”)和蓝色像素(参考图5的“BPXL”)对应的区域。

另一方面,由于相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL关于湿刻的蚀刻率基本相同,因此能够防止相位匹配层PML和透射保护层TPL相比于反射金属层RML被过分蚀刻。也就是说,能够防止由于相位匹配层PML和反射金属层RML之间在蚀刻率上的差异而在相位匹配层PML中产生底切(under-cut)。因此,相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL的蚀刻断面可以是均匀的。

另外,由于相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL关于湿刻的蚀刻率基本相同,因此能够防止反射金属层RML相比于相位匹配层PML和透射保护层TPL被过分蚀刻。也就是说,能够防止由于相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL当中在蚀刻率上的差异而在反射金属层RML中产生底切。因此,相位匹配层PML、反射金属层RML和透射保护层TPL的蚀刻断面可以是均匀的。

表1

表1中,在实验例1的光阻挡图案BM中,半透反射层TRL包括的Ti,相位匹配层PML包括的IZO,反射金属层RML包括的Ag,并且透射保护层TPL包括的IZO。在实验例2的光阻挡图案BM中,半透反射层TRL包括的Ti,相位匹配层PML包括的IZO,反射金属层RML包括的Al-Ni-La合金(ANL),并且透射保护层TPL包括的IZO。在实验例3的光阻挡图案BM中,半透反射层TRL包括的Ti,相位匹配层PML包括的ITO,反射金属层RML包括的ANL,并且透射保护层TPL包括的ITO。在实验例4的光阻挡图案BM中,半透反射层TRL包括的Ti,相位匹配层PML包括的IZTO(包含20wt%的In),反射金属层RML包括的Ag,并且透射保护层TPL包括的ITO。在实验例5的光阻挡图案BM中,半透反射层TRL包括的Ti,相位匹配层PML包括的IZTO(包含90wt%的In),反射金属层RML包括的Ag,并且透射保护层TPL包括的ITO。

参考表1,在实验例1、实验例3、实验例4和实验例5中,由于相位匹配层PML和透射保护层TPL与反射金属层RML的蚀刻率之间的差异,在相位匹配层PML中产生底切。

另一方面,在实验例2中,由于相位匹配层PML和透射保护层TPL的蚀刻率与反射金属层RML的蚀刻率基本相同,因此在相位匹配层PML中没有产生底切。

因此,为了使光阻挡图案BM的蚀刻断面均匀,相位匹配层PML和透射保护层TPL的蚀刻率与反射金属层RML的蚀刻率应基本相同。

如图13所示,在形成光阻挡图案BM之后,在与第二基底基板SUB2的红色像素RPXL和绿色像素GPXL对应的区域的被暴露的表面上形成第一选择透射层STL1。第一选择透射层STL1阻挡蓝光并且可透射除蓝光以外的光成分。

如图14所示,在形成第一选择透射层STL1之后,形成第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF。

第一滤色器RCF可被设置在第一选择透射层STL1上,以与红色像素RPXL对应。第二滤色器GCF可被设置在第一选择透射层STL1上,以与绿色像素GPXL对应。第三滤色器WCF可被设置在第二基底基板SUB2上,以与蓝色像素BPXL对应。

第一滤色器RCF和第二滤色器GCF可包括有机材料和分散到有机材料中的量子点材料。包含在第一滤色器RCF中的量子点材料吸收背光单元(参考图3A、图3B、图4A和图4B的“200”)的蓝光并且可将吸收的蓝光转变成红光。包含在第二滤色器GCF中的量子点材料吸收蓝光并且可将吸收的蓝光转变成绿光。

另外,第三滤色器WCF可透射由背光单元200提供的蓝光。例如,第三滤色器WCF可以是透明的蓝色或白色滤色器。

如图15所示,在形成第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF之后,形成覆盖第一滤色器RCF、第二滤色器GCF和第三滤色器WCF的第二选择透射层STL2。第二选择透射层STL2可覆盖滤色器之间的区域,滤色器RCF、GCF和WCF彼此相邻。第二选择透射层STL2反射黄光并且可透射其他光成分。由于黄光是红光和绿光的混合,因此第二选择透射层STL2可反射由第一滤色器RCF和第二滤色器GCF转变的红光和绿光。另外,第二选择透射层STL2可反射入射在第三滤色器WCF上的光成分当中除蓝光以外的光成分。因此,第二选择透射层STL2可改善显示面板100的色彩再现性。

在形成第二选择透射层STL2之后,在第二选择透射层STL2上形成平坦化层OC。平坦化层OC可包括透明有机材料。因此,平坦化层OC可平坦化第二选择透射层STL2的表面。

在形成颜色实现层CRL之后,在平坦化层OC上形成第二偏振层Pol2。与第一偏振层Pol1一样,第二偏振层Pol2可包括WGP。

在形成第二偏振层Pol2之后,在第二偏振层Pol2上形成第二驱动层DDL2。

第二驱动层DDL2可包括设置在第二偏振层Pol2上的第二钝化层PSL2和设置在第二钝化层PSL2上的公共电极CE。第二钝化层PSL2可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。公共电极CE可包括与像素电极PE相同的材料。

参考图16,第一基板110和第二基板120被设置成彼此面对,并且液晶层LCL被设置在第一基板110和第二基板120之间。液晶层LCL的液晶分子通过由像素电极PE和公共电极CE形成的电场以特定方向排列,并且可控制光的透射。因此,液晶层LCL透射由背光单元200提供的光,以便LCD面板100可实现图像。

根据当前实施例,示出了,在将第一基板110和第二基板120设置成彼此面对之后,液晶层LCL被设置在第一基板110和第二基板120之间。然而,本发明构思不限于此。例如,液晶层LCL被设置在第一基板110上,并且第二基板120可被设置在液晶层LCL上。

参考图17,显示面板(参考图3A、图3B、图4A和图4B的“100”)通过将第一基板110和第二基板120彼此粘合被形成。密封剂(未示出)可被用于将第一基板110和第二基板120彼此粘合。

密封剂被设置在显示面板100的非显示区域(参考图1的“NDA”)中,并且可围绕显示面板100的非显示区域(参考图1的“NDA”)。

在本文中已经公开了示例实施例,尽管使用了特定的术语,但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释,而不是为了限制的目的。在某些情况下,如在递交本申请时对本领域技术人员来说将是显而易见的那样,结合特定实施例描述的特征、特性和/或要素可以单独使用,也可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或要素组合使用,除非另有明确说明。因此,本领域技术人员将理解,可在不脱离如以下权利要求书中提出的本发明构思的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。

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